JPS5875470A - Power converter - Google Patents
Power converterInfo
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- JPS5875470A JPS5875470A JP56173081A JP17308181A JPS5875470A JP S5875470 A JPS5875470 A JP S5875470A JP 56173081 A JP56173081 A JP 56173081A JP 17308181 A JP17308181 A JP 17308181A JP S5875470 A JPS5875470 A JP S5875470A
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
- H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/10—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M3/125—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means
- H02M3/135—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means using semiconductor devices only
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(al 技術分野
本発明は、ゲートターンオアサイリスタ(以下、GTO
サイリスタという)を使用した電力変換装置(=関する
。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Technical Field The present invention relates to a gate turn-or-thyristor (hereinafter referred to as GTO).
A power converter using a thyristor (referred to as a thyristor).
(b) 従来技術およびその問題点
GTOサイリスタは、自己消弧能力を有するので、従来
のサイリスタのように、強制転流回路が不要6二なる。(b) Prior art and its problems Since the GTO thyristor has a self-extinguishing ability, there is no need for a forced commutation circuit as in the conventional thyristor.
このため、素子自身の損失が低減できる上、装置として
回路構成が簡単(=なり、小形軽量化、効率向上がはか
れる。ところで、高電圧入力の電力変換装置ζ二GTO
サイリスタを適用する場合、従来のサイリスタと同様、
素子構成を直列接続する必要がある。tII&1図に、
GTOサイリスタを直列接続したチ目ツバ回路の代表的
な回路図を示す。For this reason, the loss of the element itself can be reduced, and the circuit configuration of the device is simple (==), making it possible to reduce size, weight, and improve efficiency.By the way, the high voltage input power converter
When applying a thyristor, like a conventional thyristor,
It is necessary to connect the element configurations in series. In the tII&1 diagram,
A typical circuit diagram of an eyelid circuit in which GTO thyristors are connected in series is shown.
図において、直流電源1よシ、フィルタリアクトル2と
フィルタコンデンサ3を介して平滑された直fL′#を
圧を得る。GTOサイリスタ4m、4bの導通時間を制
御することにより、負荷8へ制御された直流′磁力を供
給する。ダイオード5は、GTOサイリスタ4m、4b
がオフした時のフライホイール用である。アノードリア
クトル6は、GTOサイリスタ4m、4bがオンしたm
vkの電流の立ち上D (dJ/dt)の抑制のための
ものである。可飽和リアクトル7は、4a e 4bの
ターンオン時間のばらつき(=よる素子間の゛嘔圧アン
パ2ンスを緩和している。ダイオード加及び抵抗器21
は、前記GTOサイリスタ4a。In the figure, a smoothed direct current fL'# is obtained through a direct current power source 1, a filter reactor 2, and a filter capacitor 3. A controlled direct current magnetic force is supplied to the load 8 by controlling the conduction time of the GTO thyristors 4m and 4b. Diode 5 is GTO thyristor 4m, 4b
This is for the flywheel when it is turned off. The anode reactor 6 is turned on when the GTO thyristors 4m and 4b are turned on.
This is to suppress the rise D (dJ/dt) of the current of vk. The saturable reactor 7 alleviates the voltage imbalance between the elements due to variations in the turn-on times of 4a e 4b.
is the GTO thyristor 4a.
仙がオフした直後、アノードリアクトル6と可飽和リア
クトル7のエネルギーがGTOサイリスタ4a。Immediately after the switch is turned off, the energy of the anode reactor 6 and the saturable reactor 7 is transferred to the GTO thyristor 4a.
4bのスナ共回路(ダイオード9m、9b、コンデンサ
10a 、 10b 、抵抗11a * llb )に
おいて、ダイオード9m、9bを介してコンデンサ10
m 、 10b l二流入させないよう、6→7→加→
4→6のループでエネルギーを還流させるものである。In the 4b snare common circuit (diodes 9m, 9b, capacitors 10a, 10b, resistors 11a*llb), the capacitor 10 is connected via the diodes 9m, 9b.
m, 10b l2 To prevent inflow, 6→7→add→
Energy is refluxed in a 4→6 loop.
ここで、GTOサイリスク4m、4bを1 〔KH2)
程度でスイッチングして500(A) 8にの電流をタ
ーンオフする場合、直流電源1を1500 (V)とす
ると−抵抗器11a 、 llbは各々soo (W)
s * o損失となる。抵抗器16は、2CK%i%
’)I!度の損失となり、効率の低下及び抵抗器容量の
増大となり、装置構成上好ましくない。Here, GTO Cyrisk 4m, 4b 1 [KH2]
When turning off a current of 500 (A) by switching at a current of about 500 (A), assuming that the DC power supply 1 is 1500 (V), the resistors 11a and llb are each soo (W).
This results in s*o loss. Resistor 16 is 2CK%i%
') I! This results in a loss of energy, a decrease in efficiency, and an increase in resistor capacity, which is undesirable in terms of device configuration.
(C) 発明の目的、
本発明は上記した点を改善するため(二なされたもので
、抵抗で無駄なエネルギーを消費しないよう題;して効
率向上をはかるとともに、各部品の小形化による装置の
小形軽量化をはかった電力変換装置を提供することを目
的どする。(C) Purpose of the Invention The present invention has been made in order to improve the above-mentioned points (2), and to improve the efficiency of the device by reducing the size of each component. The purpose of the present invention is to provide a power conversion device that is smaller and lighter.
((11発明の概要
この目的を達成するため本@明は、直列接続されたGT
Oサイリスタを使用した′磁力変換装置のりアクドルや
スナバ回路に蓄積されるエネルギーを同一の変流器で、
直流電源へ帰還するようにしたものである。((11 Summary of the Invention) To achieve this purpose, this book
'Magnetic force conversion device using an O thyristor' The energy stored in the accelerator and snubber circuit is transferred using the same current transformer.
It is designed to feed back to the DC power supply.
+61 発明の構成
以下、図示した実施例(二基いて本発明を説明する。第
2図(=おいて帰還変流器15により、GTOサイリス
タ4m、4bがオンした時のスナバ回路のエネルギを直
流電源1側へ帰還するとともに、GTOサイリスタ4m
、4bがオフした時のアノードリアクトル6及び可飽和
リアクトル7の蓄積エネルギーを直流′4源1肯へ帰還
させる構成としている。+61 Structure of the Invention The present invention will be explained below with reference to two illustrated embodiments. Returns to the power supply 1 side, and the GTO thyristor 4m
, 4b are turned off, the energy stored in the anode reactor 6 and the saturable reactor 7 is fed back to the DC source 4b.
ダイオード17は帰還用である。可飽和リアクトル7は
鉄心入りで、GTOサイリスタ4a、4bのターンオン
時間のばらつき:コ応じて、必要な電圧時間積をもたせ
ている。抵抗器11a 、 llbは、コンデン? 1
0m 、 10bと帰還変流器15のもつインダクタン
ス分との振動抑制用であり、従来(ニルべて抵抗値は小
さくできる。Diode 17 is for feedback. The saturable reactor 7 has an iron core and has a necessary voltage-time product depending on the variation in turn-on time of the GTO thyristors 4a, 4b. Are the resistors 11a and llb capacitors? 1
This is for suppressing vibration between 0m and 10b and the inductance of the feedback current transformer 15, and the resistance value can be reduced compared to conventional transformers.
(fl 発#40作用
次暑:、本発明の作用を第3図、第4図を用いて説明す
る。第3図によj)、GTOサイリスタ4m、4bがオ
ンした時のスナバ回路のエネルギーの処理の動作を説明
する。GTOサイリスタ4aがオンすると、コンデンサ
10mは図示の極性より、電流IIaのループで放電す
る。この時、帰還用変流器15の一次側(二は、図示の
極性で電圧が印加されるので、二次側4;電圧が誘起さ
れ、17→15→3→17の電流1.のループで電源側
へエネルギーが帰還される。GTOナイリスタ4bがオ
ンした場合は、電流11bのループ1:て1次側が形成
され、上記と同様(ユニ次側ループ(二て電源側へ電力
が帰還される。即ち一次側と同極性で二次側に電圧が誘
起し、電源電圧(二進って、電流1□のループでエネル
ギーが帰還される。(fl #40 action next heat: The action of the present invention will be explained using Fig. 3 and Fig. 4. According to Fig. 3 j), the energy of the snubber circuit when GTO thyristors 4m and 4b are turned on. The operation of the processing will be explained. When the GTO thyristor 4a is turned on, the capacitor 10m is discharged in a loop of current IIa according to the illustrated polarity. At this time, since voltage is applied to the primary side (2) of the feedback current transformer 15 with the polarity shown in the figure, a voltage is induced on the secondary side (4), and a loop of current 1. from 17 → 15 → 3 → 17 is generated. Energy is fed back to the power supply side at In other words, a voltage is induced on the secondary side with the same polarity as the primary side, and the power supply voltage (binary) is fed back with energy in a loop of current 1□.
ところで、帰還用流器肋の二次電圧は、電源電圧に設定
し、−次:二次巻数比はほぼ1;10程度(二選ばれて
いる。By the way, the secondary voltage of the feedback flow chamber is set to the power supply voltage, and the -order:secondary turns ratio is approximately 1:10 (2 is selected).
次4二WI4図によj)、GTOサイリスタがオフした
時の、アノードリアクトル6及び可飽和リアクトル70
蓄積エネルギーの処理の動作を説明する。According to Figure 42WI4j), the anode reactor 6 and saturable reactor 70 when the GTO thyristor is turned off.
The operation of processing stored energy will be explained.
1亀=おいて、GTOサイリスタ4aがオフすると、ア
ノードリアクトル6、可飽和リアクトル7は、図示の極
性で、電流1畠、のループを沸して、蓄積エネルギーを
放出する。この時、帰還用変流器15の一次側4二は、
図示の極性で電圧が印加される。When the GTO thyristor 4a is turned off, the anode reactor 6 and the saturable reactor 7 generate a loop of one current with the polarity shown and release the stored energy. At this time, the primary side 42 of the feedback current transformer 15 is
Voltages are applied with the polarities shown.
GTOサイリスタ4bがオフした場合(二は、電流13
−のループが形成される。この時、二次側と同極性で、
二次側に電圧が誘起し、′電源電圧に逆らって、電ai
4のループで、エネルギーが帰還される。可飽和リアク
トル7は、蓄積エネルギー放出時、その磁性はリセット
される。When GTO thyristor 4b turns off (second, current 13
- loop is formed. At this time, with the same polarity as the secondary side,
A voltage is induced on the secondary side, and the voltage ai
In loop 4, energy is fed back. The magnetism of the saturable reactor 7 is reset when the stored energy is released.
(gl 他の実施例
次に、不発明を直流−三相交vIL電力変換装置ll二
遍用した実施例を弗5図に示す。図においては、三相イ
ンバータ装置の一相分のみを詳細に示し、他の二相分は
、省略している。(gl Other Embodiments Next, an embodiment in which the invention is applied to a DC-three-phase AC VIL power converter is shown in Figure 5. In the figure, only one phase of a three-phase inverter is shown in detail. The other two phases are omitted.
(h3 発明の効果
本発明4二よれば、GTOサイリスタを直列接続使用し
たテ曹ツバあるいは、インバータなどの電力変換装置(
二おいて、スナバ回路のエネルギーと、アノードリアク
トル、及び可飽和リアクトルの蓄積エネルー−を共通の
帰還用変流器で電源側へ帰還させるよう(ニしたので、
むだなエネルギーを抵抗で消費することなく効率の向上
をはかることができ装置を小形化することができる。(H3 Effect of the Invention According to the present invention 42, a power conversion device such as a power converter or an inverter using GTO thyristors connected in series (
Second, the energy of the snubber circuit and the energy stored in the anode reactor and saturable reactor are returned to the power supply side using a common feedback current transformer.
Efficiency can be improved without wasting energy through resistance, and the device can be made smaller.
第1図はGTO?イリスタを直列接続した従来のテ璽ツ
バ回路図、第2図は本発明の一実施例を示す回路図、第
3図、tl/!14図は本発明の創作説明図、第5図は
本発明な三相インバータ装置i1i二適用した場合の回
路図である。
1;直流電源 2;フィルタリアクトル3;フィ
ルタコンデンサ 4a、4b ; GTOサイリスタ5
;7ツイホイールダイオード
6;アノードリアクトル7;可飽和リアクトル8 ;負
荷 9a、 9b ;サージ吸収用ダ
イオード10m、10b :サージ吸収用コンデンサ・
1:)
11a、llb;放電抵抗器12m、12b’;分圧抵
抗器加;サージ吸収ダイオードm;サージ吸収抵抗器正
;帰還用変流器 16m * 16b e補助ダイオ
ード17;帰還ダイオード
(7317) 代理人 弁理士 則 近 J 佑(ほ
か1名)2第1図
第3図
/Is Figure 1 a GTO? FIG. 2 is a circuit diagram of a conventional telephone collar in which iris resistors are connected in series, FIG. 3 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a tl/! FIG. 14 is an explanatory drawing of the invention, and FIG. 5 is a circuit diagram when the three-phase inverter device i1i2 of the invention is applied. 1; DC power supply 2; Filter reactor 3; Filter capacitor 4a, 4b; GTO thyristor 5
; 7 tweewheel diode 6; anode reactor 7; saturable reactor 8; load 9a, 9b; surge absorption diode 10m, 10b: surge absorption capacitor.
1:) 11a, llb; Discharge resistor 12m, 12b'; Voltage dividing resistor added; Surge absorption diode m; Surge absorption resistor positive; Feedback current transformer 16m * 16b e Auxiliary diode 17; Feedback diode (7317) Agent Patent Attorney Nori J Yu (and 1 other person) 2 Figure 1 Figure 3/
Claims (1)
介して負荷を接続するととも(二、上記GTOサイリス
タζ二直列に、可飽和リアクトルと空芯リアクトルを接
続し、さら(二、上記GTOサイリスタの各々C二並列
にスナバ回路を接続したものにおいて、上記、可飽和リ
アクトルと空芯リアクトル域−蓄積されるエネルギー及
び上記スナバ回路(=蓄積されるエネルギーを同一の直
流変流器で上記直流電源側口帰還することを特徴とする
電力変換装置。A load is connected through a converter including a GTO thyristor connected to a DC power source (2. A saturable reactor and an air core reactor are connected in series with the GTO thyristor ζ 2), and (2. In the case where two C snubber circuits are connected in parallel, the above saturable reactor and air core reactor area - the accumulated energy and the above snubber circuit (= the accumulated energy is transferred to the above DC power supply side by the same DC transformer. A power conversion device characterized by mouth feedback.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56173081A JPS5875470A (en) | 1981-10-30 | 1981-10-30 | Power converter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56173081A JPS5875470A (en) | 1981-10-30 | 1981-10-30 | Power converter |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5875470A true JPS5875470A (en) | 1983-05-07 |
JPH0245430B2 JPH0245430B2 (en) | 1990-10-09 |
Family
ID=15953849
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56173081A Granted JPS5875470A (en) | 1981-10-30 | 1981-10-30 | Power converter |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5875470A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60261357A (en) * | 1984-06-08 | 1985-12-24 | Fuji Electric Co Ltd | Protecting circuit of self-extinguishing semiconductor element |
WO2008093429A1 (en) * | 2007-01-30 | 2008-08-07 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Forced commutated inverter apparatus |
-
1981
- 1981-10-30 JP JP56173081A patent/JPS5875470A/en active Granted
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60261357A (en) * | 1984-06-08 | 1985-12-24 | Fuji Electric Co Ltd | Protecting circuit of self-extinguishing semiconductor element |
JPH0582143B2 (en) * | 1984-06-08 | 1993-11-17 | Fuji Electric Co Ltd | |
WO2008093429A1 (en) * | 2007-01-30 | 2008-08-07 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Forced commutated inverter apparatus |
JP2009512403A (en) * | 2007-01-30 | 2009-03-19 | 三菱電機株式会社 | Self-excited inverter device |
AU2007345826B2 (en) * | 2007-01-30 | 2010-10-21 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Forced commutated inverter apparatus |
AU2007345826C1 (en) * | 2007-01-30 | 2011-04-28 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Forced commutated inverter apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0245430B2 (en) | 1990-10-09 |
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