JPS586712B2 - Method for manufacturing heat-resistant high-strength joined body - Google Patents

Method for manufacturing heat-resistant high-strength joined body

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JPS586712B2
JPS586712B2 JP51077077A JP7707776A JPS586712B2 JP S586712 B2 JPS586712 B2 JP S586712B2 JP 51077077 A JP51077077 A JP 51077077A JP 7707776 A JP7707776 A JP 7707776A JP S586712 B2 JPS586712 B2 JP S586712B2
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Japan
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bonded
carbon
materials
silicon
metal
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JP51077077A
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茅野秀夫
宍戸統悦
大森守
浜野正昭
矢島聖使
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TOKUSHU MUKI ZAIRYO KENKYUSHO
Original Assignee
TOKUSHU MUKI ZAIRYO KENKYUSHO
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、金属材料、セラミックス材料、力一ボン材料
のうちから選ばれる何れか少なくとも1種の材料の2個
以上を接合剤を用いて接合させてなる接合体の製造方法
に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention provides a bonded body formed by bonding two or more of at least one material selected from metal materials, ceramic materials, and carbon materials using a bonding agent. This relates to a manufacturing method.

特に本発明は、接合剤として炭素とケイ素を主な骨格成
分とする有機ケイ素高分子化合物を用いることを特徴と
する耐熱性高強度接合体の製造方法に関するものである
In particular, the present invention relates to a method for producing a heat-resistant, high-strength bonded body, which is characterized by using an organosilicon polymer compound whose main skeleton components are carbon and silicon as a bonding agent.

電球、放電燈、機構部品、通信機、電子管、半導体用外
囲器、IC用基板、各種パッケージ等には、金属.セラ
ミックス、炭素などを接合させた接合体が使用されてお
り、近年さらに多くの分野での用途が拡大されつつある
Light bulbs, discharge lights, mechanical parts, communication equipment, electron tubes, semiconductor envelopes, IC boards, various packages, etc. contain metal. Bonded bodies made by bonding ceramics, carbon, etc. are used, and their use in many fields has been expanding in recent years.

しかしながら従来知られた接合体の製造方法によれば優
れた耐熱性と強い接合強度を有する接合体を得ることが
困難であり、かつ製造工程が複雑であるため、その製造
コストが大きく、したがってその用途は限られていた。
However, according to the conventionally known method of manufacturing a bonded body, it is difficult to obtain a bonded body with excellent heat resistance and strong bonding strength, and the manufacturing process is complicated, resulting in high manufacturing costs. Its uses were limited.

従来の代表的な接合方法としては第1表に示すようにテ
レフンケン法、ソルダガラス法、活性金属法、Mo蒸着
法などが知られている。
As shown in Table 1, typical conventional bonding methods include the Telefunken method, the solder glass method, the active metal method, and the Mo vapor deposition method.

テレフンケン法あるいはMo蒸着法によるものは接合強
度は太きいが、これらの方法は、金属以外の例えばセラ
ミックスを一旦加湿ガス中で加熱してMoなどの金属で
メタライジング(表面層の金属化処理)した上で、さら
にろう材を用いて目的とする金属とろう付けするという
複雑な工程を経ることが必要であり、製造コストが極め
て高いという欠点がある。
Bonding strength using the Telefunken method or Mo vapor deposition method is high, but these methods require that a material other than metal, such as ceramics, is heated in a humidified gas and then metallized with a metal such as Mo (metallization treatment of the surface layer). In addition, it is necessary to go through a complicated process of brazing to the target metal using a brazing filler metal, which has the drawback of extremely high manufacturing costs.

また、ソルダガラス法はPbOAl203,CaOなど
を主成分とするソルダを例えばセラミックスと金属の間
に入れた後、加熱処理して接合する方法であるが、これ
らのソルダは最適接合温度範囲が比較的狭いので、被接
合体に合った処理温度を的確に制御する必要がある上に
、ソルダの表面状態によっても接合性能が敏感に変化す
るためソルタ泪体の品質管理が難しいという欠点を有し
ている。
In addition, the solder glass method is a method in which a solder containing PbOAl203, CaO, etc. as a main component is placed between, for example, a ceramic and a metal, and then heat-treated and bonded, but the optimum joining temperature range of these solders is relatively low. Since the solder paste is narrow, it is necessary to accurately control the processing temperature to match the solder's surface condition, and the quality of the solder paste is difficult to control because the joining performance changes sensitively depending on the surface condition of the solder. There is.

また、活性金属法は活性金属であるTi,Zrなどとこ
れと低融点の合金を作るNi.Cu.Agなどを共晶組
成になるようにして例えばセラミックスーセラミックス
あるいはセラミックスー金属間に介装したものを、真空
中または不活性ガス中で加熱して接合体とする比較的簡
便な方法であるが、この方法により得られる接合体は第
1表に見る如く接合強度は弱く、また耐熱性も極めて劣
るため、得られた接合体の使用範囲は限られざるを得な
いという欠点があった。
In addition, the active metal method uses active metals such as Ti and Zr to form a low melting point alloy with Ni. Cu. This is a relatively simple method in which Ag or the like is interposed between a ceramic and a ceramic or a ceramic and a metal so that it has a eutectic composition, and then heated in a vacuum or in an inert gas to form a bonded body. As shown in Table 1, the bonded body obtained by this method has a weak bonding strength and extremely poor heat resistance, so the range of use of the obtained bonded body is inevitably limited.

本発明は、前記従来方法に見られる諸欠点を除去した耐
熱性高強度の接合体を安価に製造することのできる製造
方法を提供することを目的とするものであり、炭素のケ
イ素を主な骨格成分とする有機ケイ素高分子化合物を主
成分とする接合剤を介装された2個以上の被接合体を非
酸f性雰囲気中で高温に加熱する接合体の製造方法に関
するものである。
The object of the present invention is to provide a manufacturing method that eliminates the various drawbacks seen in the conventional methods and can inexpensively manufacture a heat-resistant and high-strength joined body. The present invention relates to a method for manufacturing a bonded body, in which two or more bodies to be bonded, interposed with a bonding agent whose main component is an organosilicon polymer compound as a skeleton component, are heated to a high temperature in a non-acidic atmosphere.

次に、本発明の製造方法を詳細に説明する。Next, the manufacturing method of the present invention will be explained in detail.

本発明に使用することのできる被接合体は、800℃以
上の融点を有する金属材科、セラミックス材料、カーボ
ン材料のうちから選ばれる少くとも1種の材料の2個以
上から構成される。
The objects to be joined that can be used in the present invention are composed of at least one material selected from metal materials, ceramic materials, and carbon materials having a melting point of 800° C. or higher.

すなわち金属一金属、金属−セラミックス、セラミック
スーセラミックス、セラミックスーカーボン、カーボン
ー金属、カーボンーカーボンなど前記諸材料を必要によ
り炭素とケイ素を主な骨格成分とする有機ケイ素高分子
化合物を主成分とする接合剤で自在に接合して接合体を
得ることができる。
Namely, the above materials such as metal-metal, metal-ceramics, ceramic-ceramics, ceramic-carbon, carbon-metal, carbon-carbon, etc. can be used as a main component of organosilicon polymer compounds whose main skeleton components are carbon and silicon. A bonded body can be obtained by freely bonding with a bonding agent.

本発明において用いる接合剤は前述の如く炭素とケイ素
を主な骨格成分とする有機ケイ素高分子化合物を主成分
とするものであり、この有機ケイ素高分子化合物は本発
明者らが既に発明し、特許出願した下記の特願昭50〜
50223号、特願昭50〜50529号、特願昭50
〜52471号、特願昭50〜52472号、特願昭5
0〜58033号、特願昭50〜58034号、特願昭
50〜70302号、特願昭50〜70303号、特願
昭50〜77219号、特願昭50〜79972号、特
願昭50〜107371号、特願昭50〜132718
号、特願昭50〜132719号、特願昭50〜146
267号および特願昭50〜149468号の明細書に
詳細に説明されているものであり、以下にこの化合物の
製造方法を述べる。
As mentioned above, the bonding agent used in the present invention is mainly composed of an organosilicon polymer compound whose main skeleton components are carbon and silicon, and this organosilicon polymer compound was already invented by the present inventors. The following patent applications have been filed since 1980:
No. 50223, Japanese Patent Application No. 50-50529, Japanese Patent Application No. 1983
~52471, patent application No. 50-52472, patent application No. 52472
0-58033, Japanese Patent Application No. 50-58034, Japanese Patent Application No. 50-70302, Japanese Patent Application No. 50-70303, Japanese Patent Application No. 77219, Japanese Patent Application No. 50-79972, Japanese Patent Application No. 1987- No. 107371, patent application 1973-132718
No. 50-132719, patent application No. 1987-146
No. 267 and Japanese Patent Application Nos. 50-149468, the method for producing this compound will be described below.

本発明に用いるケイ素と炭素とを主な骨格成分とする有
機ケイ素高分子比合物の出発原料として使用することの
できる有機ケイ素化合物は下記(1)〜(10)の型式
に分類されるものから選ばれる何れか4種または2種以
上からなるものである。
Organosilicon compounds that can be used as starting materials for the organosilicon polymer compound whose main skeleton components are silicon and carbon used in the present invention are those classified into the following types (1) to (10). It consists of any four or two or more selected from.

(1)Si−C結合のみをふくむヒ合物 シラ炭化水素
(siIahydrocarbon)とよばれるR4S
t+R3St(R’StR2)nR’SiR3などとそ
の炭素一官能性誘導体がこれに属する。
(1) R4S, a compound containing only Si-C bonds, called siIahydrocarbon
This includes t+R3St(R'StR2)nR'SiR3 and its carbon monofunctional derivatives.

例(CH3)4Si,(CH2=CH)4St.(CH
3)38iC二CSi(CH3)a,(CH2)58i
(CH2)4,(C2H5)38icH2CH2C4(
C6H5)3sicO2H.(2)Si−C結合のほか
にSi−H結合をふくむ化合物モノー,ジー,およびト
リオルガノシランなどがこれに属する。
Examples (CH3)4Si, (CH2=CH)4St. (CH
3) 38iC2CSi(CH3)a, (CH2)58i
(CH2)4, (C2H5)38icH2CH2C4(
C6H5)3sicO2H. (2) Compounds containing Si-H bonds in addition to Si-C bonds, such as mono-, di-, and triorganosilanes, belong to this category.

例(C2H5)2Si,(CH2)5SiH2,(CH
3)3SicH2Si(CH3)2H.CICH2Si
Ha,(3)Si−Ha13結合を有するヒ合物 オル
ガノハロゲンシランである。
Example (C2H5)2Si, (CH2)5SiH2, (CH
3) 3SicH2Si(CH3)2H. CICH2Si
Ha, (3) an arsenic compound organohalogensilane having a Si-Ha13 bond.

例CH2二CHSsFs,C2H5SiHC12,(C
H3)2(C6CH2)SiSi(CH3)2C6.(
C6H5)3SsB2. (4)Si−N結合を有するヒ合物 シリルアミン等が
これにふくまれる。
Example CH22CHSsFs, C2H5SiHC12, (C
H3)2(C6CH2)SiSi(CH3)2C6. (
C6H5)3SsB2. (4) Arsenic compound having Si-N bond This includes silylamine and the like.

(5)Si−ORオルガノアルコキシ(またはアロキシ
)シランである。
(5) Si-OR organoalkoxy (or alloxy) silane.

例(CHs)2si(CH2H5)2.C2H5SiC
62(QC2H5),P−C606H4OSi(CH3
)3, (6)Si−OH結合を有する化合物 オルガノシラノ
ール類 例(C2Hs)3SiOH,(CH3)2si(OH)
2,C6HsSi(OH)s,(HO)(CH,)2s
iCH2si(CH3)2(OH). (7)Si−Si結合をふくむ化合物 例(CH3)3Stsi(CH3)2CJ,(CH3)
38iSi(CH3)3,(C6H5)38iSi(C
6H5)2si(c6H5)2cg,(8)Si−0−
Si結合をふくむ化合物 オルガノシロキサンである。
Example (CHs)2si(CH2H5)2. C2H5SiC
62 (QC2H5), P-C606H4OSi (CH3
)3, (6) Compounds with Si-OH bond Organosilanol examples (C2Hs)3SiOH, (CH3)2si(OH)
2, C6HsSi(OH)s, (HO)(CH,)2s
iCH2si(CH3)2(OH). (7) Examples of compounds containing Si-Si bonds (CH3)3Stsi(CH3)2CJ, (CH3)
38iSi(CH3)3,(C6H5)38iSi(C
6H5)2si(c6H5)2cg, (8)Si-0-
Organosiloxane is a compound containing Si bonds.

例(CH3)3siOsi(CH3)3,HO(CHs
)2SiOSt(CH3)20H.Ce2(CH3)S
tOS+(CH3)CIOSi(CH3)CI2,((
CaH5)2SiO)4, CH2=C(CH3)C02CH2St’(CH3)2
CH202C(CH3)(9)有機ケイ素化合物エステ
ル;シラノールと酸から形成されると考えられるエステ
ルで、(CHs)2Si(OCOCHs)2などがこれ
に属する。
Example (CH3)3siOsi(CH3)3,HO(CHs
)2SiOSt(CH3)20H. Ce2(CH3)S
tOS+(CH3)CIOSi(CH3)CI2,((
CaH5)2SiO)4, CH2=C(CH3)C02CH2St'(CH3)2
CH202C(CH3)(9) Organosilicon compound ester; ester thought to be formed from silanol and acid, including (CHs)2Si(OCOCHs)2 and the like.

(10)有機ケイ素化合物過酸化物:(CHs)3Si
00c・(CH3)3,(CH3)3si00si(C
H3)3など。
(10) Organosilicon compound peroxide: (CHs)3Si
00c・(CH3)3,(CH3)3si00si(C
H3)3 etc.

上記(1)〜(10)の分子構造においてRはアルキル
基,アリール差を示している。
In the molecular structures of (1) to (10) above, R represents an alkyl group or an aryl group.

本発明において、前記原料より、ケイ素と炭素とを主な
骨格成分とする有機ケイ素高分子化合物、例えば下記の
如き分子構造を有する化合物を生成させる。
In the present invention, an organosilicon polymer compound having silicon and carbon as main skeleton components, for example, a compound having the following molecular structure, is produced from the raw materials.

ニ)前記(イ)〜(ハ)記載の骨格構成を鎖状および三
次元構造のうち少なくとも一つの部分構造として含むも
のまたは(イ)(口)(ハ)の混合物。
d) A substance containing the skeletal structure described in (a) to (c) above as at least one partial structure among a chain structure and a three-dimensional structure, or a mixture of (a), (b), and (c).

前記の分子構造を有する化合物には例えば次の如きもの
がある。
Examples of compounds having the above molecular structure include the following.

nニ1,ポリ(シルメチレンシロキサン)nニ2,ポリ
(シルエチレンシロキサン)n=6,ポリ(シルフエニ
レンシロキサン)n二1,ポリ(メチレンオキシシロキ
サン)n−2,ポリ(エチレンオキシシロキサン)n=
5.ポリ(フエニレンオキシシロキサン)n=12,ポ
リ(ジフエニレンオキシシロキサン)n二1,ポリシル
メチレン n−2,ポリシルエチレン n−3,ポリシルトリメチレン r二6.ポリシレフエニレン n二12,ポリシルジフエニレン (ニ)前記(イ)〜(ハ)記載の骨格成分を鎖状、環状
および三次元構造のうち少なくとも一つの部分構造とし
て含むもの、または(イ)(ロ)(ハ)の混合物。
n21, poly(silmethylenesiloxane) n2, poly(silethylenesiloxane) n=6, poly(silphenylenesiloxane) n21, poly(methyleneoxysiloxane) n-2, poly(ethyleneoxysiloxane) )n=
5. Poly(phenyleneoxysiloxane) n=12, poly(diphenyleneoxysiloxane) n21, polysilmethylene n-2, polysilethylene n-3, polysiltrimethylene r26. polysilphenylene n212, polysildiphenylene (d) containing the skeleton components described in (a) to (c) above as at least one partial structure among chain, cyclic, and three-dimensional structures, or (i) ) (b) (c) mixture.

また、本発明において使用することのできるケイ素、炭
素、水素、酸素以外の異種元素を含有する有機ケイ素高
分子化合物として下記(ホ)〜(ト)を挙げることがで
きる。
Moreover, the following (e) to (e) can be mentioned as organosilicon polymer compounds containing different elements other than silicon, carbon, hydrogen, and oxygen that can be used in the present invention.

(g)カルボラン核を有するポリマー 前記異種元素を含有する有機ケイ素高分子化合物は公知
の方法で合成することができる。
(g) Polymer having a carborane nucleus The organosilicon polymer compound containing the above-mentioned foreign element can be synthesized by a known method.

前記公知の方法で合成される異種元素を含有する有機ケ
イ素化合物以外に、本発明者らの発明になる特願昭50
〜149468号の明細書に記載された製造方法によっ
ても製造することができる。
In addition to the organosilicon compound containing a different element synthesized by the above-mentioned known method, there is
It can also be manufactured by the manufacturing method described in the specifications of Nos. 1 to 149468.

すなわち、前記(1)〜(10)の有機ケイ素化合物に
、下記(11)〜(19)の有機金属化合物のうちから
選ばれる少なくとも一種以上の有機金属化合物を添加し
、非酸化性雰囲気で200〜1500℃の温度範囲に加
熱してケイ素、炭素、水素、酸素以外の異種元素を含有
する有機ケイ素高分子化合物を合成することができる。
That is, at least one organometallic compound selected from the organometallic compounds listed below (11) to (19) is added to the organosilicon compounds (1) to (10) above, and the mixture is heated for 200 min in a non-oxidizing atmosphere. An organosilicon polymer compound containing different elements other than silicon, carbon, hydrogen, and oxygen can be synthesized by heating to a temperature range of ~1500°C.

(11)窒素を含有する有機ケイ素化合物例(C2H5
)3SiNH2,(CH3)3SiNHSi(CH3)
3.(CHs)3si(CN),(CHs)3StNc
O,(CH3)3SiNCS (12)第I族金属を含む有機金属化合物(含配位化合
物) 例CH3Li.C2H5Na.C6H5Li.Na〔(
CH3)2Li),KCH3+AgCH3.AuC3H
g (13)第■族金属を含む有機金属化合物(含配位化合
物) 例BeC2H6,MgCH2.CaC2H6,BaC2
H6.ZnC4H10.CdC2T6.HgCH3Br
,SrC2H6(14)第■族金属を含む有機金属化合
物(含配位化合物) 例BCH502.BC3H9,AlC2H7.GaCH
30.InC2H8N,InC3H9,TIC3H9.
SC(CH3COCHCOH3)3,La(CH3CO
CHCOCH3)3,Ce(CH3COCHCOCH3
)4,Pr(CH3COCHCOCH3)3.Nd(C
H3COCHCOOCH3)3、Sm(CH3COCH
COCH3)3.Eu(CH3COCHCOCH3)3
.Gd(CH3COCHCOCH3)3、Tb(CH3
COCHCOCH3)3,Py(CH3COCHCOC
H3)3.Ho(CH3COCHCOCH3)3.Er
(CH3COCH3)3,Tm(CH3COCHCOC
H3)3,Yb(CH3COCHCOCH3)3,Ln
(CH3COCHCOCH3)3 (15)第■族金属を含む有機金属化合物(含配位化合
物) 例HfC1oH10Cl2,CaC2H8,SnC2H
8,PbC2H8(16)第V族金属を含む有機金属化
合物(含配泣化合物) 例VC606,NbC606.Tac606,C4H4
N,PC2H505.PC2H7.ASCH3S.As
C2H7,SbC2H7,B+C3Hg (17)第■族金属を含む有機金属化合物(含配位化合
物) 例WC4H6C3.C2H5SH,SeCH2.TeC
2H6,PoC2H6 (18)第■族金属を含む有機金属化合物(含配位化合
物) 例MnC12H10,TCCIOHIO+ReC6H3
05(19)第■族金属を含む有機金属化合物(含配位
化合物) 例FeC10H1o*CoC6H503,NtC6H1
0,RuC1oH1o,RhCgH13,PdCgH1
o,Pdc5H5cl.OsC1oH10.IrC30
3,PtC+H12 このようにして合成される前記(イ)〜(ニ)に示され
る主としてケイ素と炭素とを主な骨格成分とする有機ケ
イ素高分子化合物と、前記(ホ)〜(ト)と、(1)〜
(19)までに示される2種以上の化合物から造られる
ケイ素、炭素、水素、酸素以外の異種元素を含有する有
機ケイ素高分子化合物のうちから選ばれる少くとも一種
以上の有機ケイ素高分子化合物を、本発明の接合剤とし
て使用することができる。
(11) Examples of organosilicon compounds containing nitrogen (C2H5
)3SiNH2, (CH3)3SiNHSi(CH3)
3. (CHs)3si(CN), (CHs)3StNc
O, (CH3)3SiNCS (12) Organometallic compound containing Group I metal (coordination-containing compound) Example CH3Li. C2H5Na. C6H5Li. Na [(
CH3)2Li), KCH3+AgCH3. AuC3H
g (13) Organometallic compound containing Group Ⅰ metal (coordination compound) Examples: BeC2H6, MgCH2. CaC2H6, BaC2
H6. ZnC4H10. CdC2T6. HgCH3Br
, SrC2H6 (14) Organometallic compound containing Group Ⅰ metal (coordination compound) Example BCH502. BC3H9, AlC2H7. GaCH
30. InC2H8N, InC3H9, TIC3H9.
SC(CH3COCHCOH3)3, La(CH3CO
CHCOCH3)3,Ce(CH3COCHCOCH3
)4, Pr(CH3COCHCOCH3)3. Nd(C
H3COCHCOOCH3)3, Sm(CH3COCH
COCH3)3. Eu(CH3COCHCOCH3)3
.. Gd(CH3COCHCOCH3)3, Tb(CH3
COCHCOCH3)3,Py(CH3COCHCOC
H3)3. Ho(CH3COCHCOCH3)3. Er
(CH3COCH3)3,Tm(CH3COCHCOC
H3)3,Yb(CH3COCHCOCH3)3,Ln
(CH3COCHCOCH3)3 (15) Organometallic compound containing Group ■ metal (coordination-containing compound) Example HfC1oH10Cl2, CaC2H8, SnC2H
8, PbC2H8 (16) Organometallic compound containing Group V metal (containing compound) Example VC606, NbC606. Tac606, C4H4
N, PC2H505. PC2H7. ASCH3S. As
C2H7, SbC2H7, B+C3Hg (17) Organometallic compound containing Group Ⅰ metal (coordination compound) Example WC4H6C3. C2H5SH, SeCH2. TeC
2H6, PoC2H6 (18) Organometallic compound containing Group ■ metal (coordination-containing compound) Example MnC12H10, TCCIOHIO+ReC6H3
05(19) Organometallic compound containing Group Ⅰ metal (coordination compound) Example FeC10H1o*CoC6H503, NtC6H1
0, RuC1oH1o, RhCgH13, PdCgH1
o, Pdc5H5cl. OsC1oH10. IrC30
3, PtC+H12 Organosilicon polymer compounds whose main skeleton components are mainly silicon and carbon as shown in (a) to (d) above synthesized in this way, and the above (e) to (g), (1)~
(19) At least one or more organosilicon polymer compounds selected from organosilicon polymer compounds containing a different element other than silicon, carbon, hydrogen, and oxygen, which are produced from two or more compounds shown in (19) above. , can be used as a bonding agent in the present invention.

以上述べた炭素とケイ素を主な骨格成分とし、必要によ
り金属元素をその骨格に含有する有機ケイ素高分子化合
物は、比較的簡便安価な製造方法により得ることができ
、このものは室温において固体または粘稠液であり、固
体状のものは300℃以上の加熱により液状となるので
、液状のもの固体状のもの何れをも本発明の接合剤とし
て使用することができる。
The organosilicon polymer compound described above, which has carbon and silicon as its main skeleton components and optionally contains a metal element in its skeleton, can be obtained by a relatively simple and inexpensive manufacturing method, and is solid or solid at room temperature. Since it is a viscous liquid and a solid becomes liquid when heated above 300°C, both liquid and solid can be used as the bonding agent of the present invention.

なお、被接合体は予めサンドブラスト、酸洗い、高周波
洗浄などの方法により表面を清浄にしたり、ある程度の
粗さを付加しておくことは良好な接合体を得るために有
利である,また、必要により前記有機ケイ素化合物に金
属、セラミックス、カーボンのうちから選ばれる1種ま
たは2種以上の粉粒体を被接合材の種類によって適切に
選択して添加することができる。
In addition, it is advantageous and necessary to clean the surface of the objects to be joined in advance by sandblasting, pickling, high-frequency cleaning, etc., or to add a certain degree of roughness in order to obtain a good joined object. Accordingly, one or more types of powder particles selected from metals, ceramics, and carbon can be appropriately selected and added to the organosilicon compound depending on the type of materials to be joined.

かかる粉粒体を前記有機ケイ素高分子化合物に添加した
接合剤を使用する場合には、この接合剤が加熱されると
、この接合剤中の有機ケイ素高分子化合物の熱分解過程
でSiC、遊離炭素、遊離ケイ素を生じ、ざらに粉粒体
中に金属元素がある場合にはこの金属元素と化合して金
属炭素物、金属ケイ化物を生成し、また粉粒体中にカー
ボンがある場合には、このカーボンと遊離ケイ素が化合
してさらにSiCを生成する。
When using a bonding agent in which such powder or granules are added to the organosilicon polymer compound, when the bonding agent is heated, SiC and liberate are released during the thermal decomposition process of the organosilicon polymer compound in the bonding agent. Carbon and free silicon are produced, and if there is a metal element in the powder or granule, it combines with this metal element to produce metal carbon or metal silicide, and if there is carbon in the powder or granule, This carbon and free silicon combine to further produce SiC.

したがって前記粉粒体を添加して接合剤の熱分解生成物
の熱膨脹率を、単に有機ケイ素高分子化合物だけからな
る接合剤の熱分解生成物すなわち主としてSiCの熱膨
脹率より大きいか、あるいは小さい熱膨脹率とすること
が必要に応じて自在に調整できるので、例えば2種の被
接合体を本発明方法により接合させる場合前記2種の被
接合体のそれぞれの熱膨脹率の中間に位する熱膨脹率に
なるように、前記接合剤中に添加する粉粒体の種類およ
び量を加減することによって、加熱と冷却が繰返されて
も剥離することが少なく、かつ高温においても接着強度
の高い接合体を製造することができる。
Therefore, by adding the powder or granules, the coefficient of thermal expansion of the pyrolysis product of the binder can be made larger or smaller than the coefficient of thermal expansion of the pyrolysis product of the binder consisting only of an organosilicon polymer compound, that is, mainly SiC. Since the coefficient of thermal expansion can be freely adjusted as necessary, for example, when two types of objects are to be joined by the method of the present invention, the coefficient of thermal expansion can be adjusted to be between the coefficients of thermal expansion of the two types of objects. By adjusting the type and amount of powder and granules added to the bonding agent, it is possible to produce a bonded body that is less prone to peeling even after repeated heating and cooling and has high adhesive strength even at high temperatures. can do.

接合剤中に好適な粉粒体を好適量添加したものでは加熱
による激しい熱分解反応が粉粒体の存在によって適当に
制御されるので、SiC、遊離炭素あるいは遊離ケイ素
が金属に固溶した中間固溶体、金属炭化物、金属ケイ化
物の生成が単に加熱温度を制御して行った場合より比較
的徐々に行われるため、前記SiC、中間固溶体、金属
炭化物、金属ケイ化物の生成がより併進的に起り、これ
ら化合物が緻密に結合した接合層を形成し、かつ被接合
体と接合層との接着強度も大きいという特徴を有する。
When a suitable amount of suitable powder or granules is added to the bonding agent, the intense thermal decomposition reaction caused by heating is appropriately controlled by the presence of the powder or granules. Since the solid solution, metal carbide, and metal silicide are formed relatively gradually compared to when the heating temperature is simply controlled, the generation of the SiC, intermediate solid solution, metal carbide, and metal silicide occurs more concurrently. , these compounds form a bonding layer that is tightly bonded, and the bonding strength between the objects to be bonded and the bonding layer is high.

このような添加粉末の有機ケイ素高分子化合物に対する
添加比率は、被接合材とSiCとのぬれ性や反応性の程
度によって異なり、ぬれ性が悪い場合や反応性が激しい
場合は多量に添加する方が有利である。
The ratio of such additive powder to the organosilicon polymer compound varies depending on the degree of wettability and reactivity between the materials to be joined and SiC, and it is recommended to add a large amount if the wettability is poor or the reactivity is severe. is advantageous.

このような添加粉末の好適な例としては、Ae203−
Cr系に対するCr203,TIC−Co系に対するM
o,SiC−Si3N4系に対するSi.BN−SiC
系に対するBNなどが挙げられる。
A suitable example of such additive powder is Ae203-
Cr203 for Cr system, M for TIC-Co system
o, Si for SiC-Si3N4 system. BN-SiC
Examples include BN for the system.

本発明によればこのような好適な添加粉末を必要に応じ
て添加することができる。
According to the present invention, such suitable additive powders can be added as necessary.

本発明によれば、前記接合剤を被接合体の間に介装した
後、真空、不活性ガス、COガス、水素ガス、有機化合
物ガスのうちから選ばれる1種または2種以上よりなる
雰囲気中において、減圧、常圧、加圧のうちいずれかの
圧力下のもとで、800〜1800℃の温度範囲で加熱
する。
According to the present invention, after the bonding agent is interposed between the objects to be bonded, an atmosphere consisting of one or more selected from vacuum, inert gas, CO gas, hydrogen gas, and organic compound gas is provided. Inside, it is heated in a temperature range of 800 to 1800°C under any one of reduced pressure, normal pressure, and increased pressure.

加熱方法としては、例えば通常用いられる常気圧下の焼
結加熱法あるいはホットプレス法等を用いることができ
る。
As the heating method, for example, a commonly used sintering heating method under normal pressure or a hot pressing method can be used.

前記接合剤を介装した被接合体が加熱される際に生起す
る化学反応及び変化について以下に述べる。
The chemical reactions and changes that occur when the objects to be bonded with the bonding agent interposed therein are heated will be described below.

本発明で用いる有機ケイ素高分子化合物は700℃以上
の加熱により徐々にSiCと少量の遊離炭素と遊離ケイ
素とに転換し800℃以上で、この転換が完了するので
本発明における加熱温度は800℃以上が好適である。
The organosilicon polymer compound used in the present invention is gradually converted into SiC, a small amount of free carbon, and free silicon by heating at 700°C or higher, and this conversion is completed at 800°C or higher, so the heating temperature in the present invention is 800°C. The above is preferable.

次に、この加熱過程で遊離あるいは揮発する有機基など
の構成分子、離己遊離炭素および遊離ケイ素は、被接合
体の双方を強固に接合させるのに有効な、例えばぬれ性
を増大させるなどの機能を有する。
Next, constituent molecules such as organic groups, free carbon, and free silicon that are liberated or volatilized during this heating process are used for effective bonding of both objects to be bonded, such as increasing wettability. Has a function.

特に遊離炭素と遊離ケイ素は、被接合体の一方もしくは
双方が金属の場合には、この金属の表面に炭化物、ケイ
化物を形成し接着性を高める働きをするので極めて有効
である。
In particular, free carbon and free silicon are extremely effective when one or both of the objects to be joined are metals, since they form carbides and silicides on the surfaces of the metals to improve adhesion.

本発明の接合体の接合界面には主としてSiCのほか金
属炭化物、金属ケイ化物、前記中間固溶体などが介在し
て相互に強着結合しており、かつ被接合体に強着結合し
ており、さらに前記介在物は特に高温においても機械強
度が大きく、また耐酸化性および耐食性などにも優れて
いるので、本発明の接合体は特に高温においても有利に
使用することができる。
At the bonding interface of the bonded body of the present invention, in addition to SiC, metal carbide, metal silicide, the intermediate solid solution, etc. are mainly present, and are strongly bonded to each other and to the objects to be bonded, Further, the inclusions have high mechanical strength even at high temperatures and are also excellent in oxidation resistance and corrosion resistance, so the joined body of the present invention can be advantageously used even at high temperatures.

次に、本発明を実施例について説明する。Next, the present invention will be described with reference to examples.

実施例 1 15φ×2OLmm3の18−8ステンレス鋼と同寸法
のSiC自己焼結体を接合する目的で、両者をサンドプ
ラストした後、有機ケイ素高分子化合物の一種であるポ
リ力ルボシラン粉末と前記ステンレス鋼の粉末とを体積
比で1対1になるよう混合したものを、上部のステンレ
スと下部のSiCの間に約1mm厚さになるよう配設し
、さらに上部ステンレスの上に圧力源として2kgの同
種ステンレスを重ねて、Ar1気圧中で1300℃、1
時間の加熱を行なった。
Example 1 For the purpose of joining 18-8 stainless steel of 15φ x 2OLmm3 and a SiC self-sintered body of the same size, both were sandblasted, and then polysilane powder, which is a type of organosilicon polymer compound, and the stainless steel A mixture of steel powder and steel powder at a volume ratio of 1:1 is placed between the upper stainless steel and the lower SiC to a thickness of about 1 mm, and then 2 kg is placed on top of the upper stainless steel as a pressure source. of the same type of stainless steel and heated at 1300℃ in Ar 1 atm.
Heating was performed for an hour.

この接合体の接合強度の温度変化を第2表に示す。Table 2 shows the temperature change in the bonding strength of this bonded body.

第2表 ステンレスーSiC接合体の接合強度上表から
明らかなように、本例による接合体は室温から高温まで
その接合強度が殆ど変ヒしない温度特性に優れた接合体
である。
Table 2 Bonding Strength of Stainless Steel-SiC Bonded Body As is clear from the above table, the bonded body of this example has excellent temperature characteristics with almost no change in bonding strength from room temperature to high temperature.

この接合体の接合界面をX線マイクロアナライザーによ
り分析して、各原子の分布状態を調べた結果を図に示す
The bonding interface of this bonded body was analyzed using an X-ray microanalyzer to examine the distribution state of each atom, and the results are shown in the figure.

図から明らかなように、主として18−8ステンレス中
のCrが、ポリ力ルボシランから遊離したSiやCと反
応して、クロム炭化物やクロムケイ化物として接合界面
に介在し母材と強結していることが判明した。
As is clear from the figure, Cr mainly in 18-8 stainless steel reacts with Si and C liberated from polysilane, intervening at the bonding interface as chromium carbide and chromium silicide, and forming a strong bond with the base metal. It has been found.

この介在物の存在により、接合部の強度の向上、被接合
体間の熱膨脹率の差異の緩和など極めて有利な効果がも
たらされているこさが推察された。
It is presumed that the presence of these inclusions brings about extremely advantageous effects such as improving the strength of the joint and alleviating the difference in coefficient of thermal expansion between the objects to be joined.

かくして、本接合体は高温機械部品、高温耐摩材などの
耐熱材料として広範囲に使用されることが期待できる。
Thus, it is expected that this joined body will be widely used as a heat-resistant material such as high-temperature mechanical parts and high-temperature wear-resistant materials.

実施例 2 15φ×20Lmm3のBeOと同寸法のSt3N4を
接合するため、ポリ力ルボシラン粉末に30重量%のS
i金属粉末を混合したものを両者の間に約1mmの厚さ
で配設した。
Example 2 In order to join BeO of 15φ×20Lmm3 and St3N4 of the same size, 30% by weight of S was added to polysilane powder.
i A mixture of metal powder was placed between the two to a thickness of about 1 mm.

これを黒鉛製押型に設置し10−4mmHgの真空中で
200kg/cm2の圧力をかけつつ1500℃におい
て30分間ホットプレスした。
This was placed in a graphite mold and hot pressed at 1500° C. for 30 minutes while applying a pressure of 200 kg/cm 2 in a vacuum of 10 −4 mmHg.

この接合体の接合強度の温度変化を第3表に示す。Table 3 shows the temperature change in the bonding strength of this bonded body.

第3表 BeO−SisN4接合体の接合強度上表から
明らかなように、1000℃以上においては接合部より
もむしろBeO本体の方が破断するようになる。
Table 3 Bonding strength of BeO-SisN4 bonded body As is clear from the above table, at temperatures above 1000°C, the BeO main body rather than the bonded portion breaks.

これは、ポリカルボシランに添加したSi粉末がBeO
と極めてぬれ性が良いため、主にポリ力ルボシランから
生成したSiCとBeOとの接合力を強める効果を有し
ているためと考えられる。
This is because the Si powder added to polycarbosilane is BeO
This is thought to be because it has an extremely good wettability and has the effect of strengthening the bonding force between SiC and BeO mainly generated from polysilane.

またSi3N4とSiCは同一のSi結合により強固に
接合するので全体として優れた接合体となったものであ
る。
Furthermore, since Si3N4 and SiC are strongly bonded by the same Si bond, the bonded body is excellent overall.

本例の如く、BeOと比較して酸化され易いSi3N4
をBeOなどの酸化物で覆うことにより、Si3N4の
有する優れた性質を酸化性雰囲気中においても発揮せし
めることができ、本発明の方法によるこのような接合体
の応用範囲は極めて広いものと期待される。
As in this example, Si3N4 is easily oxidized compared to BeO.
By covering Si3N4 with an oxide such as BeO, the excellent properties of Si3N4 can be exhibited even in an oxidizing atmosphere, and it is expected that the range of applications of such a bonded body by the method of the present invention will be extremely wide. Ru.

実施例 3 15φX20Lの黒鉛と同寸法のTiO2を接合するた
め、約15重量%Ti元累をその骨格成分として含有す
るポリカルボシランを両者の間に約1.5mmの厚さに
配設し、Arl気圧の雰囲気中で黒鉛製押型を用いて、
1200℃、30分間のホットプレスを行なった。
Example 3 In order to join graphite of 15φ x 20L and TiO2 of the same size, a polycarbosilane containing about 15% by weight of Ti elements as its skeleton component was placed between them to a thickness of about 1.5mm, Using a graphite mold in an atmosphere of Arl atmospheric pressure,
Hot pressing was performed at 1200°C for 30 minutes.

得られた接合体の接合強度の温度変ヒを第4表に示す。Table 4 shows the temperature variations in the bonding strength of the obtained bonded bodies.

上表から明らかなように、本接合体においては接合部に
おける破断は見られず、むしろ黒鉛もしくはTiO2に
おいて破断が発生する。
As is clear from the above table, in this bonded body, no fracture is observed at the joint, but rather fracture occurs in graphite or TiO2.

これは黒鉛とTiのぬれ性が良いことおよびTi02と
Tiの間で相互拡散があり、SiCおよびTiCを介在
して、両被接合材間の強固な接合がなされているためで
ある。
This is because graphite and Ti have good wettability, and there is mutual diffusion between Ti02 and Ti, resulting in a strong bond between the two materials to be bonded through SiC and TiC.

本例の如き黒鉛接合体は、例えば原子炉炉心構造材料と
しても有望であり、その応用範囲は広い。
A graphite bonded body like this example is promising as a structural material for a nuclear reactor core, for example, and has a wide range of applications.

尚、上記実施例においては本発明の製造方法による代表
的な数例を示したにすぎないが、これ以外の種々の金属
、セラミックスおよび黒鉛の組合せによる接合体の製造
についても全く同様に優れた効果を挙げることができた
In addition, although the above-mentioned examples show only a few representative examples by the manufacturing method of the present invention, the manufacturing of joined bodies using combinations of various other metals, ceramics, and graphite is equally excellent. I was able to see some results.

また、被接合体の組み合せ方も、単なるA−Bという型
の他に例えばA−B−A−B,A−B−C.A−B−A
−Cなどのように種々の組み合せによる接合体を同様に
製造することができる。
In addition, the combination of objects to be joined is not limited to simple A-B, but also A-B-A-B, A-B-C. A-B-A
-C etc., conjugated bodies with various combinations can be manufactured in the same way.

以上述べたところにより、本発明によれば金属、セラミ
ックスおよび黒鉛からなる様々な組合せによる接合体を
簡便安価に製造することかでき、これら優れた耐熱性お
よび接合強度などの好特性を有する接合体は、航空宇宙
工業、自動車船舶工業、原子力工業、金属冶金工業、セ
ラミックス工業、石油化学工業、電気電子工業その他の
様々な分野において、極めて有利かつ広範囲に使用され
ることが期待される。
As described above, according to the present invention, joined bodies made of various combinations of metals, ceramics, and graphite can be easily and inexpensively manufactured, and these joined bodies have favorable properties such as excellent heat resistance and bonding strength. It is expected that it will be extremely advantageously and widely used in various fields such as the aerospace industry, the automobile and ship industry, the nuclear industry, the metal metallurgy industry, the ceramics industry, the petrochemical industry, the electrical and electronic industry, and others.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

図はX線マイクロアナライザーにより分析したSiCと
18−8ステンレスとの接合体の接合界面における元素
分布を示す図である。
The figure shows the element distribution at the joint interface of a joined body of SiC and 18-8 stainless steel, analyzed by an X-ray microanalyzer.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 金属材料、セラミックス材科、カーボン材料のうち
から選ばれる何れか少なくとも1種の材料の2個以上を
接合剤によって接合させてなる接合体の製造方法におい
て、接合剤として炭素とケイ素を主な骨格成分とする有
機ケイ素高分子ヒ合物を用い、かつ前記接合剤を2個以
上の被接合材料の対向面間隙に介装した状態で、非酸化
性雰囲気中で800〜1800℃の温度範囲内で加熱し
、前記有機ケイ素高分子化合物を熱分解して主としてS
iCを生成させ、該SiCによって前記2個以上の被接
合材料を強固に接合せしめることを特徴とする耐熱性高
強度接合体の製造方法。 2 接合剤としてケイ素と共にケイ素以外の金属元素を
骨格成分として含有し、かつ炭素とケイ素を主な骨格成
分とする有機ケイ素化合物を使用する特許請求の範囲1
記載の耐熱性高強度接合体の製造方法。 3 接合剤として被接合材料のうちの1種または2種以
上と同種類の粉粒体を混和した炭素とケイ素を主な骨格
成分とする有機ケイ素高分子化合物を使用する特許請求
の範囲1あるいは2記載の耐熱性高強度接合体の製造方
法。
[Scope of Claims] 1. A method for manufacturing a bonded body in which two or more of at least one material selected from metal materials, ceramic materials, and carbon materials are bonded together using a bonding agent. Using an organosilicon polymer arsenide whose main skeleton components are carbon and silicon, and with the bonding agent interposed in the gap between the opposing surfaces of two or more materials to be bonded, it was heated for 800 minutes in a non-oxidizing atmosphere. The organosilicon polymer compound is thermally decomposed into mainly S by heating within a temperature range of ~1800°C.
A method for producing a heat-resistant, high-strength bonded body, characterized in that the two or more materials to be bonded are firmly bonded by generating iC and using the SiC. 2 Claim 1 in which an organosilicon compound containing silicon and a metal element other than silicon as a skeletal component and whose main skeletal components are carbon and silicon is used as a bonding agent.
A method for producing the heat-resistant high-strength joined body described above. 3. Claim 1 or 3, in which an organosilicon polymer compound whose main skeleton components are carbon and silicon, which is mixed with one or more of the materials to be joined and the same type of powder or granules as a bonding agent, or 2. The method for producing a heat-resistant, high-strength joined body according to 2.
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