JPS5875835A - X線マスクアライナ - Google Patents

X線マスクアライナ

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JPS5875835A
JPS5875835A JP56173037A JP17303781A JPS5875835A JP S5875835 A JPS5875835 A JP S5875835A JP 56173037 A JP56173037 A JP 56173037A JP 17303781 A JP17303781 A JP 17303781A JP S5875835 A JPS5875835 A JP S5875835A
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Japan
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ray
central axis
line
trestle
sensor
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JP56173037A
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Mitsuyoshi Koizumi
小泉 光義
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

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  • Power Engineering (AREA)
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  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、例えばX1i−rスフアライナなどの円錐状
にX線を投射する機器において、X線光束の中心軸の位
置を測定する装置に関する本のである。
第1図Fi、X線マスクアライナの5tll的な構造を
示す。
真空室2内に設けられているターゲット5は軸受3に支
承された軸4に取付けられ、モータ1にようで回転され
つつ電子銃6にようて電子ビーム−を投射され、電子ビ
ーム−の投射を受ける点AからX@會放射する。
放射されたx*hベリリウムの薄膜7を通過して下方に
円錐状の光束として投射される。5社その中心軸である
上述のようにターゲット5を回転させるのは電子ビーム
−の投射を受ける点Aでターゲット5の表面に焼損を生
じさせないようにする為である。上述のX線の放射を受
ける位置にウェハ15とマスタ11とを微小間vsat
−介して正しくセットし、シャッタ2−を開いて露光上
行う。このとき、室29内をヘリウムガスで満たし、X
線の減衰管防止して露光する。
ミラー10、ランプ1!、〜フィラー20、対物レンズ
9及びセンサ8はウェハ19とマスク11とをアライメ
ントする為の検出光学系であ〕、これt用いてウェー上
に設けられたアライメントマータ14とマスク上に設け
られたアライメントマーク12と音検出して位置合わせ
を行う。15はマスク上に設けられた直llDφの円形
又は対角長t−Dの正方形の回路パターンで、前述した
円錐状のX線光束によ)直径Dφ+2Pに拡大されてウ
ニ八面上に投影される。
上記の露光操作を高精度で行うには、マスク11とウニ
/−15との正確なアライメントが必要であるが、その
他に、X線の中心軸Xと前述の検出光学系の中心とを一
致させることも必要である。
ところが、ターゲット5の損耗によってX線光源位置が
変化する場合があシ、また電子銃6を交換したとき電子
ビーム−の経路が変化して点Aの位置が変化する場合が
あるので、前述のX線の中心軸Xの位置を測定して光学
系の中心点との位置合わせを行わねばならない。
第2図はウェハ15に設けられたアライメントマーク1
4、マスク11上に設けられたアライメントマーク1礼
電子銃6、ターゲット5、並びに、ランプ1!とハーフ
ミラー20とセンサ8とによりて構成される検出光学系
の立体的配置を示す斜視図であり、xはターゲット5か
ら放射されるxIsの中心軸、oH上記検出光学系の中
心軸、1sは回路パターンである。
X線の光源であるターゲット5のA点が点光源であるた
め、X線は円錐状に放射し、マーク14位置ではウェハ
1!s上の潜像はマーク12よりも外側に距離Pのシフ
)を生じる。その状態を第3図A、および同図の(b)
部を拡大した第S図B、並びに第3図Aの(C)部を拡
大した第5図Ct−参照しつつ次に説明する。
例えばX線光源(点A)からマスク11までの距$11
i L = 300m5%マスク11とウェハ15との
間隙−一10μへ回路パターンの直径D−60φの場合
、簡単な比例計算によ〕P−1μ襲となる。無光操作の
全期間中、上記の間隙gy一定に保てば、回路パターン
1!の潜像は外側に一定の割合で拡大されてウェハ15
の向上に投影されるので不具合を生じないことが多い。
もし、この拡大が問題となる場合には、予めマスク11
の回路パターン13?ニ一定の割合で縮小しておけばよ
い。
しかし、電子銃4會交換した場合や、ターゲラ)Sが損
傷した場合、X線源の位IIAが変化する可能性がある
。このような事情によシ、X線の中心軸XがX#に変化
すると、第墨図B、第3図Cに示すように、左右のマー
ク14の位置でP+δP、P−JPのシフトとな〕、露
光中における前工程で形成されたウェハ1S上のパター
ンの位置からaPの位置ずれt生じる結果となる。
例えば、前述の条件(L −500@罵、#−1−10
μ3)において、Xと蛇のずれを5講講とするとap−
a。
17μ襲とな)、無視できないアライメント誤差を生じ
る。
又、露光操作中における間隙1の変化本アライメント誤
差の要因となる。この間隙1は、マスク11とクエ/−
115とが接触して損wbt−生じること鵞防止するた
めに設けるものであるが、この間II−が例えば10μ
琳から10th1μ寡に変化すると1、前述の条件(L
 = !!005m )の場合、マーク14の位置にお
ける潜像のシフトは七〇、1μ講変化する。
第4図乃至第7図は従来一般に行われているX線中6軸
Xの位置測定方法を示す。
Aは前述のX線の光源である。この光源Aは幾何学的な
点ではなく、微小な広がり含有している。
第4図に示すようにX線光源Aの下方にピンホール40
1設電し、写真乾板41t−(イ)位置に置。
いて光源の942@感光させる0次いで乾板41t−(
ロ)位置に移動させ、再度光源の像45t−感光させる
。第4図の例のようにピンホール40の位置が中心線X
上にあれば、上記の乾板41を現像すると第5図のよう
に1回目の露出のX線像42と2回目の露出のX線像4
3とが同心状をなす。
しかし、第6図のようにX線の中心軸Xとピンホール4
0とが距離tだけ偏りている場合は、第7図のように1
回目の露出の像42と2回目の露出の像43とが偏心す
る。
上記のピンホールによる露光操作を真空中若しくはヘリ
ウム雰囲気中で行うことは非常に困難なので通常大気中
で行われる。
第8図はアルミニウムをターゲットとしたときのX線波
長分布を示す図表で、真空中で測定したものである。と
ころが、とのXIIが空気中管通過した後に測定すると
第9図のようになり、8hりも長波長のxIIは空気中
で著しく減衰することがわかる。従うて、前記の写真乾
板41社8A〜へuの硬いX線に感光するものを用いね
ばならない。
上記の原理を応用してX線の中心軸Xの位置、を測定す
るには多数の写真乾板を準備し、前記の(イ)位置と(
ロ)位置との間で写真乾板の移動を繰返しつつピンホー
ル40の位置を水平方向に種々に変えて前述のLうな無
光を繰返した後、乾板を現偉して前記の第5図の工うに
同心状の画像を探し出し、その画像を得たときのピンホ
、甲 一ル40の位置がX線の中心軸Xの通る点でありたと判
断する。
この工うな従来の方法は多数の写真乾板を消費し、長い
時間と多大の労力を必要とし、その上、測定精度が余シ
良くないという不具合かあ・る。
本発明は以上の事情に鎌みて為され、写真乾板などの資
材上消費することなく、迅速、容易。
に、かつ実用上充分な高精度でX線光束の中心軸の位置
を測定し得る装置を提供しようとするものである。
上記の目的を達成するため、本発明は、X線の中心軸と
垂直な平面内で移動し得る架台の上。
に、X@の中心軸と平行な線に沿つて1個若−くは1数
個のピンホール及びX線センナを設けることを特徴とす
る。
次に、本発明の原理的構成と作動原理と金弟10図及び
第11図について説明する。
5は前述のターゲットで、AはX線の光源である。
点Aで発生したx@B矢印−tt、−tt −−qのよ
うに円錐状に放射される。そして、これらの内、基準平
面Pに対して垂直に投射されるX線光束の中心軸への位
it’i本発明装置1Ilt−用いて測定するものとす
る。
X線の光源Aは実用上点光源と見做し得る場合が多いが
、高精度で測定を行うに線光源Aが微小な径#含有して
いることを考慮しなければならない。これに関して轢第
11図について後述する。
上記のように、測定の基本的条件として、X線の中心軸
への位置は不明であるが、その方向は定まうている。こ
うした条件で前記の中心線らの位fj1..t−見出す
ものである。即ち、基準平面Pの上に円錐状のX線が照
射されている状態において、上記の基準平面Pに対して
垂直に入射するX線光束の中心位at−探し出す本ので
ある。
X線の中心軸へに垂直な面、即ち前記の基準平面Pに沿
って直交2軸方向に移動し得る架台44t−設ける。2
5は上記の移動架台44t−基準平面Pに沿って案内す
るベアリングである。
上記の架台44上の任意の一定点を通シ基準平面Pに垂
直な線Ht想定する。この垂線Hに前記のX線中心軸ら
に対して平行になる。移動架台44t−基準平面Pに沿
りて移動させると垂線Hもこれに伴りて移動するが、常
に中心軸内と平行を保つ。
上記の垂線Hに一致させてピンホール21,21を移動
架台44上に固定する。ピンホール21の数5は1個で
もよく、複数個でもよい。
上記ピンホール21の下方に、垂線Hに一致させてX線
センサ22を移動架台44に固定する。詳しくはX線セ
ンサの受光窓22@t−動線H上に位置させるようにX
線センサ22′を固定する。
以上のように構成して移動架台44を図の左右方向に動
かすと、X線センサ22の出力は第11図に示すように
幅Iの範囲で大きい値を示す。
これは前述の垂線Hに沿って設けたピンホール21がX
線の中心軸−q’を通過したときにX*tl−検出した
ことを表わしており、X線センサ出力のピーク幅Iは前
述のX線光源Aの径Iと一致する。
このような現象を生じるのは、X線センサ22に入射し
得るX線がピンホール21.21の作用によってf![
方向成分のみに限定されているため、矢印ら、同角−同
西方向のX#!はX線センサ22に入射できず、矢印鳴
のX線即ち基準面Pに垂直に投射されたX線のみが検出
されるからである。
第11図におけるX線検出区間−の中央の点をX線の中
心軸1の位置と判定する。
上記のX線センサ22の感度範囲か前述の便X定を大気
中で行うことができる。X線センサ22の感度範囲が硬
X線を含んでいないときは、上述の測定を真空中若しく
はヘリウム雰囲気中で行うことによ)空気中でのX線の
減衰を防止しなければならない。
第12図は本発明の一実施例の具体的構成1示す。真空
室2、電子銃6、声−ゲット5、モータ1、及びベリリ
ウム薄板7は第1図について説明したX線発生手段の構
成部材と同様の部材である。
真空室、2の下面にハウジング16t−気密に固着し、
上記のハウジング16を真空チ、 −217に工つて真
空ポンプ1Bに接緒する。
上記ハウジング16の底面はX線の中心軸Xと垂直に形
成し、この底面に沿りて移動し得る架台44ti?il
する。
上記の架台44の上に、X線の中心軸Xと平行な線を想
定し、この線上にピンホール21.21を設け、その下
方に同一線上にX線センサ22?架台44に固着する。
上記X線センサ22の信号出力は信号線25によりてV
コーグ24に入力させる。
ハウジング16の側壁にスプリング52ff取りつけて
架台44t−右方に付勢するとともに、上記のスプリン
グ32に対向するようにマイクロメータヘッド26ヲハ
ウジング側壁に取りつけ、前記スプリング52の付勢力
に抗して架台44t−左方に押動し得るようにする。上
記マイクロメータヘッド26の回転角はセータリエンコ
ーダ27で検出してレコーダ24に入力させる。これに
ニジ、架台44は一示の左右方向に自在に移動させるこ
とができ、その移動量をレコーダ24に人力することが
できる0図示を省略したが、架台44を紙面の奥行方向
に自在に移動させてその移動量郵記録し得るよう、前記
と同様のスプリング、マイクロメータヘッド及びロータ
リエンコーダt−設ける。
本実施例は以上のように構成され、これを用いてX線の
中心線の位at測定するには、架台44t−図の左右方
向に動かし、移動に伴ってX線センサ22の受光X線量
が変化する状態をレコーダ24によりて記録する。
第1!1図は、図の奥行方向に距りた6本の平行線に沿
りて架台44t−左右に動かした場合のレコーダ記録紙
を示す。これにより、図示左右方向の中心線位置らt賑
5講簿以内の精度で測定し得る。
同様に、図の左右方向に距りた5本の平行線に沿りて架
台44t−図の奥行方向に動かすと第14図のような記
録が得られ、これによシ図示矢行方向の中心−位fi1
.%+t−ち5屏譚以内の精度で測定できる。
本実施例のように、ピンホール21およびX線センサ2
2ヲ設けた架台44をハウジング16内に収納し、同ハ
ウジング内を真空にするための手段(真空ポンプ18及
び真空チ、−プ17)を備えておくと、上述の如き中心
線位置測定操作に先立って予めハウジング16内を真空
にしておくことにエリX線の減衰管防止し得るので、X
線上を含んでいなくても前述の中心線位置測定に支障を
生じない。またX線センサ22が硬X線区域を感度範囲
内に含んでいればハウジング16内を真空とせずに大気
のままでも前述の中心線位置測定が可能である。
本例のようにハウジング16内を真空にする手段の代り
に、ハウジング16内をヘリウム雰囲気とする手段を設
けてもよい。以上の例に示したように本発明に係る架台
4鳴ピンホール21、お工びX線センサ22鴫これを真
空室中、若しくはヘリウム雰囲気室中に設けたものとす
ることにより、X線センサ220rIIk度範囲に−す
る必要条件が緩和されるという効果管生じる。
以上説明したように、本発明は、X線の中心軸と垂直な
平面に沿りて移動できる架台の上に、X線の中心軸と平
行な線の上に1個若しくは複数個のピンホール及びX線
センサを設けることにX)、写真乾板などの消耗性資材
を必要とせずに、迅速、容易に、かつ実用上充分な高精
良でX線光束の中心軸の位at測定することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来一般に用いられているX線マスクアライナ
の概要的な構造を示す立面図、第2図は同じく立体的な
配置1を示す斜視図、第5図は上記のX線マスクアライ
ナにおけるXk中心軸の位置ずれに関する説明図、第4
図乃至第9図は従来一般に用いられているX線の中心軸
位置測定方法を示し、第4図及び第6図はX線の光路を
示す立面図、第5図及び第7図はX@に感光した写真乾
板の平面図、第8図及び第9図はX線の峰長と強度との
関係を示す図表、第10図及び第11図は本発明に係る
装置の作用原理を示し、第10図は装置の概要的立面図
、第11図はX線センサの出力の変化を表わす図表、第
12図は本発明に係るX線の中心軸の位置測定装置の一
実施例の1部を断面した立面図、第1S図及び、第14
図はそれぞれ上記の実施例におけるレコーダに記録され
たX線センサ出力を示す図表である。 21.40−・・ピンホール、  22・−X線センサ
、16・・・ハウジング、18・−真空ポンプ、44・
・・移動架台。 代理人弁理士 薄 1)利7声テ“−ユ第1囚 第2rIQ オ 、3[fl (A) 斤4m           オ6胆 第5n       オフ1!1 オ8困 オ 9 m □液長 オ10胆 ( オ ■ 圓

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 111  X@の中心軸と垂直な平面に沿って移動し得
    る架台上に、X線の中心軸と平行な線に沿って1個若し
    く社複数個のピンホール及びX線センナを設けたことを
    特徴とするX線の中心軸位置測定装置。 (2)  上記の架台、その上に設けたピンホール、及
    びX線センナ社、これを真空室中若しくはヘリウム雰囲
    気室中に設けたものとしたことを特徴とする特許請求の
    範囲第1項に記載のX線中心軸の位置測定装置。
JP56173037A 1981-10-30 1981-10-30 X線マスクアライナ Granted JPS5875835A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56173037A JPS5875835A (ja) 1981-10-30 1981-10-30 X線マスクアライナ

Applications Claiming Priority (1)

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JP56173037A JPS5875835A (ja) 1981-10-30 1981-10-30 X線マスクアライナ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5875835A true JPS5875835A (ja) 1983-05-07
JPH0361334B2 JPH0361334B2 (ja) 1991-09-19

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ID=15953025

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JP56173037A Granted JPS5875835A (ja) 1981-10-30 1981-10-30 X線マスクアライナ

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0272611A (ja) * 1988-09-08 1990-03-12 Canon Inc 露光装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4736286U (ja) * 1971-05-11 1972-12-22

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