JPS5879144A - 異物検出装置 - Google Patents
異物検出装置Info
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- JPS5879144A JPS5879144A JP17809981A JP17809981A JPS5879144A JP S5879144 A JPS5879144 A JP S5879144A JP 17809981 A JP17809981 A JP 17809981A JP 17809981 A JP17809981 A JP 17809981A JP S5879144 A JPS5879144 A JP S5879144A
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- Japan
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- light
- mask
- laser beam
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N2021/95676—Masks, reticles, shadow masks
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- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、レーザ光等の散乱視尿を利用して、被検査物
上にイ」眉した倣小なゴミ寺の異9勿乞検出する装置(
ニレ1し、符に、、LSI 用フォトマスクやレチク
ル上の異物検出において。
上にイ」眉した倣小なゴミ寺の異9勿乞検出する装置(
ニレ1し、符に、、LSI 用フォトマスクやレチク
ル上の異物検出において。
レーザ光@を入射したとさC二午じる不必跋な死いわゆ
る迷元ン防止する模慣乞備えた典物十寅出装置(二I′
ATるもQ)である。
る迷元ン防止する模慣乞備えた典物十寅出装置(二I′
ATるもQ)である。
LSI 用フォトマスクやレチクル等の異9勿検出装
置にj6いてレーザ元等乞走食して異物から生じる散乱
光を、フィトダイオード元電子増倍′Q等の充電手段に
より電気1ぎ号(二かえて、検出を行なう装置か考えら
れる。
置にj6いてレーザ元等乞走食して異物から生じる散乱
光を、フィトダイオード元電子増倍′Q等の充電手段に
より電気1ぎ号(二かえて、検出を行なう装置か考えら
れる。
一般に、フォトマスクやレチクルの如き被快食物上にレ
ーザ光を照射したときには、被快食物上に付層した異物
かりは無指向に紋乱元か生じ、被検f物上に密7M し
たパターン。
ーザ光を照射したときには、被快食物上に付層した異物
かりは無指向に紋乱元か生じ、被検f物上に密7M し
たパターン。
いわIψる回路)τターノのエツジ(クロム寺の赳ブC
都のエソジンからは相同性ンもった散乱光が生じる。そ
こで、パターンのエツジイニよって住じる散乱九ン考慮
して、レーザ光の被照封部を異なる万11]から見込む
ように仮数の尤゛眼手段を配直し、谷九′亀十戒か全て
例らかの散跣i乞受九〔たとざのみ、その元電伯号に基
づいて異物か存在1−るものとして検査することが考え
られる。
都のエソジンからは相同性ンもった散乱光が生じる。そ
こで、パターンのエツジイニよって住じる散乱九ン考慮
して、レーザ光の被照封部を異なる万11]から見込む
ように仮数の尤゛眼手段を配直し、谷九′亀十戒か全て
例らかの散跣i乞受九〔たとざのみ、その元電伯号に基
づいて異物か存在1−るものとして検査することが考え
られる。
このような検査装ばでは、レーザ光を被検前9勿(二泄
直(二照射Tるか、信めC二照射てるかによって、恢食
時間、^吻の検出梢になどが異なってくる。例えは、レ
ーザ光を斜入射で走食すれは、比較的短時間で快食がで
ざる。
直(二照射Tるか、信めC二照射てるかによって、恢食
時間、^吻の検出梢になどが異なってくる。例えは、レ
ーザ光を斜入射で走食すれは、比較的短時間で快食がで
ざる。
ところが、]4トマスクやレチクルのようにカラス板を
ベースとした仮幀食9勿にレーザ光を屑人剃Tると、入
射角度(二よっては、レーザ光の一部かカラス板の内S
を進み、丹びガラス板の次回から迷光としてd射する。
ベースとした仮幀食9勿にレーザ光を屑人剃Tると、入
射角度(二よっては、レーザ光の一部かカラス板の内S
を進み、丹びガラス板の次回から迷光としてd射する。
このυaHについて旺しくは佐述Tるが、光電+段の党
充用により−(は、この迷尤ケ党yこシ又し℃しようこ
とかある。この迷光の5虫さは、異物からの散乱光とは
は回等か、それ以上に瑛Tることかあり、異物の検出能
力の低重や岨恢出という久、徹乞拍いていた。
充用により−(は、この迷尤ケ党yこシ又し℃しようこ
とかある。この迷光の5虫さは、異物からの散乱光とは
は回等か、それ以上に瑛Tることかあり、異物の検出能
力の低重や岨恢出という久、徹乞拍いていた。
そこで、この欠点乞屏市するたダ〕(二なされた本晃ψ
」は、充電手段に、i!Tる迷元乞rハ」半(二防止し
たJ4吻恢出装置1t、?提供することビ目的とする。
」は、充電手段に、i!Tる迷元乞rハ」半(二防止し
たJ4吻恢出装置1t、?提供することビ目的とする。
次(二木元明の実施例乞胱明するか、その別に、公知で
はないか不兄明の基はとなる技術を第1図6第2図によ
り説明する。
はないか不兄明の基はとなる技術を第1図6第2図によ
り説明する。
第1因はレチクルでフォトマスク上に付層した14物の
刹無ン検出する検出装置の厨視図である。第1図(二お
いて、レーザ光1は定食のためのス千ヤナ2(−よって
光路を曲げられつつ振動され6.fi励さルたシー11
元1は。
刹無ン検出する検出装置の厨視図である。第1図(二お
いて、レーザ光1は定食のためのス千ヤナ2(−よって
光路を曲げられつつ振動され6.fi励さルたシー11
元1は。
プし路馨切賛えるための再製ζシー6によって反射され
た仮、固定ζツー4によって丹ひ反JRされ、4R恨食
吻としてのフォトマスクやレチクル(以俊、M;i!t
Y平に[マスク耐として代衣Tる)の上■に糾めに入射
Tる。
た仮、固定ζツー4によって丹ひ反JRされ、4R恨食
吻としてのフォトマスクやレチクル(以俊、M;i!t
Y平に[マスク耐として代衣Tる)の上■に糾めに入射
Tる。
今、マスク6は第1図中の座橡糸〜yz のZ −7
平面上C二広がっているものと定め、ス干ヤナ2によっ
て、レーザ光1かマスク6上乞疋食した軌跡りは、座悼
糸L7JZQ)QC軸万同にマスク6c7)パターン描
lll1l幀域(=互って姑びているものと下る。また
マスク6は不図示の送り氷雨(二よって、Z−y平面上
7ry401方向に矢印7のμ口く移動可能で2FIる
。
平面上C二広がっているものと定め、ス干ヤナ2によっ
て、レーザ光1かマスク6上乞疋食した軌跡りは、座悼
糸L7JZQ)QC軸万同にマスク6c7)パターン描
lll1l幀域(=互って姑びているものと下る。また
マスク6は不図示の送り氷雨(二よって、Z−y平面上
7ry401方向に矢印7のμ口く移動可能で2FIる
。
開運の可動ミツ−6は、ス千ヤナ2(=よるレーザ光1
の碌勤元鮎から、11平面と平行に第1図中点線の位首
よで退避Tるよう鴫二叶鯛である。この可動ミツ−6か
退避した状態では、ス干−Vlす2からのレーザ光1は
、可動ミプー5t−よって反射されて、マスク6のTl
に斜め(二入射して矩倉する。
の碌勤元鮎から、11平面と平行に第1図中点線の位首
よで退避Tるよう鴫二叶鯛である。この可動ミツ−6か
退避した状態では、ス干−Vlす2からのレーザ光1は
、可動ミプー5t−よって反射されて、マスク6のTl
に斜め(二入射して矩倉する。
レーザ光1は、マスク6の上聞及びTl(二メ寸して斜
め(二入射するか、これは、レーザ光1ン毒直に入射さ
せるよりもンスク6上のレーザ光1の照射囲償乞大さく
でざるからである。これにより、レーザ光1を足車する
時間が短かくなり、検査時間を短幅Tることかでさる。
め(二入射するか、これは、レーザ光1ン毒直に入射さ
せるよりもンスク6上のレーザ光1の照射囲償乞大さく
でざるからである。これにより、レーザ光1を足車する
時間が短かくなり、検査時間を短幅Tることかでさる。
また、レーザ光1が斜め(二入射すること(二よって、
〕NヅNノーエツジMb力為らの敗元乱が進む方向と、
異物からの散乱光か迦む方間ど乞よりはつさり分離さ一
1fることかでざる。
〕NヅNノーエツジMb力為らの敗元乱が進む方向と、
異物からの散乱光か迦む方間ど乞よりはつさり分離さ一
1fることかでざる。
ざら(−、レーザ光1の軌跡り上に空間がでこるので、
ここに観察用元学糸(顕倣鋭等フビ配I&して、異9勿
検出の様子を目視で賎祭Tることもでさる。このような
点馨考慮して、レーザ光1はマスク6の上l及び下問に
ズリして10″〜30’1入射角にしてsci’〜60
°)前後で定めるとよい。
ここに観察用元学糸(顕倣鋭等フビ配I&して、異9勿
検出の様子を目視で賎祭Tることもでさる。このような
点馨考慮して、レーザ光1はマスク6の上l及び下問に
ズリして10″〜30’1入射角にしてsci’〜60
°)前後で定めるとよい。
レーザ光1かマスク6上を軌跡りの如く走査したとさ、
411.跡り上に回錆パターンのエツジや、異物が任
仕Tると、そこから叔乱元が生じる。この散乱光の生じ
る方向+:” + t411連のよう4ニパターンのエ
ツジと異ζF勿とでは異なるため、マスクQ上の軌動・
Lの中心部OY m 7x。
411.跡り上に回錆パターンのエツジや、異物が任
仕Tると、そこから叔乱元が生じる。この散乱光の生じ
る方向+:” + t411連のよう4ニパターンのエ
ツジと異ζF勿とでは異なるため、マスクQ上の軌動・
Lの中心部OY m 7x。
る方向から児込むよう(二2つのブし亀手設A4 。
+jl’&設ける。この充電手段A4. l’lは、軌
跡りと、呆元された散乱プLの強さ乞−気16号に父え
るためのフォトダイオード、充電子増倍V寺とから信成
されている。
跡りと、呆元された散乱プLの強さ乞−気16号に父え
るためのフォトダイオード、充電子増倍V寺とから信成
されている。
ここで谷元電手段Al、 )41の位置関係を明確にす
ると1充電手段B1のレンズの−7,細I1. *中心
部(]ン通ると共に、マスク乙の上面(Tなわちx −
y平面)と小さな角度、9すえは10゜〜6[fi7+
J後で交わる。ざら(二このレンズの元軸は、レーザ光
の走査の軌跡LンX横から見込むように(すなわち、Z
−z面と平付(二なるjよう(二足のられている。−万
、冗゛屯+攻A1のレンズの光Il]1Il17[軌跡
りの中心都Cf週ると共に、マスク6の上面と小さな角
度9例えは10″〜60°削後で交わる。さらに、こQ
)レンズの元軸は、充電す戊Elの几11q81又は軌
跡L)と50〜60剖俊の′PJ吸ぞ数丁よう(二短め
われでいる。同、中心部Cから充電手段・11゜IJI
までのも・距附は咎しいものとT6゜)じ区→・戊、A
、、 Bl乞このように配証すると。
ると1充電手段B1のレンズの−7,細I1. *中心
部(]ン通ると共に、マスク乙の上面(Tなわちx −
y平面)と小さな角度、9すえは10゜〜6[fi7+
J後で交わる。ざら(二このレンズの元軸は、レーザ光
の走査の軌跡LンX横から見込むように(すなわち、Z
−z面と平付(二なるjよう(二足のられている。−万
、冗゛屯+攻A1のレンズの光Il]1Il17[軌跡
りの中心都Cf週ると共に、マスク6の上面と小さな角
度9例えは10″〜60°削後で交わる。さらに、こQ
)レンズの元軸は、充電す戊Elの几11q81又は軌
跡L)と50〜60剖俊の′PJ吸ぞ数丁よう(二短め
われでいる。同、中心部Cから充電手段・11゜IJI
までのも・距附は咎しいものとT6゜)じ区→・戊、A
、、 Bl乞このように配証すると。
マスク6の上面すなわちレーザ光1の入に’((til
lの■(二回目パターンか存在T6揚酋、軌跡り上(二
異9勿か竹屑していれは9元心十段/11.1+。
lの■(二回目パターンか存在T6揚酋、軌跡り上(二
異9勿か竹屑していれは9元心十段/11.1+。
は共(二はぼ寺しい大きさの元゛直1ぎJiEjを同時
(二発生−「る、、また、レーザ光1が軌跡り上のエツ
ジ乞照射したときは、そのエツジからのi父乱元の指向
性C二よって、芳菟二牛敗iH〒=B1−vJ各光電手
設Al、 131の各充電信号の大ささは異なるもの
となる。そこで、充電+戒A+ * B+の谷光寛偏号
の大ささt比奴すれば、軌跡り上から生じる散乱光が異
物によるものか、ハターンのエツジ(二よるものかt判
別することかでさる。
(二発生−「る、、また、レーザ光1が軌跡り上のエツ
ジ乞照射したときは、そのエツジからのi父乱元の指向
性C二よって、芳菟二牛敗iH〒=B1−vJ各光電手
設Al、 131の各充電信号の大ささは異なるもの
となる。そこで、充電+戒A+ * B+の谷光寛偏号
の大ささt比奴すれば、軌跡り上から生じる散乱光が異
物によるものか、ハターンのエツジ(二よるものかt判
別することかでさる。
しかしながら、このよう(二し℃異物を+炙出T6場合
、その異9勿かマスク乙の六相1jと表11Illのど
ちり(二1・1層しているり)か乞IZ別して検介−ク
ーることができない6Tなわら、レーザ光1かマスク6
の元透過部乞照射し・たとさ、その級抑](二異物か存
在Tれは、異物で生じる直乱′″/l、は丹び尤透過部
乞通って九′成牛段A1.川に達し−〔しまう。このた
め、マスク6のレーザ九入射側の闇上と、この囲の表囲
でマスク6のプC迭廟部上と(二付盾した具物乞共(二
恢出してしまい、kd:fxはだ不モ1S付でδもる。
、その異9勿かマスク乙の六相1jと表11Illのど
ちり(二1・1層しているり)か乞IZ別して検介−ク
ーることができない6Tなわら、レーザ光1かマスク6
の元透過部乞照射し・たとさ、その級抑](二異物か存
在Tれは、異物で生じる直乱′″/l、は丹び尤透過部
乞通って九′成牛段A1.川に達し−〔しまう。このた
め、マスク6のレーザ九入射側の闇上と、この囲の表囲
でマスク6のプC迭廟部上と(二付盾した具物乞共(二
恢出してしまい、kd:fxはだ不モ1S付でδもる。
また、 I!、!l路]てターンのクロム等のa元部上
の異物は、マスク6を用いて、°ノエハ上にバターンン
焼き付ける瞳、焼さ1・」けられたハターンには何ら影
譬乞およはさ7よい一七こで。
の異物は、マスク6を用いて、°ノエハ上にバターンン
焼き付ける瞳、焼さ1・」けられたハターンには何ら影
譬乞およはさ7よい一七こで。
マスクOのl!l!l路バターンーヒの異物と6元透過
都土の異物と乞刊別して、尤込危齢上に竹屑した異物υ
)6を恢出丁れは、侠★の効率は極めて良くlイ〕。こ
のたの、第1図にボずよう(二、九′−+段A1. B
10)他に、ざらに元′屯手段A2.i32ン設(する
。九′岨テト取へ2.ロンは、マスク6の上面又は下面
?もOz−ν平凹(二対してそれそ几九14c+設AL
ljl と囲刈祢の関係に1NIj 1m ’c6
オしていイJoもちろん元+a ’4” Iu A−”
2は冗′醒十J反A、、111とFJ休(ニレンズを含
むフォトタイオートや九電子増倍官尋(二よって栴成さ
才している、そして、る九′1手1ist A7・ ′
3/の名“元軸は、マスク6の下l側かし軌跡りの中心
部C(二向けらR,WLし」・L上で、マスク乙の下面
へ圧しる畝&+L)C馨受光T会ように受九角かだめし
ノしているい C(/3元亀+攻A2.132によりマスク6の下■1
側1生しる散乱九乞恢出して、几電手設A1゜131の
恢出紹米と比軟すること(二より、異物の付層状態に応
じた侠査か可能と7よる。
都土の異物と乞刊別して、尤込危齢上に竹屑した異物υ
)6を恢出丁れは、侠★の効率は極めて良くlイ〕。こ
のたの、第1図にボずよう(二、九′−+段A1. B
10)他に、ざらに元′屯手段A2.i32ン設(する
。九′岨テト取へ2.ロンは、マスク6の上面又は下面
?もOz−ν平凹(二対してそれそ几九14c+設AL
ljl と囲刈祢の関係に1NIj 1m ’c6
オしていイJoもちろん元+a ’4” Iu A−”
2は冗′醒十J反A、、111とFJ休(ニレンズを含
むフォトタイオートや九電子増倍官尋(二よって栴成さ
才している、そして、る九′1手1ist A7・ ′
3/の名“元軸は、マスク6の下l側かし軌跡りの中心
部C(二向けらR,WLし」・L上で、マスク乙の下面
へ圧しる畝&+L)C馨受光T会ように受九角かだめし
ノしているい C(/3元亀+攻A2.132によりマスク6の下■1
側1生しる散乱九乞恢出して、几電手設A1゜131の
恢出紹米と比軟すること(二より、異物の付層状態に応
じた侠査か可能と7よる。
仄(−0谷九゛龜十反AI、 A2. わ1.B2
の充電信号を処理Tるためのロ路]目ツク乞第2図
鑑二より説明’fる。ここで、″’/l=’i+攻λj
、 A2゜lJl、 132は、共(二回し強さの元
?父充したとさ。
の充電信号を処理Tるためのロ路]目ツク乞第2図
鑑二より説明’fる。ここで、″’/l=’i+攻λj
、 A2゜lJl、 132は、共(二回し強さの元
?父充したとさ。
11)」−の太さぎし)5t′亀18 Mを先生Tるも
のとし。
のとし。
口」動ミフー6tまレーザ′7′e1の振励几路中(二
人っているものと−fる。第2図にJ6いて、マスク6
のレーザ元入射1141jO) lff1馨児込む元牡
十段A4.j4 の谷′7を亀伯勺はlンプioo、
’yンブ101によって七几それAV惜に増幅される。
人っているものと−fる。第2図にJ6いて、マスク6
のレーザ元入射1141jO) lff1馨児込む元牡
十段A4.j4 の谷′7を亀伯勺はlンプioo、
’yンブ101によって七几それAV惜に増幅される。
また元喝十戒p、2.132の合九′屯10号はアンプ
102,7ノブio5を二よってそれぞれ1□φAV倍
(−増幅される。アップ1[J[J、101の谷出力(
13i e 1 e e2 は比l!11!器104
(二人カーCる。比軟器104はF9r矩の基準゛亀圧
Er と信号e1. e2Y比威して、信号e1.
e2 が共(−基準′鴫圧Er よりも太さい
ときのみ、?1」えは1前埋1面「1」を出力する。−
万、アンプ1[J2の出力倍勺e5 と侶ge1は比
較器11J5に人力する。比較器105はel〉 2の
とさのみ。
102,7ノブio5を二よってそれぞれ1□φAV倍
(−増幅される。アップ1[J[J、101の谷出力(
13i e 1 e e2 は比l!11!器104
(二人カーCる。比軟器104はF9r矩の基準゛亀圧
Er と信号e1. e2Y比威して、信号e1.
e2 が共(−基準′鴫圧Er よりも太さい
ときのみ、?1」えは1前埋1面「1」を出力する。−
万、アンプ1[J2の出力倍勺e5 と侶ge1は比
較器11J5に人力する。比較器105はel〉 2の
とさのみ。
世」えは画壇1直11−1を出力T6゜同様に、アンプ
105の出力16号e4 と1M号e2 は比較器
106に人力−f <)。比収会1usはe2〉e4の
とさのみ、νすえは!J而面1直11」?出力’f 4
)。
105の出力16号e4 と1M号e2 は比較器
106に人力−f <)。比収会1usはe2〉e4の
とさのみ、νすえは!J而面1直11」?出力’f 4
)。
そして、も−比較器104.I LJ5,1 (J6の
出力は7ント回1−6107f以下、半(二lλN1)
1U7」とTる)(二人力し2このAND107は、;
f:の人力か共(二l’ I J i二なったとさ、異
9勿馨侠出したものとし’C,lIJ乞出カーr会、向
、上述の−4$屯出しr は、几°亀手設・11゜」」
1 から中心部Cよでの距脈や、〕〕4トダイ4−ト、
尤′螺子項倍!の友挾幼牟、アンプ1 U O、I D
1 ノtH441AV等の条件の他Cミ異1勿の大さ
さも考慮して決定される。%(二異物の太ささにより、
Id乱元の強度も変化するいで、検出しようとする取手
の兵Wの大ささく一応じて、基準紙圧Mr 2定めれ
ばよい、、換MTるなら、基準1圧br の大さざに
よって。
出力は7ント回1−6107f以下、半(二lλN1)
1U7」とTる)(二人力し2このAND107は、;
f:の人力か共(二l’ I J i二なったとさ、異
9勿馨侠出したものとし’C,lIJ乞出カーr会、向
、上述の−4$屯出しr は、几°亀手設・11゜」」
1 から中心部Cよでの距脈や、〕〕4トダイ4−ト、
尤′螺子項倍!の友挾幼牟、アンプ1 U O、I D
1 ノtH441AV等の条件の他Cミ異1勿の大さ
さも考慮して決定される。%(二異物の太ささにより、
Id乱元の強度も変化するいで、検出しようとする取手
の兵Wの大ささく一応じて、基準紙圧Mr 2定めれ
ばよい、、換MTるなら、基準1圧br の大さざに
よって。
異物の検出感度か決まってくる。
この回路構成(二おい℃、アンプ’102゜106の1
1幅率かに−AVでf)ることζ二ついて述べると共(
二、動作乞説明する。今、異物か軌跡Lυ)中心部Cで
、且つ光透過部上(二付有しているものとてると、この
異物にレー1)元1か照射さオしたとさ、尤寛+戊A1
. Jl−受光される畝乱元の蟻贋にズブして、元′屯
十段A2゜B7 ≦二受尤さnるF改乱ブ仁(マスク
6の元透過Sを通って下IIII側へ進む舷比元) (
1)強度はり3〜1,8程度C二なる。また、異9勿が
レー1す九人別11111と反対11114の面すノよ
りも1団で中心部Cに付層しているものとT金と、レー
ザ5t1は中心部し乞照射したとさ9元込過齢乞辿過し
て下面の異物ン照射Tる。この揚曾、異物/J・ら生じ
る散乱5tのうち、九屯+攻友、 tl2 に境する
叡乱尤の頻度の刀が、丸゛慰す牧人1.B1≦二通Tる
敢乱元の頻反よりも人5くなる。さら(二。
1幅率かに−AVでf)ることζ二ついて述べると共(
二、動作乞説明する。今、異物か軌跡Lυ)中心部Cで
、且つ光透過部上(二付有しているものとてると、この
異物にレー1)元1か照射さオしたとさ、尤寛+戊A1
. Jl−受光される畝乱元の蟻贋にズブして、元′屯
十段A2゜B7 ≦二受尤さnるF改乱ブ仁(マスク
6の元透過Sを通って下IIII側へ進む舷比元) (
1)強度はり3〜1,8程度C二なる。また、異9勿が
レー1す九人別11111と反対11114の面すノよ
りも1団で中心部Cに付層しているものとT金と、レー
ザ5t1は中心部し乞照射したとさ9元込過齢乞辿過し
て下面の異物ン照射Tる。この揚曾、異物/J・ら生じ
る散乱5tのうち、九屯+攻友、 tl2 に境する
叡乱尤の頻度の刀が、丸゛慰す牧人1.B1≦二通Tる
敢乱元の頻反よりも人5くなる。さら(二。
レーザ元1か11i1L跡り上のパターンのエツジを照
射したとさ、エツジから生じる散乱′″Jtは。
射したとさ、エツジから生じる散乱′″Jtは。
レーザ元入射側Q)■と七〇反刈族の面と(二はば1司
、自度す)強さで缶じ8元電乎反、tlとA2 の九
′醒11寸又は九′区手攻B1 と助 の几厩1ぎ号
はほはに2じ人、!さになる。以上の状態乞考l低して
、レーザ尤入射6111の上聞で、冗透過部上C二付漕
し9た異物U)みを検出するQN:、kO)太さぎを1
5〜6根度にする。ところで、1ノ一ザ元1がパターン
のエツジ?照刺したとさ。
、自度す)強さで缶じ8元電乎反、tlとA2 の九
′醒11寸又は九′区手攻B1 と助 の几厩1ぎ号
はほはに2じ人、!さになる。以上の状態乞考l低して
、レーザ尤入射6111の上聞で、冗透過部上C二付漕
し9た異物U)みを検出するQN:、kO)太さぎを1
5〜6根度にする。ところで、1ノ一ザ元1がパターン
のエツジ?照刺したとさ。
エツジかしの収乱元の指同注6二よっては何カv、、
e; が共(二基準電圧E7− よりも大さくな
く)ことかある、この楊曾、比奴器104はinu理皿
「1jY出力する。ところか、このとさ。
e; が共(二基準電圧E7− よりも大さくな
く)ことかある、この楊曾、比奴器104はinu理皿
「1jY出力する。ところか、このとさ。
−/l、電子板A1 又は狗 と尤゛屯手戊A2
又はB2の元′亀1凸号をまほば巨[じ賜−なる。9F
って、且■述U)よう6二kk1.5〜5Ckぬると、
i+1(13且つG2<G4 となり、比較器1
05.106は共1−1− LIJYtii力T6カラ
、 AND I D 7は10」乞出力Tる。つまり
、エツジからの散乱元は*/cY1.5〜61;疋める
ことによって、異物からの畝乱北として′eJ4検出さ
れることはない。また、レーザ九入射側の上面と反対側
の下面の1ll11面嘔:異物か付層していた揚台も0
1,1くG5 且つG2<B4 となるかG3.AN
D107はILIJを出力Tる。従って、典吻かレーザ
九入射側の上面(;付層していたときのみ、 61>
65 且つG7)G4 となり、しかも1百号e1
.e2 も基準電比6T より大さくlよΦから、
At1D 107は異物を検出したものとして11」ン
出力する。また、第2図の回ドロ構成で9元’m ”P
fflλ1 又はB1 の元′祇信号が充電手段λ
2 又はB2 の元’btlぽ号よりも他のて大さい
揚台1例えば8活以上のとさは、14物がマスク6の連
元郡上(−何7i したものとし℃。
又はB2の元′亀1凸号をまほば巨[じ賜−なる。9F
って、且■述U)よう6二kk1.5〜5Ckぬると、
i+1(13且つG2<G4 となり、比較器1
05.106は共1−1− LIJYtii力T6カラ
、 AND I D 7は10」乞出力Tる。つまり
、エツジからの散乱元は*/cY1.5〜61;疋める
ことによって、異物からの畝乱北として′eJ4検出さ
れることはない。また、レーザ九入射側の上面と反対側
の下面の1ll11面嘔:異物か付層していた揚台も0
1,1くG5 且つG2<B4 となるかG3.AN
D107はILIJを出力Tる。従って、典吻かレーザ
九入射側の上面(;付層していたときのみ、 61>
65 且つG7)G4 となり、しかも1百号e1
.e2 も基準電比6T より大さくlよΦから、
At1D 107は異物を検出したものとして11」ン
出力する。また、第2図の回ドロ構成で9元’m ”P
fflλ1 又はB1 の元′祇信号が充電手段λ
2 又はB2 の元’btlぽ号よりも他のて大さい
揚台1例えば8活以上のとさは、14物がマスク6の連
元郡上(−何7i したものとし℃。
A、14D 107か「0」ン出力Tるような比軟こ
のように、マスク6の表l14)jとjlL 1ll1
1とで生じる散乱九の5!It 就w比戟A−ることに
よって。
のように、マスク6の表l14)jとjlL 1ll1
1とで生じる散乱九の5!It 就w比戟A−ることに
よって。
異物α)付層状悪に応じた検査、Tなわちマスク6の上
面、下囲いどもらC二付庸しているのか、又過充部上9
元透過部上のともらに付層しているU)か?判別した検
査か、極めて止偏に行なイつれる。、また、この第1凶
、Iμ2図に示した異9勿検出装「ばでは、前述の’r
sf動ミプー6ン退避させるだけで、マスク6の下面(
二のみ何層した異物ン検出でさる。このために。
面、下囲いどもらC二付庸しているのか、又過充部上9
元透過部上のともらに付層しているU)か?判別した検
査か、極めて止偏に行なイつれる。、また、この第1凶
、Iμ2図に示した異9勿検出装「ばでは、前述の’r
sf動ミプー6ン退避させるだけで、マスク6の下面(
二のみ何層した異物ン検出でさる。このために。
例えば口」動ミラー6の退赳鯛作に応答して。
第2図1−7バし、たブし篭十設A1 又tまB1
と元部+攻A2 又はB2 との谷7ンブへの接
続を切替えたり、基準電比br を変11Zきせたり
丁れはよい。こり)ようにTれは用助ミラー6の移動の
みで、マスク6を展返丁という操作ン必安どせす、マス
ク60陶面(二付漕した異り勿か極め″′C雉時1司(
二検宜でさる。
と元部+攻A2 又はB2 との谷7ンブへの接
続を切替えたり、基準電比br を変11Zきせたり
丁れはよい。こり)ようにTれは用助ミラー6の移動の
みで、マスク6を展返丁という操作ン必安どせす、マス
ク60陶面(二付漕した異り勿か極め″′C雉時1司(
二検宜でさる。
以上0本%明の基質となる技術〉説明したが、こり]よ
うにレーザ元1の如く、エネルギー密度の茜い光ビーム
乞、マスク6のように透明板材(平行平面ガラス等)を
ベースとてる被検頁物(:照射して、異物の検出ン行な
う場什0充電手段(二受光される迷充の完生原因として
、2つのことが考えられる。これについ’C,m5図(
二より説明する。第6凶は、レーザ元1かマスク6に斜
入射−Cる椋子乞横から児たものである。レーザ元1か
マスク60)上面1:角度βで入射したとき、入射した
部分で一部は正反射光1aとなって運み、入射した部分
に回路パターンがなけれは、一部はマスク6ta遇した
透過yt、1bとして進む、正反射光1α、透過光1b
の強さは、レーザ元1のマスク6(二対Tる角度β(二
よって変化Tるが、いずれ(二せよ正反射光1α、もし
くは透過光1bの一部又はその両方か生じることには変
わりはない。この正反射光1α及び透過光1bか迷光発
生の第1の原因である。つまり、正反射光1α、a過尤
1bはそのまま進むと、かならす装置内部で反射又は敗
乱し℃、述元となって九′亀+設(二受光されてしまう
のである。また、第2の原因はレーザ元1ンマスク6(
=斜入射していることである。このようにレーザ元1を
マスク6の元迭過部(二角度I(10°〜30°削佐フ
で照射てると、第3図の如く、レーザ元1の一部は、マ
スク6の透明板材の内S全反射をくり返して進み。
うにレーザ元1の如く、エネルギー密度の茜い光ビーム
乞、マスク6のように透明板材(平行平面ガラス等)を
ベースとてる被検頁物(:照射して、異物の検出ン行な
う場什0充電手段(二受光される迷充の完生原因として
、2つのことが考えられる。これについ’C,m5図(
二より説明する。第6凶は、レーザ元1かマスク6に斜
入射−Cる椋子乞横から児たものである。レーザ元1か
マスク60)上面1:角度βで入射したとき、入射した
部分で一部は正反射光1aとなって運み、入射した部分
に回路パターンがなけれは、一部はマスク6ta遇した
透過yt、1bとして進む、正反射光1α、透過光1b
の強さは、レーザ元1のマスク6(二対Tる角度β(二
よって変化Tるが、いずれ(二せよ正反射光1α、もし
くは透過光1bの一部又はその両方か生じることには変
わりはない。この正反射光1α及び透過光1bか迷光発
生の第1の原因である。つまり、正反射光1α、a過尤
1bはそのまま進むと、かならす装置内部で反射又は敗
乱し℃、述元となって九′亀+設(二受光されてしまう
のである。また、第2の原因はレーザ元1ンマスク6(
=斜入射していることである。このようにレーザ元1を
マスク6の元迭過部(二角度I(10°〜30°削佐フ
で照射てると、第3図の如く、レーザ元1の一部は、マ
スク6の透明板材の内S全反射をくり返して進み。
端m 6 a tで遅−r;B6七し又、この端面6a
で全反射し℃丹びマスク 2 の上面及び下■ηAらω
射する九1dとなる。この几1dは。
で全反射し℃丹びマスク 2 の上面及び下■ηAらω
射する九1dとなる。この几1dは。
端間6α(二近い部分の上回、ト血で破も強く出射T6
゜よた、この冗1dは、レーザ元1の入射側へ戻ってく
るため、マスク6上の軌跡L?レーザ尤1の入射1i1
11から見込む元電手収人1 には迷光として父元され
ることイユなる。
゜よた、この冗1dは、レーザ元1の入射側へ戻ってく
るため、マスク6上の軌跡L?レーザ尤1の入射1i1
11から見込む元電手収人1 には迷光として父元され
ることイユなる。
これ(二ついて、ざら(−第4図を用いて説明1−る。
第4図は、第1図に下した装置ケ上万より児たとさのレ
ーザ元1.マスク6、充電+攻λ1 の配置乞ポT平面
図である。レーサ光1がマスク6よビ糾入射で走査する
とさ。
ーザ元1.マスク6、充電+攻λ1 の配置乞ポT平面
図である。レーサ光1がマスク6よビ糾入射で走査する
とさ。
その軌跡りの田七NSCに1元奄十段A1 のレンス
の元411tが向いている。前述のように。
の元411tが向いている。前述のように。
この軌跡りとその元@lとか成T角度ψは。
6σ〜’604二定められ℃いる。充電手段A1は、中
心sOで生じた散乱光のみを受光Tるのではなく 、=
L跡り上のいかなる位置で生じた散乱光も受光しなけれ
ばならない。そこで第1図で足めた座標糸xyz の
z −1平面上で、軌跡LY全て見込むように支九角θ
を設足すれば、当然+4irkJ6αも児込むこと(−
なる。
心sOで生じた散乱光のみを受光Tるのではなく 、=
L跡り上のいかなる位置で生じた散乱光も受光しなけれ
ばならない。そこで第1図で足めた座標糸xyz の
z −1平面上で、軌跡LY全て見込むように支九角θ
を設足すれば、当然+4irkJ6αも児込むこと(−
なる。
この状態で、レーザ光1がマスク6ビ足査すると、マス
ク6の内部を進み端面6aで正反射して出射してさた元
1dはレーザ元10走食(1応じて充電手段A1 に
遅する。特に軌跡りか端■6α≦二近づけは近づく機、
充電手段A1 は$1d7a”i”l<受光Tること
(二なる。
ク6の内部を進み端面6aで正反射して出射してさた元
1dはレーザ元10走食(1応じて充電手段A1 に
遅する。特に軌跡りか端■6α≦二近づけは近づく機、
充電手段A1 は$1d7a”i”l<受光Tること
(二なる。
次(二、不発明の実施例を第5図及び第6図により説明
T6゜第5図は、不発明の実施1+lJによる迷元防止
磯栴ン設(すだ検出装置の科祝図であり、第6図は、こ
れン憤から児た押j面図である。もちろん、検査鉄筒全
体は、外部から元を過充↑るようなケース内に収納され
ている。
T6゜第5図は、不発明の実施1+lJによる迷元防止
磯栴ン設(すだ検出装置の科祝図であり、第6図は、こ
れン憤から児た押j面図である。もちろん、検査鉄筒全
体は、外部から元を過充↑るようなケース内に収納され
ている。
第5図及び第6図≦二おいて、レーザ光1゜ス千ヤナ2
.マスク6、充電手段Al、 A2.B1゜B2 Q
!Pの配Uは第1図に示し、たのと同体であるが、1”
J動ミラー6、固定ミラー4.5については以恢Q)説
明と直接関係がないので省略しである。、また、第6図
では説明上、光電手段B1.B2 も省略しである。
.マスク6、充電手段Al、 A2.B1゜B2 Q
!Pの配Uは第1図に示し、たのと同体であるが、1”
J動ミラー6、固定ミラー4.5については以恢Q)説
明と直接関係がないので省略しである。、また、第6図
では説明上、光電手段B1.B2 も省略しである。
まず、初め(二、第6図で示し、た止反射九1a、透過
光1b乞鉄直内部で散乱、又は反射させないよう(二吸
収Tる釦訓二ついて説明Tる。マスク6の上lに入射し
たレーザ光1のうち、軌跡りからの止反射元1αは元手
部材10(二より秋良さ几るととも(二9反射ζ二より
充躇を曲げろ几る。この元手部刷゛10の反射lは、こ
こでは、マスク6の上Fl)II(x−V半開)と垂直
(二なってbす、且つ、マスク6の板暢柑震の長さで軌
融・Lと平行シニ処びている。同、f、学部材10の彷
負として、レーザ光は透過せすC;大部分吸収し、わず
かC正反射T6ものがよい。また、マスク6ン透過した
1bは0元手部材10と同一の材質及び形状の′″It
、′$部材11(二よってわすかC1正反射される。こ
のよう(二して元手m月10,1iによって反射された
レーザ光の強度は十分小さく!より、さら(−0九を吸
収するたのの吸収体14.15C谷々入躬Tる。谷吸収
体14゜15は、充字郡材11J、itと平行(二位首
した円筒形状であり、元学部材io、i1からのBL射
九乞内部を取り込むようg二2円周の母Ihメ方間C−
囲ロスリット14α、15αか設けられている。また、
吸収体14.15の内部(二は、谷間ロスリット14
a、 15 a7J)し入射した冗ンわずかシー&射
し1.大部分を吸収Tる)di材12.13が一ロスリ
ット′14α。
光1b乞鉄直内部で散乱、又は反射させないよう(二吸
収Tる釦訓二ついて説明Tる。マスク6の上lに入射し
たレーザ光1のうち、軌跡りからの止反射元1αは元手
部材10(二より秋良さ几るととも(二9反射ζ二より
充躇を曲げろ几る。この元手部刷゛10の反射lは、こ
こでは、マスク6の上Fl)II(x−V半開)と垂直
(二なってbす、且つ、マスク6の板暢柑震の長さで軌
融・Lと平行シニ処びている。同、f、学部材10の彷
負として、レーザ光は透過せすC;大部分吸収し、わず
かC正反射T6ものがよい。また、マスク6ン透過した
1bは0元手部材10と同一の材質及び形状の′″It
、′$部材11(二よってわすかC1正反射される。こ
のよう(二して元手m月10,1iによって反射された
レーザ光の強度は十分小さく!より、さら(−0九を吸
収するたのの吸収体14.15C谷々入躬Tる。谷吸収
体14゜15は、充字郡材11J、itと平行(二位首
した円筒形状であり、元学部材io、i1からのBL射
九乞内部を取り込むようg二2円周の母Ihメ方間C−
囲ロスリット14α、15αか設けられている。また、
吸収体14.15の内部(二は、谷間ロスリット14
a、 15 a7J)し入射した冗ンわずかシー&射
し1.大部分を吸収Tる)di材12.13が一ロスリ
ット′14α。
15α(二沿って設けB7している。この扱材12.1
6は、開口スリット14a、15αから人つマさた尤を
、吸収体14.15の内壁(1回けて反射T6よう(−
設定されている、向、1及収体i4.i5の固壁はほぼ
完全な敢乱面とff 6ように刀ロエさ柱て才Sす、ま
た開口スリット14α、15αの幅は、プを学部材1[
J、11で反射したレーザ光が、そのスリット14tL
、15αの端旧やエツジ部会・照射しない程度にでざる
だ(す小さな寸法(二刀ロエされ℃いるーよた。吸収体
1415の外壁は元乞散乱せずにほとんど吸収−4″る
ような低反射年回になるよう(二処琥され−Cいる。
6は、開口スリット14a、15αから人つマさた尤を
、吸収体14.15の内壁(1回けて反射T6よう(−
設定されている、向、1及収体i4.i5の固壁はほぼ
完全な敢乱面とff 6ように刀ロエさ柱て才Sす、ま
た開口スリット14α、15αの幅は、プを学部材1[
J、11で反射したレーザ光が、そのスリット14tL
、15αの端旧やエツジ部会・照射しない程度にでざる
だ(す小さな寸法(二刀ロエされ℃いるーよた。吸収体
1415の外壁は元乞散乱せずにほとんど吸収−4″る
ような低反射年回になるよう(二処琥され−Cいる。
次(二、前記マスク6の端I11]6αで全戊射した元
1dを過充する倹惰Z二ついて戚明する。
1dを過充する倹惰Z二ついて戚明する。
第4L凶(二本したよう(二1元1dは充電手段A1.
A2 に受光され、レーザ光のマスク6上のI#L跡
Lf慣から見込む充電す収a1.u2 には受光さJ
’Lない、、Tなわち1元1dか述元として作用T6の
は元畦〒設A1.A2 だけでめる2七こで第5図及
び第6図に示°[ようC二。
A2 に受光され、レーザ光のマスク6上のI#L跡
Lf慣から見込む充電す収a1.u2 には受光さJ
’Lない、、Tなわち1元1dか述元として作用T6の
は元畦〒設A1.A2 だけでめる2七こで第5図及
び第6図に示°[ようC二。
マスク6の上1釦世1jとド(3)供り(二遇元仮ン0
.21ン設ける。この遮光板20.21はマスク6(二
対し℃互いに[+1′]府祢に、且つ、マスク6 (1
)上下面にs L、て肘のシニ配貢さルている。その1
頃さは、レーザ光1の運行ン助けることのない範囲でで
さるだけレーザ光1の光路に近づけるように足めbれて
いる。、TはわちM’+1述の如く、レー′17充1は
マスク6の曲か広がるX−y−IP−mにN L、11
0〜60 P]’+1仮テ入MTルから、a元版2uは
Z−y平面から2軸の正号ll二1 u’ 〜60 、
7元低21はb −y平面かbz4aIの負方向ciu
’〜60°の1頃さて配置され6.たたし、七の傾さは
レーザ光1とマスク6とか成すP4度よりもわずか≦二
人さく足めら71.る。また、a元板20.21の端部
2υα、21αは、マスク6上の軌跡りの近惨(:、+
何になるように尼の67”して邪り、且つその1陥(X
軸方向の長さ〕は、弔4図で示した充電手段AleΔ2
の受光光路を榎うような寸法亀ユ決めら71.1いる
。
.21ン設ける。この遮光板20.21はマスク6(二
対し℃互いに[+1′]府祢に、且つ、マスク6 (1
)上下面にs L、て肘のシニ配貢さルている。その1
頃さは、レーザ光1の運行ン助けることのない範囲でで
さるだけレーザ光1の光路に近づけるように足めbれて
いる。、TはわちM’+1述の如く、レー′17充1は
マスク6の曲か広がるX−y−IP−mにN L、11
0〜60 P]’+1仮テ入MTルから、a元版2uは
Z−y平面から2軸の正号ll二1 u’ 〜60 、
7元低21はb −y平面かbz4aIの負方向ciu
’〜60°の1頃さて配置され6.たたし、七の傾さは
レーザ光1とマスク6とか成すP4度よりもわずか≦二
人さく足めら71.る。また、a元板20.21の端部
2υα、21αは、マスク6上の軌跡りの近惨(:、+
何になるように尼の67”して邪り、且つその1陥(X
軸方向の長さ〕は、弔4図で示した充電手段AleΔ2
の受光光路を榎うような寸法亀ユ決めら71.1いる
。
共俸的C二赳元板20(二ついて第4図Y /+iい行
(二なるように、且つ少なくとも′jr、電十攻A1
の9:、元金0による受光路(第4図中点輸の憤城F
’3)’l覆うような太ささC二定められている6μm
、谷a元板ン0.21の端部20α。
(二なるように、且つ少なくとも′jr、電十攻A1
の9:、元金0による受光路(第4図中点輸の憤城F
’3)’l覆うような太ささC二定められている6μm
、谷a元板ン0.21の端部20α。
21αは、それぞれ鋭角(二なるよう監二カロエされて
おり、レーザ光1の光路に極めて肛づくように配[tさ
れている、 同、第6図にボTようC二、q!r遮九遮光0゜21の
端部ン0α、21αは軌跡り上まで処ばてことはでさな
い。それは、第6図では不図示でゐるが0元奄〒段Bj
、f も軌跡り上からの散乱元711′党元下るため
C′−設けられ℃いるからである。但し、もし、 ′7
t′#M、十l!iBt、1j2か第5図に示した位置
以外の所、?すえは、レーザ光10入射側において、マ
スク6の囲と垂直で、且つ軌跡りと垂直d二中心都Gを
通る[11二関して元#L十段A1. A2 と1m
対称なゾ電に起重したと↑ると、道元似20.21tよ
。
おり、レーザ光1の光路に極めて肛づくように配[tさ
れている、 同、第6図にボTようC二、q!r遮九遮光0゜21の
端部ン0α、21αは軌跡り上まで処ばてことはでさな
い。それは、第6図では不図示でゐるが0元奄〒段Bj
、f も軌跡り上からの散乱元711′党元下るため
C′−設けられ℃いるからである。但し、もし、 ′7
t′#M、十l!iBt、1j2か第5図に示した位置
以外の所、?すえは、レーザ光10入射側において、マ
スク6の囲と垂直で、且つ軌跡りと垂直d二中心都Gを
通る[11二関して元#L十段A1. A2 と1m
対称なゾ電に起重したと↑ると、道元似20.21tよ
。
例えは、レーザ光1の軌跡L?甘むマスク6と垂直な面
に沿って設けれはよい、もちろんこの場合にも、′?!
r端m20α、21αはマスク6 Cなるべ(近づける
よう穣二する。
に沿って設けれはよい、もちろんこの場合にも、′?!
r端m20α、21αはマスク6 Cなるべ(近づける
よう穣二する。
ところで、遮光板20.21の内側[l01Dc。
21cは、はとんどの元を吸収Tると共に。
mは正反射するように丼散乱で低反射率の材買で加工さ
れている。これはレーザ光1の元来か広かり!待つこと
≦二より、内側面ンOG又はンIC7わずかでもレーザ
光1が照射したとさ、そこで散乱を起さないようζ二T
るためである。つより内11111囲20c又は2IC
でレーザ光1の散乱が生じると、その散乱充を工尤電手
段A1.A21:受元されてし、ようのである。
れている。これはレーザ光1の元来か広かり!待つこと
≦二より、内側面ンOG又はンIC7わずかでもレーザ
光1が照射したとさ、そこで散乱を起さないようζ二T
るためである。つより内11111囲20c又は2IC
でレーザ光1の散乱が生じると、その散乱充を工尤電手
段A1.A21:受元されてし、ようのである。
また、レーザ光1の元来の広がりC二よって内側[[1
2[JC,2ICか照射されないように。
2[JC,2ICか照射されないように。
レーザ光1の九宋の広がりそのものt辿ぎることも′4
えられる。そのたの≦二は、第6図1:ボTJ、うCニ
ス+ヤナ2ン細て、不図示の粕はレンズの後で、遮光@
20又は21(−向うし一ザ元1の光路上に遮光板5
6乞設(すれは艮い。この遮光板66は、レーザ光1の
走査方間tzm力向)C二はレーザ光1の元来を辿ぎら
す、且つ定食方向と挺直な方向で、レーザ光1の広かり
ンおさえる。fなわち、遮光板66は、レーザ光1の走
置方向C″−処ひた仮拐C二、走倉万回Cニスリットを
設けたものでよいわそして、−t−のスリットQ1隔は
、レーザ光の強度かガウス分布62の場合、 ?!lえ
は0強五か1/2(ただしeは白熱対数の底)に低下し
た遺から外側の元来ン辿さるよう(1建め4)とよい。
えられる。そのたの≦二は、第6図1:ボTJ、うCニ
ス+ヤナ2ン細て、不図示の粕はレンズの後で、遮光@
20又は21(−向うし一ザ元1の光路上に遮光板5
6乞設(すれは艮い。この遮光板66は、レーザ光1の
走査方間tzm力向)C二はレーザ光1の元来を辿ぎら
す、且つ定食方向と挺直な方向で、レーザ光1の広かり
ンおさえる。fなわち、遮光板66は、レーザ光1の走
置方向C″−処ひた仮拐C二、走倉万回Cニスリットを
設けたものでよいわそして、−t−のスリットQ1隔は
、レーザ光の強度かガウス分布62の場合、 ?!lえ
は0強五か1/2(ただしeは白熱対数の底)に低下し
た遺から外側の元来ン辿さるよう(1建め4)とよい。
久に、透光防止の動作をd明する。マスク6に腑入射し
、たレーザ光1は、正反射光1 a。
、たレーザ光1は、正反射光1 a。
透過充1bとなって元手部材10.11に達Tる。この
正反射光1α、透過元1bは元手部材1u、11で大部
分が吸収され、1%M)6か反射されて吸収体14.1
5へ入射する。
正反射光1α、透過元1bは元手部材1u、11で大部
分が吸収され、1%M)6か反射されて吸収体14.1
5へ入射する。
さらに、吸収体14.15のV3部の畝付1/。
15で大部分か吸収され、v、%のみが反射さ扛で、吸
収体14.15の内壁に瞳T6.その内壁でレーザ光は
散乱Tるか、このとさ囲ロスリット14α、15αから
出射する敗丸冗は、異物やパターンのエツジ部からの散
乱元(ニルして極めてエネルギが小さくなる。このため
正反射光1α、透過光16によって住じる迷光は、充電
手段A1 e A7 ; ”S −B2 に受光され
ず0児全(二防止され6゜ 一万、マスク6の端III]6αで正反射して。
収体14.15の内壁に瞳T6.その内壁でレーザ光は
散乱Tるか、このとさ囲ロスリット14α、15αから
出射する敗丸冗は、異物やパターンのエツジ部からの散
乱元(ニルして極めてエネルギが小さくなる。このため
正反射光1α、透過光16によって住じる迷光は、充電
手段A1 e A7 ; ”S −B2 に受光され
ず0児全(二防止され6゜ 一万、マスク6の端III]6αで正反射して。
マスク6の上面及び]面から出射Tる元1dは、遮光板
2[J、21の外徊11[1206,2LbC二迫Tる
。然るに、この外用ill面ンOb、ン1bは元を散乱
させすC二わずか(二比反射するようt材買で成形され
ている。このため0元1dは外’6(11’mzCJ
b、 2 l bによつ℃はとんど吸収され、充電手段
A1.A2 には遅しない。ざら(二帽elI2によ
る真9勿恢出4炊能も憤なりことi、+ない。
2[J、21の外徊11[1206,2LbC二迫Tる
。然るに、この外用ill面ンOb、ン1bは元を散乱
させすC二わずか(二比反射するようt材買で成形され
ている。このため0元1dは外’6(11’mzCJ
b、 2 l bによつ℃はとんど吸収され、充電手段
A1.A2 には遅しない。ざら(二帽elI2によ
る真9勿恢出4炊能も憤なりことi、+ない。
以上の実施例に8いて、元手部材10.11とし、ては
、レーザ光1の仮に蛍域ン吸収Tる色カラスフィルタや
、ニュートラル−テンシティ(ND)フィルタ等に反射
防止膜を蒸漸したものか、安価i二、且つ+11j*−
二オI」用でさる。
、レーザ光1の仮に蛍域ン吸収Tる色カラスフィルタや
、ニュートラル−テンシティ(ND)フィルタ等に反射
防止膜を蒸漸したものか、安価i二、且つ+11j*−
二オI」用でさる。
また、板材12,13阪7収体14,15及び遮光板2
0.21は元宇都拐1[J、11と同一のものでもよい
が、アルミニワム台金等の竪鵡板(二黒lルマイトのつ
やのある翅較を処したたけのものでも十分に利用でさる
。そして、吸収体14.15の内壁は、黒色のっや陶し
塗装乞施すだけで十分である。
0.21は元宇都拐1[J、11と同一のものでもよい
が、アルミニワム台金等の竪鵡板(二黒lルマイトのつ
やのある翅較を処したたけのものでも十分に利用でさる
。そして、吸収体14.15の内壁は、黒色のっや陶し
塗装乞施すだけで十分である。
同、第6図からも明らかなように、吸収体14.15は
正反射光1α、透過元1bか外憔(二照射さ7’Lない
ように配置きれているが。
正反射光1α、透過元1bか外憔(二照射さ7’Lない
ように配置きれているが。
軌跡り上の回路パターンの工゛ノジ都からの畝乱元乞受
けることもある。′fると、充電4・設へ1.八2tま
1吸収体14.15の外壁にあたった散札元の反射九馨
父九Tること(二なる、しかしなから、第7図に7J<
−(’ようi二円間杉状の1yシ収体14又は15υ)
−sン千面S(二〃0土し又、エツジ部からの散乱冗1
eの−ibをマスク6から遠ざかるよう≦二反射させ℃
大S分を吸収すると、迷光Q月力比はより児全となる。
けることもある。′fると、充電4・設へ1.八2tま
1吸収体14.15の外壁にあたった散札元の反射九馨
父九Tること(二なる、しかしなから、第7図に7J<
−(’ようi二円間杉状の1yシ収体14又は15υ)
−sン千面S(二〃0土し又、エツジ部からの散乱冗1
eの−ibをマスク6から遠ざかるよう≦二反射させ℃
大S分を吸収すると、迷光Q月力比はより児全となる。
μ)、弔問Sからの元は、遮光板20の外U1u囲2D
bに回うよう(二Tれは艮い。
bに回うよう(二Tれは艮い。
このよう(二、本発明では9元ビームの足車vL跡より
も遠方の被検査物から生じる元1例えは、被検食物の端
面で反射してさた元が元ビームの入射側の壁間に起重さ
れた尤電十設ハ1.λ〕に−ATるU)f防止−「るよ
うに辷ブC板を設けてめ心。このため、その元′屯+段
による大物検出能力か向上TるとともC二、絶検出も防
止下る、さらに、実施例でボしたように。
も遠方の被検査物から生じる元1例えは、被検食物の端
面で反射してさた元が元ビームの入射側の壁間に起重さ
れた尤電十設ハ1.λ〕に−ATるU)f防止−「るよ
うに辷ブC板を設けてめ心。このため、その元′屯+段
による大物検出能力か向上TるとともC二、絶検出も防
止下る、さらに、実施例でボしたように。
遮光板はレーザ光の入射光路と平行(−1被検f物(二
対して糾め(二配首されているから、友1IIIIL跡
りを横から糾めC二見込む九′喝手該B1e132
は、 IIL跡りから生じる敢乱充ン何らさえさbrし
ることなく受−KTる。こ力ため、充電+設口1.B2
(二よる検出hヒカも低下Tることか7よい、また、被
検f′lfIとしての板カラスい衣閣(二揚かついてい
た壱曾、力什人射し、たレーザ光の一部か、被検食物の
内部を反射をくり返し、て進んだとさ、その傷の19r
で散乱か生じる。このwit二よる赦乱九も迷元となる
か、本発明によれは、さらにそのような迷元も迦元板に
よって防止さB6というオリ点かある、
対して糾め(二配首されているから、友1IIIIL跡
りを横から糾めC二見込む九′喝手該B1e132
は、 IIL跡りから生じる敢乱充ン何らさえさbrし
ることなく受−KTる。こ力ため、充電+設口1.B2
(二よる検出hヒカも低下Tることか7よい、また、被
検f′lfIとしての板カラスい衣閣(二揚かついてい
た壱曾、力什人射し、たレーザ光の一部か、被検食物の
内部を反射をくり返し、て進んだとさ、その傷の19r
で散乱か生じる。このwit二よる赦乱九も迷元となる
か、本発明によれは、さらにそのような迷元も迦元板に
よって防止さB6というオリ点かある、
第1図は本発明の基礎となる技術による異物検出装置の
が+視図。 第2図は本発明の両値となる技術(二よる処理回路のブ
ロック図。 第6図及び第4図は迷元の先生ン戚明するための原理図
。 第5図は牟発明の実施例(二よる迷光防止愼構の糾視図
。 第6図は第5図を輌から見た側聞図。 第7図は吸収体の震プレ例をボT止血図である。 〔工費部分の符号の説明〕 AL A7 ; 141. B2 ・・・・・・・・
・・・・充電手段A1 ・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・8i41の元篭木
子A2 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・第2の九゛a系子ン U 、
21 ・・・ ・・・ ・・・ ・・・ ・・・ ・
・・ ・・・ μ宮元−P段ン0・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・第1の迩尤
板21・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・第2の造元仮出 願 人 二 日+九
字上菓株式会社オフ図 + s4〒滞14
が+視図。 第2図は本発明の両値となる技術(二よる処理回路のブ
ロック図。 第6図及び第4図は迷元の先生ン戚明するための原理図
。 第5図は牟発明の実施例(二よる迷光防止愼構の糾視図
。 第6図は第5図を輌から見た側聞図。 第7図は吸収体の震プレ例をボT止血図である。 〔工費部分の符号の説明〕 AL A7 ; 141. B2 ・・・・・・・・
・・・・充電手段A1 ・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・8i41の元篭木
子A2 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・第2の九゛a系子ン U 、
21 ・・・ ・・・ ・・・ ・・・ ・・・ ・
・・ ・・・ μ宮元−P段ン0・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・第1の迩尤
板21・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・第2の造元仮出 願 人 二 日+九
字上菓株式会社オフ図 + s4〒滞14
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 元iii過性の被検査物に元ビームを斜入射で走
査し、被検f物上の創紀元ビームの走査軌跡中から生じ
る散乱元ン″A篭検出Tることによって被検量物(二付
虐した異物を検出てる装置に8いて。 前記走査軌跡(二対して)’I’ll M己元ビームの
入射側の空間(二、削6ピ走食軌跡ンfgr建の受光角
で見込むように配置した光′a+段と;呟元電手段シ一
対して’Fi’lJ配走食軌跡よりも理万の被検査物か
ら出射して1gIJ @r2元電手段へ向う九をさえぎ
るa元+段とビ巾することを%似とTる異物検出装置。 2、 削紀元電手段は、仮構f:@の罰記元ビームの入
射1illの次面を糾めに見込むと共(二。 該表面側へ生しる散a元を受九する第1の元′屯素子と
;被8!倉9勿の1](二1先して除外1の元畦糸子と
略面対祢に配喧されると共に。 P51J記欺囲と反射側の表面側へ生じる散乱元を受九
する第2の元電系子とを甘むことを特徴とする特許請求
の範囲第1項dピ販の侠出鉄剪。 5、 F1iJ記遡九手段は、削6己走畳軌跡C二沿
って助平0く1延ひたエツジ郡tMすると共に。 M’ll @己衣面*1+の望1司4二0日+J 1己
元ビームの被検食物へυ]人入射をさけて配置された第
i v)通元板とy o’11ad展面側U)仝同に被
検前9勿の+m +−1周し゛C0該第1の遮元板と1
mスV4年に1己眩された弔2の逍yム仮とン′ざむこ
とな舟留と−fる特B′f BK水の馴≧囲第2項6己
載の検出装fIJ:。 4、 創FJスル1又は第2の遅尤板乞A’lJ記元ビ
ームの肢1災立9勿への入射逅6(=I’dって疹1め
(二股は心と共+: 、 hIJm己第1スル第2の辿
充板の)1’li i3己九ヒームと×1回する囲乞井
X乱の低反射半開にしたこと乞軸愼とする特許請求の範
囲第3項記載の検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17809981A JPS5879144A (ja) | 1981-11-06 | 1981-11-06 | 異物検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17809981A JPS5879144A (ja) | 1981-11-06 | 1981-11-06 | 異物検出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5879144A true JPS5879144A (ja) | 1983-05-12 |
JPH0427497B2 JPH0427497B2 (ja) | 1992-05-12 |
Family
ID=16042618
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17809981A Granted JPS5879144A (ja) | 1981-11-06 | 1981-11-06 | 異物検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5879144A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS498292A (ja) * | 1972-05-10 | 1974-01-24 | ||
JPS56115945A (en) * | 1980-02-18 | 1981-09-11 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | Detecting device for defect of panel plate |
-
1981
- 1981-11-06 JP JP17809981A patent/JPS5879144A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS498292A (ja) * | 1972-05-10 | 1974-01-24 | ||
JPS56115945A (en) * | 1980-02-18 | 1981-09-11 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | Detecting device for defect of panel plate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0427497B2 (ja) | 1992-05-12 |
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