JPS585719A - 光学的情報変換装置 - Google Patents
光学的情報変換装置Info
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- JPS585719A JPS585719A JP10409181A JP10409181A JPS585719A JP S585719 A JPS585719 A JP S585719A JP 10409181 A JP10409181 A JP 10409181A JP 10409181 A JP10409181 A JP 10409181A JP S585719 A JPS585719 A JP S585719A
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- light
- crystal element
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- polarization
- electro
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/0305—Constructional arrangements
- G02F1/0322—Arrangements comprising two or more independently controlled crystals
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- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、レーザ等の光源を用いた光学的情報変換装置
に関するものである。
に関するものである。
従来から、レーデ光源等の光源部からのビームに変調信
号を与え、変調を受けたビームを回転多面鏡のような偏
向器によって走査面を走査し、走査面に記録を行なう装
置として、レーザビームプリンタ等が知られている。こ
のようにビームを偏向器で走査して走査面の記録を行な
う装置ζ二於いて、記録効率を高めるための一つの方法
として、走査面を複数のビームで同時に走査する方法が
知られている。この方法は、走査を行なうビームが通常
は単一のビームであるのに対して、複数のビームを同時
に走査面上に投影し、走査面上でこれらの複数のビーム
が走査方向と直角方向に変位して結像されるよう電二配
置することで、同時に複数のツインが走査されるもので
ある。例えば光源部から発せられる隔離された複数の１
フオーカルな光束を偏向器に導いて偏向した後、偏光器
と走査面の間に配された走査用の結像レンズによって上
記アフォーカルな光束を走査面上に結像させるものが知
られている。この方法では走査面上で走査方向とほぼ直
交方向に並ぶ前記複数の光束のスポット間の間隔は非常
に小さく、通常ミクロン単位の厳密さが要求される。従
って複数の比較的離れた位置関係を有する光束をアフォ
ーカルな状態で結像レンズに導き、走査面上に於いて始
めて結像させるような構成の場合には、光学系の調整に
相当な厳密さが必要とされるので、製作上の困難性を有
している。
号を与え、変調を受けたビームを回転多面鏡のような偏
向器によって走査面を走査し、走査面に記録を行なう装
置として、レーザビームプリンタ等が知られている。こ
のようにビームを偏向器で走査して走査面の記録を行な
う装置ζ二於いて、記録効率を高めるための一つの方法
として、走査面を複数のビームで同時に走査する方法が
知られている。この方法は、走査を行なうビームが通常
は単一のビームであるのに対して、複数のビームを同時
に走査面上に投影し、走査面上でこれらの複数のビーム
が走査方向と直角方向に変位して結像されるよう電二配
置することで、同時に複数のツインが走査されるもので
ある。例えば光源部から発せられる隔離された複数の１
フオーカルな光束を偏向器に導いて偏向した後、偏光器
と走査面の間に配された走査用の結像レンズによって上
記アフォーカルな光束を走査面上に結像させるものが知
られている。この方法では走査面上で走査方向とほぼ直
交方向に並ぶ前記複数の光束のスポット間の間隔は非常
に小さく、通常ミクロン単位の厳密さが要求される。従
って複数の比較的離れた位置関係を有する光束をアフォ
ーカルな状態で結像レンズに導き、走査面上に於いて始
めて結像させるような構成の場合には、光学系の調整に
相当な厳密さが必要とされるので、製作上の困難性を有
している。
この他にも、レーザビームを複数本に分割して同時に変
調する素子としては、多周波駆動音響光学素子を使用す
るものが従来から知られている。
調する素子としては、多周波駆動音響光学素子を使用す
るものが従来から知られている。
然し、この方法は情報毎に異なる変調周波数信号を準備
する必要があり、装置の複雑化を招来する問題点が存在
すると共に、回折光の次数により光強度が異なる欠点を
有している。
する必要があり、装置の複雑化を招来する問題点が存在
すると共に、回折光の次数により光強度が異なる欠点を
有している。
本発明の目的は、上述の問題点を解消すると共に、光電
記録装置として用いるのに好適であって、偏光現象と光
変調素子を利用することにより簡単にかつ高精度の独立
的に情報を有する複数の光ビームを得るための光学的情
報変換装置を提供することにあり、その要旨は、光ビー
ムを供給するための光源部と、該光源部からの光ビーム
の偏光状態を、情報を与える外部からの電気信号に応じ
て変化させる電気光学結晶素子と、該結晶素子から出力
された光ビームの偏光状態により偏向方向が異なる複数
個の光ビームを出力する偏光分離素子とを具備すること
を特徴とするものである。
記録装置として用いるのに好適であって、偏光現象と光
変調素子を利用することにより簡単にかつ高精度の独立
的に情報を有する複数の光ビームを得るための光学的情
報変換装置を提供することにあり、その要旨は、光ビー
ムを供給するための光源部と、該光源部からの光ビーム
の偏光状態を、情報を与える外部からの電気信号に応じ
て変化させる電気光学結晶素子と、該結晶素子から出力
された光ビームの偏光状態により偏向方向が異なる複数
個の光ビームを出力する偏光分離素子とを具備すること
を特徴とするものである。
以下に本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明する
。
。
第１図に於いて、１はレーザ等の発光装置であり、その
先軸に沿って発光装置１の側から順次、ＫＤＰ（リン酸
二水素カリウム）の結晶から成り透明電極２ａ、２ｂに
より挟着された第１の電気光学結晶素子２、グラン・ト
ムソンプリズム等から成る直線偏光子３、第１の電気光
学結晶素子２と同部材で同様に透明電極４ａ、４ｂによ
り挟着された第２の電気光学結晶素子４、フォラストン
プリズム等から成る偏光分離プリズム５が配列されてい
る。
先軸に沿って発光装置１の側から順次、ＫＤＰ（リン酸
二水素カリウム）の結晶から成り透明電極２ａ、２ｂに
より挟着された第１の電気光学結晶素子２、グラン・ト
ムソンプリズム等から成る直線偏光子３、第１の電気光
学結晶素子２と同部材で同様に透明電極４ａ、４ｂによ
り挟着された第２の電気光学結晶素子４、フォラストン
プリズム等から成る偏光分離プリズム５が配列されてい
る。
発光装置１からは説明の便宜上平行偏光のレーダ光が発
光されているものとする。第１及び第２の電気光学結晶
素子２．４は、電極への電圧印加により電界に比例した
複屈折を示すポッケルス効果を有し、結晶素子２．４に
直線偏光による入射光Ｊｓを通過させると、入射面内に
直交した偏光成分の光は結晶素子２．４中を興なる適度
で進み、その閾に位相差が生ずる。結晶素子２．４の通
過後の光ｌ雪は、それぞれの偏光ベクトルの和であり、
直線偏光ではなくなる。結晶素子２．４にはそれぞれＶ
ｌ、マ、なる電圧が印加されるようになっており、常光
に対する屈折率を一１光の波員をλ、電気光学テンフル
の成分値をｒｓｓとすると、Ｖπ＝Ｊ／（２１１＠１ｌ
ｒＩｓ）なる電圧を印加したときにλカ波員板として、
（１／２）Ｖｇなる電圧を印加したときにλ／４波長板
として使用することになる。結晶素子２は入射光ｊ、の
偏波画に対し４５度の方位角な有するように配置され、
入射光！、は２つの直交する固有偏光に分かれて進み、
その２つの射出光Ｉｍは（２ｗ ｎＺ ｒ＠＃ ／λ）
■、なる位相差を有する。直線偏光子６はレーザ光４と
直交する光のみを通過するように配置されており、結晶
素子２に電圧が印加されないときは直線偏光子６からの
射出光！、はなくなり、結晶素子２に電圧Ｖπが印加さ
れたとき４二はぼ入射光４に等しい強度の光！、を射出
することになる。又、結晶素子２に電圧（１／２）Ｖｇ
を印加すると、結晶素子２はλ／４波長板として作用す
るので、光Ｉｍは円偏光となり直線偏光子６を通ること
により、射出光！、は入射光！、のほぼ半分の強度とな
る。第２の電気光学結晶素子４は直線偏光である入射光
ｊｍを、印加電圧ｖ宜が０のとき射出光！、を入射光ｊ
、と同じ直線偏光とし、Ｖｇ ＝ （１／２）Ｖｇのと
きは円偏光とし、Ｖ、＝Ｖｇのときは入射光１１と直交
する直線偏光とする。偏光分離プリズム５は、複屈折性
を有する結晶により構成され、入射光Ｉ４をその偏光状
態により異なる方向に射出することができ、入射光ｊ４
として進行方向に成る角度を有する１つ又は２つの互に
直交する直線偏光ビームＩｓ、Ｉ−を得ることができる
。
光されているものとする。第１及び第２の電気光学結晶
素子２．４は、電極への電圧印加により電界に比例した
複屈折を示すポッケルス効果を有し、結晶素子２．４に
直線偏光による入射光Ｊｓを通過させると、入射面内に
直交した偏光成分の光は結晶素子２．４中を興なる適度
で進み、その閾に位相差が生ずる。結晶素子２．４の通
過後の光ｌ雪は、それぞれの偏光ベクトルの和であり、
直線偏光ではなくなる。結晶素子２．４にはそれぞれＶ
ｌ、マ、なる電圧が印加されるようになっており、常光
に対する屈折率を一１光の波員をλ、電気光学テンフル
の成分値をｒｓｓとすると、Ｖπ＝Ｊ／（２１１＠１ｌ
ｒＩｓ）なる電圧を印加したときにλカ波員板として、
（１／２）Ｖｇなる電圧を印加したときにλ／４波長板
として使用することになる。結晶素子２は入射光ｊ、の
偏波画に対し４５度の方位角な有するように配置され、
入射光！、は２つの直交する固有偏光に分かれて進み、
その２つの射出光Ｉｍは（２ｗ ｎＺ ｒ＠＃ ／λ）
■、なる位相差を有する。直線偏光子６はレーザ光４と
直交する光のみを通過するように配置されており、結晶
素子２に電圧が印加されないときは直線偏光子６からの
射出光！、はなくなり、結晶素子２に電圧Ｖπが印加さ
れたとき４二はぼ入射光４に等しい強度の光！、を射出
することになる。又、結晶素子２に電圧（１／２）Ｖｇ
を印加すると、結晶素子２はλ／４波長板として作用す
るので、光Ｉｍは円偏光となり直線偏光子６を通ること
により、射出光！、は入射光！、のほぼ半分の強度とな
る。第２の電気光学結晶素子４は直線偏光である入射光
ｊｍを、印加電圧ｖ宜が０のとき射出光！、を入射光ｊ
、と同じ直線偏光とし、Ｖｇ ＝ （１／２）Ｖｇのと
きは円偏光とし、Ｖ、＝Ｖｇのときは入射光１１と直交
する直線偏光とする。偏光分離プリズム５は、複屈折性
を有する結晶により構成され、入射光Ｉ４をその偏光状
態により異なる方向に射出することができ、入射光ｊ４
として進行方向に成る角度を有する１つ又は２つの互に
直交する直線偏光ビームＩｓ、Ｉ−を得ることができる
。
これらの関係を組合せると、第１表のようになる。
第 １ 表
このように第１、第２の電気光学結晶素子２．４に印加
電圧Ｖ１、マ、を入力情報に従って０、（１／２）Ｖｆ
、■のうちの何れかから組合せて選択することにより、
偏光分離プリズム５から射出される独立した情報を有す
る２つの光ビーム！１、ｊ・を同時に得ることができる
。即ち光ビーム１．に於いては無出力が０であり、平行
偏光出力が１となる。
電圧Ｖ１、マ、を入力情報に従って０、（１／２）Ｖｆ
、■のうちの何れかから組合せて選択することにより、
偏光分離プリズム５から射出される独立した情報を有す
る２つの光ビーム！１、ｊ・を同時に得ることができる
。即ち光ビーム１．に於いては無出力が０であり、平行
偏光出力が１となる。
又、光ビームノーに於いては無出力が０であり、垂直偏
光出力が１を表わしている。
光出力が１を表わしている。
崗、第１の電気光学結晶素子２及び直線偏光子３は、２
つの射出光！１、ｌ・が共に存在しない場合の作成、及
び共に存在する場合と一方のみ存在する場合の光強度を
等しくするために設けたものであるが、発光装置１とし
て後述する半導体レーデのような印加電圧により容易に
光強度を可変できる光源装置を使用する場合には省略も
可能である。
つの射出光！１、ｌ・が共に存在しない場合の作成、及
び共に存在する場合と一方のみ存在する場合の光強度を
等しくするために設けたものであるが、発光装置１とし
て後述する半導体レーデのような印加電圧により容易に
光強度を可変できる光源装置を使用する場合には省略も
可能である。
崗、光ビームの強度を照射する感光記録材料の飽和領域
になるように調整しておけばこのような補正は不要とな
る。又、第１表に於ける射出光！１、ノ、の平行偏光、
垂直偏光の組合せ及び印加電圧Ｖ。
になるように調整しておけばこのような補正は不要とな
る。又、第１表に於ける射出光！１、ノ、の平行偏光、
垂直偏光の組合せ及び印加電圧Ｖ。
■、の組合せは、これ以外にも可能であることは勿論で
ある。
ある。
上述の説明では入力情報としてデジタル型の例を挙げた
が、電気光学結晶素子２．４に印加する電圧を可変する
ことζ：より、射出光１ｍ、Ｉｍの強度を任意に変化さ
せるアナログ型の複数ビームの走査も可能である。ｌｐ
ち、射出光Ｉ１、ノーの光強度を！−１■−とし、発光
装置１の出力光強度な１１とするとき、結晶素子２，４
の損失を無視すれば、１、＋Ｉ、＝ｉ、ａｉ？（２ｒｎ
、ｒ、、Ｖ、／り夏、／Ｉ、＝ｍ” （２πＩｌａ”
ｒ＠Ｉ Ｖ、 ／λ）となるように結晶素子２．４への
印加電圧ｖ１、■。
が、電気光学結晶素子２．４に印加する電圧を可変する
ことζ：より、射出光１ｍ、Ｉｍの強度を任意に変化さ
せるアナログ型の複数ビームの走査も可能である。ｌｐ
ち、射出光Ｉ１、ノーの光強度を！−１■−とし、発光
装置１の出力光強度な１１とするとき、結晶素子２，４
の損失を無視すれば、１、＋Ｉ、＝ｉ、ａｉ？（２ｒｎ
、ｒ、、Ｖ、／り夏、／Ｉ、＝ｍ” （２πＩｌａ”
ｒ＠Ｉ Ｖ、 ／λ）となるように結晶素子２．４への
印加電圧ｖ１、■。
を選択すればよい。
第１図は２つの独立した情報を有する光ビームｊｓ、ｒ
−の作成装置を示したが、この装置に更に電気光学結晶
素子及び偏光分離プリズムを付加して２−傭の光ビーム
を作成する装置を次に説明する。
−の作成装置を示したが、この装置に更に電気光学結晶
素子及び偏光分離プリズムを付加して２−傭の光ビーム
を作成する装置を次に説明する。
第２園に於いて、第１図の偏光分離プリズム５の後方に
第３の電気光学結晶素子６及び第２の偏光分離プリズム
７が配列されている。第６の結晶素子６では片側の電極
が２個の電極６麿、６ｂに分割されており、それぞれＶ
ｌ、■４なる電圧が独立的１二印加り得るようになって
いる。偏光分離プリズム５から射出された光ビームＪ１
、ｊ・は、結晶素子６のそれぞれの電極４ｍ、４ｂに片
方ずつ入射するように配置されている。結晶素子６′内
で光ビームｊ１、ｊ・は任意の楕円偏光、直線偏光、円
偏光とされ、印加電圧Ｖ１、■、をそれぞれ０、（１／
２）Ｖｆ、Ｖｆとすることにより、それぞれ位相差を有
する２つの偏光波から成る光ビーム！１．１．となり、
第２の偏光分離プリズム７によって４つの独立的な情報
を有する光ビーム！９．１１０、ノ、ｌ、！□が作成さ
れる。このように順次電気光学結晶素子と偏光分離プリ
ズムを付加してゆくことにより、独立の情報を有する光
ビームの数は、２つずつ増加し光ビームが有する情報は
結晶素子に印加する電圧によって与えることができる。
第３の電気光学結晶素子６及び第２の偏光分離プリズム
７が配列されている。第６の結晶素子６では片側の電極
が２個の電極６麿、６ｂに分割されており、それぞれＶ
ｌ、■４なる電圧が独立的１二印加り得るようになって
いる。偏光分離プリズム５から射出された光ビームＪ１
、ｊ・は、結晶素子６のそれぞれの電極４ｍ、４ｂに片
方ずつ入射するように配置されている。結晶素子６′内
で光ビームｊ１、ｊ・は任意の楕円偏光、直線偏光、円
偏光とされ、印加電圧Ｖ１、■、をそれぞれ０、（１／
２）Ｖｆ、Ｖｆとすることにより、それぞれ位相差を有
する２つの偏光波から成る光ビーム！１．１．となり、
第２の偏光分離プリズム７によって４つの独立的な情報
を有する光ビーム！９．１１０、ノ、ｌ、！□が作成さ
れる。このように順次電気光学結晶素子と偏光分離プリ
ズムを付加してゆくことにより、独立の情報を有する光
ビームの数は、２つずつ増加し光ビームが有する情報は
結晶素子に印加する電圧によって与えることができる。
又、光ビームの光強度を所定の大きさに保持するために
は、結晶素子、発光装置１への印加電圧の選定を適切に
実施すればよい。
は、結晶素子、発光装置１への印加電圧の選定を適切に
実施すればよい。
又、上述の例では電気光学結晶素子には波面法線方向と
同方向に電界を与える縦効果を応用したものであったが
、第ａｒＩＡに示すように波面法線方向トＩと直角に結
晶素子１０に電＃Ｖを印加する横効果も使用することが
できる。この場合は、Ｄを電極間距離、−を結晶素子の
光軸方向の厚みとすると、■＝λＤ／（ｚｎ：ｒｓｓｄ
） なる電圧が縦効果の半波長電圧Ｖπと対応するこ
とになる。
同方向に電界を与える縦効果を応用したものであったが
、第ａｒＩＡに示すように波面法線方向トＩと直角に結
晶素子１０に電＃Ｖを印加する横効果も使用することが
できる。この場合は、Ｄを電極間距離、−を結晶素子の
光軸方向の厚みとすると、■＝λＤ／（ｚｎ：ｒｓｓｄ
） なる電圧が縦効果の半波長電圧Ｖπと対応するこ
とになる。
第４図は第１図の偏光分離プリズム５から射出された光
ビーム１１、！−を感光体に投影して記録する場合の構
成図である。独立した情報を有し変調された光ビーム！
１、！ｅは、シリントリ倉羨レンズ１１を介して軸１２
を中心に回転するポリゴン鋺するに入射される。このボ
ッボン鏡１６は入射光を一次元方向に走査し、ｆ−レン
ズ１４を介して、軸１ｓを中心ニ回転する円筒状の感光
体１６の表面長手方向に露光を与えるようになっている
。感光体１６は表面を例えば有機半導体を感光層とし、
露光により静電潜像が構成されるようになっており、感
光体１６には光ビーム！６、ｊ・から成る２本の情報が
記録される。この静電潜像は更に反転現像、コロナ転写
及び定着を実施し保存に耐えるものとなる。
ビーム１１、！−を感光体に投影して記録する場合の構
成図である。独立した情報を有し変調された光ビーム！
１、！ｅは、シリントリ倉羨レンズ１１を介して軸１２
を中心に回転するポリゴン鋺するに入射される。このボ
ッボン鏡１６は入射光を一次元方向に走査し、ｆ−レン
ズ１４を介して、軸１ｓを中心ニ回転する円筒状の感光
体１６の表面長手方向に露光を与えるようになっている
。感光体１６は表面を例えば有機半導体を感光層とし、
露光により静電潜像が構成されるようになっており、感
光体１６には光ビーム！６、ｊ・から成る２本の情報が
記録される。この静電潜像は更に反転現像、コロナ転写
及び定着を実施し保存に耐えるものとなる。
第１ｍ及び第４図の実施例に於ける構成の具体的材料例
及び数値例を挙げて説明すると、発光装置１としては例
えば４５５ｎａａ％ｉ ｍＷの出力を有する直線偏光の
Ｈｅ−Ｎｅレーザ発光器が用いられる。
及び数値例を挙げて説明すると、発光装置１としては例
えば４５５ｎａａ％ｉ ｍＷの出力を有する直線偏光の
Ｈｅ−Ｎｅレーザ発光器が用いられる。
第１の電気光学結晶素子２としてはＫ Ｄ Ｐ（Ｋ鵬Ｐ
Ｏ４）の結晶体とし、その両側に電極２ｍ、’ｌｂとし
て＊−ｔｔｔ’ｐスを接ｓし、Ｏ，（１／２）Ｖｆ＝４
．６５ＫＶ１Ｖπ＝９．５ＱＫＶの電圧を印加すると、
射出光６として平行、円、全区偏光を得る。直線偏光子
３は方解石（Ｃａ■、）によるグラン・トムソンプリズ
ムを使用し、垂直偏光成分のみを取り出す。第２の電気
光学結晶素子４ｔ：は第１の結晶素子２と同一のＫＤＰ
結晶を使用し同一の電圧を印加し、射出される光１４に
は、光のない状態、垂直偏光、平行偏光、円偏光状態が
存在する。偏光分離プリズム５には方解石を光学弾性軸
を異ならせて接合したフォラストンプリズムを用いて、
垂直偏光成分と平行偏光成分に分離し、このときの２つ
の偏光ビームｊｓ 、ノ・のふれ角は約１′となるよう
に設計されている。このようにして得られた光ビーム４
゜！、は感光体１６の表面で約８０１Ｉｎ離れた点に結
像される。
Ｏ４）の結晶体とし、その両側に電極２ｍ、’ｌｂとし
て＊−ｔｔｔ’ｐスを接ｓし、Ｏ，（１／２）Ｖｆ＝４
．６５ＫＶ１Ｖπ＝９．５ＱＫＶの電圧を印加すると、
射出光６として平行、円、全区偏光を得る。直線偏光子
３は方解石（Ｃａ■、）によるグラン・トムソンプリズ
ムを使用し、垂直偏光成分のみを取り出す。第２の電気
光学結晶素子４ｔ：は第１の結晶素子２と同一のＫＤＰ
結晶を使用し同一の電圧を印加し、射出される光１４に
は、光のない状態、垂直偏光、平行偏光、円偏光状態が
存在する。偏光分離プリズム５には方解石を光学弾性軸
を異ならせて接合したフォラストンプリズムを用いて、
垂直偏光成分と平行偏光成分に分離し、このときの２つ
の偏光ビームｊｓ 、ノ・のふれ角は約１′となるよう
に設計されている。このようにして得られた光ビーム４
゜！、は感光体１６の表面で約８０１Ｉｎ離れた点に結
像される。
夏に光源としてＧａＡｊム１ｌ−ＧａＡｓ−ＧａＡｊＡ
易 の二重へテロ構造を有する波長８２０ｎｍの半導体
レーザな用いた場合を次に説明する。この種の半導体レ
ーデは注入電流ゑが成る閾値ｉ′を超えると誘電放出を
始め、その出力■は、ｋを定数とするとＩ＝ｋ（ｉ−ｉ
’）となり注入電流にほぼ比例する性質を有している。
易 の二重へテロ構造を有する波長８２０ｎｍの半導体
レーザな用いた場合を次に説明する。この種の半導体レ
ーデは注入電流ゑが成る閾値ｉ′を超えると誘電放出を
始め、その出力■は、ｋを定数とするとＩ＝ｋ（ｉ−ｉ
’）となり注入電流にほぼ比例する性質を有している。
閾値ｉ′はレーデダイオードにより異なるが５９ｍＡ程
度で一定であり、注入電流ｉを変化させることにより光
強度を可変できることになる。第５図はこの性質を利用
した装置であり、レーデダイオード１７から発光された
レーザ光！。
度で一定であり、注入電流ｉを変化させることにより光
強度を可変できることになる。第５図はこの性質を利用
した装置であり、レーデダイオード１７から発光された
レーザ光！。
の光軸（＝沿ってレンズ１８．１９及び第３図で説明し
た横効果を利用した電気光学結晶素子１０、及び方解石
から成る偏光分離プリズム２０が配列されている。レン
ズ１８．１９はレーデ光！烏を平行光束にするために用
いられ、結晶素子１０はムＤ Ｐ （ＮＨａＬＰＯ４９
ン酸二水素アンモニウム）の結晶体であり、印加電圧Ｖ
を変化することにより、その射出光Ｉ、は任意の位相差
を有する楕円偏光となる。この印加電圧Ｖの制御とレー
ザ光！１の光強度の制御とにより、偏光分離プリズム２
０からは、ふれ角φから成る２つの直交する直線偏光と
−ムｌｈｊ・が得られる。このときのふれ角φは、複屈
折率をΔｎ、プリズムの頂角なαとすると、φ冨りノｎ
−αで表わされる。又、光ビームＩｓ、Ｉｍの光強度を
それぞれＩｌ、■、とすると、結晶素子１０の損失を無
視すれば、流入電流ｌは、ｉ＝（Ｉｓ＋Ｉｓ）／ｋ”
”となり、結晶素子１０への印加電圧ｖｕ、’ｉ ＝
（Ｉ Ｄ／（２ｇｒ４ ｒ、ｄ） ）ｅｉａｎ−Ｑ）舊
潟果の半波長電圧Ｖ・に対応する。
た横効果を利用した電気光学結晶素子１０、及び方解石
から成る偏光分離プリズム２０が配列されている。レン
ズ１８．１９はレーデ光！烏を平行光束にするために用
いられ、結晶素子１０はムＤ Ｐ （ＮＨａＬＰＯ４９
ン酸二水素アンモニウム）の結晶体であり、印加電圧Ｖ
を変化することにより、その射出光Ｉ、は任意の位相差
を有する楕円偏光となる。この印加電圧Ｖの制御とレー
ザ光！１の光強度の制御とにより、偏光分離プリズム２
０からは、ふれ角φから成る２つの直交する直線偏光と
−ムｌｈｊ・が得られる。このときのふれ角φは、複屈
折率をΔｎ、プリズムの頂角なαとすると、φ冨りノｎ
−αで表わされる。又、光ビームＩｓ、Ｉｍの光強度を
それぞれＩｌ、■、とすると、結晶素子１０の損失を無
視すれば、流入電流ｌは、ｉ＝（Ｉｓ＋Ｉｓ）／ｋ”
”となり、結晶素子１０への印加電圧ｖｕ、’ｉ ＝
（Ｉ Ｄ／（２ｇｒ４ ｒ、ｄ） ）ｅｉａｎ−Ｑ）舊
潟果の半波長電圧Ｖ・に対応する。
本発明は実施例のみに限定されるものではなく。
幾多の変形が可能である６例えば感光体１６として、ア
ル電導体基板上に、ＩｎをドープしたＣｄ８感光層と、
絶縁層とを有するものを使用すれば、正の一次帯電後に
、逆極性の二次帯電をすると同時に、階調性のある光ビ
ームＩｓ、１ｍにより露光し、静電潜像形成後に先の実
施例と同様に定着等を行なって記録画像を作成できる。
ル電導体基板上に、ＩｎをドープしたＣｄ８感光層と、
絶縁層とを有するものを使用すれば、正の一次帯電後に
、逆極性の二次帯電をすると同時に、階調性のある光ビ
ームＩｓ、１ｍにより露光し、静電潜像形成後に先の実
施例と同様に定着等を行なって記録画像を作成できる。
又、電気光学結晶素子にＫＤＰ、人Ｄｒの使用を説明し
たが、その他億二もＤＫＤＰ （ＫＤ、ＰＯ，）、ＫＤ
ム（馳ム５０４）、′ＲＤム（ＰｂＨ，Ａｓ０４）等の
ＫＤＰ類の結晶や、ＢＪＩＴｉＯ，、ＬｉＮｂ０．、Ｌ
ｉＴａ０．等１）−ｊｏプス＊イ）族の結晶、Ｚｎ８、
ＣａＣ４、ＧａＡｓ 等の化合物の結ａを用いることが
できる。又、偏光分離プリズムとして、ウオツスシンプ
ツズム、ロションプリズム等が使用できる。更には光源
として一般に固体レーザ、気体レーデ、半導体レーザ、
色素レーデ等のレーデによる誘導放出光が適当であるが
、放電ランプ等の自然放出光であっても直線偏光子との
併用により使用可能である。
たが、その他億二もＤＫＤＰ （ＫＤ、ＰＯ，）、ＫＤ
ム（馳ム５０４）、′ＲＤム（ＰｂＨ，Ａｓ０４）等の
ＫＤＰ類の結晶や、ＢＪＩＴｉＯ，、ＬｉＮｂ０．、Ｌ
ｉＴａ０．等１）−ｊｏプス＊イ）族の結晶、Ｚｎ８、
ＣａＣ４、ＧａＡｓ 等の化合物の結ａを用いることが
できる。又、偏光分離プリズムとして、ウオツスシンプ
ツズム、ロションプリズム等が使用できる。更には光源
として一般に固体レーザ、気体レーデ、半導体レーザ、
色素レーデ等のレーデによる誘導放出光が適当であるが
、放電ランプ等の自然放出光であっても直線偏光子との
併用により使用可能である。
以上説明したように本発明ζ＝係る光学的情報変換装置
は、偏光により独立した情報を有する複数個の光ビーム
を得ることができ、簡便にかつ高精度の情報変換をする
ことが可能であり、記録装置と結合するなどその利用価
値は大きい。
は、偏光により独立した情報を有する複数個の光ビーム
を得ることができ、簡便にかつ高精度の情報変換をする
ことが可能であり、記録装置と結合するなどその利用価
値は大きい。
図面は本発明に係る光学的情報変換装置の実施例を示し
、第１図は第１の実施例の構成図、第２図は光ビームを
更−一２つ増加する場合の付加装置の構成図、第６図は
光軸（＝直交して結晶素子に電圧を印加する場合の構成
図、第４図は記録部分の構成図、第５図は第２の実施例
の構成図である。 符号１は発光装置、２．４．６．１０は電気光学結晶素
子、３は直線偏光子、５．７．２０は偏光分離プリズム
、１３はポリゴン鏡、１６は感光体、１７はレーザダイ
オードである。
、第１図は第１の実施例の構成図、第２図は光ビームを
更−一２つ増加する場合の付加装置の構成図、第６図は
光軸（＝直交して結晶素子に電圧を印加する場合の構成
図、第４図は記録部分の構成図、第５図は第２の実施例
の構成図である。 符号１は発光装置、２．４．６．１０は電気光学結晶素
子、３は直線偏光子、５．７．２０は偏光分離プリズム
、１３はポリゴン鏡、１６は感光体、１７はレーザダイ
オードである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｔ 光ビームを供給するための光源部と、葭光源部から
の光ビームの偏光状態を、情報を与える外部からの電気
信号に応じ【変化させる電気光学結晶素子と、該結晶素
子から出力された光ビームの偏光状態により偏向方向が
興なる複数個の光ビームを出力する偏光分離素子とを具
備することを特徴とする光学的情報変換装置。 ２ 複数個の電気光学結晶素子を使用し、各結晶素子書
：与える電気信号の組合せにより、結晶素子と同数の、
独立した情報を有する光ビームを得るようにした特許請
求の範囲第１項記載の光学的情報変換装置。 五 光源部に半導体レーザ発光器を用いて、情報なレー
ザ光の光強度として与えると集口、別の情報を電気光学
結晶素子への電気信号により与えるようにした特許請求
の範囲第１項記載の光学約情報変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10409181A JPS585719A (ja) | 1981-07-03 | 1981-07-03 | 光学的情報変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10409181A JPS585719A (ja) | 1981-07-03 | 1981-07-03 | 光学的情報変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS585719A true JPS585719A (ja) | 1983-01-13 |
Family
ID=14371447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10409181A Pending JPS585719A (ja) | 1981-07-03 | 1981-07-03 | 光学的情報変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS585719A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1064735C (zh) * | 1995-03-21 | 2001-04-18 | 希尔蒂股份公司 | 以化学方法加固钻井中的锚固件所用的砂浆桶 |
| US7995088B2 (en) | 2006-12-25 | 2011-08-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical scanning apparatus and image forming apparatus comprising the same |
-
1981
- 1981-07-03 JP JP10409181A patent/JPS585719A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1064735C (zh) * | 1995-03-21 | 2001-04-18 | 希尔蒂股份公司 | 以化学方法加固钻井中的锚固件所用的砂浆桶 |
| US7995088B2 (en) | 2006-12-25 | 2011-08-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical scanning apparatus and image forming apparatus comprising the same |
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