JPS5879144A - 異物検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、レーザ光等の散乱視尿を利用して、被検査物
上にイ」眉した倣小なゴミ寺の異９勿乞検出する装置（
ニレ１し、符に、、ＬＳＩ　　用フォトマスクやレチク
ル上の異物検出において。

レーザ光＠を入射したとさＣ二午じる不必跋な死いわゆ
る迷元ン防止する模慣乞備えた典物十寅出装置（二Ｉ′
ＡＴるもＱ）である。

ＬＳＩ　　用フォトマスクやレチクル等の異９勿検出装
置にｊ６いてレーザ元等乞走食して異物から生じる散乱
光を、フィトダイオード元電子増倍′Ｑ等の充電手段に
より電気１ぎ号（二かえて、検出を行なう装置か考えら
れる。

一般に、フォトマスクやレチクルの如き被快食物上にレ
ーザ光を照射したときには、被快食物上に付層した異物
かりは無指向に紋乱元か生じ、被検ｆ物上に密７Ｍ　し
たパターン。

いわＩψる回路）τターノのエツジ（クロム寺の赳ブＣ
都のエソジンからは相同性ンもった散乱光が生じる。そ
こで、パターンのエツジイニよって住じる散乱九ン考慮
して、レーザ光の被照封部を異なる万１１］から見込む
ように仮数の尤゛眼手段を配直し、谷九′亀十戒か全て
例らかの散跣ｉ乞受九〔たとざのみ、その元電伯号に基
づいて異物か存在１−るものとして検査することが考え
られる。

このような検査装ばでは、レーザ光を被検前９勿（二泄
直（二照射Ｔるか、信めＣ二照射てるかによって、恢食
時間、＾吻の検出梢になどが異なってくる。例えは、レ
ーザ光を斜入射で走食すれは、比較的短時間で快食がで
ざる。

ところが、］４トマスクやレチクルのようにカラス板を
ベースとした仮幀食９勿にレーザ光を屑人剃Ｔると、入
射角度（二よっては、レーザ光の一部かカラス板の内Ｓ
を進み、丹びガラス板の次回から迷光としてｄ射する。

このυａＨについて旺しくは佐述Ｔるが、光電＋段の党
充用により−（は、この迷尤ケ党ｙこシ又し℃しようこ
とかある。この迷光の５虫さは、異物からの散乱光とは
は回等か、それ以上に瑛Ｔることかあり、異物の検出能
力の低重や岨恢出という久、徹乞拍いていた。

そこで、この欠点乞屏市するたダ〕（二なされた本晃ψ
」は、充電手段に、ｉ！Ｔる迷元乞ｒハ」半（二防止し
たＪ４吻恢出装置１ｔ、？提供することビ目的とする。

次（二木元明の実施例乞胱明するか、その別に、公知で
はないか不兄明の基はとなる技術を第１図６第２図によ
り説明する。

第１因はレチクルでフォトマスク上に付層した１４物の
刹無ン検出する検出装置の厨視図である。第１図（二お
いて、レーザ光１は定食のためのス千ヤナ２（−よって
光路を曲げられつつ振動され６．ｆｉ励さルたシー１１
元１は。

プし路馨切賛えるための再製ζシー６によって反射され
た仮、固定ζツー４によって丹ひ反ＪＲされ、４Ｒ恨食
吻としてのフォトマスクやレチクル（以俊、Ｍ；ｉ！ｔ
Ｙ平に［マスク耐として代衣Ｔる）の上■に糾めに入射
Ｔる。

今、マスク６は第１図中の座橡糸〜ｙｚ　　のＺ　−７
平面上Ｃ二広がっているものと定め、ス干ヤナ２によっ
て、レーザ光１かマスク６上乞疋食した軌跡りは、座悼
糸Ｌ７ＪＺＱ）ＱＣ軸万同にマスク６ｃ７）パターン描
ｌｌｌ１ｌ幀域（＝互って姑びているものと下る。また
マスク６は不図示の送り氷雨（二よって、Ｚ−ｙ平面上
７ｒｙ４０１方向に矢印７のμ口く移動可能で２ＦＩる
。

開運の可動ミツ−６は、ス千ヤナ２（＝よるレーザ光１
の碌勤元鮎から、１１平面と平行に第１図中点線の位首
よで退避Ｔるよう鴫二叶鯛である。この可動ミツ−６か
退避した状態では、ス干−Ｖｌす２からのレーザ光１は
、可動ミプー５ｔ−よって反射されて、マスク６のＴｌ
に斜め（二入射して矩倉する。

レーザ光１は、マスク６の上聞及びＴｌ（二メ寸して斜
め（二入射するか、これは、レーザ光１ン毒直に入射さ
せるよりもンスク６上のレーザ光１の照射囲償乞大さく
でざるからである。これにより、レーザ光１を足車する
時間が短かくなり、検査時間を短幅Ｔることかでさる。

また、レーザ光１が斜め（二入射すること（二よって、
〕ＮヅＮノーエツジＭｂ力為らの敗元乱が進む方向と、
異物からの散乱光か迦む方間ど乞よりはつさり分離さ一
１ｆることかでざる。

ざら（−、レーザ光１の軌跡り上に空間がでこるので、
ここに観察用元学糸（顕倣鋭等フビ配Ｉ＆して、異９勿
検出の様子を目視で賎祭Ｔることもでさる。このような
点馨考慮して、レーザ光１はマスク６の上ｌ及び下問に
ズリして１０″〜３０’１入射角にしてｓｃｉ’〜６０
°）前後で定めるとよい。

レーザ光１かマスク６上を軌跡りの如く走査したとさ、
　４１１．跡り上に回錆パターンのエツジや、異物が任
仕Ｔると、そこから叔乱元が生じる。この散乱光の生じ
る方向＋：”　＋　ｔ４１１連のよう４ニパターンのエ
ツジと異ζＦ勿とでは異なるため、マスクＱ上の軌動・
Ｌの中心部ＯＹ　ｍ　７ｘ。

る方向から児込むよう（二２つのブし亀手設Ａ４　。

＋ｊｌ’＆設ける。この充電手段Ａ４．　ｌ’ｌは、軌
跡りと、呆元された散乱プＬの強さ乞−気１６号に父え
るためのフォトダイオード、充電子増倍Ｖ寺とから信成
されている。

ここで谷元電手段Ａｌ、　）４１の位置関係を明確にす
ると１充電手段Ｂ１のレンズの−７，細Ｉ１．　＊中心
部（］ン通ると共に、マスク乙の上面（Ｔなわちｘ　−
ｙ平面）と小さな角度、９すえは１０゜〜６［ｆｉ７＋
Ｊ後で交わる。ざら（二このレンズの元軸は、レーザ光
の走査の軌跡ＬンＸ横から見込むように（すなわち、Ｚ
−ｚ面と平付（二なるｊよう（二足のられている。−万
、冗゛屯＋攻Ａ１のレンズの光Ｉｌ］１Ｉｌ１７［軌跡
りの中心都Ｃｆ週ると共に、マスク６の上面と小さな角
度９例えは１０″〜６０°削後で交わる。さらに、こＱ
）レンズの元軸は、充電す戊Ｅｌの几１１ｑ８１又は軌
跡Ｌ）と５０〜６０剖俊の′ＰＪ吸ぞ数丁よう（二短め
われでいる。同、中心部Ｃから充電手段・１１゜ＩＪＩ
までのも・距附は咎しいものとＴ６゜）じ区→・戊、Ａ
、、　Ｂｌ乞このように配証すると。

マスク６の上面すなわちレーザ光１の入に’（（ｔｉｌ
ｌの■（二回目パターンか存在Ｔ６揚酋、軌跡り上（二
異９勿か竹屑していれは９元心十段／１１．１＋。

は共（二はぼ寺しい大きさの元゛直１ぎＪｉＥｊを同時
（二発生−「る、、また、レーザ光１が軌跡り上のエツ
ジ乞照射したときは、そのエツジからのｉ父乱元の指向
性Ｃ二よって、芳菟二牛敗ｉＨ〒＝Ｂ１−ｖＪ各光電手
設Ａｌ、　　１３１の各充電信号の大ささは異なるもの
となる。そこで、充電＋戒Ａ＋　＊　Ｂ＋の谷光寛偏号
の大ささｔ比奴すれば、軌跡り上から生じる散乱光が異
物によるものか、ハターンのエツジ（二よるものかｔ判
別することかでさる。

しかしながら、このよう（二し℃異物を＋炙出Ｔ６場合
、その異９勿かマスク乙の六相１ｊと表１１Ｉｌｌのど
ちり（二１・１層しているり）か乞ＩＺ別して検介−ク
ーることができない６Ｔなわら、レーザ光１かマスク６
の元透過部乞照射し・たとさ、その級抑］（二異物か存
在Ｔれは、異物で生じる直乱′″／ｌ、は丹び尤透過部
乞通って九′成牛段Ａ１．川に達し−〔しまう。このた
め、マスク６のレーザ九入射側の闇上と、この囲の表囲
でマスク６のプＣ迭廟部上と（二付盾した具物乞共（二
恢出してしまい、ｋｄ：ｆｘはだ不モ１Ｓ付でδもる。

また、　Ｉ！、！ｌ路］てターンのクロム等のａ元部上
の異物は、マスク６を用いて、°ノエハ上にバターンン
焼き付ける瞳、焼さ１・」けられたハターンには何ら影
譬乞およはさ７よい一七こで。

マスクＯのｌ！ｌ！ｌ路バターンーヒの異物と６元透過
都土の異物と乞刊別して、尤込危齢上に竹屑した異物υ
）６を恢出丁れは、侠★の効率は極めて良くｌイ〕。こ
のたの、第１図にボずよう（二、九′−＋段Ａ１．　Ｂ
１０）他に、ざらに元′屯手段Ａ２．ｉ３２ン設（する
。九′岨テト取へ２．ロンは、マスク６の上面又は下面
？もＯｚ−ν平凹（二対してそれそ几九１４ｃ＋設ＡＬ
　ｌｊｌ　　と囲刈祢の関係に１ＮＩｊ　１ｍ　’ｃ６
オしていイＪｏもちろん元＋ａ　’４”　Ｉｕ　Ａ−”
２は冗′醒十Ｊ反Ａ、、１１１とＦＪ休（ニレンズを含
むフォトタイオートや九電子増倍官尋（二よって栴成さ
才している、そして、る九′１手１ｉｓｔ　Ａ７・　′
３／の名“元軸は、マスク６の下ｌ側かし軌跡りの中心
部Ｃ（二向けらＲ，ＷＬし」・Ｌ上で、マスク乙の下面
へ圧しる畝＆＋Ｌ）Ｃ馨受光Ｔ会ように受九角かだめし
ノしているい Ｃ（／３元亀＋攻Ａ２．１３２によりマスク６の下■１
側１生しる散乱九乞恢出して、几電手設Ａ１゜１３１の
恢出紹米と比軟すること（二より、異物の付層状態に応
じた侠査か可能と７よる。

仄（−０谷九゛龜十反ＡＩ、　　Ａ２．　　わ１．Ｂ２
　　の充電信号を処理Ｔるためのロ路］目ツク乞第２図
鑑二より説明’ｆる。ここで、″’／ｌ＝’ｉ＋攻λｊ
、　Ａ２゜ｌＪｌ、　　１３２は、共（二回し強さの元
？父充したとさ。

１１）」−の太さぎし）５ｔ′亀１８　Ｍを先生Ｔるも
のとし。

口」動ミフー６ｔまレーザ′７′ｅ１の振励几路中（二
人っているものと−ｆる。第２図にＪ６いて、マスク６
のレーザ元入射１１４１ｊＯ）　ｌｆｆ１馨児込む元牡
十段Ａ４．ｊ４　　の谷′７を亀伯勺はｌンプｉｏｏ、
’ｙンブ１０１によって七几それＡＶ惜に増幅される。

また元喝十戒ｐ、２．１３２の合九′屯１０号はアンプ
１０２，７ノブｉｏ５を二よってそれぞれ１□φＡＶ倍
（−増幅される。アップ１［Ｊ［Ｊ、１０１の谷出力（
１３ｉ　ｅ　１　ｅ　ｅ２　　は比ｌ！１１！器１０４
（二人カーＣる。比軟器１０４はＦ９ｒ矩の基準゛亀圧
Ｅｒ　　と信号ｅ１．　　ｅ２Ｙ比威して、信号ｅ１．
　　ｅ２　　が共（−基準′鴫圧Ｅｒ　　よりも太さい
ときのみ、？１」えは１前埋１面「１」を出力する。−
万、アンプ１［Ｊ２の出力倍勺ｅ５　　と侶ｇｅ１は比
較器１１Ｊ５に人力する。比較器１０５はｅｌ〉　２の
とさのみ。

世」えは画壇１直１１−１を出力Ｔ６゜同様に、アンプ
１０５の出力１６号ｅ４　　と１Ｍ号ｅ２　　は比較器
１０６に人力−ｆ　＜）。比収会１ｕｓはｅ２〉ｅ４の
とさのみ、νすえは！Ｊ而面１直１１」？出力’ｆ　４
）。

そして、も−比較器１０４．Ｉ　ＬＪ５，１　（Ｊ６の
出力は７ント回１−６１０７ｆ以下、半（二ｌλＮ１）
１Ｕ７」とＴる）（二人力し２このＡＮＤ１０７は、；
ｆ：の人力か共（二ｌ’　Ｉ　Ｊ　ｉ二なったとさ、異
９勿馨侠出したものとし’Ｃ，ｌＩＪ乞出カーｒ会、向
、上述の−４＄屯出しｒ　は、几°亀手設・１１゜」」
１　から中心部Ｃよでの距脈や、〕〕４トダイ４−ト、
尤′螺子項倍！の友挾幼牟、アンプ１　Ｕ　Ｏ、Ｉ　Ｄ
　１　ノｔＨ４４１ＡＶ等の条件の他Ｃミ異１勿の大さ
さも考慮して決定される。％（二異物の太ささにより、
Ｉｄ乱元の強度も変化するいで、検出しようとする取手
の兵Ｗの大ささく一応じて、基準紙圧Ｍｒ　　２定めれ
ばよい、、換ＭＴるなら、基準１圧ｂｒ　　の大さざに
よって。

異物の検出感度か決まってくる。

この回路構成（二おい℃、アンプ’１０２゜１０６の１
１幅率かに−ＡＶでｆ）ることζ二ついて述べると共（
二、動作乞説明する。今、異物か軌跡Ｌυ）中心部Ｃで
、且つ光透過部上（二付有しているものとてると、この
異物にレー１）元１か照射さオしたとさ、尤寛＋戊Ａ１
．　Ｊｌ−受光される畝乱元の蟻贋にズブして、元′屯
十段Ａ２゜Ｂ７　　≦二受尤さｎるＦ改乱ブ仁（マスク
６の元透過Ｓを通って下ＩＩＩＩ側へ進む舷比元）　（
１）強度はり３〜１，８程度Ｃ二なる。また、異９勿が
レー１す九人別１１１１１と反対１１１１４の面すノよ
りも１団で中心部Ｃに付層しているものとＴ金と、レー
ザ５ｔ１は中心部し乞照射したとさ９元込過齢乞辿過し
て下面の異物ン照射Ｔる。この揚曾、異物／Ｊ・ら生じ
る散乱５ｔのうち、九屯＋攻友、　ｔｌ２　　に境する
叡乱尤の頻度の刀が、丸゛慰す牧人１．Ｂ１≦二通Ｔる
敢乱元の頻反よりも人５くなる。さら（二。

レーザ元１か１１ｉ１Ｌ跡り上のパターンのエツジを照
射したとさ、エツジから生じる散乱′″Ｊｔは。

レーザ元入射側Ｑ）■と七〇反刈族の面と（二はば１司
、自度す）強さで缶じ８元電乎反、ｔｌとＡ２　　の九
′醒１１寸又は九′区手攻Ｂ１　　と助　の几厩１ぎ号
はほはに２じ人、！さになる。以上の状態乞考ｌ低して
、レーザ尤入射６１１１の上聞で、冗透過部上Ｃ二付漕
し９た異物Ｕ）みを検出するＱＮ：、ｋＯ）太さぎを１
５〜６根度にする。ところで、１ノ一ザ元１がパターン
のエツジ？照刺したとさ。

エツジかしの収乱元の指同注６二よっては何カｖ、、　
　ｅ；　　が共（二基準電圧Ｅ７−　　よりも大さくな
く）ことかある、この楊曾、比奴器１０４はｉｎｕ理皿
「１ｊＹ出力する。ところか、このとさ。

−／ｌ、電子板Ａ１　　又は狗　と尤゛屯手戊Ａ２　　
又はＢ２の元′亀１凸号をまほば巨［じ賜−なる。９Ｆ
って、且■述Ｕ）よう６二ｋｋ１．５〜５Ｃｋぬると、
　　ｉ＋１（１３且つＧ２＜Ｇ４　　となり、比較器１
０５．１０６は共１−１−　ＬＩＪＹｔｉｉ力Ｔ６カラ
、　ＡＮＤ　　Ｉ　Ｄ　７は１０」乞出力Ｔる。つまり
、エツジからの散乱元は＊／ｃＹ１．５〜６１；疋める
ことによって、異物からの畝乱北として′ｅＪ４検出さ
れることはない。また、レーザ九入射側の上面と反対側
の下面の１ｌｌ１１面嘔：異物か付層していた揚台も０
１，１くＧ５　且つＧ２＜Ｂ４　　となるかＧ３．ＡＮ
Ｄ１０７はＩＬＩＪを出力Ｔる。従って、典吻かレーザ
九入射側の上面（；付層していたときのみ、　　６１＞
６５　　且つＧ７）Ｇ４　　となり、しかも１百号ｅ１
．ｅ２　　も基準電比６Ｔ　　より大さくｌよΦから、
Ａｔ１Ｄ　１０７は異物を検出したものとして１１」ン
出力する。また、第２図の回ドロ構成で９元’ｍ　”Ｐ
　ｆｆｌλ１　又はＢ１　　の元′祇信号が充電手段λ
２　又はＢ２　　の元’ｂｔｌぽ号よりも他のて大さい
揚台１例えば８活以上のとさは、１４物がマスク６の連
元郡上（−何７ｉ　したものとし℃。

Ａ、１４Ｄ　　１０７か「０」ン出力Ｔるような比軟こ
のように、マスク６の表ｌ１４）ｊとｊｌＬ　１ｌｌ１
１とで生じる散乱九の５！Ｉｔ　就ｗ比戟Ａ−ることに
よって。

異物α）付層状悪に応じた検査、Ｔなわちマスク６の上
面、下囲いどもらＣ二付庸しているのか、又過充部上９
元透過部上のともらに付層しているＵ）か？判別した検
査か、極めて止偏に行なイつれる。、また、この第１凶
、Ｉμ２図に示した異９勿検出装「ばでは、前述の’ｒ
ｓｆ動ミプー６ン退避させるだけで、マスク６の下面（
二のみ何層した異物ン検出でさる。このために。

例えば口」動ミラー６の退赳鯛作に応答して。

第２図１−７バし、たブし篭十設Ａ１　　又ｔまＢ１　
　と元部＋攻Ａ２　　又はＢ２　　との谷７ンブへの接
続を切替えたり、基準電比ｂｒ　　を変１１Ｚきせたり
丁れはよい。こり）ようにＴれは用助ミラー６の移動の
みで、マスク６を展返丁という操作ン必安どせす、マス
ク６０陶面（二付漕した異り勿か極め″′Ｃ雉時１司（
二検宜でさる。

以上０本％明の基質となる技術〉説明したが、こり］よ
うにレーザ元１の如く、エネルギー密度の茜い光ビーム
乞、マスク６のように透明板材（平行平面ガラス等）を
ベースとてる被検頁物（：照射して、異物の検出ン行な
う場什０充電手段（二受光される迷充の完生原因として
、２つのことが考えられる。これについ’Ｃ，ｍ５図（
二より説明する。第６凶は、レーザ元１かマスク６に斜
入射−Ｃる椋子乞横から児たものである。レーザ元１か
マスク６０）上面１：角度βで入射したとき、入射した
部分で一部は正反射光１ａとなって運み、入射した部分
に回路パターンがなけれは、一部はマスク６ｔａ遇した
透過ｙｔ、１ｂとして進む、正反射光１α、透過光１ｂ
の強さは、レーザ元１のマスク６（二対Ｔる角度β（二
よって変化Ｔるが、いずれ（二せよ正反射光１α、もし
くは透過光１ｂの一部又はその両方か生じることには変
わりはない。この正反射光１α及び透過光１ｂか迷光発
生の第１の原因である。つまり、正反射光１α、ａ過尤
１ｂはそのまま進むと、かならす装置内部で反射又は敗
乱し℃、述元となって九′亀＋設（二受光されてしまう
のである。また、第２の原因はレーザ元１ンマスク６（
＝斜入射していることである。このようにレーザ元１を
マスク６の元迭過部（二角度Ｉ（１０°〜３０°削佐フ
で照射てると、第３図の如く、レーザ元１の一部は、マ
スク６の透明板材の内Ｓ全反射をくり返して進み。

端ｍ　６　ａ　ｔで遅−ｒ；Ｂ６七し又、この端面６ａ
で全反射し℃丹びマスク　２　の上面及び下■ηＡらω
射する九１ｄとなる。この几１ｄは。

端間６α（二近い部分の上回、ト血で破も強く出射Ｔ６
゜よた、この冗１ｄは、レーザ元１の入射側へ戻ってく
るため、マスク６上の軌跡Ｌ？レーザ尤１の入射１ｉ１
１１から見込む元電手収人１　には迷光として父元され
ることイユなる。

これ（二ついて、ざら（−第４図を用いて説明１−る。

第４図は、第１図に下した装置ケ上万より児たとさのレ
ーザ元１．マスク６、充電＋攻λ１　の配置乞ポＴ平面
図である。レーサ光１がマスク６よビ糾入射で走査する
とさ。

その軌跡りの田七ＮＳＣに１元奄十段Ａ１　　のレンス
の元４１１ｔが向いている。前述のように。

この軌跡りとその元＠ｌとか成Ｔ角度ψは。

６σ〜’６０４二定められ℃いる。充電手段Ａ１は、中
心ｓＯで生じた散乱光のみを受光Ｔるのではなく　、＝
Ｌ跡り上のいかなる位置で生じた散乱光も受光しなけれ
ばならない。そこで第１図で足めた座標糸ｘｙｚ　　の
ｚ　−１平面上で、軌跡ＬＹ全て見込むように支九角θ
を設足すれば、当然＋４ｉｒｋＪ６αも児込むこと（−
なる。

この状態で、レーザ光１がマスク６ビ足査すると、マス
ク６の内部を進み端面６ａで正反射して出射してさた元
１ｄはレーザ元１０走食（１応じて充電手段Ａ１　　に
遅する。特に軌跡りか端■６α≦二近づけは近づく機、
充電手段Ａ１　　は＄１ｄ７ａ”ｉ”ｌ＜受光Ｔること
（二なる。

次（二、不発明の実施例を第５図及び第６図により説明
Ｔ６゜第５図は、不発明の実施１＋ｌＪによる迷元防止
磯栴ン設（すだ検出装置の科祝図であり、第６図は、こ
れン憤から児た押ｊ面図である。もちろん、検査鉄筒全
体は、外部から元を過充↑るようなケース内に収納され
ている。

第５図及び第６図≦二おいて、レーザ光１゜ス千ヤナ２
．マスク６、充電手段Ａｌ、　Ａ２．Ｂ１゜Ｂ２　　Ｑ
！Ｐの配Ｕは第１図に示し、たのと同体であるが、１”
Ｊ動ミラー６、固定ミラー４．５については以恢Ｑ）説
明と直接関係がないので省略しである。、また、第６図
では説明上、光電手段Ｂ１．Ｂ２　　も省略しである。

まず、初め（二、第６図で示し、た止反射九１ａ、透過
光１ｂ乞鉄直内部で散乱、又は反射させないよう（二吸
収Ｔる釦訓二ついて説明Ｔる。マスク６の上ｌに入射し
たレーザ光１のうち、軌跡りからの止反射元１αは元手
部材１０（二より秋良さ几るととも（二９反射ζ二より
充躇を曲げろ几る。この元手部刷゛１０の反射ｌは、こ
こでは、マスク６の上Ｆｌ）ＩＩ（ｘ−Ｖ半開）と垂直
（二なってｂす、且つ、マスク６の板暢柑震の長さで軌
融・Ｌと平行シニ処びている。同、ｆ、学部材１０の彷
負として、レーザ光は透過せすＣ；大部分吸収し、わず
かＣ正反射Ｔ６ものがよい。また、マスク６ン透過した
１ｂは０元手部材１０と同一の材質及び形状の′″Ｉｔ
、′＄部材１１（二よってわすかＣ１正反射される。こ
のよう（二して元手ｍ月１０，１ｉによって反射された
レーザ光の強度は十分小さく！より、さら（−０九を吸
収するたのの吸収体１４．１５Ｃ谷々入躬Ｔる。谷吸収
体１４゜１５は、充字郡材１１Ｊ、ｉｔと平行（二位首
した円筒形状であり、元学部材ｉｏ、ｉ１からのＢＬ射
九乞内部を取り込むようｇ二２円周の母Ｉｈメ方間Ｃ−
囲ロスリット１４α、１５αか設けられている。また、
吸収体１４．１５の内部（二は、谷間ロスリット１４　
ａ、　　１５　ａ７Ｊ）し入射した冗ンわずかシー＆射
し１．大部分を吸収Ｔる）ｄｉ材１２．１３が一ロスリ
ット′１４α。

１５α（二沿って設けＢ７している。この扱材１２．１
６は、開口スリット１４ａ、１５αから人つマさた尤を
、吸収体１４．１５の内壁（１回けて反射Ｔ６よう（−
設定されている、向、１及収体ｉ４．ｉ５の固壁はほぼ
完全な敢乱面とｆｆ　６ように刀ロエさ柱て才Ｓす、ま
た開口スリット１４α、１５αの幅は、プを学部材１［
Ｊ、１１で反射したレーザ光が、そのスリット１４ｔＬ
、１５αの端旧やエツジ部会・照射しない程度にでざる
だ（す小さな寸法（二刀ロエされ℃いるーよた。吸収体
１４１５の外壁は元乞散乱せずにほとんど吸収−４″る
ような低反射年回になるよう（二処琥され−Ｃいる。

次（二、前記マスク６の端Ｉ１１］６αで全戊射した元
１ｄを過充する倹惰Ｚ二ついて戚明する。

第４Ｌ凶（二本したよう（二１元１ｄは充電手段Ａ１．
Ａ２　　に受光され、レーザ光のマスク６上のＩ＃Ｌ跡
Ｌｆ慣から見込む充電す収ａ１．ｕ２　　には受光さＪ
’Ｌない、、Ｔなわち１元１ｄか述元として作用Ｔ６の
は元畦〒設Ａ１．Ａ２　　だけでめる２七こで第５図及
び第６図に示°［ようＣ二。

マスク６の上１釦世１ｊとド（３）供り（二遇元仮ン０
．２１ン設ける。この遮光板２０．２１はマスク６（二
対し℃互いに［＋１′］府祢に、且つ、マスク６　（１
）上下面にｓ　Ｌ、て肘のシニ配貢さルている。その１
頃さは、レーザ光１の運行ン助けることのない範囲でで
さるだけレーザ光１の光路に近づけるように足めｂれて
いる。、ＴはわちＭ’＋１述の如く、レー′１７充１は
マスク６の曲か広がるＸ−ｙ−ＩＰ−ｍにＮ　Ｌ、１１
０〜６０　Ｐ］’＋１仮テ入ＭＴルから、ａ元版２ｕは
Ｚ−ｙ平面から２軸の正号ｌｌ二１　ｕ’　〜６０　、
７元低２１はｂ　−ｙ平面かｂｚ４ａＩの負方向ｃｉｕ
’〜６０°の１頃さて配置され６．たたし、七の傾さは
レーザ光１とマスク６とか成すＰ４度よりもわずか≦二
人さく足めら７１．る。また、ａ元板２０．２１の端部
２υα、２１αは、マスク６上の軌跡りの近惨（：、＋
何になるように尼の６７”して邪り、且つその１陥（Ｘ
軸方向の長さ〕は、弔４図で示した充電手段ＡｌｅΔ２
　の受光光路を榎うような寸法亀ユ決めら７１．１いる
。

共俸的Ｃ二赳元板２０（二ついて第４図Ｙ　／＋ｉい行
（二なるように、且つ少なくとも′ｊｒ、電十攻Ａ１　
　の９：、元金０による受光路（第４図中点輸の憤城Ｆ
’３）’ｌ覆うような太ささＣ二定められている６μｍ
、谷ａ元板ン０．２１の端部２０α。

２１αは、それぞれ鋭角（二なるよう監二カロエされて
おり、レーザ光１の光路に極めて肛づくように配［ｔさ
れている、 同、第６図にボＴようＣ二、ｑ！ｒ遮九遮光０゜２１の
端部ン０α、２１αは軌跡り上まで処ばてことはでさな
い。それは、第６図では不図示でゐるが０元奄〒段Ｂｊ
、ｆ　　も軌跡り上からの散乱元７１１′党元下るため
Ｃ′−設けられ℃いるからである。但し、もし、　′７
ｔ′＃Ｍ、十ｌ！ｉＢｔ、１ｊ２か第５図に示した位置
以外の所、？すえは、レーザ光１０入射側において、マ
スク６の囲と垂直で、且つ軌跡りと垂直ｄ二中心都Ｇを
通る［１１二関して元＃Ｌ十段Ａ１．　Ａ２　　と１ｍ
対称なゾ電に起重したと↑ると、道元似２０．２１ｔよ
。

例えは、レーザ光１の軌跡Ｌ？甘むマスク６と垂直な面
に沿って設けれはよい、もちろんこの場合にも、′？！
ｒ端ｍ２０α、２１αはマスク６　Ｃなるべ（近づける
よう穣二する。

ところで、遮光板２０．２１の内側［ｌ０１Ｄｃ。

２１ｃは、はとんどの元を吸収Ｔると共に。

ｍは正反射するように丼散乱で低反射率の材買で加工さ
れている。これはレーザ光１の元来か広かり！待つこと
≦二より、内側面ンＯＧ又はンＩＣ７わずかでもレーザ
光１が照射したとさ、そこで散乱を起さないようζ二Ｔ
るためである。つより内１１１１１囲２０ｃ又は２ＩＣ
でレーザ光１の散乱が生じると、その散乱充を工尤電手
段Ａ１．Ａ２１：受元されてし、ようのである。

また、レーザ光１の元来の広がりＣ二よって内側［［１
２［ＪＣ，２ＩＣか照射されないように。

レーザ光１の九宋の広がりそのものｔ辿ぎることも′４
えられる。そのたの≦二は、第６図１：ボＴＪ、うＣニ
ス＋ヤナ２ン細て、不図示の粕はレンズの後で、遮光＠
　２０又は２１（−向うし一ザ元１の光路上に遮光板５
６乞設（すれは艮い。この遮光板６６は、レーザ光１の
走査方間ｔｚｍ力向）Ｃ二はレーザ光１の元来を辿ぎら
す、且つ定食方向と挺直な方向で、レーザ光１の広かり
ンおさえる。ｆなわち、遮光板６６は、レーザ光１の走
置方向Ｃ″−処ひた仮拐Ｃ二、走倉万回Ｃニスリットを
設けたものでよいわそして、−ｔ−のスリットＱ１隔は
、レーザ光の強度かガウス分布６２の場合、　？！ｌえ
は０強五か１／２（ただしｅは白熱対数の底）に低下し
た遺から外側の元来ン辿さるよう（１建め４）とよい。

久に、透光防止の動作をｄ明する。マスク６に腑入射し
、たレーザ光１は、正反射光１　ａ。

透過充１ｂとなって元手部材１０．１１に達Ｔる。この
正反射光１α、透過元１ｂは元手部材１ｕ、１１で大部
分が吸収され、１％Ｍ）６か反射されて吸収体１４．１
５へ入射する。

さらに、吸収体１４．１５のＶ３部の畝付１／。

１５で大部分か吸収され、ｖ、％のみが反射さ扛で、吸
収体１４．１５の内壁に瞳Ｔ６．その内壁でレーザ光は
散乱Ｔるか、このとさ囲ロスリット１４α、１５αから
出射する敗丸冗は、異物やパターンのエツジ部からの散
乱元（ニルして極めてエネルギが小さくなる。このため
正反射光１α、透過光１６によって住じる迷光は、充電
手段Ａ１　ｅ　Ａ７　；　”Ｓ　−Ｂ２　　に受光され
ず０児全（二防止され６゜ 一万、マスク６の端ＩＩＩ］６αで正反射して。

マスク６の上面及び］面から出射Ｔる元１ｄは、遮光板
２［Ｊ、２１の外徊１１［１２０６，２ＬｂＣ二迫Ｔる
。然るに、この外用ｉｌｌ面ンＯｂ、ン１ｂは元を散乱
させすＣ二わずか（二比反射するようｔ材買で成形され
ている。このため０元１ｄは外’６（１１’ｍｚＣＪ　
ｂ、　２　ｌ　ｂによつ℃はとんど吸収され、充電手段
Ａ１．Ａ２　　には遅しない。ざら（二帽ｅｌＩ２によ
る真９勿恢出４炊能も憤なりことｉ、＋ない。

以上の実施例に８いて、元手部材１０．１１とし、ては
、レーザ光１の仮に蛍域ン吸収Ｔる色カラスフィルタや
、ニュートラル−テンシティ（ＮＤ）フィルタ等に反射
防止膜を蒸漸したものか、安価ｉ二、且つ＋１１ｊ＊−
二オＩ」用でさる。

また、板材１２，１３阪７収体１４，１５及び遮光板２
０．２１は元宇都拐１［Ｊ、１１と同一のものでもよい
が、アルミニワム台金等の竪鵡板（二黒ｌルマイトのつ
やのある翅較を処したたけのものでも十分に利用でさる
。そして、吸収体１４．１５の内壁は、黒色のっや陶し
塗装乞施すだけで十分である。

同、第６図からも明らかなように、吸収体１４．１５は
正反射光１α、透過元１ｂか外憔（二照射さ７’Ｌない
ように配置きれているが。

軌跡り上の回路パターンの工゛ノジ都からの畝乱元乞受
けることもある。′ｆると、充電４・設へ１．八２ｔま
１吸収体１４．１５の外壁にあたった散札元の反射九馨
父九Ｔること（二なる、しかしなから、第７図に７Ｊ＜
−（’ようｉ二円間杉状の１ｙシ収体１４又は１５υ）
−ｓン千面Ｓ（二〃０土し又、エツジ部からの散乱冗１
ｅの−ｉｂをマスク６から遠ざかるよう≦二反射させ℃
大Ｓ分を吸収すると、迷光Ｑ月力比はより児全となる。

μ）、弔問Ｓからの元は、遮光板２０の外Ｕ１ｕ囲２Ｄ
ｂに回うよう（二Ｔれは艮い。

このよう（二、本発明では９元ビームの足車ｖＬ跡より
も遠方の被検査物から生じる元１例えは、被検食物の端
面で反射してさた元が元ビームの入射側の壁間に起重さ
れた尤電十設ハ１．λ〕に−ＡＴるＵ）ｆ防止−「るよ
うに辷ブＣ板を設けてめ心。このため、その元′屯＋段
による大物検出能力か向上ＴるとともＣ二、絶検出も防
止下る、さらに、実施例でボしたように。

遮光板はレーザ光の入射光路と平行（−１被検ｆ物（二
対して糾め（二配首されているから、友１ＩＩＩＩＬ跡
りを横から糾めＣ二見込む九′喝手該Ｂ１ｅ１３２　　
は、　ＩＩＬ跡りから生じる敢乱充ン何らさえさｂｒし
ることなく受−ＫＴる。こ力ため、充電＋設口１．Ｂ２
（二よる検出ｈヒカも低下Ｔることか７よい、また、被
検ｆ′ｌｆＩとしての板カラスい衣閣（二揚かついてい
た壱曾、力什人射し、たレーザ光の一部か、被検食物の
内部を反射をくり返し、て進んだとさ、その傷の１９ｒ
で散乱か生じる。このｗｉｔ二よる赦乱九も迷元となる
か、本発明によれは、さらにそのような迷元も迦元板に
よって防止さＢ６というオリ点かある、

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の基礎となる技術による異物検出装置の
が＋視図。 第２図は本発明の両値となる技術（二よる処理回路のブ
ロック図。 第６図及び第４図は迷元の先生ン戚明するための原理図
。 第５図は牟発明の実施例（二よる迷光防止愼構の糾視図
。 第６図は第５図を輌から見た側聞図。 第７図は吸収体の震プレ例をボＴ止血図である。 〔工費部分の符号の説明〕 ＡＬ　Ａ７　；　１４１．　Ｂ２　　・・・・・・・・
・・・・充電手段Ａ１　　・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・８ｉ４１の元篭木
子Ａ２　　・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・第２の九゛ａ系子ン　　Ｕ　、　
　２１　・・・　・・・　・・・　・・・　・・・　・
・・　・・・　μ宮元−Ｐ段ン０・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・第１の迩尤
板２１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・第２の造元仮出　願　人　二　日＋九
字上菓株式会社オフ図 ＋　ｓ４〒滞１４

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　元ｉｉｉ過性の被検査物に元ビームを斜入射で走
   査し、被検ｆ物上の創紀元ビームの走査軌跡中から生じ
   る散乱元ン″Ａ篭検出Ｔることによって被検量物（二付
   虐した異物を検出てる装置に８いて。 前記走査軌跡（二対して）’Ｉ’ｌｌ　Ｍ己元ビームの
   入射側の空間（二、削６ピ走食軌跡ンｆｇｒ建の受光角
   で見込むように配置した光′ａ＋段と；呟元電手段シ一
   対して’Ｆｉ’ｌＪ配走食軌跡よりも理万の被検査物か
   ら出射して１ｇＩＪ　＠ｒ２元電手段へ向う九をさえぎ
   るａ元＋段とビ巾することを％似とＴる異物検出装置。 ２、　削紀元電手段は、仮構ｆ：＠の罰記元ビームの入
   射１ｉｌｌの次面を糾めに見込むと共（二。 該表面側へ生しる散ａ元を受九する第１の元′屯素子と
   ；被８！倉９勿の１］（二１先して除外１の元畦糸子と
   略面対祢に配喧されると共に。 Ｐ５１Ｊ記欺囲と反射側の表面側へ生じる散乱元を受九
   する第２の元電系子とを甘むことを特徴とする特許請求
   の範囲第１項ｄピ販の侠出鉄剪。 ５、　　Ｆ１ｉＪ記遡九手段は、削６己走畳軌跡Ｃ二沿
   って助平０く１延ひたエツジ郡ｔＭすると共に。 Ｍ’ｌｌ　＠己衣面＊１＋の望１司４二０日＋Ｊ　１己
   元ビームの被検食物へυ］人入射をさけて配置された第
   ｉ　ｖ）通元板とｙ　ｏ’１１ａｄ展面側Ｕ）仝同に被
   検前９勿の＋ｍ　＋−１周し゛Ｃ０該第１の遮元板と１
   ｍスＶ４年に１己眩された弔２の逍ｙム仮とン′ざむこ
   とな舟留と−ｆる特Ｂ′ｆ　ＢＫ水の馴≧囲第２項６己
   載の検出装ｆＩＪ：。 ４、　創ＦＪスル１又は第２の遅尤板乞Ａ’ｌＪ記元ビ
   ームの肢１災立９勿への入射逅６（＝Ｉ’ｄって疹１め
   （二股は心と共＋：　、　ｈＩＪｍ己第１スル第２の辿
   充板の）１’ｌｉ　ｉ３己九ヒームと×１回する囲乞井
   Ｘ乱の低反射半開にしたこと乞軸愼とする特許請求の範
   囲第３項記載の検出装置。