JPS5879169A - 半導体素子評価法 - Google Patents
半導体素子評価法Info
- Publication number
- JPS5879169A JPS5879169A JP17759481A JP17759481A JPS5879169A JP S5879169 A JPS5879169 A JP S5879169A JP 17759481 A JP17759481 A JP 17759481A JP 17759481 A JP17759481 A JP 17759481A JP S5879169 A JPS5879169 A JP S5879169A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- semiconductor device
- discrete fourier
- semiconductor element
- transient
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、容量を伴う接合を有する半導体素子を評価せ
られるべき半導体素子として、その半導体素子を例えば
その深い準位Ｉこよって評価する場合ｌこ適用して好適
な半導体素子評価法ｌこ関する。
られるべき半導体素子として、その半導体素子を例えば
その深い準位Ｉこよって評価する場合ｌこ適用して好適
な半導体素子評価法ｌこ関する。
以下、本発明ｌこよる半導体素子評価法を容量を伴う接
合を有する半導体素子を評価せられるべき半導体素子と
して、その半導体素子をその深い準位Ｅこよって評価す
る場合Ｅこ適用するものとして述べよう。
合を有する半導体素子を評価せられるべき半導体素子と
して、その半導体素子をその深い準位Ｅこよって評価す
る場合Ｅこ適用するものとして述べよう。
従来、特開昭５６−７６０６５号に示されているので詳
細説明はこれを省略するも、半導体素子ｌこ第１図Ａ＃
こ示す如きバイアス用パルス電圧Ｖを印加し、それｌこ
基く第１図Ｂｉこ示す如き半導体素子の過渡容量０（１
１（此処基こｔは一般Ｊこ時間を示す）の、バイアス用
パルス電圧Ｖの印加後の複数の時点ｔ１．ｔ２・・・・
・・・・・での容量値０ （ｔ、） Ｉ ０（ｔ２）
・・・・・・・・・を測定、記憶することを、温度を
変えてなし、その記憶出力から、容量値０（ｔ、） 、
０（ｔ２）・・・・・・・・・中から選ばれた互１こ
異なる組合せを一般に０（ｔａ）及び０（ｔ’ａ） ；
ｏ（ｔｂ）及びｃ（ｔ’ｂ）とするとき、０（ｔａ）及
びＯ（ｔ’ａ）の差△Ｏａ 、 ０（ｔｂ）及びＯ（ｔ
’ｂ）の差ム几・・・・・・・・・を得、而してそれ等
の差団ａ 、 瓦ｂ ・−・−−−−−・の温度に対す
る関係を表わす曲線、を得、そしてそれ等曲線Ｉこ基き
半導体素子の深い準位を判知して半導体素子の評価をな
すという半導体素子評価法が提案されている。
細説明はこれを省略するも、半導体素子ｌこ第１図Ａ＃
こ示す如きバイアス用パルス電圧Ｖを印加し、それｌこ
基く第１図Ｂｉこ示す如き半導体素子の過渡容量０（１
１（此処基こｔは一般Ｊこ時間を示す）の、バイアス用
パルス電圧Ｖの印加後の複数の時点ｔ１．ｔ２・・・・
・・・・・での容量値０ （ｔ、） Ｉ ０（ｔ２）
・・・・・・・・・を測定、記憶することを、温度を
変えてなし、その記憶出力から、容量値０（ｔ、） 、
０（ｔ２）・・・・・・・・・中から選ばれた互１こ
異なる組合せを一般に０（ｔａ）及び０（ｔ’ａ） ；
ｏ（ｔｂ）及びｃ（ｔ’ｂ）とするとき、０（ｔａ）及
びＯ（ｔ’ａ）の差△Ｏａ 、 ０（ｔｂ）及びＯ（ｔ
’ｂ）の差ム几・・・・・・・・・を得、而してそれ等
の差団ａ 、 瓦ｂ ・−・−−−−−・の温度に対す
る関係を表わす曲線、を得、そしてそれ等曲線Ｉこ基き
半導体素子の深い準位を判知して半導体素子の評価をな
すという半導体素子評価法が提案されている。
然し乍ら斯る従来の半導体素子評価法の場合、過渡容量
０（ｔ）の、複数の時点’ｌｔ’２・・・・・・・・・
での容量値Ｃ（ｔ、）、Ｃ（ｔ２）・・・・・・・・・
を測定する、その測定時点数を犬とするｌこ一定の限度
を有し、この為半導体素子の評価を十分満足し得るもの
とは言い得ないものであった。又容量値０（ｔａ）及び
０（ｔａ）の差２」ａ１容量値ｏ（ｔｂ）及びＣ６）の
差、」ｂ・・・・・・・・・の温度Ｉこ対する関係を表
わす曲＋１ｉ５１ Ｊこ基き判知される半導体素子の深
い準位は、基本的Ｅこはそれ等曲線の頂点のみから判知
されるものであり、この為半導体素子の評価を効率良く
なし得るものとは言い得ないものであった。更ｌこ上述
せる曲線からの半導体素子の深い準位の判知が、それ等
曲線の頂点からなされなければならないので、その判知
に個人差を伴い易く、この為半導体素子の評価が正しく
なされない惰れを有していた。
０（ｔ）の、複数の時点’ｌｔ’２・・・・・・・・・
での容量値Ｃ（ｔ、）、Ｃ（ｔ２）・・・・・・・・・
を測定する、その測定時点数を犬とするｌこ一定の限度
を有し、この為半導体素子の評価を十分満足し得るもの
とは言い得ないものであった。又容量値０（ｔａ）及び
０（ｔａ）の差２」ａ１容量値ｏ（ｔｂ）及びＣ６）の
差、」ｂ・・・・・・・・・の温度Ｉこ対する関係を表
わす曲＋１ｉ５１ Ｊこ基き判知される半導体素子の深
い準位は、基本的Ｅこはそれ等曲線の頂点のみから判知
されるものであり、この為半導体素子の評価を効率良く
なし得るものとは言い得ないものであった。更ｌこ上述
せる曲線からの半導体素子の深い準位の判知が、それ等
曲線の頂点からなされなければならないので、その判知
に個人差を伴い易く、この為半導体素子の評価が正しく
なされない惰れを有していた。
依って本発明は上述せる欠点のない新規な半導体素子評
価法を提案せんとするもので、以下詳述する所より明ら
かとなるであろう。
価法を提案せんとするもので、以下詳述する所より明ら
かとなるであろう。
半導体素子をその深い準位暑こよって評価する場合に於
て、その深い準位は、半導体素子の各温反に於ける過渡
容ｆ Ｏ（１１の時定数（これをτとする）を測定する
ことにより、判知し得るものである。このことは、前述
せる従来の方法（こ於て、半導体素子の深い準位が、前
述せる容量値の差ｔｅａ 、 」ｂ・・・・・・・・の
温度に対する曲線１こ基き判知されている所よりしても
明らかである。
て、その深い準位は、半導体素子の各温反に於ける過渡
容ｆ Ｏ（１１の時定数（これをτとする）を測定する
ことにより、判知し得るものである。このことは、前述
せる従来の方法（こ於て、半導体素子の深い準位が、前
述せる容量値の差ｔｅａ 、 」ｂ・・・・・・・・の
温度に対する曲線１こ基き判知されている所よりしても
明らかである。
所で、今生導体素子ζこ第１図Ａｌこ示すη口きバイア
ス用パルス電圧Ｖを印加した場合の、それｔこ基く第１
図Ｂ！こて上述せると同様の第１図Ｃに示す如き半導体
素子の過渡容量０ （ｔｌは、パルス電圧Ｖの得られな
くなった時点ｔ′ｏ後、時定数τを含む次式で表わされ
るものである。
ス用パルス電圧Ｖを印加した場合の、それｔこ基く第１
図Ｂ！こて上述せると同様の第１図Ｃに示す如き半導体
素子の過渡容量０ （ｔｌは、パルス電圧Ｖの得られな
くなった時点ｔ′ｏ後、時定数τを含む次式で表わされ
るものである。
ｏ（ｔｌ ＝ｃｏ−Ｎｅｘｐ （−ｔ／ｒ ） −−＝
１１１此処ｌこＣ９は過渡容量の最終値（ｔ ＝ ｃｏ
）、Ｎは半導体素子の深い準位の密度番こ応した数で
ある。
１１１此処ｌこＣ９は過渡容量の最終値（ｔ ＝ ｃｏ
）、Ｎは半導体素子の深い準位の密度番こ応した数で
ある。
又（１）式で表わされる半導体素子の過渡谷檎Ｃ（ｔｌ
を、時点ｔ′ｏ 后の初期時点ｔ。で測定し、次で時
点ｔ。より順次時間間隔汀をとった複数（Ｋ−１）個の
時点１１，１２・・・・・・・・・ｆ（Ｋ−１）で測定
し、従って過渡容−ＩｉＣ（ｔｌを全体としてに個の時
点で測定するものとし、而して Ｔ＝（Ｋ−１）△ｔ ・・・・・・・・・（２）と定義
して、Ｃ！ （１１ｉこ対して区間（ｔｏ、ｔｏ＋Ｔ）
で離散フーリエ変換を施せば、０（ｔｌは次式で表わさ
れるものである。
を、時点ｔ′ｏ 后の初期時点ｔ。で測定し、次で時
点ｔ。より順次時間間隔汀をとった複数（Ｋ−１）個の
時点１１，１２・・・・・・・・・ｆ（Ｋ−１）で測定
し、従って過渡容−ＩｉＣ（ｔｌを全体としてに個の時
点で測定するものとし、而して Ｔ＝（Ｋ−１）△ｔ ・・・・・・・・・（２）と定義
して、Ｃ！ （１１ｉこ対して区間（ｔｏ、ｔｏ＋Ｔ）
で離散フーリエ変換を施せば、０（ｔｌは次式で表わさ
れるものである。
０（ｔ）−ａ ｏ／２＋Σ（ａ、ｃｏｓ（２＋ｒｎｔ／
Ｔ）１ ＋ ｂｎｓｉｎ（２ｒｎｔ／Ｔ ） ｌ −＝−−（３
１此処にｎは次数である。又、ａｏはｎ≧１の場合０次
のフーリエ係数、ａｎ及びす。は０次のフーリエ係数で
ｓ ２ｒｎ ｔ ｏ ）） ’ｌ’の場合、次式で与え
られるものである。
Ｔ）１ ＋ ｂｎｓｉｎ（２ｒｎｔ／Ｔ ） ｌ −＝−−（３
１此処にｎは次数である。又、ａｏはｎ≧１の場合０次
のフーリエ係数、ａｎ及びす。は０次のフーリエ係数で
ｓ ２ｒｎ ｔ ｏ ）） ’ｌ’の場合、次式で与え
られるものである。
ａ＝２（Ｏｏ−８τ／Ｔ）・・・・・・・・・（４）ａ
−２（Ｔ／ｒ）８（１（ｔｏ／ｒ）（２ｒｎｔ／Ｔ
） ）／Ｕ。
−２（Ｔ／ｒ）８（１（ｔｏ／ｒ）（２ｒｎｔ／Ｔ
） ）／Ｕ。
・・・・・・・・・（５）
ｂｎ＝２（２πｎ）Ｓ（１＋ｔｏ／τ）／Ｕｎ・・・・
・・・・・（６）Ｕｎ＝（Ｔ／ｒ）＋（２πｎ） −
・−−−−＝（７）Ｓ＝（ＯｏＮ／２）ｅｘｐ（ｔｏ／
τ）（ｅｘｐ（−Ｔ／１）−１１−（８）更に、（４）
〜（６）式にて時定数τを含んでいるもの（ＯｏＮ／２
）で除した規格フーリエ係数と、実測による離散フーリ
エ係数とを比較することにより求め得るものである。又
τは離散フーリエｓｉｎ係数ｂｎ 中での互に異なる
次数ｎａ及びｎｂの係数の比（ｂｎ、／ｂｎ、）をとる
ことｌこより求め得るものである。更にτは離散プーリ
ｌＣｏ５ａｎａｎ中での互に異なる次数（ａｎａ及びａ
ｎ、）の係数比（ａｎ、／ａｎｌ））をとることにより
求め得るものである。尚更に７は醸散フーリｌＣｏ５係
数 と１Ｉ７１Ｌ散フーリエｎ ５ｉｎ係数ｂｎ の互に同じ次数ａｎＣ及びｂｎｏの
係数の比（ａｎｃ／ｂｒｌｃ）をとることにより求め得
るものである。
・・・・・（６）Ｕｎ＝（Ｔ／ｒ）＋（２πｎ） −
・−−−−＝（７）Ｓ＝（ＯｏＮ／２）ｅｘｐ（ｔｏ／
τ）（ｅｘｐ（−Ｔ／１）−１１−（８）更に、（４）
〜（６）式にて時定数τを含んでいるもの（ＯｏＮ／２
）で除した規格フーリエ係数と、実測による離散フーリ
エ係数とを比較することにより求め得るものである。又
τは離散フーリエｓｉｎ係数ｂｎ 中での互に異なる
次数ｎａ及びｎｂの係数の比（ｂｎ、／ｂｎ、）をとる
ことｌこより求め得るものである。更にτは離散プーリ
ｌＣｏ５ａｎａｎ中での互に異なる次数（ａｎａ及びａ
ｎ、）の係数比（ａｎ、／ａｎｌ））をとることにより
求め得るものである。尚更に７は醸散フーリｌＣｏ５係
数 と１Ｉ７１Ｌ散フーリエｎ ５ｉｎ係数ｂｎ の互に同じ次数ａｎＣ及びｂｎｏの
係数の比（ａｎｃ／ｂｒｌｃ）をとることにより求め得
るものである。
尚更に、上述せる如くして時定数τを求め得れば、これ
を用いて（８）式で表わされているＳ及び（４）式で表
わされてい６０次のンーリエ係ｌｅａ。
を用いて（８）式で表わされているＳ及び（４）式で表
わされてい６０次のンーリエ係ｌｅａ。
に於けるＣ８、及びＳに於けるＮを求め得、結局過渡容
ｉｔ ０（ｔ）を表わしている全てのパラメ−夕を求め
得るものである。
ｉｔ ０（ｔ）を表わしている全てのパラメ−夕を求め
得るものである。
依って半導体素子に第１図Ａにて上述せる如きバイアス
用パルス電圧■を印加し、それに基く半導体素子の上述
せる（１）式の過渡容量αｔ）を測定し、その測定出力
に上述せる（３）式の離散フーリエ変換を施してその上
述せる（４）〜（５）式の離散フーリエ係数を求めれば
、これより過渡容量（Ｘｔ）の時定数τを求め得、依っ
て半導体素子の深い準位を判知し得、これに基き半導体
素子を評１曲しイ拝るものである。
用パルス電圧■を印加し、それに基く半導体素子の上述
せる（１）式の過渡容量αｔ）を測定し、その測定出力
に上述せる（３）式の離散フーリエ変換を施してその上
述せる（４）〜（５）式の離散フーリエ係数を求めれば
、これより過渡容量（Ｘｔ）の時定数τを求め得、依っ
て半導体素子の深い準位を判知し得、これに基き半導体
素子を評１曲しイ拝るものである。
以上に基き本発明の一例に於ては、第２図に示す如く、
半導体素子１を恒温槽２内に配し、その半導体素子１に
パルス篭圧発生諒３よりの第１図Ａにて上述せるグｌき
バイアス用パルス電圧■を印加し、それに基く第１図Ｃ
にて上述せる如き且上述せる（１）式で表わされる過渡
容量０（ｔ）を、第１図Ｃにて前述せるに個の時点ｔ。
半導体素子１を恒温槽２内に配し、その半導体素子１に
パルス篭圧発生諒３よりの第１図Ａにて上述せるグｌき
バイアス用パルス電圧■を印加し、それに基く第１図Ｃ
にて上述せる如き且上述せる（１）式で表わされる過渡
容量０（ｔ）を、第１図Ｃにて前述せるに個の時点ｔ。
。
１１、１２・・・・・・ｔ（Ｋ−１） で、容量測定
器４にて測定することを繰返し、その測定出方をデジタ
ル電圧計５に入力せしめ、そのデジタル電圧計５の出力
を計算機６に入力せしめ、一方恒温槽２内にヒータ７を
配し、そのヒータ７をヒータ用寛源８にて制御駆動せし
める様にして半導体素子１に対する温度を、過渡容＊
ａ＜ｔ）を上述せる如くにに個の時点ｔ。〜ｔ（Ｋ、−
１）で測定することを綜返す毎に変化せしめ、又恒温槽
２内の温度を 熱 電 対 にて検−出せしめ、その検
出出力をデジタル電圧計１０に入力せしめ、そのデジタ
ル電圧計１０の出力を計算機乙に入力せしめ、而して耐
３！機６に於て、デジタル電圧Ｗｉ５の出力に上述せる
（３）式の離間フーリエ変換を、過渡容量０（ｔ）を上
述せる如くにに個の時点ｔ。−ｔ（Ｋ−１）で測定する
ことを繰返す毎に従って半導体素子１の各温度で施して
上述せる（４１、（５１及び（６）式の離散フーリエ係
数ａ。、ａｎ及びｂｎ を半導体素子１の各温度で求め
、その離散フーリエ係数ａＯ、ａｎ及びｂｎ から過
渡容量０（ｔ）の時定数τを半導体素子１の各温度で測
定し、これに基き例えばプロッタ１１に記録せしめて、
半導体素子１の深い準位を判知し、これにより半導体素
子１の評価をなすものである。尚計算機乙に於いて上述
せる時定数τを測定し得ることは、前述せる所より明ら
かであろう。
器４にて測定することを繰返し、その測定出方をデジタ
ル電圧計５に入力せしめ、そのデジタル電圧計５の出力
を計算機６に入力せしめ、一方恒温槽２内にヒータ７を
配し、そのヒータ７をヒータ用寛源８にて制御駆動せし
める様にして半導体素子１に対する温度を、過渡容＊
ａ＜ｔ）を上述せる如くにに個の時点ｔ。〜ｔ（Ｋ、−
１）で測定することを綜返す毎に変化せしめ、又恒温槽
２内の温度を 熱 電 対 にて検−出せしめ、その検
出出力をデジタル電圧計１０に入力せしめ、そのデジタ
ル電圧計１０の出力を計算機乙に入力せしめ、而して耐
３！機６に於て、デジタル電圧Ｗｉ５の出力に上述せる
（３）式の離間フーリエ変換を、過渡容量０（ｔ）を上
述せる如くにに個の時点ｔ。−ｔ（Ｋ−１）で測定する
ことを繰返す毎に従って半導体素子１の各温度で施して
上述せる（４１、（５１及び（６）式の離散フーリエ係
数ａ。、ａｎ及びｂｎ を半導体素子１の各温度で求め
、その離散フーリエ係数ａＯ、ａｎ及びｂｎ から過
渡容量０（ｔ）の時定数τを半導体素子１の各温度で測
定し、これに基き例えばプロッタ１１に記録せしめて、
半導体素子１の深い準位を判知し、これにより半導体素
子１の評価をなすものである。尚計算機乙に於いて上述
せる時定数τを測定し得ることは、前述せる所より明ら
かであろう。
以上にて本発明による半導体素子評価法の一例が明らか
となったが、期る本発明の方法によれは、半導体素子の
深い準位が半導体素子の過渡容量０（ｔ）の時定数τよ
り判知され、そしてその時定数τが、過渡容ｔｏ（ｔ）
の測定出力に離散フーリエ変換を施して求められた離散
フーリエ係数より測定されるので、その時定数を、冒頭
にて前述せる従来の方法にて谷ｔｌ値の差を測定する場
合に比し格段ζこ太なる測定時点数で測定し鞠、又時定
数τの各測定値か不動に半導体素子の深い準位を表わし
ているものである。因みに上述せる本発明によって、１
次及び２次の離散フーリエ係数８１ ｒ ８２ 、 ｂ
ｌ及びｂ２に対する時定数τの逆数（１／τ）が第３図
に示す如くに得られた。又フーリエ係数ｂ１ の絶対
温度〔０Ｋ〕の依存性が第４図に示す如くに得られた。
となったが、期る本発明の方法によれは、半導体素子の
深い準位が半導体素子の過渡容量０（ｔ）の時定数τよ
り判知され、そしてその時定数τが、過渡容ｔｏ（ｔ）
の測定出力に離散フーリエ変換を施して求められた離散
フーリエ係数より測定されるので、その時定数を、冒頭
にて前述せる従来の方法にて谷ｔｌ値の差を測定する場
合に比し格段ζこ太なる測定時点数で測定し鞠、又時定
数τの各測定値か不動に半導体素子の深い準位を表わし
ているものである。因みに上述せる本発明によって、１
次及び２次の離散フーリエ係数８１ ｒ ８２ 、 ｂ
ｌ及びｂ２に対する時定数τの逆数（１／τ）が第３図
に示す如くに得られた。又フーリエ係数ｂ１ の絶対
温度〔０Ｋ〕の依存性が第４図に示す如くに得られた。
但し第６図及び第４図は、Ｋ ＝ １０００ 、 ｔｏ
＝ ３ｍ５ｅｃ。
＝ ３ｍ５ｅｃ。
Δｔ ＝ １ｍ５ｅｃ の場合の結果を示す。
依って上述せる本発明によれば、半導体素子の評価を精
度良く、効率良く、十分満足し得るものとしてなし得る
犬なる特徴を有するものである。
度良く、効率良く、十分満足し得るものとしてなし得る
犬なる特徴を有するものである。
尚上述に於ては半導体素子へのバイアス用パルス電圧の
印加に基く過渡容量の測定出力に基き、半導体素子の深
い準位を判知して半導体素子を評価する場合に、本発明
を適用した場合の一例を述べたが、半導体素子へのバイ
アス用パルス電圧の印加に基く過渡電流、過渡抵抗等の
過渡応答現象の測定出力に基き、半導体素子の評価をな
す場合にも、本発明を適用し得ること明らかであろう。
印加に基く過渡容量の測定出力に基き、半導体素子の深
い準位を判知して半導体素子を評価する場合に、本発明
を適用した場合の一例を述べたが、半導体素子へのバイ
アス用パルス電圧の印加に基く過渡電流、過渡抵抗等の
過渡応答現象の測定出力に基き、半導体素子の評価をな
す場合にも、本発明を適用し得ること明らかであろう。
第１図Ａ−０は半導体素子評価法の説明に供する波形図
、第２図は本発明による半導体素子評価法の一例を示す
系統図、第３図及びｗ、４図は本発明による半導体素子
評価法の吐明に供する曲線図である。 図中１は半導体素子、２は恒温槽、３はバイアス用パル
ス電源、４は容量測定器、５及び１０はデジタル電圧計
、６は計算機、７はヒータ、８はヒータ用電源、９は熱
電対、１１はプロッタを夫々示す。 出願人 日本電信電話公社 ど、・ 第８図 −３−２−１ １０１０１０１１０１０２１０３１ｏ４−ｙ′Ｔ６煕） ３８１− 第４図 □絶対シ星夏１に］
、第２図は本発明による半導体素子評価法の一例を示す
系統図、第３図及びｗ、４図は本発明による半導体素子
評価法の吐明に供する曲線図である。 図中１は半導体素子、２は恒温槽、３はバイアス用パル
ス電源、４は容量測定器、５及び１０はデジタル電圧計
、６は計算機、７はヒータ、８はヒータ用電源、９は熱
電対、１１はプロッタを夫々示す。 出願人 日本電信電話公社 ど、・ 第８図 −３−２−１ １０１０１０１１０１０２１０３１ｏ４−ｙ′Ｔ６煕） ３８１− 第４図 □絶対シ星夏１に］
Claims (1)
- 半導体素子Ｉこバイアス用パルス電圧を印加し、それｌ
こ基く上記半導体素子の過渡応答現象を測定し、その測
定出力に離散フーリエ変換を施して離散フーリエ係数を
求め、該離散フーリエ係数から上記過渡応答現象の時定
数を測定し、これ番こ基き上記半導体素子を評価する事
を特徴とする半導体素子評価法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17759481A JPS5879169A (ja) | 1981-11-05 | 1981-11-05 | 半導体素子評価法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17759481A JPS5879169A (ja) | 1981-11-05 | 1981-11-05 | 半導体素子評価法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5879169A true JPS5879169A (ja) | 1983-05-12 |
| JPH0377663B2 JPH0377663B2 (ja) | 1991-12-11 |
Family
ID=16033716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17759481A Granted JPS5879169A (ja) | 1981-11-05 | 1981-11-05 | 半導体素子評価法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5879169A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004271538A (ja) * | 1997-09-30 | 2004-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | 電子回路検査装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5635066A (en) * | 1979-08-31 | 1981-04-07 | Sogo Denshi Kaihatsu Kk | Measuring unit of high speed fourier conversion |
-
1981
- 1981-11-05 JP JP17759481A patent/JPS5879169A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5635066A (en) * | 1979-08-31 | 1981-04-07 | Sogo Denshi Kaihatsu Kk | Measuring unit of high speed fourier conversion |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004271538A (ja) * | 1997-09-30 | 2004-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | 電子回路検査装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0377663B2 (ja) | 1991-12-11 |
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