JPS585951Y2 - ハンドウタイアツリヨクケンチソウチ - Google Patents
ハンドウタイアツリヨクケンチソウチInfo
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- JPS585951Y2 JPS585951Y2 JP1974118296U JP11829674U JPS585951Y2 JP S585951 Y2 JPS585951 Y2 JP S585951Y2 JP 1974118296 U JP1974118296 U JP 1974118296U JP 11829674 U JP11829674 U JP 11829674U JP S585951 Y2 JPS585951 Y2 JP S585951Y2
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- JP
- Japan
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- pressure
- case
- detected
- receiving surface
- semiconductor
- Prior art date
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 10
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 7
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、ゲルマニウム及びシリコンなどの半導体のピ
エゾ抵抗効果及び高異方性を利用して圧力を検知する半
導体圧力検知装置に関する。
エゾ抵抗効果及び高異方性を利用して圧力を検知する半
導体圧力検知装置に関する。
従来、この種装置は第1図に示すよう、に受圧面凹部1
0a及び拡散層10bを有する半導体感圧素子10を有
している。
0a及び拡散層10bを有する半導体感圧素子10を有
している。
この素子10の受圧面凹部10aは、筒状の筺体11(
以下ケースと称す)の被検動圧力媒体導入ロ12側に配
置されている。
以下ケースと称す)の被検動圧力媒体導入ロ12側に配
置されている。
また、こめ凹部10aの反対側面に形成された拡散層1
0bは、ケース11の内方に向って配置され、出力端子
13に接続されている。
0bは、ケース11の内方に向って配置され、出力端子
13に接続されている。
この出力端子13は、図示しない前置増幅器を介し検知
表示器あるいは種々の制御器に接続されている。
表示器あるいは種々の制御器に接続されている。
この出力端子13及び素子10は、筒状の支持具14に
より前述のようにしてケース11内に支持されている。
より前述のようにしてケース11内に支持されている。
このように構成され、矢印Aで示した被検知圧力媒体の
圧力変化を前記半導体感圧素子10で抵抗変化に変換し
て圧力を検知している。
圧力変化を前記半導体感圧素子10で抵抗変化に変換し
て圧力を検知している。
しかし、このような構造の装置では、種々の外部圧力が
感圧素子10に加わり正確に被検知圧力媒体の圧力を検
知することができない。
感圧素子10に加わり正確に被検知圧力媒体の圧力を検
知することができない。
すなわち、前記感圧素子10は、ケース11及び保持具
14との間に挟持されているので、矢印B、Cで示した
外部圧力、あるいは素子10の取付は時における外部圧
力が出力特性に影響を与え、さらには、ケース10、保
持具14及び感圧素子10の線膨張率が異なると夫々の
伸縮により感圧素子10に不必要な圧力が加わり正確な
出力を得ることができない。
14との間に挟持されているので、矢印B、Cで示した
外部圧力、あるいは素子10の取付は時における外部圧
力が出力特性に影響を与え、さらには、ケース10、保
持具14及び感圧素子10の線膨張率が異なると夫々の
伸縮により感圧素子10に不必要な圧力が加わり正確な
出力を得ることができない。
本考案は、上記点に対処してなされたもので、種々の外
部圧力の影響を受けることなく昔た各部材の伸縮に影響
されることなく正確な出力を得ることができる半導体圧
力検知装置を提供するものである。
部圧力の影響を受けることなく昔た各部材の伸縮に影響
されることなく正確な出力を得ることができる半導体圧
力検知装置を提供するものである。
すなわち、半導体感圧素子をこの素子と近似した線膨張
率を有する一対の支持リングで挟持し、このリングを介
してケース内に収納し、このリングにより種々の外部圧
力などを吸収し、捷たケースなどの伸縮による影響を防
止するように構成したものである。
率を有する一対の支持リングで挟持し、このリングを介
してケース内に収納し、このリングにより種々の外部圧
力などを吸収し、捷たケースなどの伸縮による影響を防
止するように構成したものである。
以下、本考案の二実施例を第2図及び第3図を参照して
゛説明する。
゛説明する。
20は筒状のケースで、矢印Pで示した被検知圧力媒体
側に導入口20aが開口されている。
側に導入口20aが開口されている。
この導入口20aを形成するつば部20bの内側面には
、シリコン、ゲルマニウムなどで形成された支持リング
21が配置されている。
、シリコン、ゲルマニウムなどで形成された支持リング
21が配置されている。
この支持リング21は、その内径を前記導入口20aの
径と、筐たその外径を前記ケース20の内径と同一に形
成されている。
径と、筐たその外径を前記ケース20の内径と同一に形
成されている。
この支持リング21の前記つば部20bと反対側には、
前記ケース20の内径と同一の外径を有するシリコンな
どの半導体感圧素子22が配置されている。
前記ケース20の内径と同一の外径を有するシリコンな
どの半導体感圧素子22が配置されている。
この素子22は、前記支持リング21の内径と同一径の
受圧面凹部22aを有し、この凹部22aを前記導入口
20a側に配置している。
受圧面凹部22aを有し、この凹部22aを前記導入口
20a側に配置している。
lた、この素子22は、受圧面凹部22aと反対側面に
複数の拡散層22b及びこの拡散層22bに接続された
電極部22cが形成されている。
複数の拡散層22b及びこの拡散層22bに接続された
電極部22cが形成されている。
この拡散層22bは前記受圧面凹部22aと対向する部
分に、曾た電極部22cは外周近傍にそれぞれ形成され
ている。
分に、曾た電極部22cは外周近傍にそれぞれ形成され
ている。
この素子22の反対側面外周には、前記電極部22cに
接続される接続端子23a、23aを有するリング状の
ターミナル板23が取付けられている。
接続される接続端子23a、23aを有するリング状の
ターミナル板23が取付けられている。
昔た、この反対側面には、前記支持リング21・と同様
の材質で形成された支持リング24が配置されている。
の材質で形成された支持リング24が配置されている。
このリング24は、前記受圧面凹部22aの径と同一の
内径を有し、その外周は、前記電極部22cとターミナ
ル板23との接続を妨げないようにその部分を削って波
形に形成されている。
内径を有し、その外周は、前記電極部22cとターミナ
ル板23との接続を妨げないようにその部分を削って波
形に形成されている。
lた、このリング24の前記素子22と反対側には、円
形のリード線取出し板25が配置されている。
形のリード線取出し板25が配置されている。
この取出し板25は、前記受圧面凹部22aと同一の内
径及びケース20と同一の外形を有している。
径及びケース20と同一の外形を有している。
この取出し板25には、前記ターミナル板23に接続さ
れるリード線26,26の取出し口25a。
れるリード線26,26の取出し口25a。
25aが形成されている。
また、この取出し板25の前記リング24と反対側外周
近傍には、筒状の保持具27が配置されている。
近傍には、筒状の保持具27が配置されている。
この保持具21は、前記支持リング21.素子22、支
持リング24及び取出し板25を順にケース20内に収
納支持するものである。
持リング24及び取出し板25を順にケース20内に収
納支持するものである。
なお、ケース20内、には前記リード線26.26が接
続される前置増幅器(図示しない)が収納され、この増
幅器出力は種々の制御器などに供給されている。
続される前置増幅器(図示しない)が収納され、この増
幅器出力は種々の制御器などに供給されている。
また、支持リング21.24の材質はシリコン、ゲルマ
ニウムなどと説明したが、前記素子22の線膨張率に近
似した材質であわばこれに限られることはなく、フェラ
イト、コバゴルなどでもよい。
ニウムなどと説明したが、前記素子22の線膨張率に近
似した材質であわばこれに限られることはなく、フェラ
イト、コバゴルなどでもよい。
このように構成され、被検知圧力媒体は、前記導入口2
0a及び支持リング21の内周面に案内され前記受圧面
凹部22aに供給される。
0a及び支持リング21の内周面に案内され前記受圧面
凹部22aに供給される。
この受圧面凹部22aに供給された圧力は、前記拡散層
22bの抵抗変化に変換される。
22bの抵抗変化に変換される。
この抵抗変化は、前記電極部22c、ターミナル板23
及びリード線26を介して前置増幅器で増幅され種々の
制御信号として供給される。
及びリード線26を介して前置増幅器で増幅され種々の
制御信号として供給される。
ところで、矢印P1 、P2で示した外部圧力、素子
22の取付は時に生じる外部圧力、あるいは各部材の伸
縮による応力が加わった場合について説明する。
22の取付は時に生じる外部圧力、あるいは各部材の伸
縮による応力が加わった場合について説明する。
まず、矢印Pl 、P2で示した外部圧力は、前記ケー
ス20に加えられるが、前記リング21に吸収され素子
22に加えられることはない。
ス20に加えられるが、前記リング21に吸収され素子
22に加えられることはない。
また取付時の外部圧力、すなわち保持具2Tの押圧力も
、前記リング24で吸収され素子22に加えられること
はない。
、前記リング24で吸収され素子22に加えられること
はない。
さらに、各部材、すなわち前記ケース20、保持具21
などの伸縮による影響は、両支持リング21.24と素
子22とが同一線膨張率でしかも一体的に構成されてい
る為、素子22そのものに直接印加されることがなく、
両リング21.24に吸収される。
などの伸縮による影響は、両支持リング21.24と素
子22とが同一線膨張率でしかも一体的に構成されてい
る為、素子22そのものに直接印加されることがなく、
両リング21.24に吸収される。
このように半導体感圧素子22は、外部圧力及び伸縮に
より影響を受けることがなくなる。
より影響を受けることがなくなる。
また、この一実施例によれば素子22の外周近傍にター
ミナル板23を設け、拡散層22bとターミナル板23
の端子23aを同時にボンディングなどの結線をするこ
とができ作動効率を向上させるように構成されている。
ミナル板23を設け、拡散層22bとターミナル板23
の端子23aを同時にボンディングなどの結線をするこ
とができ作動効率を向上させるように構成されている。
筐た、リード線取出し板25を設は各リード線26が保
持具27の内周面に沿って取り出せ、混線したりケース
20内に散在するようなことがないようにも構成されて
いる。
持具27の内周面に沿って取り出せ、混線したりケース
20内に散在するようなことがないようにも構成されて
いる。
本考案は、このように半導体感圧素子を1対の支持リン
グで挟持してケース内に収納支持するように構成したの
で、外部圧力による影響及び伸縮による影響を受けるこ
となく、正確に圧力を検知することができる。
グで挟持してケース内に収納支持するように構成したの
で、外部圧力による影響及び伸縮による影響を受けるこ
となく、正確に圧力を検知することができる。
第1図は従来の半導体圧力検知装置を説明・する為の断
面図、第2図及び第3図は本考案の一害施例を説明する
為の断面図、及び一部:を切欠いて示す部分斜視図であ
る。 ・なお、図中20はケース、21.24は
1対の支持リング、22は半導体感圧素子、22a及び
22bは受圧面凹部及び拡散層、 27は保持具で ある。
面図、第2図及び第3図は本考案の一害施例を説明する
為の断面図、及び一部:を切欠いて示す部分斜視図であ
る。 ・なお、図中20はケース、21.24は
1対の支持リング、22は半導体感圧素子、22a及び
22bは受圧面凹部及び拡散層、 27は保持具で ある。
Claims (1)
- 被検知圧力媒体に接する部分□に形成された受圧面凹部
とこの凹部の反対側面に形成された拡散層とを有する半
導体感圧素子を筐体内に装置し、被検知圧力の変化を電
気的変化に変換して検知する半導体圧力検知装置□にお
いて、前記半導体感圧素子両面の外周縁を゛この素子と
近似した線膨張率を有する1□対の支持リンクで挟持し
、このリングを介して前記素子を筐体内に収納支持した
ことを特徴とする半導体圧力検知装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1974118296U JPS585951Y2 (ja) | 1974-10-02 | 1974-10-02 | ハンドウタイアツリヨクケンチソウチ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1974118296U JPS585951Y2 (ja) | 1974-10-02 | 1974-10-02 | ハンドウタイアツリヨクケンチソウチ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5146383U JPS5146383U (ja) | 1976-04-06 |
JPS585951Y2 true JPS585951Y2 (ja) | 1983-02-01 |
Family
ID=28355719
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1974118296U Expired JPS585951Y2 (ja) | 1974-10-02 | 1974-10-02 | ハンドウタイアツリヨクケンチソウチ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS585951Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60250504A (ja) * | 1984-05-25 | 1985-12-11 | 松下電工株式会社 | 空気清浄器付照明器具 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4865880A (ja) * | 1971-12-10 | 1973-09-10 |
-
1974
- 1974-10-02 JP JP1974118296U patent/JPS585951Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4865880A (ja) * | 1971-12-10 | 1973-09-10 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5146383U (ja) | 1976-04-06 |
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