JPS5858851B2 - Switching circuit for inductance load - Google Patents

Switching circuit for inductance load

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JPS5858851B2
JPS5858851B2 JP51123547A JP12354776A JPS5858851B2 JP S5858851 B2 JPS5858851 B2 JP S5858851B2 JP 51123547 A JP51123547 A JP 51123547A JP 12354776 A JP12354776 A JP 12354776A JP S5858851 B2 JPS5858851 B2 JP S5858851B2
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transistor
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switching transistor
current
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剛二 打越
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はインダクタンス負荷lこ電源を供給するための
スイッチング手段としてトランジスタを用いたスイッチ
ング回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a switching circuit using a transistor as a switching means for supplying power to an inductance load.

スイッチングトランジスタ(こよりインダクタンス負荷
lこ供給する電源をオン・オフする場合、そのオン・オ
フ動作に伴なうスイッチング損失により二次降伏等の現
象を生じる結果、スイッチングトランジスタは往々lこ
して破損を招き易いものである。
Switching transistor (with inductance load) When turning on and off the supplied power, the switching loss associated with the on/off operation causes phenomena such as secondary breakdown, which often leads to damage to the switching transistor. It's easy.

特lこスイッチングトランジスタが遮断されるとき、イ
ンダクタンスをこ流れていた電流はスイッチングトラン
ジスタのコレクタ・ベース間に形成される接合容量を通
してひきつづき流れようとするもので、この洩れ電流が
同トランジスタのベース・エミッタ接合を通して流れる
ことになれば、スイッチングトランジスタの遮断動作は
確実性を欠き、このためコレクタからエミッタに電流が
流れる結果、スイッチング損失を生じて二次降伏として
スイッチングトランジスタを破損せしめることになる。
In particular, when the switching transistor is cut off, the current flowing through the inductance continues to flow through the junction capacitance formed between the collector and base of the switching transistor, and this leakage current flows between the base and base of the switching transistor. If it were to flow through the emitter junction, the switching transistor's cut-off operation would be unreliable, and as a result, current would flow from the collector to the emitter, causing switching losses and damaging the switching transistor as secondary breakdown.

従来、上記の洩れ電流をベースに接続した他のトランジ
スタ回路(こより吸収してスイッチングトランジスタの
ベース・エミッタに流さないことも考えられているが、
このためにはスイッチングトランジスタと略同じ大きさ
の電流容量を有するトランジスタを用いることが必要で
あり、コスト的に得策でない。
Conventionally, it has been considered to absorb the above leakage current from other transistor circuits connected to the base and prevent it from flowing to the base/emitter of the switching transistor.
For this purpose, it is necessary to use a transistor having approximately the same current capacity as the switching transistor, which is not a good idea in terms of cost.

本発明は前記従来のものの欠点を除いたスイッチング回
路を提供するもので以下図面lこ従って之を詳述する。
The present invention provides a switching circuit which eliminates the drawbacks of the conventional circuit, and will be described in detail below with reference to the drawings.

第1図は本発明スイッチング回路の一実施例を示す回路
図であり、トランジスタQS、インダクタL。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the switching circuit of the present invention, including a transistor QS and an inductor L.

、ダイオードD。及びコンデンサCは公知の降圧形DC
−DCコンバータ回路を構成している。
, diode D. and capacitor C are known step-down DC
-Constitutes a DC converter circuit.

即ち、スイッチングトランジスタQ8がオン・オフ動作
することにより一次電源E1−G、間に直列(こ挿入さ
れたトランジスタQ8とインダクタL。
That is, by turning on and off the switching transistor Q8, the primary power source E1-G is connected in series between the transistor Q8 and the inductor L inserted therein.

との接続点に生じる変化電圧をダイオードD。The changing voltage that occurs at the connection point with diode D.

及びコンデンサCにより整流平滑し、インダクタL。and rectification and smoothing by capacitor C, and inductor L.

の出力端OUT#こ二次電源E2が取り出されるもので
ある。
The secondary power source E2 is taken out from the output terminal OUT#.

スイッチングトランジスタQsのコレクタ・ベース間の
接合容量C8bが点線のごとく示される。
A junction capacitance C8b between the collector and base of the switching transistor Qs is shown as a dotted line.

一次電源E1は正の電位、G1は例えば接地等の基準電
位を表わす。
The primary power source E1 represents a positive potential, and G1 represents a reference potential such as ground.

スイッチングトランジスタQ8のベース・エミッタ間に
はトランスTの二次側を形成する第3の巻線N3が一端
を抵抗R1及び順極性のダイオードD2の直列回路を介
してベースに、他端をエミッタtこそれぞれ接続し、ま
た第4の巻線N4が一端を逆極性のダイオードD3を介
してベースに、他端をエミッタにそれぞれ接続している
A third winding N3 forming the secondary side of the transformer T is connected between the base and emitter of the switching transistor Q8, with one end connected to the base via a series circuit of a resistor R1 and a forward polarity diode D2, and the other end connected to the emitter T. A fourth winding N4 has one end connected to the base via a diode D3 of opposite polarity, and the other end connected to the emitter.

トランジスタQ8のベース・エミッタ間には後述する雑
音防止用の抵抗R2が挿入されている。
A resistor R2 for noise prevention, which will be described later, is inserted between the base and emitter of the transistor Q8.

駆動トランジスタQdのベースは一方向の入力パルス信
号が印加される入力端子INに接続され、そのコレクタ
はトランスTの一次側を形成する第1の巻線N1の端子
lに接続されている。
The base of the drive transistor Qd is connected to the input terminal IN to which a unidirectional input pulse signal is applied, and the collector thereof is connected to the terminal l of the first winding N1 forming the primary side of the transformer T.

トランスTの一次側は駆動電源E3−G3の一方E3に
接続される中間タップnを形成した第1の巻線N1と第
2の巻線N2に分割されている。
The primary side of the transformer T is divided into a first winding N1 and a second winding N2 forming an intermediate tap n connected to one E3 of the drive power supplies E3-G3.

駆動電源E3−G3のE3は正の電位、G3は例えば接
地等の基準電位を表わすものであり、第2の巻線N2の
端子mは駆動電源E3−03に対し逆極性のダイオード
D1を介して基準電位G3に接続され、ダイオードD1
)こは抵抗R3が並列に接続されている。
E3 of the drive power source E3-G3 is a positive potential, G3 is a reference potential such as ground, and the terminal m of the second winding N2 is connected to the drive power source E3-03 through a diode D1 of opposite polarity. is connected to the reference potential G3, and the diode D1
) A resistor R3 is connected in parallel.

上記のととく形成されているので、入力端子INに第2
図a(こ示すような時比率制御されたパルス入力信号が
印加されると、時刻t11こおいて駆動トランジスタQ
dは導通して第1の巻線N。
Since the above-mentioned structure is specially formed, the second
Figure a (When a pulse input signal whose duty ratio is controlled as shown in this figure is applied, the drive transistor Q at time t11
d conducts to the first winding N.

lこ電圧E3が印加される。A voltage E3 is applied.

トランスTの各巻線は・印にて示されるそれぞれの極性
を有するよう巻回方向が定められているので第3の巻線
N3にはスイッチングトランジスタQ、をオンする極性
を3 有する電圧値−E3を生じる。
The winding direction of each winding of the transformer T is determined so that it has the respective polarity indicated by the symbol . Therefore, the third winding N3 has a voltage value -E3 having a polarity of 3 to turn on the switching transistor Q. occurs.

(第1乃至第41 の巻線の記号N1〜N4を便宜上それぞれの巻回数と見
做す。
(For convenience, the symbols N1 to N4 of the first to 41st windings are regarded as the respective winding numbers.

)3 上記の電圧値−E3は約3v程度iこなるよう1 第1及び第3の巻線の巻数N1.N3が定められるもの
で、これは、この値が太きすぎると駆動損失が大きくな
り、また、この値より小さすぎるとスイッチングトラン
ジスタQ8のベース・エミッタ電圧が温度変化lこより
変化して適当な値のベース電流を供給し得ぬものである
)3 The above voltage value -E3 is approximately 3V.1 The number of turns of the first and third windings N1. N3 is determined, because if this value is too large, the drive loss will increase, and if it is too small, the base-emitter voltage of the switching transistor Q8 will change due to temperature changes, and the appropriate value will be determined. It is impossible to supply a base current of .

抵抗R1はベース電流の制限抵抗であり、温度変化iこ
よるベース電流の変動が大きくないよう適当な大きさの
抵抗値を有する。
The resistor R1 is a base current limiting resistor, and has an appropriate resistance value so that fluctuations in the base current due to temperature change i are not large.

このようlこして第3の巻線N3に生じ3 る電圧−−E3はスイッチングトランジスタの最大1 負荷電流を充分飽和させるiこ足るベース電流を供給出
来る値に設定される。
In this way, the voltage -E3 generated in the third winding N3 is set to a value that can supply a base current sufficient to saturate the maximum load current of the switching transistor.

スイッチングトランジスタQ8がオンした場合、そのベ
ース・エミッタ間の電圧は約0.8V程度lこなるが、
一方第4の巻線N4には第3の巻線N3と同極性の電圧
を生じるから、この値を約0.5V程度lこなるよう第
4の巻線の巻回数N4を設定することにより逆極性のダ
イオードD3の両端にはそれらの差の約0.3Vの値の
順方向電圧が印加されるが、この程度の電圧ではダイオ
ードD3は導通しない。
When switching transistor Q8 is turned on, the voltage between its base and emitter is about 0.8V, but
On the other hand, since a voltage of the same polarity as that of the third winding N3 is generated in the fourth winding N4, by setting the number of turns N4 of the fourth winding so that this value is about 0.5 V higher than that of the third winding N3. A forward voltage of approximately 0.3 V, which is the difference between the two terminals, is applied to both ends of the diode D3 of opposite polarity, but the diode D3 does not conduct at this level of voltage.

従って第3の巻線N3から供給される電流はダイオード
D3を通して消費されることなく、抵抗R2)こ少量の
損失を生じる以外はすべてスイッチングトランジスタQ
、のベース電流となる。
Therefore, the current supplied from the third winding N3 is not dissipated through the diode D3, and all but the switching transistor Q
, becomes the base current of .

このベース電流lこより一次電源E1からスイッチング
トランジスタQs1インダクタL。
This base current l flows from the primary power supply E1 to the switching transistor Qs1 inductor L.

を通じて図示しない負荷に最大負荷電流を供給する二次
電源E2が出力端OUT#こ得られるものである。
A secondary power source E2 that supplies the maximum load current to a load (not shown) is obtained through the output terminal OUT#.

第1の巻線N1に流れる電流は第2図blこ示されるご
とく抵抗R1を流れる電流のN3/N 1倍の値をもつ
平和な電流■b1と、第1の巻線N1のインダクタンス
を□1とす、とき□161・・−837i 定められる傾斜を有する励磁電流■8、とから形成され
る。
The current flowing through the first winding N1 is N3/N of the current flowing through the resistor R1 as shown in Figure 2. A peaceful current with a value of 1 times b1 and the inductance of the first winding N1 are □ 1, when □161...-837i, and excitation current 8 having a defined slope.

次に、第2図aの時刻t2iこなるとパルス信号は印加
されないので駆動トランジスタQdはオフとなり、第1
の巻線N1を流れる電流はOになるが、第2の巻線N2
には基準電位G3よりダイオードD1を介して正の電位
E3に向って逆流する励磁電流が流れる。
Next, at time t2i in FIG. 2a, no pulse signal is applied, so the drive transistor Qd turns off, and the first
The current flowing through the second winding N1 becomes O, but the current flowing through the second winding N2
An excitation current flows backward from the reference potential G3 toward the positive potential E3 via the diode D1.

このとき第2の巻線N2の両端には電圧E3が印加され
るので第4の巻MN4にはス4 イツチングトランジスタQJこ対する電圧−E32 が発生し、これがダイオードD3を介してトランジスタ
Q5のベース・エミッタに印加されてトランジスタQ8
をオフさせることになる。
At this time, voltage E3 is applied across the second winding N2, so a voltage -E32 is generated across the fourth winding MN4 across the switching transistor QJ, and this is applied to the transistor Q5 via the diode D3. Applied to the base-emitter of transistor Q8
will be turned off.

スイッチングトランジスタQ、のオフによりそのエミッ
タ電圧は下降し、従ってそのベース電圧も下降すること
lこなるので、コレクタ・ベース間の接合容量C8bを
通じて充電電流■。
When the switching transistor Q is turned off, its emitter voltage falls, and therefore its base voltage also falls, so that a charging current flows through the collector-base junction capacitance C8b.

OBが流れる。OB flows.

この電流[。OBはトランジスタQ8の最大負荷電流に
略等しい値であり、これがベースに流れ込むとトランジ
スタQ5は完全(こオフにならずコレクタからエミッタ
iこ向って電流が流れ瞬間的(こ大きい損失を生じる結
果、二次降伏を起してトランジスタQ8を破損させる原
因になるが、ベースに接続されたダイオードD3及び第
4の巻線N4の直列回路を通して上記の充電電流■。
This current [. OB has a value approximately equal to the maximum load current of the transistor Q8, and when this flows into the base, the transistor Q5 is not turned off completely, but the current flows from the collector to the emitter and instantaneously (as a result of causing a large loss, The above charging current (2) is passed through the series circuit of the diode D3 connected to the base and the fourth winding N4, although this causes secondary breakdown and damage to the transistor Q8.

oBはバイパスされるのでトランジスタQsのベースに
流れ込むことはない。
Since oB is bypassed, it does not flow into the base of transistor Qs.

この電流は第2の巻線N2にN4■ooBの値の電流と
して伝送されるが、こ2 れは前記の基準電位G3よりダイオードD1を介して正
の電位E31こ向って逆流する励磁電流に含まれる。
This current is transmitted to the second winding N2 as a current with a value of N4 ooB, but this current is transferred from the reference potential G3 to the positive potential E31 through the diode D1 and becomes an exciting current that flows backwards. included.

第2図Cには第2の巻線N2Iこ流れる電流■n2の様
子が示されている。
FIG. 2C shows the current ■n2 flowing through the second winding N2I.

即ち、時刻t2において駆動トランジスタQdがオフし
たとき第2の巻線N2(こは時刻t2ニおいて第1の巻
線N、IC,流れて1 いた励磁電流IX7に基き−■X1の値の逆方向2 の励磁電流が流れようとするが、実際は前記したごとく
これから充電電流■。
That is, when the drive transistor Qd is turned off at time t2, the value of -■ The excitation current in the opposite direction 2 is about to flow, but in reality, as mentioned above, the charging current 2 is about to flow.

oB+こ基いて第2の巻4 線N21こ伝送される電流−I。oB + Ko base Volume 2 4 Current -I transmitted through line N21.

OBを差し引いた2 4 電流が流れることになる。2 minus OB 4 Current will flow.

−IooBに相当する2 電流は図のバンチングを施した部分として示される。-2 corresponding to IooB The current is shown as the bunched portion of the figure.

更に第2の巻線N2に流れるこの励磁電流は第2の巻1
mN2のインダクタンスをL2とするとき、L2d I
、↓=E3で定まる傾斜iこより減少して09こi なるが、(]こなるとダイオードD1tこ電流は流れな
くなり第2の巻線N2の端子mにおける電圧は1・1 弐E3(1e L2)E従って上昇し、遂(こは電圧
E3(こ達する。
Furthermore, this exciting current flowing through the second winding N2
When the inductance of mN2 is L2, L2d I
, ↓=The slope i is determined by E3, and it becomes 09 koi. However, when this happens, the current no longer flows through the diode D1t, and the voltage at the terminal m of the second winding N2 becomes 1.1 2 E3 (1e L2) E therefore rises and finally reaches voltage E3.

抵抗R3は端子mlこおける電圧の上昇原炭を遅くする
ことによりトランスの各巻線の浮遊容量に基く振動電圧
の発生を抑止するよう適当な値Iこ選定される。
Resistor R3 is selected to have an appropriate value I to slow the rise in voltage across terminal ml, thereby suppressing the generation of oscillating voltages due to the stray capacitance of each winding of the transformer.

抵抗R2は雑音電流Iこよりスイッチングトランジスタ
Q8のオフが不確実tこなるのを防止するようこの雑音
電流をバイパスするためのものである。
The resistor R2 is provided to bypass the noise current so as to prevent the switching transistor Q8 from being turned off uncertainly due to the noise current I.

第2図dは駆動トランジスタQdのコレクタ電圧の各時
刻における様子を示すもので時刻t1から時刻t2まで
のパルス信号が入力されてオンの状態の間は電圧Oであ
るが、オフになった直後1 E3(1+−)の値の電圧Eこ上昇する。
Figure 2d shows the state of the collector voltage of the drive transistor Qd at each time.The voltage is O while the pulse signal is input from time t1 to time t2 and it is on, but immediately after it is turned off. 1 E3 (1+-) voltage E increases.

従って駆2 動トランジスタQdはこの電圧tC耐えることを要する
Therefore, the driving transistor Qd is required to withstand this voltage tC.

この図のオン及びオフ状態における電圧時間積(それぞ
れφ1及びφ2Iこて示す。
The voltage-time products in the on and off states of this figure (φ1 and φ2I trowels are shown, respectively).

)は当然等しくなる。) are naturally equal.

第2図eは第2の巻線N2の端子mlこおける電圧波形
を示し、これは第2図dの駆動トランジスタQdのコレ
クタ電圧波形と逆であり、且つその電圧値は第1の巻線
N1の巻回数に対する第2の巻線N2の巻回数の比でき
まり、この実施例(こおいては小さい値になる。
FIG. 2e shows the voltage waveform at the terminal ml of the second winding N2, which is opposite to the collector voltage waveform of the drive transistor Qd in FIG. It is determined by the ratio of the number of turns of the second winding N2 to the number of turns of N1, and is a small value in this embodiment.

第2図fは第3の巻線N3の電流波形、第2図gは第4
の巻線N4の電流波形をそれぞれ示している。
Fig. 2 f shows the current waveform of the third winding N3, Fig. 2 g shows the current waveform of the fourth winding N3.
The current waveforms of the winding N4 are shown respectively.

第2図りはスイッチングトランジスタQsのエミッタに
おける電圧波形を、第2図gはインダクタL。
The second diagram shows the voltage waveform at the emitter of the switching transistor Qs, and the second diagram g shows the inductor L.

を流れる電流波形をそれぞれ表わし、スイッチングトラ
ンジスタQ8がオンすると一次電源E、とインダクタL
When the switching transistor Q8 is turned on, the primary power supply E and the inductor L are
.

のインダクタンスIこまって定まる傾斜(こより増加す
る電流IQ1がインダクタL。
The slope is determined by the inductance I of the inductor L.

(こ流れる。(It flows.

次(こスイッチングトランジスタQ、がオフすると、そ
のコレクタ・ベースの接合容量Cobを通って充電電流
り。
Next, when the switching transistor Q is turned off, a charging current flows through its collector-base junction capacitance Cob.

OBが短時間流れ、引続きダイオードD。OB flows for a short time, followed by diode D.

を通って漸減する電流■Doが流れることが示されてい
る。
It is shown that a gradually decreasing current ■Do flows through it.

パルス入力信号が更び入力端子[NIこ印加されると上
記の動作は繰り返されるものである。
When the pulse input signal is further applied to the input terminal [NI], the above operation is repeated.

上述したように本発明回路によれば、駆動トランジスタ
のコレクタ、エミッタ回路に挿入されたトランスの一次
側lこ中間タップを設けることlこより、駆動トランジ
スタの導通時lこ一方の巻線を流れる励磁電流によって
スイッチングトランジスタを導通させる正電圧を、また
駆動トランジスタの遮断時に他方の巻HEこ流れる逆励
磁電流lこよってスイッチングトランジスタを遮断せし
める逆電圧を得るよう、一次側巻線のそれぞれに結合す
る二次巻線を備えるトランスを使用することにより、別
個lこ逆駆動手段を形成する必要がないので、この逆駆
動手段を適正な動作状態に設定する煩わしさもなく、構
成が簡単であってコストが低廉であるfこ拘らず、スイ
ッチングトランジスタの破損を確実lこ防止出来ると共
に、スイッチング速度を早くすることが可能(こなるの
で、インダクタンス負荷のスイッチングを行なうための
信頼性に富み且つ性能のすぐれたスイッチング回路を実
現でキルものである。
As described above, according to the circuit of the present invention, an intermediate tap is provided on the primary side of the transformer inserted in the collector and emitter circuits of the drive transistor, so that when the drive transistor is conductive, the excitation flowing through the winding of this side is The two primary windings are coupled to each of the primary windings so as to obtain a positive voltage which conducts the switching transistor by the current, and a reverse excitation current which flows through the other winding when the drive transistor is cut off, thereby producing a reverse voltage which turns off the switching transistor. By using a transformer with a secondary winding, there is no need to form a separate reverse drive means, so there is no hassle of setting this reverse drive means to a proper operating state, and the construction is simple and cost-effective. Despite being inexpensive, it is possible to reliably prevent damage to the switching transistor and increase the switching speed. It is a kill thing to realize the switching circuit.

第1図の実施例Eこおいて降圧形DC−DCコンバータ
回路について述べたが、昇圧形DC−DCコンバータ回
路は勿論のこと、その他のインダクタンス負荷に電源を
印加する場合等(こ使用して本発明回路はきわめて有用
なものである。
Although the step-down DC-DC converter circuit has been described in Embodiment E in FIG. The circuit of the invention is extremely useful.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明スイッチング回路を用いた降圧形DC−
DCコンバータ回路の一実施例、第2図は第1図の回路
の各部における波形図をそれぞれ示す。 Lo・・・・・・インダクタ、Q8・・・・・・スイッ
チングトランジスタ、Qd・・・・・・駆動トランジス
タ、T・・・・・・トランス、N1・・・・・・第1の
巻線、N2・・・・・・第2の巻線、N3・・・・・・
第3の巻線、N4・・・・・・第4の巻線、Dl・・・
・・・第1のダイオードs D2・・・・・・第2のダ
イオード、D3・・・・・・第3のダイオード。
Figure 1 shows a step-down DC-DC converter using the switching circuit of the present invention.
One embodiment of the DC converter circuit, FIG. 2 shows waveform diagrams at various parts of the circuit of FIG. 1, respectively. Lo...Inductor, Q8...Switching transistor, Qd...Drive transistor, T...Transformer, N1...First winding , N2... second winding, N3...
Third winding, N4...Fourth winding, Dl...
...First diode s D2...Second diode, D3...Third diode.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 インダクタンスを含む負荷lこ供給される電源をオ
ン・オフするスイッチングトランジスタと、入力パルス
信号の有無に応じてオン・オフ動作する駆動トランジス
タと、該駆動トランジスタ及び前記スイッチングトラン
ジスタを結合するトランスとからなり、該トランスは中
間タップが駆動電源の一方に接続され、一端が前記駆動
トランジスタを介し、他端が前記駆動電源Eこ対して逆
極性の第1のダイオードを介して共に前記駆動電源の他
方lこ接続されてなる一次巻線の前記中間タップIこよ
り分割される第1の巻線及び第2の巻線、前記スイッチ
ングトランジスタのベース・エミッタ間に順極性の第2
のダイオードを介して接続される第3の巻線、及び前記
スイッチングトランジスタのベース・エミッタ間に逆極
性の第3のダイオードを介して接続される第4の巻線を
それぞれ備えてなり、前記第3の巻線は前記駆動トラン
ジスタがオンしたとき電流が通じる前記第1の巻線lこ
より付勢されて前記第2のダイオードを導通して前記ス
イッチングトランジスタにこれをオン状態にする電流を
供給し、前記第4の巻線は前記駆動トランジスタがオフ
したとき励磁電流が通じる前記第2の巻線により付勢さ
れて前記第3のダイオードを導通して前記スイッチング
トランジスタlここれをオフ状態lこする逆電圧を供給
することを特徴とするインダクタンス負荷用スイッチン
グ回路。 2 第3の巻線は少なくともスイッチングトランジスタ
の最大負荷電流を飽和させる(こ足る電流を供給する充
分な電圧を発生するよう形成されたことを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載のインダクタンス負荷用スイッ
チング回路。 3 第4の巻線はスイッチングトランジスタがオンした
際、第3のダイオードを導通せしめない所要のレベルの
逆電圧を前記第3のダイオードに印加することを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載のインダクタンス負荷用
スイッチング回路。
[Claims] 1. A switching transistor that turns on and off a power supply supplied to a load including an inductance, a drive transistor that turns on and off depending on the presence or absence of an input pulse signal, and the drive transistor and the switching transistor. The transformer has an intermediate tap connected to one of the drive power supplies, one end connected to the drive transistor, and the other end connected to the drive power supply E through a first diode of opposite polarity. A first winding and a second winding are separated from the intermediate tap I of the primary winding, which are both connected to the other of the drive power supply, and a forward polarity second winding is connected between the base and emitter of the switching transistor.
a third winding connected through a diode, and a fourth winding connected between the base and emitter of the switching transistor through a third diode of opposite polarity; The winding No. 3 is energized by the first winding through which current flows when the drive transistor is turned on, and supplies a current that conducts the second diode and turns it on to the switching transistor. , the fourth winding is energized by the second winding through which excitation current flows when the drive transistor is turned off, conducts the third diode, and turns the switching transistor into the off state. A switching circuit for an inductance load, which is characterized by supplying a reverse voltage. 2. The inductance load according to claim 1, wherein the third winding is formed to generate a voltage sufficient to saturate at least the maximum load current of the switching transistor. 3. The fourth winding applies a reverse voltage to the third diode at a required level that does not cause the third diode to conduct when the switching transistor is turned on. The switching circuit for an inductance load according to item 1.
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