JPS5858733A - 荷電ビ−ム露光方法 - Google Patents
荷電ビ−ム露光方法Info
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- JPS5858733A JPS5858733A JP15851581A JP15851581A JPS5858733A JP S5858733 A JPS5858733 A JP S5858733A JP 15851581 A JP15851581 A JP 15851581A JP 15851581 A JP15851581 A JP 15851581A JP S5858733 A JPS5858733 A JP S5858733A
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- wafer
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、試料(ウェハ)の高さ情@を予め測定してお
き、この高さ情報と試料面上に設けられているウェハ・
マークの検出情報と金用い。
き、この高さ情報と試料面上に設けられているウェハ・
マークの検出情報と金用い。
チップ・マークは一切不要で変形した試料にも高精度p
tl zJ?ターンを直接描画するようにした荷電ビー
ム無光方法に関する。
tl zJ?ターンを直接描画するようにした荷電ビー
ム無光方法に関する。
従来のこの槍の荷電ビーム露光は、特開昭55−102
228号公報(%願昭54−008154号;発明の名
称「電子ビームに光装置」)に示されているように、/
9ターン描画に先立って試料即ちウェハの高さ情報を測
定してこれを記録しておき、描画に際しては試料に設け
られている2 <mのウェハ・マークと各チップに1個
ずつ設けられているチップ・マーク′に#電ビーム露光
装置自体で検出し、これらの検出結果と上記の記録結果
とを用いて試料設置誤差即ちXY方向のシフト並びに回
転を補正して・9タ一ン金描画している。しかし。
228号公報(%願昭54−008154号;発明の名
称「電子ビームに光装置」)に示されているように、/
9ターン描画に先立って試料即ちウェハの高さ情報を測
定してこれを記録しておき、描画に際しては試料に設け
られている2 <mのウェハ・マークと各チップに1個
ずつ設けられているチップ・マーク′に#電ビーム露光
装置自体で検出し、これらの検出結果と上記の記録結果
とを用いて試料設置誤差即ちXY方向のシフト並びに回
転を補正して・9タ一ン金描画している。しかし。
(1) ウェハ・マークが2個である*kt)x y
方向のシフトと回転は補正できるが、試料の高さ測定後
にグロセ哀処理によシ生じる異方性の熱変形は補正でき
ない。また (2)高さ情報の記録結果と検出結果とに基づく補正に
は格別の工夫がなく且つウニ/S・マークが2個である
ため、チップ毎にチップ形状の歪を補正することができ
ず、極めて高精度な描画としては十分とは言えない。
方向のシフトと回転は補正できるが、試料の高さ測定後
にグロセ哀処理によシ生じる異方性の熱変形は補正でき
ない。また (2)高さ情報の記録結果と検出結果とに基づく補正に
は格別の工夫がなく且つウニ/S・マークが2個である
ため、チップ毎にチップ形状の歪を補正することができ
ず、極めて高精度な描画としては十分とは言えない。
(3) チップ毎に1回のチップ・マーク検出を要す
るため、荷電ビーム゛露光装置における描画の生産性が
損われてしまう。
るため、荷電ビーム゛露光装置における描画の生産性が
損われてしまう。
(4)チップ・マーク管必要とするため、チツ!のパタ
ーン設計にあ九ってはチップ・マーク領域を確保せねば
ならず、パターン密度が高くできない。
ーン設計にあ九ってはチップ・マーク領域を確保せねば
ならず、パターン密度が高くできない。
という欠点がある。
本発明は上述した従来技術の固点を解決し。
荷電ビーム露光において高精度なパターン描画t−高い
生産性のもとに災現すると共に、チップのノ母ターン設
計においてはチップ内のチップ・マーク領域を一掃して
ノリーン密度の向上を図ることができる荷電ビーム露光
方法を提供することを目的とする。この目的を達成する
ため。
生産性のもとに災現すると共に、チップのノ母ターン設
計においてはチップ内のチップ・マーク領域を一掃して
ノリーン密度の向上を図ることができる荷電ビーム露光
方法を提供することを目的とする。この目的を達成する
ため。
本発明では、ウェハ・マークは少くとも1個とし、予め
得た試料の高さ測定情報とウェハ・マークの検出結果と
からチップ四角の位置を数式演算で高精度に算出して推
定し、この推定位置を用いることにより、チップ・マー
ク自体及びその検出を一切必要とせずにチップ形状を補
正しながらノリーンを描画する。以下2図面に基づいて
本発明を説明する。
得た試料の高さ測定情報とウェハ・マークの検出結果と
からチップ四角の位置を数式演算で高精度に算出して推
定し、この推定位置を用いることにより、チップ・マー
ク自体及びその検出を一切必要とせずにチップ形状を補
正しながらノリーンを描画する。以下2図面に基づいて
本発明を説明する。
第1図は本発明の一実施例に係る補正描画動作を表現す
るフロー図、第2図は試料の高さ測定をする際の測定点
を示す説明図、第3図は測定点を結ぶ試料面上の曲線C
x、cyとそれの近似関数fx、f建示す説明図、第4
図は仮想チップ・マーク位置の推定を示す説明図、第5
図(a)〜(C)は補正の過程を段階的に示す説明図で
ある。但 □し、第5図では理解の便のため試料は
長方形状で示した。
るフロー図、第2図は試料の高さ測定をする際の測定点
を示す説明図、第3図は測定点を結ぶ試料面上の曲線C
x、cyとそれの近似関数fx、f建示す説明図、第4
図は仮想チップ・マーク位置の推定を示す説明図、第5
図(a)〜(C)は補正の過程を段階的に示す説明図で
ある。但 □し、第5図では理解の便のため試料は
長方形状で示した。
第1図によ〕説明すると、パターン描画に先立ち第1f
vxツク鳳に示す如く試料の高さ分布即ち、測定点(K
ey)に対する高さzt−測定する。測定点は菓2図に
示すように、試料10における各チツ7’llの四角の
点12と4個のウェハ・マーク13〜16とを含む格子
点状にしである。格子点間隔は目標の描画精度に応じて
設定するが1例えば0.5μ病ルール・パターン描画に
必要とする重ね合せ精度士Q、1μ鋼(但し。
vxツク鳳に示す如く試料の高さ分布即ち、測定点(K
ey)に対する高さzt−測定する。測定点は菓2図に
示すように、試料10における各チツ7’llの四角の
点12と4個のウェハ・マーク13〜16とを含む格子
点状にしである。格子点間隔は目標の描画精度に応じて
設定するが1例えば0.5μ病ルール・パターン描画に
必要とする重ね合せ精度士Q、1μ鋼(但し。
3#値)t−4インチウェハで得るには2−程度の格子
点間隔が良い。
点間隔が良い。
次に、上記の高さ測定結果とウェハ・マーク座標及びチ
ップの設計データとから、第2ノロツク2にて仮想チッ
プ・マーク位wを算出し、第3fロツク3にてウェハ・
マー)位[r算出する。仮想チップ・マークとは各チッ
プ11の四角の点12を言うが、実際にはチップ上にこ
の点!2のマークは存在していない。なお、従来では四
角の点に現実にマークを設け、これを検出してチップ形
状の情報を得ていた。
ップの設計データとから、第2ノロツク2にて仮想チッ
プ・マーク位wを算出し、第3fロツク3にてウェハ・
マー)位[r算出する。仮想チップ・マークとは各チッ
プ11の四角の点12を言うが、実際にはチップ上にこ
の点!2のマークは存在していない。なお、従来では四
角の点に現実にマークを設け、これを検出してチップ形
状の情報を得ていた。
仮想チップ・マークの位置は次のように推定する。まず
第3図に示すように、仮想チップ・マークCI、J)が
位置すべき測定点を通る試料面10a上のX、Y各方向
の2つの曲線Cx。
第3図に示すように、仮想チップ・マークCI、J)が
位置すべき測定点を通る試料面10a上のX、Y各方向
の2つの曲線Cx。
C建仮定し、これを近似する関数fx、 fy?全測定
点の座標(xsy*g)t−用いて求める・但し、第3
図中の17は測定の格子である。近似は例えば最小二乗
法により6次の多項式で求めるが、ウェハが3インチの
場合には4次の多項式でも良い。なお、原理的にはスプ
ライン関数やベジェの関数を用いて近似できるが、高さ
測定の誤差の影響を減じるには最小二乗法による多項式
近似が良い。かくして近似関数fXi’; −fβ得た
ら予め設定した原点から近似関数fx1fyt″線積分
し、IviI積分値fx、fy即ち曲線cx、 cy上
での道のシが仮想チップ・マーク位置の設計値c x’
、 y’ )に一致するときのX′及びy′を求める
。
点の座標(xsy*g)t−用いて求める・但し、第3
図中の17は測定の格子である。近似は例えば最小二乗
法により6次の多項式で求めるが、ウェハが3インチの
場合には4次の多項式でも良い。なお、原理的にはスプ
ライン関数やベジェの関数を用いて近似できるが、高さ
測定の誤差の影響を減じるには最小二乗法による多項式
近似が良い。かくして近似関数fXi’; −fβ得た
ら予め設定した原点から近似関数fx1fyt″線積分
し、IviI積分値fx、fy即ち曲線cx、 cy上
での道のシが仮想チップ・マーク位置の設計値c x’
、 y’ )に一致するときのX′及びy′を求める
。
即ち。
T、 =fX′% dx = X’ −・・式
(1)ζ−ゲ’ q dy = y′ ・・
・式(2)を満足する座標(x’、y’)を演算によシ
求める。
(1)ζ−ゲ’ q dy = y′ ・・
・式(2)を満足する座標(x’、y’)を演算によシ
求める。
第4図にはX方向の座標X′の算出のみを例示しである
。但し第4図中、lO′は第5図(a)の如き設計時の
平担な試料、 10“は第5図(ロ)の如くプロセス
地塊により変形した実際の試料、is扛基準面、19は
X方向の原点である。
。但し第4図中、lO′は第5図(a)の如き設計時の
平担な試料、 10“は第5図(ロ)の如くプロセス
地塊により変形した実際の試料、is扛基準面、19は
X方向の原点である。
上述の演算を試料上の全チップの四角にあたる仮想チッ
プ・マークについて行い、その座標(Xi * Vi
)3を得る。但し、i=1〜4. j=1〜Nであ)
、Nは試料上のチップ数である。
プ・マークについて行い、その座標(Xi * Vi
)3を得る。但し、i=1〜4. j=1〜Nであ)
、Nは試料上のチップ数である。
また、上述と同様にして試料上の4個のウェハ・マーク
凰、3〜16の位i1についても、近似関数と設計値と
【用いて第3ブロツク3にて算出しておく。これらのX
、Y方向の位置座標【’ mk’ ”k)k−1,とす
る。
凰、3〜16の位i1についても、近似関数と設計値と
【用いて第3ブロツク3にて算出しておく。これらのX
、Y方向の位置座標【’ mk’ ”k)k−1,とす
る。
とζろで、上述した仮想チップ・マーク及びウェハ・マ
ークの位置座標についての算出値(”i 、7’i )
j* (III)ks nlc%−□〜4が有効である
九めには、試料lO#の変形が第4図に示す如く1反)
が主でありこれに比べて伸びや縮みが小であることか必
要である。実際には、試料が゛グロセス処理を経たとき
の反シ量は4インチウエノ・で200μm程度であるが
、試料の熱膨張係数はシリコンウェハで約I X IQ
であるから±0.2℃程度の温度管理下では4イン
チウェハで±0.2μmとなシ、この伸縮は反シに比べ
て極めて小さいから上述の算出方法は十分有効である。
ークの位置座標についての算出値(”i 、7’i )
j* (III)ks nlc%−□〜4が有効である
九めには、試料lO#の変形が第4図に示す如く1反)
が主でありこれに比べて伸びや縮みが小であることか必
要である。実際には、試料が゛グロセス処理を経たとき
の反シ量は4インチウエノ・で200μm程度であるが
、試料の熱膨張係数はシリコンウェハで約I X IQ
であるから±0.2℃程度の温度管理下では4イン
チウェハで±0.2μmとなシ、この伸縮は反シに比べ
て極めて小さいから上述の算出方法は十分有効である。
斯くして求った位置座標(x’l −yi )jと(m
k、nk)k、、、1〜4を第4ブロツク4にて蓄積し
記録しておく。この段階は、第51山)の如くグ°ロセ
ス処塩に1夛変形した試料でのウェハ・マーク座標と仮
想チップ・マーク座標を得九ことになる。
k、nk)k、、、1〜4を第4ブロツク4にて蓄積し
記録しておく。この段階は、第51山)の如くグ°ロセ
ス処塩に1夛変形した試料でのウェハ・マーク座標と仮
想チップ・マーク座標を得九ことになる。
以上の高さ測定1位置座標の算出及び記録の動作は、荷
電ビームによる露光動作とは別に即ち試料を荷電ビーム
露光装置に装着する前に別途行う。これによシ荷電ビー
ム露光装置の使用 1上の生産性が向上する。
電ビームによる露光動作とは別に即ち試料を荷電ビーム
露光装置に装着する前に別途行う。これによシ荷電ビー
ム露光装置の使用 1上の生産性が向上する。
次に荷電ビーム露光装置によるノやターン描画に入る。
まず荷電ビーム露光装置に試料を装着し、第5fElツ
ク5に示す如く試料上の4個のウェハ・マークの位置座
標を荷電ビームを用いた周知の方法で検出する。検出結
果を(rn’l 、 ”k )、=□9とする。ここで
得良実際のウェハ・マーク位置座標(rdk’ ”k)
k−x−+と予め演11で°得た位置座標(111に*
”k’に、i〜4とには一般に差が生じるが、この差
には。
ク5に示す如く試料上の4個のウェハ・マークの位置座
標を荷電ビームを用いた周知の方法で検出する。検出結
果を(rn’l 、 ”k )、=□9とする。ここで
得良実際のウェハ・マーク位置座標(rdk’ ”k)
k−x−+と予め演11で°得た位置座標(111に*
”k’に、i〜4とには一般に差が生じるが、この差
には。
(1)荷電ビーム露光装置への試料設置誤差即ち第5図
(b)に示す位置座標算出時の状態と同図(C)に示す
設置状態間に生じる7x及びdyなるX。
(b)に示す位置座標算出時の状態と同図(C)に示す
設置状態間に生じる7x及びdyなるX。
Y方向へのシフトとΔ−なる回転、並びに(2) 高
さ測定時から荷電ビームによるウェハ・マーク検出時1
4時間経過中に生じた等方性及び異方性の熱変形。
さ測定時から荷電ビームによるウェハ・マーク検出時1
4時間経過中に生じた等方性及び異方性の熱変形。
とが反映されている。゛従って、仮想チップ・マークに
も上記2者による影響が反映されている。
も上記2者による影響が反映されている。
そこで、上述の影響を排除するため、第6ブロツク6に
て、ウェハ歪補正係数を求める。これには、算出した位
置座標(mk’ ”k)k−z〜4から検出した位置座
標(4−”k)、□〜4の写像としてXeY項を含む1
次の多項式を設足し、この係数を求めることによシウエ
ハ歪補正係数が得られる。即ち。
て、ウェハ歪補正係数を求める。これには、算出した位
置座標(mk’ ”k)k−z〜4から検出した位置座
標(4−”k)、□〜4の写像としてXeY項を含む1
次の多項式を設足し、この係数を求めることによシウエ
ハ歪補正係数が得られる。即ち。
よシ求めた(Ai’i−1,、(B山−0〜4 をウェ
ハ歪補正係数とする。
ハ歪補正係数とする。
一方、第7ノロツク7では演算によp′求めた仮想チッ
プ・マークの位置座標(x/、 l y/、 ) jK
対し、上記のウェハ歪補正係数(A・)、(B・)1i
−1〜4凰i自1〜4 を用いて補正演算を行い、試料設置状態での即ち最終的
な仮想チップ・マークの位−座標(xi、yl)。
プ・マークの位置座標(x/、 l y/、 ) jK
対し、上記のウェハ歪補正係数(A・)、(B・)1i
−1〜4凰i自1〜4 を用いて補正演算を行い、試料設置状態での即ち最終的
な仮想チップ・マークの位−座標(xi、yl)。
全推定する。即ち。
XI = AI + A2 ・x/、 + As ・x
i十人、 xi 、、・式(5)Y1=Bx+Bt
・)’i+Bs−7i+Ba’7i一式(6)′O演算
をチップ毎の四角について繰)返すことによp、最終的
な仮想チップ・マークの位置座標(Xl−yl)jを得
る。以上によシ、第5図(c) K示す設置状態の段階
での各i−りの位置座標CMlk−n′に’ト41 (
Xi −71) jが全て得られた。
i十人、 xi 、、・式(5)Y1=Bx+Bt
・)’i+Bs−7i+Ba’7i一式(6)′O演算
をチップ毎の四角について繰)返すことによp、最終的
な仮想チップ・マークの位置座標(Xl−yl)jを得
る。以上によシ、第5図(c) K示す設置状態の段階
での各i−りの位置座標CMlk−n′に’ト41 (
Xi −71) jが全て得られた。
第8プpツク8におけるチップ歪補正係数の算出並びに
第9fロツク9におけるパターンの描画は周知O方法で
ある。つまり、第8ブ党ツク畠では、仮想チップ・マー
クの位置座標(Xl = 71)jK対応する設計座標
(M、、 N、>、に基づき1次式(7) 、 (8
) Kよ)チップ毎にチップ歪補正係数(町)1.□−
4” bL ’i−1,を得る。
第9fロツク9におけるパターンの描画は周知O方法で
ある。つまり、第8ブ党ツク畠では、仮想チップ・マー
クの位置座標(Xl = 71)jK対応する設計座標
(M、、 N、>、に基づき1次式(7) 、 (8
) Kよ)チップ毎にチップ歪補正係数(町)1.□−
4” bL ’i−1,を得る。
そして第9ブロック9では、各チップ内の描。
画データ即ち設計値(XD、YD)に対し。
X= al+ as−XD+ alXD+ a4XD+
+a式(9)y =、b、+ b、・YD+b魯・yD
十b4・YD ・・・成員なる演算を施し、この補正
済み描画データ(X。
+a式(9)y =、b、+ b、・YD+b魯・yD
十b4・YD ・・・成員なる演算を施し、この補正
済み描画データ(X。
Y)金柑いて荷電ビーム露光装置のビームを偏向させる
と共に、第1ブロツク1で既に得である試料面の高さ情
報を基に、ビームの焦点合せと偏向感度を主とする偏向
歪の補正とを行って各チップ毎に79ターンを描画する
。
と共に、第1ブロツク1で既に得である試料面の高さ情
報を基に、ビームの焦点合せと偏向感度を主とする偏向
歪の補正とを行って各チップ毎に79ターンを描画する
。
以上、実施例を説明したが、試料面上のウェハ・マーク
の数は例示した4個に同ら限定されるものではない。即
ち、大、きな試料に対しては。
の数は例示した4個に同ら限定されるものではない。即
ち、大、きな試料に対しては。
1つの試料を4等分や9等分した領域を想定してそれぞ
れの領域を試料と考え、各領域について上述の補正露光
動作を行うことによシ露光精度が向上する。この場合に
は大きな試料面上に3X3=9個あるいは4×4=簾6
個のクエ/トマーク金設けておくことになる。一方、試
料が小さい場合や特別な高精度全必要としない場合
)に、3個、2個あるいは1個のウエト・マークを設
けるだけでも、所望の精度のもとに荷電ビーム露光装置
の生産性向上及びパターン密度の向上を達成することが
できる。但し。
れの領域を試料と考え、各領域について上述の補正露光
動作を行うことによシ露光精度が向上する。この場合に
は大きな試料面上に3X3=9個あるいは4×4=簾6
個のクエ/トマーク金設けておくことになる。一方、試
料が小さい場合や特別な高精度全必要としない場合
)に、3個、2個あるいは1個のウエト・マークを設
けるだけでも、所望の精度のもとに荷電ビーム露光装置
の生産性向上及びパターン密度の向上を達成することが
できる。但し。
(1) ウェハ・i−りが4個の場合は式(3)及び
式(4)かられかるように。
式(4)かられかるように。
X、Y方向のシフト。
同転。
熱変形によゐ等方性及び異方性の伸縮(rイン)。
X、Yの直交度、及び
台形状の変形(台形項)を補正できるが。
(2)3個の場合は台形項の補正ができず。
(3) 2個の場合は台形項、1直交度及び異方性伸縮
の補正ができず。
の補正ができず。
(4)1個の場合は台形項、直交度、伸縮及び回転糧゛
正できない点に留意し、に料の種類によって選択する必
要がある。
正できない点に留意し、に料の種類によって選択する必
要がある。
以上説明したように1本発明は一切のチップ・i−りを
不要とし且つウェハ・マークの検出結果から、試料の設
置誤差に加えて試料の変形も補正する方法であるため、
下記(イ)〜に)の利点を有する。
不要とし且つウェハ・マークの検出結果から、試料の設
置誤差に加えて試料の変形も補正する方法であるため、
下記(イ)〜に)の利点を有する。
(イ)チップ・マークの検出時間がないため、荷電ビー
ム露光装置の生産性が向上する、。
ム露光装置の生産性が向上する、。
←)チップ内にチップ・マーク領域がないため。
チップ内の・母ターン数が増し密度が高まゐ。
(う 試料の高さ測定時から試料設置時までの間に生じ
る熱変形を補正できるので高精度な)臂ターン描画が可
能である。
る熱変形を補正できるので高精度な)臂ターン描画が可
能である。
に)荷電ビームの偏向歪補正及び焦点合せ、並びにチッ
プ形状の歪の補正【拠現できるので。
プ形状の歪の補正【拠現できるので。
高精度なパターン描画が可能である。
第1図は本発明の一実施例を示すフロー図。
第2図は高さ測定の測定、aを示す説明図、第3図は試
料面上の曲1i! CX e Cyとこれらの近似関数
fx、fyt−示す6明図、第4図は仮想チップ・マー
ク位置の推定を示す説明図、第5図(萄〜(C)は補正
の過程を段階的に示す説明図である。 図面中。 10は試料。 10aは試料面。 10’は設計上の平担な試料。 10#はfaミセス理によ)変形した試料。 11はチツf。 12はチツfCJ角の点(仮想チップ・マーク)。 13〜16はウェハ・i−り。 Cxと6.は−線。 fxとf、は曲線の近似関数。 (X s F e寡)は測定点の座標。 X′は仮想チップ・マークOX方向の設計座標。 X”lは算出した仮想チップ・、マークのX方向の位置
座標。 fFi自111cxに沿った道o5゜ ΔXとノyは設置時のX、Y方向へのシフト誤差。 Δ#は設置時の回転誤差である。 特許出願人 日本電信電話公社 代 塩 入 弁理士 光 石 士部(他1名) 第3図 第4図 第5図
料面上の曲1i! CX e Cyとこれらの近似関数
fx、fyt−示す6明図、第4図は仮想チップ・マー
ク位置の推定を示す説明図、第5図(萄〜(C)は補正
の過程を段階的に示す説明図である。 図面中。 10は試料。 10aは試料面。 10’は設計上の平担な試料。 10#はfaミセス理によ)変形した試料。 11はチツf。 12はチツfCJ角の点(仮想チップ・マーク)。 13〜16はウェハ・i−り。 Cxと6.は−線。 fxとf、は曲線の近似関数。 (X s F e寡)は測定点の座標。 X′は仮想チップ・マークOX方向の設計座標。 X”lは算出した仮想チップ・、マークのX方向の位置
座標。 fFi自111cxに沿った道o5゜ ΔXとノyは設置時のX、Y方向へのシフト誤差。 Δ#は設置時の回転誤差である。 特許出願人 日本電信電話公社 代 塩 入 弁理士 光 石 士部(他1名) 第3図 第4図 第5図
Claims (1)
- 描ImK先立ち、試料面の所定の点の高さ測定を行い、
高さ測定結果から試料面上に沿い且つウェハ・マーりを
経由する曲線及び同じく試料面上に沿い且つチップの四
角を経由する曲線を近似する関数を求め、各近似関数の
線積分値とウェハ・マーク座標及びチップについての設
計データとからウェハ・マークの位置座標とチップ四角
の位置座標とを演算により求めて配録しておき、 ’1
1m1iiiK際しては、試料を荷電ビーム露光装置に
装着して荷電ビームを用いてウェハ・マークを検出し、
このウェハ・マーク検出結果と先に算出しであるウェハ
・マークの位置座標とから先に算出したチップ四角の位
置座標を補正し、この補正後のチップ四角の位置座at
用いてチップの変形を補正しなかちツヤターンを描画す
ることt%微とする荷電ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15851581A JPS5858733A (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | 荷電ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15851581A JPS5858733A (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | 荷電ビ−ム露光方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5858733A true JPS5858733A (ja) | 1983-04-07 |
Family
ID=15673418
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15851581A Pending JPS5858733A (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | 荷電ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5858733A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01110732A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-04-27 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム露光における位置合わせ方法 |
-
1981
- 1981-10-05 JP JP15851581A patent/JPS5858733A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01110732A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-04-27 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム露光における位置合わせ方法 |
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