JPS5858822B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS5858822B2 JPS5858822B2 JP51145288A JP14528876A JPS5858822B2 JP S5858822 B2 JPS5858822 B2 JP S5858822B2 JP 51145288 A JP51145288 A JP 51145288A JP 14528876 A JP14528876 A JP 14528876A JP S5858822 B2 JPS5858822 B2 JP S5858822B2
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/0601—Structure
- H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、電気により電磁波（赤外、可視あＬるいは
紫外線を含む、以下光と呼ぶ）を発生する発光素子と、
この電磁波を受けてその特性が変化する受光素子（ホト
ダイオード、ホ））ランジスタ、ホトサイリスタ、ある
いは太陽電池等）とを組合わせて、電気信号を一度光信
号に変換し、再度電気信号にもどす光結合半導体素子（
一般にホトカプラｐｈｏｔｏ ｃｏｕｐｌｅｒと呼ばれ
ている）の改良構造に関するものである。
紫外線を含む、以下光と呼ぶ）を発生する発光素子と、
この電磁波を受けてその特性が変化する受光素子（ホト
ダイオード、ホ））ランジスタ、ホトサイリスタ、ある
いは太陽電池等）とを組合わせて、電気信号を一度光信
号に変換し、再度電気信号にもどす光結合半導体素子（
一般にホトカプラｐｈｏｔｏ ｃｏｕｐｌｅｒと呼ばれ
ている）の改良構造に関するものである。
第１図は従来のホトカプラの斜視図、第２図はその平面
図ａ、正面図ｂ、側面図Ｃである。
図ａ、正面図ｂ、側面図Ｃである。
図において、１はホトカプラ、２°ａ、２ｂは入力端子
、３は無接続端子、４ ａ ） ４ ｂ ２４ ｃは出
力端子、５は封止用樹脂である。
、３は無接続端子、４ ａ ） ４ ｂ ２４ ｃは出
力端子、５は封止用樹脂である。
このような従来のホトカプラはシュアルライン（Ｄｕａ
ｌ １ｎｌｉｎｅ ）形状をしている。
ｌ １ｎｌｉｎｅ ）形状をしている。
このようなシュアルインラインの形状では２列のピン間
隔はおよそｙインチであり、３本のピンの間隔は名イン
チである。
隔はおよそｙインチであり、３本のピンの間隔は名イン
チである。
このためこのホトカプラで消費できる電力損失はおよそ
０．２５Ｗであう、これ以上消費させることはできない
。
０．２５Ｗであう、これ以上消費させることはできない
。
またピンが２列に並んでいるため、プリント基板に実装
する場合、大きな実装面積が必要であるという不具合が
あった。
する場合、大きな実装面積が必要であるという不具合が
あった。
この発明は上記のような従来のホトカプラの欠点を除去
するためになされたもので、実装面積を小さくし、入出
力間の絶縁耐力を向上させ、さらに大きな電力を消費で
きるホトカプラを提供するものである。
するためになされたもので、実装面積を小さくし、入出
力間の絶縁耐力を向上させ、さらに大きな電力を消費で
きるホトカプラを提供するものである。
以下この発明の一実施例を第３図乃至第６図により説明
する。
する。
図中第１図、第２図と同一符号は相当する部分を示すも
のであり、説明を省略する。
のであり、説明を省略する。
第３図はこの発明の一実施例を示す遮視図で、第４図は
その平面図ａ′、正面図ｂ、側面図Ｃである。
その平面図ａ′、正面図ｂ、側面図Ｃである。
図において、６はホトカプラ内部で発生した熱を外部あ
るいは外部放熱ラインに伝達放熱するための放熱フィン
である。
るいは外部放熱ラインに伝達放熱するための放熱フィン
である。
そして入力端子２ ａ ｓ ２ ｂは本体の両側から各
１本づつ導出され放熱フィン６とは反対方向に折り曲げ
られ、また出力端子４ａｔ４ｂｔ４ｃｉＩ′ｉ放熱フイ
ン６とは反対側から導出されている。
１本づつ導出され放熱フィン６とは反対方向に折り曲げ
られ、また出力端子４ａｔ４ｂｔ４ｃｉＩ′ｉ放熱フイ
ン６とは反対側から導出されている。
これら入力端子２ ａ 、２ ｂと出力端子４ａｔ４ｂ
ｔ４ｃは同一平面上に導出されているため、プリント基
板上で一線上に並べて実装でき、実装面積を小さくする
ことができる。
ｔ４ｃは同一平面上に導出されているため、プリント基
板上で一線上に並べて実装でき、実装面積を小さくする
ことができる。
しかも入出力端子間に必要な絶縁沿面距離をとることが
できる。
できる。
第５図は上述したようなホトカプラを封止用樹脂５でモ
ールドする前の状態な示す斜視図で、発光素子７が装着
された入力端子フレーム２と、受光素子８が装着された
出力端子フレーム４とが別々になっている。
ールドする前の状態な示す斜視図で、発光素子７が装着
された入力端子フレーム２と、受光素子８が装着された
出力端子フレーム４とが別々になっている。
図で９ ａ 、９ ｂ ｓ ９ ｃは内部接続リード線
、１０ａ。
、１０ａ。
１０ｂ、ｌｌａ、１ｌｂｉｊ位置決め用のフレーム穴で
ある。
ある。
第６図はこれら２つのフレーム２，４を位置決め穴１０
ａと１０ ｂ ｔ １１ ａと１１ｂとで一致させ、発
光素子７と受光素子８とを向い合わせて組合わせた場合
の斜視図である。
ａと１０ ｂ ｔ １１ ａと１１ｂとで一致させ、発
光素子７と受光素子８とを向い合わせて組合わせた場合
の斜視図である。
ホトカプラで重要なのは発光素子７と受光素子１と受光
素子８との距離であり、これが短かすぎるとホトカプラ
の入力端子２ａ、２ｂと出力端子４ａ、４ｂ。
素子８との距離であり、これが短かすぎるとホトカプラ
の入力端子２ａ、２ｂと出力端子４ａ、４ｂ。
４ｃ間の絶縁耐力が低下し、長すぎると発光素子１で発
生した光が受光素子８にうまく伝達しなくなり、電気信
号の伝達率が悪くなる。
生した光が受光素子８にうまく伝達しなくなり、電気信
号の伝達率が悪くなる。
そのためにこの発明によるホトカプラでは組立段階で、
入力端子フレーム２と出力端子フレーム４とを発光、受
光部をはさむ両側で固定し、発光、受光部を樹脂封止す
るようにしている。
入力端子フレーム２と出力端子フレーム４とを発光、受
光部をはさむ両側で固定し、発光、受光部を樹脂封止す
るようにしている。
また全てのフレーム及び端子は１つの平面上に並べられ
ているから、封止用樹脂５をモールドするための金型も
複雑な割型を作る必要はなく、２分割の一般的な金型で
よい。
ているから、封止用樹脂５をモールドするための金型も
複雑な割型を作る必要はなく、２分割の一般的な金型で
よい。
さらにホトカプラでは受光素子８側の消費電力な大きく
したい場合、受光素子８の最高使用温度が１００°Ｃ〜
１５０℃と限られているため、受光素子８な冷却しなけ
ればならない。
したい場合、受光素子８の最高使用温度が１００°Ｃ〜
１５０℃と限られているため、受光素子８な冷却しなけ
ればならない。
このため受光素子８を装着した出力端子フレーム４を大
きくして放熱フィン６を形成し、出力端子４ａ。
きくして放熱フィン６を形成し、出力端子４ａ。
４ｂ、４ｃの反対側から外部に出して冷却効果を高める
ようにしている。
ようにしている。
これとは逆に発光素子１をより冷却したい場合には発光
素子７を放熱フィン６に装着可能である。
素子７を放熱フィン６に装着可能である。
以上のようにこの発明によれば実装面積が小さく、大き
な電力を清酒できるホトカプラが得られ、またその発光
素子と受光素子間の絶縁距離を正確に保つことができる
など多くの効果を有するものである。
な電力を清酒できるホトカプラが得られ、またその発光
素子と受光素子間の絶縁距離を正確に保つことができる
など多くの効果を有するものである。
第１図は従来のホトカプラを示す斜視図、第２図はその
平面図ａ、正面図ｂ、側面図Ｃ１第３図はこの発明の一
実施例を示す斜視図、第４図はその平面図ａ、正面図ｂ
、側面図Ｃ１第５図、第６図は第３図のもの瓦製作工程
を示す斜視図である。 図中、２は入力端子フレーム、２ａ、２ｂは入力端子、
４は出力端子フレーム、４ａｙ４ｂ、４ｃは出力端子、
５は封止用樹脂、６は放熱フィン、７は発光素子、８は
受光素子である。 なお図中同一符号は同一または相当する部分を示す。
平面図ａ、正面図ｂ、側面図Ｃ１第３図はこの発明の一
実施例を示す斜視図、第４図はその平面図ａ、正面図ｂ
、側面図Ｃ１第５図、第６図は第３図のもの瓦製作工程
を示す斜視図である。 図中、２は入力端子フレーム、２ａ、２ｂは入力端子、
４は出力端子フレーム、４ａｙ４ｂ、４ｃは出力端子、
５は封止用樹脂、６は放熱フィン、７は発光素子、８は
受光素子である。 なお図中同一符号は同一または相当する部分を示す。
Claims (1)
- １ 発光素子と受光素子とを組合わせ、光を介して発光
素子から受光素子へ電気信号を伝達するホトカプラにお
いて、上記発光素子と受光素子を封入する直方体の樹脂
封止０４つの側面と直交する平面上に、４つの側面の１
つから複数の出力端子を出し、上記１つの側面に隣接す
る２つの側面から夫々１個ずつの入力端子を出してこれ
を上記出力端子の導出方向と同じ方向に夫夫９０’曲げ
、残ジの１つの側面から放熱フィンを出したことを′特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51145288A JPS5858822B2 (ja) | 1976-12-02 | 1976-12-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51145288A JPS5858822B2 (ja) | 1976-12-02 | 1976-12-02 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5368992A JPS5368992A (en) | 1978-06-19 |
| JPS5858822B2 true JPS5858822B2 (ja) | 1983-12-27 |
Family
ID=15381664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51145288A Expired JPS5858822B2 (ja) | 1976-12-02 | 1976-12-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5858822B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0646971B1 (de) | 1993-09-30 | 1997-03-12 | Siemens Aktiengesellschaft | Zweipoliges SMT-Miniatur-Gehäuse für Halbleiterbauelemente und Verfahren zu dessen Herstellung |
| WO1999007023A1 (de) | 1997-07-29 | 1999-02-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg | Optoelektronisches bauelement |
-
1976
- 1976-12-02 JP JP51145288A patent/JPS5858822B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5368992A (en) | 1978-06-19 |
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