JPS587755A - 電子レンズ - Google Patents
電子レンズInfo
- Publication number
- JPS587755A JPS587755A JP56105363A JP10536381A JPS587755A JP S587755 A JPS587755 A JP S587755A JP 56105363 A JP56105363 A JP 56105363A JP 10536381 A JP10536381 A JP 10536381A JP S587755 A JPS587755 A JP S587755A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gap
- lens
- magnetic
- excitation
- double
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/10—Lenses
- H01J37/14—Lenses magnetic
- H01J37/141—Electromagnetic lenses
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は電子顕微鏡用照射レンズ等に使用される電子
ビーム収束用の電子レンズ、特にシングルギャップとダ
ブルギャップの相互変換可能な電子レンズに関するもの
であるＯ 電子顕微鏡において試料に照射する電子ビームは、透過
型電子顕微鏡のように透過像を観察する場合には、ビー
ムの平行性が必要で、ビーム径を開いて用いるが、走査
型電子顕微鏡、走査透過型電子顕微鏡などのように走査
像を得る場合には、ビーム径を細く絞る必要があるＯこ
のため、透過像を得る場合には照射レンズ系を２段、走
査像を得る場合には３段に変更して使用するのが普通で
ある。この照射レンズ系の切換には、もともと３段の照
射レンズ系を設けておき、透過像を得る場合にはそのう
ちの１段を使用しない方法もあるが、２段の照射系のう
ち第１段を、透過像を得る場合にはシングルギャップの
ポールピース、走査像を得る場合にはダブルギャップの
ポールピースに入換えて使用することが行われている。
ビーム収束用の電子レンズ、特にシングルギャップとダ
ブルギャップの相互変換可能な電子レンズに関するもの
であるＯ 電子顕微鏡において試料に照射する電子ビームは、透過
型電子顕微鏡のように透過像を観察する場合には、ビー
ムの平行性が必要で、ビーム径を開いて用いるが、走査
型電子顕微鏡、走査透過型電子顕微鏡などのように走査
像を得る場合には、ビーム径を細く絞る必要があるＯこ
のため、透過像を得る場合には照射レンズ系を２段、走
査像を得る場合には３段に変更して使用するのが普通で
ある。この照射レンズ系の切換には、もともと３段の照
射レンズ系を設けておき、透過像を得る場合にはそのう
ちの１段を使用しない方法もあるが、２段の照射系のう
ち第１段を、透過像を得る場合にはシングルギャップの
ポールピース、走査像を得る場合にはダブルギャップの
ポールピースに入換えて使用することが行われている。
第１図はシングルギャップの第１コンデンサーレンズを
使用した場合、第２図はダブルギャップの第１コンデン
サーレンズを使用した場合の照射レンズ系の光線図であ
シ、図面において、１は第１コンテンサーレンズ、２は
第２コンデンサーレンズ、３は電子銃、４は試料である
０第１図および第２図の照射Ｖンズ系においては、電子
銃３から出た電子ビームは第１コンデンサーレンズ１お
よび第２コンデンサーレンズ２によシ収束されて試料４
に照射されるが、第２図の場合、第１コンデンサーレン
ズ１はダブルギャップのため、レンズ１ａおよび１ｂが
配置された構成となっている。
使用した場合、第２図はダブルギャップの第１コンデン
サーレンズを使用した場合の照射レンズ系の光線図であ
シ、図面において、１は第１コンテンサーレンズ、２は
第２コンデンサーレンズ、３は電子銃、４は試料である
０第１図および第２図の照射Ｖンズ系においては、電子
銃３から出た電子ビームは第１コンデンサーレンズ１お
よび第２コンデンサーレンズ２によシ収束されて試料４
に照射されるが、第２図の場合、第１コンデンサーレン
ズ１はダブルギャップのため、レンズ１ａおよび１ｂが
配置された構成となっている。
第３図は第１図および第２図の配置のシングルギャップ
およびダブルギャップの第１コンデンサーレンズの焦点
距離の逆数１／ｆに対する倍率ＩＭ＋の関係を示すグラ
フであり、ｓはシングルギャップレンズの曲線、ＤＩ、
Ｄｔ、Ｄｓはそれぞれダブルギャップレンズの曲線警示
す０ここで焦点距離の逆数１／ｆはコンデンサーレンズ
の励磁Ｊの２乗Ｊｔに比例するので、横軸はＪｔとみな
すことができるロ一方、倍率ＩＭ＋に光源のクロスオー
バーの大きさをかけ合わせたものは試料を照射す２るビ
ーム径（スポットサイズｄａ）であるから、縦軸はｄａ
とみなすことができる。
およびダブルギャップの第１コンデンサーレンズの焦点
距離の逆数１／ｆに対する倍率ＩＭ＋の関係を示すグラ
フであり、ｓはシングルギャップレンズの曲線、ＤＩ、
Ｄｔ、Ｄｓはそれぞれダブルギャップレンズの曲線警示
す０ここで焦点距離の逆数１／ｆはコンデンサーレンズ
の励磁Ｊの２乗Ｊｔに比例するので、横軸はＪｔとみな
すことができるロ一方、倍率ＩＭ＋に光源のクロスオー
バーの大きさをかけ合わせたものは試料を照射す２るビ
ーム径（スポットサイズｄａ）であるから、縦軸はｄａ
とみなすことができる。
第６図から明らかなように、ダブルギャップレンズの最
小スポットサイズｄＣはシングルギャップレンズの約１
７５０程度に小さくなるので、ダブルギャップレンズは
走査像観察に有利である。ここで注意すべきことは、ス
ポットサイズを小さくする場合はコンデンサーレンズの
励磁を強くして用いること（なシ、この領域ではダブル
ギャップレンズの方が弱い励磁で目的を達することがで
きる。
小スポットサイズｄＣはシングルギャップレンズの約１
７５０程度に小さくなるので、ダブルギャップレンズは
走査像観察に有利である。ここで注意すべきことは、ス
ポットサイズを小さくする場合はコンデンサーレンズの
励磁を強くして用いること（なシ、この領域ではダブル
ギャップレンズの方が弱い励磁で目的を達することがで
きる。
一方、透過像を観察する場合は、電子ビームの開き角を
小さくしなければならないため、スポットサイズを大き
くする必要があるが、倍率の大きい領域、（すなわち、
スポットサイズ大の領域）では、ダブルギャップレンズ
の場合、Ｊ′（励磁）のわずかな変化に対してＩＭｌが
急激に変化しているため、この領域では第２コンデンサ
ーレンズの励磁を著しく増加させる必要がある０従って
実用上可能なレンズの大きさを考えた場合、このような
急激なＩＭＩの変化領域では、第２コンデンサーレンズ
の励磁が不足するため、ダブルギャップレンズを採用で
きない。これに対し、シングルギャップレンズの場合
Ｊｌに対するＩＭｌの変化は緩やかで、この領域では第
２コンデンサーレンズの励磁の増加も少なくてよい０ 以上のとおり、ビーム径を大きくして使用する透過像観
察の場合にはシングルギャップレンズが望ましく、ビー
ム径を小さくして使用する走査像観察の場合にはダブル
ギャップレンズが望ましいことがわかる。
小さくしなければならないため、スポットサイズを大き
くする必要があるが、倍率の大きい領域、（すなわち、
スポットサイズ大の領域）では、ダブルギャップレンズ
の場合、Ｊ′（励磁）のわずかな変化に対してＩＭｌが
急激に変化しているため、この領域では第２コンデンサ
ーレンズの励磁を著しく増加させる必要がある０従って
実用上可能なレンズの大きさを考えた場合、このような
急激なＩＭＩの変化領域では、第２コンデンサーレンズ
の励磁が不足するため、ダブルギャップレンズを採用で
きない。これに対し、シングルギャップレンズの場合
Ｊｌに対するＩＭｌの変化は緩やかで、この領域では第
２コンデンサーレンズの励磁の増加も少なくてよい０ 以上のとおり、ビーム径を大きくして使用する透過像観
察の場合にはシングルギャップレンズが望ましく、ビー
ム径を小さくして使用する走査像観察の場合にはダブル
ギャップレンズが望ましいことがわかる。
第４図は従来のダブルギャップの第１コンデンサーレン
ズを示す垂直断面図でオシ、第１コンデンサーレンズ１
はヨーク５、このヨーク５によって形成される磁気回路
に設けられた第１および第２ギヤツプ６ａ 、 ６ｂを
有するボールビ呻ス６、前記ギャップ６ａ 、 ６ｂ
ｋ形成するための非磁性体からなるリング状のスペーサ
７ａ、７ｂ、および励磁コイル８から構成されている口
このような従来のダブルギャップレンズにおいては、ダ
ブルギャップをシングルギャップに変換するためには、
鏡筒を分解し、レンズ自体を取換えるか、あるいはポー
ルピース交換のため装置の一部の組換が必要であり、極
めて不便であるという欠点があったＱこの発明は以上の
ような従来のものの欠点を改善するためのもので、複数
のギャップのうち、少なくとも１つのギャップに、強励
磁状態で磁気飽和を起す磁束のバイパス路を設けること
によシ、励磁電流を変えるだけで自動的にシングルギャ
ップとダブルギャップの相互変換可能な電子顕微鏡用照
射レンズを提供することを目的としているＯこの発明は
磁気回路に複数のギャップを設け、前記ギャップのうち
少なくとも１つのギャップに高励磁状態で磁気飽和を起
す磁性体を磁束のノくイパス路を形成するように備えた
ことを特徴とする電子レンズである。
ズを示す垂直断面図でオシ、第１コンデンサーレンズ１
はヨーク５、このヨーク５によって形成される磁気回路
に設けられた第１および第２ギヤツプ６ａ 、 ６ｂを
有するボールビ呻ス６、前記ギャップ６ａ 、 ６ｂ
ｋ形成するための非磁性体からなるリング状のスペーサ
７ａ、７ｂ、および励磁コイル８から構成されている口
このような従来のダブルギャップレンズにおいては、ダ
ブルギャップをシングルギャップに変換するためには、
鏡筒を分解し、レンズ自体を取換えるか、あるいはポー
ルピース交換のため装置の一部の組換が必要であり、極
めて不便であるという欠点があったＱこの発明は以上の
ような従来のものの欠点を改善するためのもので、複数
のギャップのうち、少なくとも１つのギャップに、強励
磁状態で磁気飽和を起す磁束のバイパス路を設けること
によシ、励磁電流を変えるだけで自動的にシングルギャ
ップとダブルギャップの相互変換可能な電子顕微鏡用照
射レンズを提供することを目的としているＯこの発明は
磁気回路に複数のギャップを設け、前記ギャップのうち
少なくとも１つのギャップに高励磁状態で磁気飽和を起
す磁性体を磁束のノくイパス路を形成するように備えた
ことを特徴とする電子レンズである。
以下、この発明を図面により説明する０第５図はこの発
明の一実施例による第１コンデンサーレンズを示す垂直
断面図であり、第４図と同一符号は同一または相当部分
を示す０この第１コンデンサーレンズ１は第４図のもの
とほぼ同様に構成されているが、第２ギヤツプ６ｂには
、スペーサ７ｂニ代えて円筒状の磁性体９が磁束のバイ
パス路を形成するように１ギヤツプの周辺を囲んで設け
られており、この磁性体９は強励磁状態において磁気飽
和するように材質、厚さ、長さ等が決められている０磁
気飽和を起す励磁強度は、第３図のＳおよびり、の曲線
が交差する点、またはこれより−Ｍ子弾励磁領域が窒業
しく、磁性材料としてポールピースと同じ鉄材を使用し
た場合、第２ギヤツプ６ｂのギャップ長と同程度または
それより薄く作っておくことによシ、適当な励磁強度で
磁気飽和を起させることができるＯ 以上のように構成された電子レンズにおいては、励磁電
流が低くてレンズの励磁が弱い場合、磁束は第２ギヤツ
プ６ｂを通ることなく、バイパス路９全通って第１ギヤ
ツプ６ａに導かれるため、第２ギヤツプ６ｂには磁束を
生じないので、この状態ではシングルギャップレンズと
して機能する０次に励磁電流を上げて、レンズの励磁を
強くした場合、バイパス路は磁気飽和を起し、その透磁
全通って第１ギヤツプ６ａに導かれ、ダブルギャップレ
ンズとして機能する。
明の一実施例による第１コンデンサーレンズを示す垂直
断面図であり、第４図と同一符号は同一または相当部分
を示す０この第１コンデンサーレンズ１は第４図のもの
とほぼ同様に構成されているが、第２ギヤツプ６ｂには
、スペーサ７ｂニ代えて円筒状の磁性体９が磁束のバイ
パス路を形成するように１ギヤツプの周辺を囲んで設け
られており、この磁性体９は強励磁状態において磁気飽
和するように材質、厚さ、長さ等が決められている０磁
気飽和を起す励磁強度は、第３図のＳおよびり、の曲線
が交差する点、またはこれより−Ｍ子弾励磁領域が窒業
しく、磁性材料としてポールピースと同じ鉄材を使用し
た場合、第２ギヤツプ６ｂのギャップ長と同程度または
それより薄く作っておくことによシ、適当な励磁強度で
磁気飽和を起させることができるＯ 以上のように構成された電子レンズにおいては、励磁電
流が低くてレンズの励磁が弱い場合、磁束は第２ギヤツ
プ６ｂを通ることなく、バイパス路９全通って第１ギヤ
ツプ６ａに導かれるため、第２ギヤツプ６ｂには磁束を
生じないので、この状態ではシングルギャップレンズと
して機能する０次に励磁電流を上げて、レンズの励磁を
強くした場合、バイパス路は磁気飽和を起し、その透磁
全通って第１ギヤツプ６ａに導かれ、ダブルギャップレ
ンズとして機能する。
第６図は第５図のレンズの磁界分布図であり、Ａは弱励
磁の場合、Ｂは強励磁の場合の磁界分布を示す曲線で、
レンズの励磁の強さに応じて、１つの磁界ピークから２
つ磁界ピークへと変化し、シングルギャップレンズとダ
ブルギャップレンズとの相互変換できることを示してい
る０第７図は第５図のレンズの励磁の強さに対する磁界
強度のグラフであＣ１ｃは第１ギヤツプ、Ｄは第２ギヤ
ツプの曲線で、第２ギヤツプに生ずる磁界はある励磁を
境として突然生じ、ひとたび生ずると、その磁界の強さ
は励磁に対して直線的に増大することを示している０ 第８図は第１ギヤツプのギャップ長４１ｍ、第２ギヤツ
プのギャップ長１６Ｉｌｌの電子レンズにおいて、第２
ギヤツプの周辺に厚さ＋５ ＩＩｍの鉄リングでバイパ
ス路を形成した場合の、第２ギヤツプからの距離Ｚ （
ａｍ）に対する磁界強度Ｂｚ （Ｇ）のグラフであり、
各曲線は励磁電流１Ａ〜５Ａの場合のものを示す。第８
図より、励磁電流１人では第２ギヤツプは全く磁界を生
じていないが、２人ではわずかな磁界を生じ、５に以上
ではレンズ作用を行うに十分な磁界を発生している〇 以上のような電子レンズは電子顕微鏡の照射レンズ系に
使用した場合、１個のレンズで第１図におけるシングル
ギャップレンズおよび第２図におけるダブルギャップレ
ンズの機能全行わせることができるＯこの場合、励磁電
流の強さによシ切換を行うが、低電流のと串にシングル
ギャップ、高電流のときにダブルギャップに切換わるの
で、第４図から明らかなように、効率よくスポットサイ
ズを大きくしたり、小さくしたりすることができるＯ なお、以上の説明において、磁性体９として鉄材の例を
挙げたが、その材質は限定されない。また形状も円筒状
に限らず、棒状その他の形状でおってもよいＯ磁性体９
の厚さはレンズのギャップ長、レンズ間距離等に照らし
て、どの程度の励磁において、単一ピークから２つのピ
ークに移行させるべきかが決まるので、その結果に応じ
て変えればよい０また第２ギヤツプに生ずる磁界が必要
な励磁が高い場合はど、磁性体９は厚くしなければなら
ない０ 磁性体９を設けるギャップも第２ギヤツプに限らず、第
１ギヤツプであってもよく、さらにギャップが３個以上
ある場合には、少なくとも１つのギャップに設けるもの
とする。また第１コンデンサヤレンズに限らず、他のレ
ンズに設けてもよい０以上の説明は電子顕微鏡における
透過像と走査像の切換について主として行ったが、この
発明の電子レンズは他の場合にも適用でき、例えば走査
電子顕微鏡において、低倍像観察あるいはＸ線マイクロ
アナ２イザとして使用する際にスポットサイズを大きく
する場合、その他電子ビーム径の大小を調節する必要の
ある全ての場合に適用可能である０ 以上のとおり、本発明によれば、励磁電流を変えるだけ
で自動的に、シングルギャップおよび夕。
磁の場合、Ｂは強励磁の場合の磁界分布を示す曲線で、
レンズの励磁の強さに応じて、１つの磁界ピークから２
つ磁界ピークへと変化し、シングルギャップレンズとダ
ブルギャップレンズとの相互変換できることを示してい
る０第７図は第５図のレンズの励磁の強さに対する磁界
強度のグラフであＣ１ｃは第１ギヤツプ、Ｄは第２ギヤ
ツプの曲線で、第２ギヤツプに生ずる磁界はある励磁を
境として突然生じ、ひとたび生ずると、その磁界の強さ
は励磁に対して直線的に増大することを示している０ 第８図は第１ギヤツプのギャップ長４１ｍ、第２ギヤツ
プのギャップ長１６Ｉｌｌの電子レンズにおいて、第２
ギヤツプの周辺に厚さ＋５ ＩＩｍの鉄リングでバイパ
ス路を形成した場合の、第２ギヤツプからの距離Ｚ （
ａｍ）に対する磁界強度Ｂｚ （Ｇ）のグラフであり、
各曲線は励磁電流１Ａ〜５Ａの場合のものを示す。第８
図より、励磁電流１人では第２ギヤツプは全く磁界を生
じていないが、２人ではわずかな磁界を生じ、５に以上
ではレンズ作用を行うに十分な磁界を発生している〇 以上のような電子レンズは電子顕微鏡の照射レンズ系に
使用した場合、１個のレンズで第１図におけるシングル
ギャップレンズおよび第２図におけるダブルギャップレ
ンズの機能全行わせることができるＯこの場合、励磁電
流の強さによシ切換を行うが、低電流のと串にシングル
ギャップ、高電流のときにダブルギャップに切換わるの
で、第４図から明らかなように、効率よくスポットサイ
ズを大きくしたり、小さくしたりすることができるＯ なお、以上の説明において、磁性体９として鉄材の例を
挙げたが、その材質は限定されない。また形状も円筒状
に限らず、棒状その他の形状でおってもよいＯ磁性体９
の厚さはレンズのギャップ長、レンズ間距離等に照らし
て、どの程度の励磁において、単一ピークから２つのピ
ークに移行させるべきかが決まるので、その結果に応じ
て変えればよい０また第２ギヤツプに生ずる磁界が必要
な励磁が高い場合はど、磁性体９は厚くしなければなら
ない０ 磁性体９を設けるギャップも第２ギヤツプに限らず、第
１ギヤツプであってもよく、さらにギャップが３個以上
ある場合には、少なくとも１つのギャップに設けるもの
とする。また第１コンデンサヤレンズに限らず、他のレ
ンズに設けてもよい０以上の説明は電子顕微鏡における
透過像と走査像の切換について主として行ったが、この
発明の電子レンズは他の場合にも適用でき、例えば走査
電子顕微鏡において、低倍像観察あるいはＸ線マイクロ
アナ２イザとして使用する際にスポットサイズを大きく
する場合、その他電子ビーム径の大小を調節する必要の
ある全ての場合に適用可能である０ 以上のとおり、本発明によれば、励磁電流を変えるだけ
で自動的に、シングルギャップおよび夕。
プルギャップの相互変換が可能であり、シかも効率よく
電子ビームのビーム径を調節することができる効果があ
る。
電子ビームのビーム径を調節することができる効果があ
る。
第１図はシングルギャップの第１コンデンサーレンズ全
使用した場合、第２図はダブルギャップの第１コ／デン
サーレンズを使用し々場合の照射レンズ系の光線図、第
３図は第１図および第２図の配置のシングルギャップお
よびダブルギャップの第１コンデンサーレンズの焦点距
離の逆数に対する倍率の関係を示すグラフ、第４図は従
来のダブルギャップの第１コンデンサーレンズ’に示す
垂直断面図、第５図はと−の発明の一実施例による第１
コンデンサーレンズを示す垂直断面図、第６図は第５図
のレンズの磁界分布図、第７図は第５図のレンズの励磁
の強さに対する磁界強度の関係を示すグラフ、第８図は
電子レンズの第２ギヤツプからの距離に対する磁界強度
の関係を示すグラフである０ 各図中、同一符号は同一または相当部分を示し、２は第
２コンデンサーレンズ、３は電子銃、４は試料、５はヨ
ーク、６はポールピース、６ａ、６ｂはギャップ、７ａ
、 ７ｂはスペーサ、８は励磁コイル、９は磁性体で
ある。 代理人 弁理士 柳 原 成 第４ｍ１ ７ｂ ・ 第５図 第６図 ９ ６０ 第７図 冴η４り讃、７
使用した場合、第２図はダブルギャップの第１コ／デン
サーレンズを使用し々場合の照射レンズ系の光線図、第
３図は第１図および第２図の配置のシングルギャップお
よびダブルギャップの第１コンデンサーレンズの焦点距
離の逆数に対する倍率の関係を示すグラフ、第４図は従
来のダブルギャップの第１コンデンサーレンズ’に示す
垂直断面図、第５図はと−の発明の一実施例による第１
コンデンサーレンズを示す垂直断面図、第６図は第５図
のレンズの磁界分布図、第７図は第５図のレンズの励磁
の強さに対する磁界強度の関係を示すグラフ、第８図は
電子レンズの第２ギヤツプからの距離に対する磁界強度
の関係を示すグラフである０ 各図中、同一符号は同一または相当部分を示し、２は第
２コンデンサーレンズ、３は電子銃、４は試料、５はヨ
ーク、６はポールピース、６ａ、６ｂはギャップ、７ａ
、 ７ｂはスペーサ、８は励磁コイル、９は磁性体で
ある。 代理人 弁理士 柳 原 成 第４ｍ１ ７ｂ ・ 第５図 第６図 ９ ６０ 第７図 冴η４り讃、７
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）磁気回路に複数のギャップを設け、前記ギャップ
のうち少なくとも１つのギャップに高励磁状態で磁気飽
和を起す磁性体を磁束のバイパス路を形成するように備
えたことを特徴とする電子レンズ０ （２）磁性体はギャップの周辺に設けられている特許請
求の範囲第１項記載の電子レンズ〇（３）磁性体は第２
ギヤツプに設けられている特許請求の範囲第１項または
第２項記載の電子レンズ口（４）磁性体は円筒状に形成
されている特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれ
かに記載の電子レンズ０ （５）磁性体は鉄材である特許請求の範囲第１項ないし
第４項のいずれかに記載の電子レンズ０
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56105363A JPS587755A (ja) | 1981-07-06 | 1981-07-06 | 電子レンズ |
| DE3224871A DE3224871C2 (de) | 1981-07-06 | 1982-07-02 | Magnetische Elektronenlinse |
| GB08219559A GB2103873B (en) | 1981-07-06 | 1982-07-06 | Magnetic lens |
| US06/395,702 US4468563A (en) | 1981-07-06 | 1982-07-06 | Electron lens |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56105363A JPS587755A (ja) | 1981-07-06 | 1981-07-06 | 電子レンズ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS587755A true JPS587755A (ja) | 1983-01-17 |
| JPH0234140B2 JPH0234140B2 (ja) | 1990-08-01 |
Family
ID=14405638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56105363A Granted JPS587755A (ja) | 1981-07-06 | 1981-07-06 | 電子レンズ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4468563A (ja) |
| JP (1) | JPS587755A (ja) |
| DE (1) | DE3224871C2 (ja) |
| GB (1) | GB2103873B (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004019835B4 (de) * | 2004-04-23 | 2007-08-02 | Vistec Electron Beam Gmbh | Beleuchtungskondensor für ein Partikeloptik-Projektionssystem |
| JP4795847B2 (ja) * | 2006-05-17 | 2011-10-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子レンズ及びそれを用いた荷電粒子線装置 |
| WO2008115339A1 (en) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | White Nicholas R | Open-ended electromagnetic corrector assembly and method for deflecting, focusing, and controlling the uniformity of a traveling ion beam |
| DE602007007468D1 (de) * | 2007-07-27 | 2010-08-12 | Integrated Circuit Testing | Magnetische Linsenanordnung |
| EP2827357A1 (en) | 2013-07-18 | 2015-01-21 | Fei Company | Magnetic lens for focusing a beam of charged particles |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4854864A (ja) * | 1971-11-10 | 1973-08-01 | ||
| JPS50141260A (ja) * | 1974-04-16 | 1975-11-13 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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