JPS586435A - マイクロカラ−フイルタの光学特性測定方法 - Google Patents
マイクロカラ−フイルタの光学特性測定方法Info
- Publication number
- JPS586435A JPS586435A JP10525681A JP10525681A JPS586435A JP S586435 A JPS586435 A JP S586435A JP 10525681 A JP10525681 A JP 10525681A JP 10525681 A JP10525681 A JP 10525681A JP S586435 A JPS586435 A JP S586435A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- filter
- wafer
- output
- micro color
- color filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はカラー固体撮像素子等のカラー半導体感光索子
に用いられるマイクロカラーフィルタの特性を測定する
方法、さらに詳しくはカラー半導体感光素子にお（・て
固体撮像素子の上に直接形成されるマイクロフィルりの
特性を測定する方法に関するものである。
に用いられるマイクロカラーフィルタの特性を測定する
方法、さらに詳しくはカラー半導体感光素子にお（・て
固体撮像素子の上に直接形成されるマイクロフィルりの
特性を測定する方法に関するものである。
単板式あるいは三板式のカラー固体撮像素子表面には該
素子を構成する各画素に対応して赤、緑、青あるいはシ
アン、マゼンタ、イ。
素子を構成する各画素に対応して赤、緑、青あるいはシ
アン、マゼンタ、イ。
エローなどの色分解フィルター要素を自己したマイクロ
カラーフィルターが積層されて（・る。
カラーフィルターが積層されて（・る。
これらのカラー固体撮像素子の作成方法にＱま固体撮像
素子を多数個配列した固体撮像素子基板（ウニ７７）と
、上記固体撮像素子σ〕各画素に対応して形成された色
分解フィルター要素を配したマイクロカラーフィルター
を透明支持体上に上記固体撮像素子と同一ヒ°ツチで多
数個配列した色分解フィルター基板とを別に作成した後
、両者を素子面とフイルタ−面が向い合うように接着し
た後、各固体撮像素子毎に切り出すか、あるいは上記固
体撮像素子基板及び色分解フィルタ基板から切り出され
た各固体撮像素子及び各マイクロカラーフィルタを前記
と同様にして接着して形成する方法（貼り合せ法）と、
前記固体撮像素子基板（ウェファ）の上に溶剤浸透防止
層（パシベーション層）を介して直接マイクロカラーフ
ィルターを形成する方法（オンウェファ法）の２つの方
法が知られている。尚、固体撮像素子上にパシベーショ
ン層を介して直接マイクロカシ−フィルタを形成する方
法においても前記貼り合せ法と同様に固体撮像素子基板
から切り出された各固体撮像素子（チップ）にパシベー
ション層を介して直接マイクロカラーフィルタを形成す
る方法（オンチップ法）もあるが、本願明細書において
はこの方法及び素子も含めてオンウェファ法あるいはウ
ェファと呼ぶこととする。
素子を多数個配列した固体撮像素子基板（ウニ７７）と
、上記固体撮像素子σ〕各画素に対応して形成された色
分解フィルター要素を配したマイクロカラーフィルター
を透明支持体上に上記固体撮像素子と同一ヒ°ツチで多
数個配列した色分解フィルター基板とを別に作成した後
、両者を素子面とフイルタ−面が向い合うように接着し
た後、各固体撮像素子毎に切り出すか、あるいは上記固
体撮像素子基板及び色分解フィルタ基板から切り出され
た各固体撮像素子及び各マイクロカラーフィルタを前記
と同様にして接着して形成する方法（貼り合せ法）と、
前記固体撮像素子基板（ウェファ）の上に溶剤浸透防止
層（パシベーション層）を介して直接マイクロカラーフ
ィルターを形成する方法（オンウェファ法）の２つの方
法が知られている。尚、固体撮像素子上にパシベーショ
ン層を介して直接マイクロカシ−フィルタを形成する方
法においても前記貼り合せ法と同様に固体撮像素子基板
から切り出された各固体撮像素子（チップ）にパシベー
ション層を介して直接マイクロカラーフィルタを形成す
る方法（オンチップ法）もあるが、本願明細書において
はこの方法及び素子も含めてオンウェファ法あるいはウ
ェファと呼ぶこととする。
前者の方法（貼り合せ法）の場合には、マイクロカラー
フィルタを作成した後、この透過率等を測定してバラツ
キ等の評価を行なうことができるが、後者の方法（オン
ウェファ法）の場合には形成したフィルタのみの特性を
測定することは困難である。
フィルタを作成した後、この透過率等を測定してバラツ
キ等の評価を行なうことができるが、後者の方法（オン
ウェファ法）の場合には形成したフィルタのみの特性を
測定することは困難である。
従来は、このフィルタを形成後一旦剥して検査する破壊
検査や、半導体ウェファに積層するフィルタを半導体ウ
ェファ以外の別のフィルム（例えば透明フィルム）上に
も同時に形成しておぎ、このフィルム上のフィルタを検
査する方法等が採用されているが、前者の破壊検査では
フィルタが破壊されてしまって積層状態のままの特性が
調べられないという問題があり、後者の別のフィルム上
に形成する方法ではウェファ上のフィルタとは別の部分
を検査していることになり、直接ウェファ上のフィルタ
の検査をしているものではないので、形成部分の相違に
よる誤差が避けられないという難点がある。
検査や、半導体ウェファに積層するフィルタを半導体ウ
ェファ以外の別のフィルム（例えば透明フィルム）上に
も同時に形成しておぎ、このフィルム上のフィルタを検
査する方法等が採用されているが、前者の破壊検査では
フィルタが破壊されてしまって積層状態のままの特性が
調べられないという問題があり、後者の別のフィルム上
に形成する方法ではウェファ上のフィルタとは別の部分
を検査していることになり、直接ウェファ上のフィルタ
の検査をしているものではないので、形成部分の相違に
よる誤差が避けられないという難点がある。
本発明は、これら従来技術における問題点を解決し、半
導体ウェファ上に形成されたままのマイクロカラーフィ
ルタの特性ヲ調べる方法を提供することを目的とするも
のである。
導体ウェファ上に形成されたままのマイクロカラーフィ
ルタの特性ヲ調べる方法を提供することを目的とするも
のである。
本発明の方法は、半導体ウェファの画素毎の感度をマイ
クロカラーフィルタの形成前に測定してこれを記憶して
おぎ、次にマイクロカラーフィルタを形成した後、再び
このフィルタ付ウェファの画素毎の感度を測定して、形
成の前後の測定値を比較して、マイクロカラーフィルタ
の特性を測定することを特徴とするものである。
クロカラーフィルタの形成前に測定してこれを記憶して
おぎ、次にマイクロカラーフィルタを形成した後、再び
このフィルタ付ウェファの画素毎の感度を測定して、形
成の前後の測定値を比較して、マイクロカラーフィルタ
の特性を測定することを特徴とするものである。
本発明によれば、積層したままのマイクロカラーフィル
タの特性（透過率）を非破壊で測定することができろの
で、実際の使用時における特性をそのまま測定すること
ができる。
タの特性（透過率）を非破壊で測定することができろの
で、実際の使用時における特性をそのまま測定すること
ができる。
以下、図面により、さらに詳細に本発明を説明する。
第１図は半導体ウェファ（例えばシリコンウェファ）Ｓ
ｉの上に（図面では省略しているがパシベーション層を
介して）マイクロカラーフィルタＭＣＦを形成した状態
のカラー固体撮像素子１の模式的構造を示すものであり
、マイクロカラーフィルターＭＣＦは多数のカラーフィ
ルタ要素Ｒ，，Ｇ、Ｂを規則的に配列して有している。
ｉの上に（図面では省略しているがパシベーション層を
介して）マイクロカラーフィルタＭＣＦを形成した状態
のカラー固体撮像素子１の模式的構造を示すものであり
、マイクロカラーフィルターＭＣＦは多数のカラーフィ
ルタ要素Ｒ，，Ｇ、Ｂを規則的に配列して有している。
これはシリコンウェファＳｉを構成する多数の画素（ｐ
ｉｘｅｌ ）の上に整列して設けられる。
ｉｘｅｌ ）の上に整列して設けられる。
シリコンウェファＳｉＯ上に（パシベーションを介して
形成されるが以下の説明ではこのパシベーション層に関
する説明を省略する）マイクロカラーフィルタＭＣＦを
直接形成する方法としては、ウェファＳｉ上に１つのフ
ィルタ要素（例えばＲ）に対応するようにゼラチン層を
形成した後、これを染色し、しかる後他のフィルタ要素
に対応するようにゼラチン層を形成しこれを染める工程
を繰返して形成する方法や、ウェファＳｉ上に７１０ゲ
ン化麩＄塾乳剤を塗布した後パターン露光及び外形発色
現象を繰返して行なうことによりこれをマイクロカラー
フィルタ状に発色させて形成する方法、あるいはウェア
７８ ｉ上にマスクを利用してＺイルタ要素毎に干渉
膜を繰返して蒸着する方法等公知の方法が採用される。
形成されるが以下の説明ではこのパシベーション層に関
する説明を省略する）マイクロカラーフィルタＭＣＦを
直接形成する方法としては、ウェファＳｉ上に１つのフ
ィルタ要素（例えばＲ）に対応するようにゼラチン層を
形成した後、これを染色し、しかる後他のフィルタ要素
に対応するようにゼラチン層を形成しこれを染める工程
を繰返して形成する方法や、ウェファＳｉ上に７１０ゲ
ン化麩＄塾乳剤を塗布した後パターン露光及び外形発色
現象を繰返して行なうことによりこれをマイクロカラー
フィルタ状に発色させて形成する方法、あるいはウェア
７８ ｉ上にマスクを利用してＺイルタ要素毎に干渉
膜を繰返して蒸着する方法等公知の方法が採用される。
本発明では、第２図に示すようにシリコンウェファＳｉ
上°にマイクロカラーフィルタＭＣ）″を形成する前に
ウェファＳｉに一様に白色光２を照射し、その露光に対
する電気的出力を測定し、この出力をコンピュータＣＰ
ＵＫ記憶する。これには、シリコンウェファＳｉ（例え
ばＣＣＤ）の自己走査により、各画素毎の出力が測定、
記憶される。
上°にマイクロカラーフィルタＭＣ）″を形成する前に
ウェファＳｉに一様に白色光２を照射し、その露光に対
する電気的出力を測定し、この出力をコンピュータＣＰ
ＵＫ記憶する。これには、シリコンウェファＳｉ（例え
ばＣＣＤ）の自己走査により、各画素毎の出力が測定、
記憶される。
次いで、上記の方法でマイクロカラーフィルタＭＣＦを
シリコンウェファＳｉ上に直接形成した後、第３図に示
すように再び白色光２を露光して、第２図と同様に出力
を測定し、コンピュータＣＰＵに入力する。このときの
出力は、シリコンウェファＳ１の各画素の上に形成され
たマイクロカラーフィルタＭＣＦを透過した光に対する
感度を表しているから、この出力を前記出力と比較すれ
ば、このマイクロカラーフィルタＭＣＦの透過率（その
バラツキ）を間接的に調べることができる。
シリコンウェファＳｉ上に直接形成した後、第３図に示
すように再び白色光２を露光して、第２図と同様に出力
を測定し、コンピュータＣＰＵに入力する。このときの
出力は、シリコンウェファＳ１の各画素の上に形成され
たマイクロカラーフィルタＭＣＦを透過した光に対する
感度を表しているから、この出力を前記出力と比較すれ
ば、このマイクロカラーフィルタＭＣＦの透過率（その
バラツキ）を間接的に調べることができる。
具体的には、各画素毎の出力を、マイクロカラーフィル
タの形成の前後に亘って比較し、この比較によって測定
される各画素毎のフィルタの透過率が、全画素に亘って
均一であるかどうかを検査する。これが均一であれは、
フィルタはバラツキのない均一の透過率を持ったもので
あることが確認される。
タの形成の前後に亘って比較し、この比較によって測定
される各画素毎のフィルタの透過率が、全画素に亘って
均一であるかどうかを検査する。これが均一であれは、
フィルタはバラツキのない均一の透過率を持ったもので
あることが確認される。
上記説明では、測定時に使用する露光用の光として白色
光を用いたが、これは均一な光であれば、赤、緑、青の
３色の光を別々に使用丁゛るようにしてもよい。
光を用いたが、これは均一な光であれば、赤、緑、青の
３色の光を別々に使用丁゛るようにしてもよい。
本発明は、上記のように形成前後の出力を比較すること
によって積層されたマイクロカラーフィルタの特性を測
定するようにしたから、実際にウェファ上に積層された
マイクロカラーフィルタの特性をそのままの状態で非破
壊で測定することができる。
によって積層されたマイクロカラーフィルタの特性を測
定するようにしたから、実際にウェファ上に積層された
マイクロカラーフィルタの特性をそのままの状態で非破
壊で測定することができる。
第１図は本発明により測定されるマイクロカラーフィル
タを積層した半導体ウェファを模式的に示す斜視図、 第２図は本発明の方法の第１のステソゲを示す説明図、 第３図は同じくその第２のステップを示す説明図である
。 １・・・・・・カラー固体撮像素子 ２・・・・・・白色光 Ｓｉ・−・・・半導体ウェファ ＭＣｌ−・・・マイクロ力２〜フィルター第１図 第２図 第３図 （自発）手続補正書 昭和５７年５月１８日 特許庁長官殿 １゜事件の表示 昭和５６年特許願第１０５２５６ 号３ 補正をする
者 事件との関係 特許出願人 な し ６ 補正により増加する発明の数 な し７ 補
正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の掴（１
） 明細書第８頁第１０行と第１Ｉ行の間に下記の文
章を加入する。。 「 本発明によれば１画素に与えられた光の強さに比例
した出力がセンサより得られろ。 以下フィルタの透過率とセンサの感度との関係について
考察すると、１画素当り（あるいは単位面積当りでも良
い）に入射する放射策（単位時間当りの光エネルギ→を
Ｉ。 としく以後、それぞれの値（因子）は波長の関数になる
ので波長λのサフィックスがつくがここでは省略して考
える。）、フィルタの透過率を１゛と丁れはフィルタ透
過後の放射束Ｉは １＝Ｔ＠Ｊ。 となり、入射光の強さに比例した電荷（キャリア）が発
生するので単位時間当りの電荷量は電流Ｊとして測定で
きる。したがって感度をＳとすると Ｊ＝Ｓ司二５ｌＩＴ−ＩＯ となり、このままでは感度と透過率の慎の形のみが分る
。従ってフィルタを貼るまえの感度を測定しておけばフ
ィルタの透過率を求めることができる。即ち貼る前の電
流をＪｌとすれば Ｊ’＝Ｓ−１゜ したがって Ｊ＝Ｔ、ＪＩ Ｔ二Ｊ／、Ｊ’
タを積層した半導体ウェファを模式的に示す斜視図、 第２図は本発明の方法の第１のステソゲを示す説明図、 第３図は同じくその第２のステップを示す説明図である
。 １・・・・・・カラー固体撮像素子 ２・・・・・・白色光 Ｓｉ・−・・・半導体ウェファ ＭＣｌ−・・・マイクロ力２〜フィルター第１図 第２図 第３図 （自発）手続補正書 昭和５７年５月１８日 特許庁長官殿 １゜事件の表示 昭和５６年特許願第１０５２５６ 号３ 補正をする
者 事件との関係 特許出願人 な し ６ 補正により増加する発明の数 な し７ 補
正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の掴（１
） 明細書第８頁第１０行と第１Ｉ行の間に下記の文
章を加入する。。 「 本発明によれば１画素に与えられた光の強さに比例
した出力がセンサより得られろ。 以下フィルタの透過率とセンサの感度との関係について
考察すると、１画素当り（あるいは単位面積当りでも良
い）に入射する放射策（単位時間当りの光エネルギ→を
Ｉ。 としく以後、それぞれの値（因子）は波長の関数になる
ので波長λのサフィックスがつくがここでは省略して考
える。）、フィルタの透過率を１゛と丁れはフィルタ透
過後の放射束Ｉは １＝Ｔ＠Ｊ。 となり、入射光の強さに比例した電荷（キャリア）が発
生するので単位時間当りの電荷量は電流Ｊとして測定で
きる。したがって感度をＳとすると Ｊ＝Ｓ司二５ｌＩＴ−ＩＯ となり、このままでは感度と透過率の慎の形のみが分る
。従ってフィルタを貼るまえの感度を測定しておけばフ
ィルタの透過率を求めることができる。即ち貼る前の電
流をＪｌとすれば Ｊ’＝Ｓ−１゜ したがって Ｊ＝Ｔ、ＪＩ Ｔ二Ｊ／、Ｊ’
Claims (1)
- 多数の画素からなる半導体感光素子のウェファ上に形成
して設けられるマイクロカラーフィルタの特性を測定す
る方法において、マイクロカラーフィルタの形成前に前
記画素毎に半導体感光素子の感度を測定して記憶し、次
にマイクロカラーフィルタを半導体感光素子上に形成し
、その後前記画素毎にこのマイクロカラーフィルタ付半
導体感光素子の感度を測定し、形成前の記憶した測定値
と比較して、マイクロカラーフィルタの光学特性を測定
することを特徴とするマイクロカラーフィルタの光学特
性測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10525681A JPS586435A (ja) | 1981-07-06 | 1981-07-06 | マイクロカラ−フイルタの光学特性測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10525681A JPS586435A (ja) | 1981-07-06 | 1981-07-06 | マイクロカラ−フイルタの光学特性測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS586435A true JPS586435A (ja) | 1983-01-14 |
Family
ID=14402566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10525681A Pending JPS586435A (ja) | 1981-07-06 | 1981-07-06 | マイクロカラ−フイルタの光学特性測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS586435A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01282446A (ja) * | 1988-05-07 | 1989-11-14 | Dainippon Printing Co Ltd | 透過率測定方法 |
| JPH01307645A (ja) * | 1988-06-03 | 1989-12-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 試料の検査方法 |
| CN107532967A (zh) * | 2015-03-31 | 2018-01-02 | 迈络思科技硅光股份有限公司 | 光学器件的晶片级测试 |
-
1981
- 1981-07-06 JP JP10525681A patent/JPS586435A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01282446A (ja) * | 1988-05-07 | 1989-11-14 | Dainippon Printing Co Ltd | 透過率測定方法 |
| JPH01307645A (ja) * | 1988-06-03 | 1989-12-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 試料の検査方法 |
| CN107532967A (zh) * | 2015-03-31 | 2018-01-02 | 迈络思科技硅光股份有限公司 | 光学器件的晶片级测试 |
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