JPS586391B2 - Inverter touch - Google Patents

Inverter touch

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JPS586391B2
JPS586391B2 JP48118373A JP11837373A JPS586391B2 JP S586391 B2 JPS586391 B2 JP S586391B2 JP 48118373 A JP48118373 A JP 48118373A JP 11837373 A JP11837373 A JP 11837373A JP S586391 B2 JPS586391 B2 JP S586391B2
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JP
Japan
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signal
semiconductor switch
conduction
output
current
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JP48118373A
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赤松昌彦
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Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明はインバータ装置の改良に関し、特に高周波変
調インバータ装置の新規な改良された制御装置を提供す
るものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to improvements in inverter devices, and in particular provides a new and improved control device for high frequency modulation inverter devices.

出力電圧又は出力電流を制御するインバータ装置におい
て、インバータ自体の半導体スイッチをその出力周波数
以上の周波数でオンーオフ制御する、いわゆる高周波変
調方式がある。
In inverter devices that control output voltage or output current, there is a so-called high-frequency modulation method in which a semiconductor switch of the inverter itself is controlled on-off at a frequency higher than its output frequency.

この方式は、別途チョツパや可変電圧整流器などの出力
調整手段を要しないので簡単である。
This method is simple because it does not require a separate output adjustment means such as a chopper or a variable voltage rectifier.

しかるに、この高周波変調方式においては、出力の変調
周波リツプルが問題である。
However, in this high frequency modulation method, there is a problem of output modulation frequency ripple.

この発明は、インバータ装置の正側又は負側の直流電路
に、電流検出器を設けることによって特性の改善をはか
ったインバータ装置を提供することを目的とする。
An object of the present invention is to provide an inverter device whose characteristics are improved by providing a current detector in the positive side or negative side DC circuit of the inverter device.

更に詳述すれば、この発明は、上記変調周波リップルを
軽減するための新規な変調制御方式を提供することを目
的とする。
More specifically, it is an object of the present invention to provide a novel modulation control method for reducing the modulation frequency ripple.

更に特に、交流電動機(パルスモータを含む)の速度制
御に適した簡単なインバータ装置を提供することを目的
とする。
More particularly, it is an object of the present invention to provide a simple inverter device suitable for speed control of AC motors (including pulse motors).

第1図は、この発明の一実施例を示す接続図で、図にお
いて、直流電源1の端子間に並列接続され各組が2個の
半導体スイッチ2a〜2fを有する複数組ノ半導体スイ
ッチ接続体によってプリツジインバータを形成する。
FIG. 1 is a connection diagram showing an embodiment of the present invention. In the figure, a plurality of sets of semiconductor switch connections are connected in parallel between the terminals of a DC power supply 1, and each set has two semiconductor switches 2a to 2f. form a prizge inverter.

夫々の直列接続点R,S,Tは交流負荷4例えば交流電
動機に接続される。
Each series connection point R, S, T is connected to an alternating current load 4, for example an alternating current motor.

この他、半導体スイッチ2a〜2fに対応して、夫々負
荷電流の別の通路(帰還あるいは還流通路)を形成する
ダイオード3a〜3fを設けて、主回路を形成する。
In addition, diodes 3a to 3f forming separate paths (feedback or free circulation paths) for the load current are provided corresponding to the semiconductor switches 2a to 2f, respectively, to form a main circuit.

更に、第1図の実施例では、直流電源の正端子側Pと半
導体スイッチ2a,2c,2eの直流入力端子との間に
直列に平滑リアクトル9を接続している。
Furthermore, in the embodiment shown in FIG. 1, a smoothing reactor 9 is connected in series between the positive terminal P of the DC power supply and the DC input terminals of the semiconductor switches 2a, 2c, and 2e.

出力周波数の周期で順次に導通制御するための第1信号
発生器5は例えばパルス列信号Pによりトリガされるリ
ングカウンタであって、夫々の出力a−fは大々上記半
導体スイッチ2a〜2fの導通期間とその順序を決定す
る。
The first signal generator 5 for controlling conduction sequentially at the period of the output frequency is, for example, a ring counter triggered by a pulse train signal P, and the respective outputs a to f are approximately equal to the conduction of the semiconductor switches 2a to 2f. Decide on periods and their order.

この発明の一実施例では、第1信号発生器の奇数番出力
信号a,c,eは夫々直接的に正側半導体スイッチ2a
,2c,2eの導通期間を決定する。
In one embodiment of the present invention, the odd-numbered output signals a, c, and e of the first signal generator are directly connected to the positive semiconductor switch 2a.
, 2c, 2e are determined.

その期間は夫々例えば1/3周期づつ導通させ且つ1/
3周期づつ位相差を持つ。
For example, the period is such that conduction is performed for 1/3 period and 1/3 period.
There is a phase difference of three periods each.

又は1/2周期づつ導通させ且つ1/3周期づつ位相差
を持つ。
Alternatively, it is made conductive every 1/2 period and has a phase difference of every 1/3 period.

或いは又5/12周期づつ導通させ且つ1/3周期づつ
位相差を持つ。
Alternatively, conduction is made for every 5/12 period and there is a phase difference for every 1/3 period.

いずれにしても、実用的には3相ブリッジ結線インバー
タでは実用的には1/3〜1/2周期づつ導通させ、1
/3周期の位相を持たせる。
In any case, in practice, in a three-phase bridge-connected inverter, conduction is carried out every 1/3 to 1/2 period, and
/3 periods of phase.

他方、負側半導体スイッチ2b,2d,2fは第1信号
発生器5の偶数番出力信号b,d,fの夫々と第2信号
発生器6の導通信号Xとを夫々論埋積要素γb,γd,
γfを介して各々論理積により導通制御する。
On the other hand, the negative-side semiconductor switches 2b, 2d, and 2f convert the even-numbered output signals b, d, and f of the first signal generator 5 and the conductive signal X of the second signal generator 6 into logical storage elements γb, respectively. γd,
Continuity is controlled by logical product via γf.

上記偶数番出力信号b,d,fは夫々前記奇数番出力信
号a,c,eと同じ導通時間巾を有し、位相差が1/6
周期だけづれたものである。
The even-numbered output signals b, d, and f have the same conduction time width as the odd-numbered output signals a, c, and e, respectively, and have a phase difference of 1/6.
Only the period is off.

他方第2信号発生器6は第2の周期で導通非導通指令を
行うためのもので、少なくとも導通非導通両信号を周期
的に発生する場合(例えば、出力電圧を直流電源電圧以
内に制御する場合)、実質的に出力周期即ち第1信号発
生器50周期より短い周期で作動する。
On the other hand, the second signal generator 6 is used to issue a conduction/non-conduction command in the second period, and is used when generating at least both conduction and non-conduction signals periodically (for example, when controlling the output voltage to within the DC power supply voltage). case), it operates with a period substantially shorter than the output period, ie, 50 periods of the first signal generator.

但し、平滑リアクトル9が大きい場合、逆に長い周期と
なる場合もある。
However, if the smoothing reactor 9 is large, the cycle may be long.

そして、出力電圧を零にする場合は非導通指令を継続し
て発生し、出力電圧を最大にする場合は導通指令を継続
して発生する。
When the output voltage is set to zero, a non-conduction command is continuously generated, and when the output voltage is maximized, a conduction command is continuously generated.

上記第2の導通制御信号を発生する第2信号発生器6は
、例えばパルス巾変調器やコンパレータを用いたオンー
オフ制御器など任意の時間比制御手段を用いることがで
きる。
The second signal generator 6 that generates the second conduction control signal can use any time ratio control means, such as a pulse width modulator or an on-off controller using a comparator.

そして、例えば出力電流を制御する場合であれば、第1
図実施例のように正側共通直流入力電路に設けた入力電
流検出器8により人力電流を検出して、上記第2信号発
生器のオン時間又はオフ時間を制御すればよい。
For example, when controlling the output current, the first
As in the embodiment shown in the figure, the input current detector 8 provided on the positive side common DC input circuit may detect the human power current to control the on time or off time of the second signal generator.

さて、上記実施例において、更に詳細な動作の説明を行
う。
Now, the operation of the above embodiment will be explained in more detail.

1/3周期通電制御の場合 第1信号発生器5が173周期間の導通信号を出す場合
、即ち、負荷4に主として120°の通電巾の給電を行
う場合、正側半導体スイッチ2a,2e,2cの内のい
づれか一つが必ず通電し、負側半導体スイッチ2b,2
d,2fの内いづれか一つが必ず第2信号発生器により
オンーオフ制御される。
In the case of 1/3 cycle energization control, when the first signal generator 5 issues a conduction signal for 173 cycles, that is, when supplying power to the load 4 mainly with an energization width of 120°, the positive semiconductor switches 2a, 2e, 2c is always energized, and the negative side semiconductor switches 2b, 2
One of d and 2f is always on-off controlled by the second signal generator.

今、半導体スイッチ2aが通電し半導体スイッチ2bが
ON−OFF制御される1/6周期の回路状態を示すと
第2図aのようになっている。
Now, FIG. 2a shows a circuit state during a 1/6 cycle in which the semiconductor switch 2a is energized and the semiconductor switch 2b is controlled to be turned on and off.

即ち、第1信号発生器5の出力はaとbとが導通指令状
態にあり、半導体スイッチ2aは通電、半導体スイッチ
2bが第2信号Xに応動してオン−オフ(パルス巾変調
)制御している。
That is, outputs a and b of the first signal generator 5 are in a conduction command state, the semiconductor switch 2a is energized, and the semiconductor switch 2b is controlled on-off (pulse width modulation) in response to the second signal X. ing.

そして、負荷4の内R相4RとT相4Tが給電されてい
る1半導体スイッチ2bがオンの時実線ionの矢印の
如く給電し、半導体スイッチ2bがオフの時点線iof
fの矢印の如くダイオード3bを通って、第2信号発生
器6のオンーオフ信号Xに応動して出力電流■(又は出
力電圧)が制御される。
When the R phase 4R and T phase 4T of the load 4 are supplied with power, when the semiconductor switch 2b is on, power is supplied as indicated by the solid line ion, and when the semiconductor switch 2b is off, the line iof
The output current (or output voltage) is controlled in response to the on-off signal X of the second signal generator 6 through the diode 3b as indicated by the arrow f.

又、他の半導体スイッチが作動し、他の相又は他の極性
の給電の場合も同様に、第2図aの如き回路状態が順次
の半導体スイッチと順次の負荷とによって形成される。
Similarly, when other semiconductor switches are activated and power is supplied in other phases or with other polarities, a circuit state as shown in FIG. 2a is formed by successive semiconductor switches and successive loads.

以上、1/3周期通電制御における、動作波形図を第5
図に示す。
Above, the operation waveform diagram in 1/3 period energization control is shown in the fifth figure.
As shown in the figure.

同図イ,口は第1信号a−fの夫々の導通指令期間を示
し、ハは第2信号Xのオンーオフ指令を示し、二〜トは
R相の半導体スイッチ2a,2d及びダイオード3d,
3aの夫々が通電している区間を示したものである。
In the same figure, A and C indicate the conduction command periods of the first signals a to f, C indicates the on-off command of the second signal
3a shows the sections in which each of the parts 3a is energized.

同じ《チはR相の負荷電圧、すなわち各半導体スイッチ
2a〜2fを通じて給電している時のみにR相4Rの巻
線間にあらわれる電圧で、この電圧は第2信号Xに同期
している。
The same <<H is the load voltage of the R phase, that is, the voltage that appears between the windings of the R phase 4R only when power is being supplied through each of the semiconductor switches 2a to 2f, and this voltage is synchronized with the second signal X.

又点線で示した波形は重なり期間tu中の電圧で、これ
は平滑リアクトルを通らないダイオードの通電で電圧が
決まるので高い負荷端子電圧となる。
Furthermore, the waveform shown by the dotted line is the voltage during the overlap period tu, which is a high load terminal voltage because the voltage is determined by the energization of the diode that does not pass through the smoothing reactor.

1/2周期通電制御の場合 第1信号発生器5が1/2周期間の導通信号を出す場合
、即ちa−fの6個の出力信号の内常に3つの出力信号
が導通指令で他の3つの出力信号が非導通指令を出し、
且つこれらの状態が1/6周期毎に順次循環する場合で
ある。
In the case of 1/2 period energization control, when the first signal generator 5 outputs a conduction signal for 1/2 period, three output signals out of the six output signals a to f are always conduction commands and other signals are Three output signals issue a non-conduction command,
This is a case where these states are sequentially cycled every 1/6 cycle.

この場合、正側半導体スイッチ2a,2c,2eの内の
2つと負側半導体スイッチ2b,2d,2fの内の1つ
が通電する第4状態と、正側半導体スイッチの内01つ
と負側半導体スイッチの内の2つが通itる第2状態と
に分けられる。
In this case, there is a fourth state in which two of the positive semiconductor switches 2a, 2c, 2e and one of the negative semiconductor switches 2b, 2d, 2f are energized, and one of the positive semiconductor switches and one of the negative semiconductor switches are energized. and a second state in which two of them pass.

前記第1状態の代表例として、半導体スイッチ2aと2
cが通電し、半導体スイッチ2bがオンーオフ制御され
ている場合を、第2図bに示す。
As a representative example of the first state, semiconductor switches 2a and 2
FIG. 2b shows a case where the semiconductor switch 2b is controlled to be turned on and off when the semiconductor switch 2b is energized.

この場合、入力電流Iは半導体スイッチ2aと20とを
介して夫々負荷4Rと48とに分流し、負荷4Tに合流
して流れる。
In this case, the input current I is shunted to the loads 4R and 48 via the semiconductor switches 2a and 20, respectively, and flows to the load 4T.

他方第2信号発生器6の出力信号Xがオン指令であれば
半導体スイッチ2bを介して直流電源1がら給電され、
オフ指令であればダイオード3bを通って還流する。
On the other hand, if the output signal X of the second signal generator 6 is an ON command, power is supplied from the DC power supply 1 via the semiconductor switch 2b,
If it is an off command, the current flows back through the diode 3b.

即ち負荷4Rと48との並列体と負荷4Tとの直列体が
総合されて前記第2図aと同様にオンーオフ制御される
That is, the loads 4R and 48 in parallel and the load 4T in series are combined and subjected to on-off control in the same manner as in FIG. 2a.

上記第1状態の次に来る前記第2状態即ち、第1信号発
生器5の出力信号b,c,dが導通指令で、他が非導通
指令の時の回路状態を第2図Cに示す。
FIG. 2C shows the circuit state in the second state that follows the first state, that is, when the output signals b, c, and d of the first signal generator 5 are conduction commands and the others are non-conduction commands. .

第2図bの状態から第2図Cの状態へ移行した直後の重
り期間中は、鎖線のダイオード3aと3fとが通電し、
重り電流iuが流れる。
During the weight period immediately after the transition from the state shown in FIG. 2b to the state shown in FIG.
Weight current iu flows.

この重り期間が終了すればダイオード3a,3fは非導
通状態となる。
When this weight period ends, the diodes 3a and 3f become non-conductive.

上記重り期間中に、負荷4Sの電流はI/2から■に増
加し、且つ負荷4Rの電流は正のI/2に変り、更に負
荷4Tの電流は■からI/2に減少する。
During the weight period, the current in the load 4S increases from I/2 to ■, the current in the load 4R changes to positive I/2, and the current in the load 4T decreases from ■ to I/2.

しかして、半導体スイッチ2bと2dとが共に、第2信
号Xによりオンーオフ制御され、出力電圧又は出力電流
が制御される。
Thus, both the semiconductor switches 2b and 2d are controlled on and off by the second signal X, and the output voltage or output current is controlled.

この場合、負荷4Tと4Rとの直列体と負荷4Sとの直
列体が総合されて、第2図aと同様の制御が行われる。
In this case, the series body of loads 4T and 4R and the series body of load 4S are integrated, and the same control as in FIG. 2a is performed.

前記第2図bにおいては、出力端子RとSとが同電位で
あり、第2図Cでは出力端子RとTとが同電位に制御さ
れる訳である。
In FIG. 2B, the output terminals R and S are at the same potential, and in FIG. 2C, the output terminals R and T are controlled to the same potential.

5/12周期通電制御の場合 これは、第1信号発生器の出力信号の内、順次につらな
る2つの出力信号が導通指令を出す第1区間と順次につ
らなる3つの出力信号が導通指令を出す第2区間とが交
互に現れる場合である。
In the case of 5/12 period energization control, this is the first period in which two successively connected output signals of the output signals of the first signal generator issue a conduction command, and the first period in which three successively connected output signals issue a conduction command. This is a case where the second section and the second section appear alternately.

即ち、各々の出力信号は5/12周期たけ導通指令を出
し、夫々の出力信号が1/6周期づつ位相差を持つ。
That is, each output signal issues a conduction command for 5/12 periods, and each output signal has a phase difference of 1/6 period.

このような制御を行った場合は、第2図3つの回路状態
が夫々順次に現われる。
When such control is performed, the three circuit states shown in FIG. 2 appear one after another.

例えば第2図a→第2図b→第2図aにて第1信号bと
Cとが導通指令状態→第2図C・・・・・・・・・のよ
うにモードが遷移する。
For example, the mode changes as shown in FIG. 2a→FIG. 2b→FIG. 2a, where the first signals b and C are in a conduction command state→FIG. 2C...

以上第1図実施例において、他の通電制御の場合も、前
記第2図a〜Cで表わした、回路状態が(その符号が順
次に入れ代るだけで)現れ、夫々の回路状態において、
第2信号Xにより出力を制御できる。
In the embodiment shown in FIG. 1, the circuit states shown in FIG.
The output can be controlled by the second signal X.

2 さて、第1図実施例で明らかなように、この発明に
よれば、第2図aの場合で言えば、トランジスタ2bが
オフとなったとき直ちに回路電流を遮断するのではな《
、ダイオード3bを通る電流路を形成させるようにして
いるため、出力電圧瞬時値が全電圧印加状態と零電圧状
態(還流状態)とである。
2 Now, as is clear from the embodiment in FIG. 1, according to the present invention, in the case of FIG. 2 a, the circuit current is not immediately cut off when the transistor 2b is turned off.
Since a current path passing through the diode 3b is formed, the instantaneous output voltage value is in a full voltage application state and a zero voltage state (reflux state).

これに対し、従来のトランジスタオフ時に回路電流を遮
断するようなインバータの制御法においては、正の全電
圧状態と負の全電圧状態とからなり、その時間比率によ
って出力電圧制御されていた。
On the other hand, in the conventional inverter control method in which the circuit current is cut off when the transistor is off, the inverter consists of a positive total voltage state and a negative total voltage state, and the output voltage is controlled by the time ratio of the positive total voltage state and the negative total voltage state.

従って、この発明の方が出力電圧リップルが小さく、ひ
いては出力電流リップルが小さい。
Therefore, the output voltage ripple of the present invention is smaller, and the output current ripple is also smaller.

更に又、高周波でオンーオフ制御する半導体スイッチが
片側だけでよい。
Furthermore, only one side of the semiconductor switch is required for on-off control using high frequency.

更に、常時高周波でオンーオフ制御する半導体スイッチ
数は1つ(又は2つ)でスイッチング回数が少ないので
スイッチング損失が小さい。
Furthermore, the number of semiconductor switches that are constantly on-off controlled at high frequency is one (or two), and the number of switching operations is small, so switching loss is small.

特に、半導体スイッチ2としてサイリスクを用いる場合
は、転流損失が少なくなり、この効果は極めて太きい。
In particular, when using Cyrisk as the semiconductor switch 2, the commutation loss is reduced, and this effect is extremely significant.

同様にサイリスタ消弧手段も簡単化出来る。Similarly, the thyristor arc extinguishing means can be simplified.

又、片側高周波オンーオフ制御なので、他方の低周波導
通制御(第1信号周期制御)側は高周波オンーオフ制御
しないので、その半導体スイッチの共通人力直流電路に
平滑リアクトルを設けることが出来る。
Also, since one side is high frequency on-off control, the other low frequency conduction control (first signal period control) side is not high frequency on/off control, so a smoothing reactor can be provided in the common manual DC circuit of the semiconductor switch.

従って、より一層出力リップルを小さくしたり、逆に高
周波スイッチング回数を軽減することができる。
Therefore, it is possible to further reduce the output ripple and conversely reduce the number of high frequency switching operations.

従来の交流出力側に交流平滑リアクトルを設ける方式で
は,力率低下や出力低下を生じ、平滑を行うにも限度が
あった。
The conventional method of installing an AC smoothing reactor on the AC output side resulted in a drop in power factor and output, and there were limits to smoothing performance.

この発明では、直流平滑リアクトル9を任意に大きくで
きる。
In this invention, the DC smoothing reactor 9 can be made arbitrarily large.

従って、交流出力周波数に制約されず、任意の周波数の
第2信号でオンーオフ制御できる。
Therefore, on-off control can be performed using the second signal of any frequency without being restricted by the AC output frequency.

これらのことを換言すれば、第2信号によるオンーオフ
制御は、見かけ上独立な直流チョツパを直流入力側に設
けたものと同一の作用効果を持っており、しかも、イン
バータ用半導体スイッチを利用してその作用を兼用させ
、機能集積を実現している。
In other words, on-off control using the second signal has the same effect as providing an apparently independent DC chopper on the DC input side, and it can also be achieved by using a semiconductor switch for the inverter. By combining these functions, we have achieved functional integration.

第3図はこの発明の他の一実施例を示す回路接続図で、
非変調側半導体スイッチをサイリスタにし、変調側半導
体スイッチをトランジスタにしたー実施例である。
FIG. 3 is a circuit connection diagram showing another embodiment of the present invention.
This is an example in which the non-modulation side semiconductor switch is a thyristor and the modulation side semiconductor switch is a transistor.

図において、21a,21c)21oはサイリスク、2
2a,22o,22oはダイオード、23は消弧コンデ
ンサである。
In the figure, 21a, 21c) 21o are Sairisk, 2
2a, 22o, and 22o are diodes, and 23 is an arc-extinguishing capacitor.

このように、半導体スイッチとして、高速スイッチ用と
低速スイッチ用とに夫々に応じて使い分けることができ
る。
In this way, the semiconductor switch can be used for high-speed switches and low-speed switches, respectively.

第4図は、この発明の他の一実施例を示す図で、変調側
半導体スイッチ21d72lb721fに対して共通の
チョツパ24を設け、これを第2信号Xでオンーオフ制
御するものである。
FIG. 4 is a diagram showing another embodiment of the present invention, in which a common chopper 24 is provided for the modulation side semiconductor switches 21d72lb721f, and this is controlled on and off by the second signal X.

この場合半導体スイッチ2xb)21d,2ifに対す
るチョッパ24の直列接続関係が、論理積要素70作用
を持つ。
In this case, the series connection relationship of the chopper 24 to the semiconductor switches 2xb) 21d, 2if has the effect of the AND element 70.

又、半導体スイッチ21by2.dp21fがサイリス
タである時、チョッパ24を一旦オフにし、こさにより
それらサイリスタの消弧を行うことができる。
Moreover, the semiconductor switch 21by2. When the dp21f is a thyristor, the chopper 24 can be turned off once, and the thyristors can be extinguished by turning off the chopper 24.

論理否定AND要素10及び単安定OR要素11、パル
ス微分要素12は、上記消弧を行うためのもので、サイ
リスタ2lb)2.d2、f相互間で転流を行うべき時
、即ち第1信号発生器5の出力b,d,f間で出力信号
が転移する毎に微分要素12で決まる所定短時間だけチ
ョッパ24をオフにするものである。
The logical NOT AND element 10, the monostable OR element 11, and the pulse differential element 12 are for extinguishing the arc, and the thyristor 2lb)2. When commutation is to be performed between d2 and f, that is, every time the output signal transfers between outputs b, d, and f of the first signal generator 5, the chopper 24 is turned off for a predetermined short time determined by the differential element 12. It is something to do.

以上のように、この発明によれば、直列接続された半導
体スイッチの直列接続体を複数組有し、これを直流電源
の正負入力端子間に並列接続し、上記半導体スイッチの
直列接続点を交流出力端子とするブリッジ接続半導体ス
イッチ装置において、上記正端子側半導体スイッチ又は
上記負端子側半導体スイッチの内、いずれか一方を周期
的に順次に導通制御し交流出力周波数を決定づける第1
信号を発生する第1信号発生器と、上記第1信号で導通
制御される半導体スイッチ群の電流の和が流れる直流電
路に設けられた電流検出手段と、この電流検出手段を介
して上記第1信号で導通制御される半導体スイッチにそ
れぞれ逆並列接続された第1のダイオード群と、上記半
導体スイッチの他方にそれぞれ逆並列接続された第2の
ダイオード群と、上記電流検出手段によって検出した直
流入力電流に応じてパルス幅変調制御の第2信号を発生
する第2信号発生器と、上記第1信号と第2信号の論埋
積信号により、上記半導体スイッチの他方を導通制御す
る論理回路とを設けることによって、出力電圧のリツプ
ルが小さい高周波変調を行なうことができる。
As described above, according to the present invention, there is provided a plurality of series-connected bodies of semiconductor switches connected in series, which are connected in parallel between the positive and negative input terminals of a DC power supply, and the series connection point of the semiconductor switches is connected to an AC In the bridge-connected semiconductor switch device which serves as an output terminal, a first switch that determines the AC output frequency by periodically and sequentially controlling conduction of either the positive terminal side semiconductor switch or the negative terminal side semiconductor switch.
a first signal generator that generates a signal; a current detecting means provided in a DC circuit through which the sum of currents of a group of semiconductor switches whose conduction is controlled by the first signal flows; a first group of diodes each connected in antiparallel to a semiconductor switch whose conduction is controlled by a signal; a second group of diodes each connected in antiparallel to the other semiconductor switch; and a DC input detected by the current detection means. a second signal generator that generates a second signal for pulse width modulation control in accordance with the current; and a logic circuit that controls conduction of the other semiconductor switch based on a logic signal of the first signal and the second signal. By providing this, high frequency modulation with small ripples in the output voltage can be performed.

更に直流入力電路に電流検出手段を入れることにより、
1つの電流検出手段で交流負荷電流に応答しかつ連続し
た電流の検出が可能となる。
Furthermore, by inserting a current detection means into the DC input circuit,
A single current detection means can respond to an AC load current and detect continuous current.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明の一実施例を示す接続図、第2図は第
1図の動作を説明するための部分状態回路図、第3図、
第4図は夫々この発明の他の夫々の一実施例を示す接続
図、第5図はこの発明の動作波形例を示す図である。 図中、同一符号は同一部分を示す。 図において、1は直流電源、2は半導体スイッチ、3は
ダイオード、4は負荷である。 5は第1周期の第1信号発生器、6は第2信号(on〜
off変調信号)発生器。
FIG. 1 is a connection diagram showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a partial state circuit diagram for explaining the operation of FIG. 1, and FIG.
FIG. 4 is a connection diagram showing other embodiments of the present invention, and FIG. 5 is a diagram showing an example of operating waveforms of the present invention. In the figures, the same reference numerals indicate the same parts. In the figure, 1 is a DC power supply, 2 is a semiconductor switch, 3 is a diode, and 4 is a load. 5 is a first signal generator of the first period, 6 is a second signal generator (on to
off modulation signal) generator.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 直列接続された半導体スイッチの直列接続体を複数
組有し、これを直流電源の正負入力端子間に並列接続し
、上記半導体スイッチの直列接続点を交流出力端子とす
るブリッジ接続半導体スイッチ装置において、上記正端
子側半導体スイッチ又は上記負端子側半導体スイッチの
内、いずれか一方を周期的に順次に導通制御し交流出力
周波数を決定づける第1信号を発生する第1信号発生器
と、上記第1信号で導通制御される半導体スイッチ群の
電流の和が流れる直流電路に設けられた電流検出手段と
、この電流検出手段を介して上記第1信号で導通制御さ
れる半導体スイッチにそれぞれ逆並列接続された第1の
ダイオード群と、上記半導体スイッチの他方にそれぞれ
逆並列接続された第2のダイオード群と、上記電流検出
手段によって検出した直流入力電流に応じてパルス幅変
調制御の第2信号を発生する第2信号発生器と、上記第
1信号と第2信号の論理積信号により上記半導体スイッ
チの他方を導通制御する論理回路とを備えたことを特徴
とするインバータ装置。
1. In a bridge-connected semiconductor switch device that has a plurality of series-connected semiconductor switches connected in parallel, which are connected in parallel between the positive and negative input terminals of a DC power supply, and the series connection point of the semiconductor switches is an AC output terminal. , a first signal generator that periodically and sequentially controls conduction of either the positive terminal side semiconductor switch or the negative terminal side semiconductor switch to generate a first signal that determines the AC output frequency; A current detection means provided in a DC circuit through which the sum of the currents of the semiconductor switches whose conduction is controlled by the signal flows, and a current detection means which is connected in antiparallel to the semiconductor switch whose conduction is controlled by the first signal through the current detection means. a first diode group connected in antiparallel to the other semiconductor switch, and a second diode group connected in antiparallel to the other semiconductor switch, and generates a second signal for pulse width modulation control according to the DC input current detected by the current detection means. and a logic circuit that controls conduction of the other semiconductor switch using an AND signal of the first signal and the second signal.
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