JPS585379B2 - ジヨウチヤクソクドソクテイソウチ - Google Patents
ジヨウチヤクソクドソクテイソウチInfo
- Publication number
- JPS585379B2 JPS585379B2 JP12334874A JP12334874A JPS585379B2 JP S585379 B2 JPS585379 B2 JP S585379B2 JP 12334874 A JP12334874 A JP 12334874A JP 12334874 A JP12334874 A JP 12334874A JP S585379 B2 JPS585379 B2 JP S585379B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- evaporation
- metal plate
- voltage
- particles
- electrons
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
蒸着膜製造中に蒸着速度測定ができれば、瞬時における
膜厚を知ることができるので、一定の厚さの膜を製造で
きる。
膜厚を知ることができるので、一定の厚さの膜を製造で
きる。
また、蒸着速度の制御が可能であれば、一元の蒸着膜だ
けでなく、再現性のある組成の多元蒸着膜の製造が可能
になる。
けでなく、再現性のある組成の多元蒸着膜の製造が可能
になる。
この発明は、蒸着速度測定を行う装置に関するものであ
る。
る。
従来性なわれている方法の一つとして、水晶振動子を用
いる方法がある。
いる方法がある。
これは水晶振動子の電極部分に付着する蒸発物質の重量
が、発振周波数の変化分に比例する原理を利用したもの
である。
が、発振周波数の変化分に比例する原理を利用したもの
である。
蒸着速度は、この周波数変化分を回路的に微分すること
により求まる。
により求まる。
この方法の問題点として、直接測定量が蒸着量であるこ
と、正常な動作を行うには、水晶振動子への蒸着量が限
られているため、ある一定量蒸着すれば、振動子の取り
変えを要すること、また発振周波数は温度依存性が大き
いので、水冷して室温付近の一定温度に保たなければな
らないこと、高触点材料を蒸着する場合は、蒸発源から
の熱幅射を受けるなどの高温雰囲気のため水晶振動子が
動作困難(水晶振動子の可能動作温度は400℃以下で
ある。
と、正常な動作を行うには、水晶振動子への蒸着量が限
られているため、ある一定量蒸着すれば、振動子の取り
変えを要すること、また発振周波数は温度依存性が大き
いので、水冷して室温付近の一定温度に保たなければな
らないこと、高触点材料を蒸着する場合は、蒸発源から
の熱幅射を受けるなどの高温雰囲気のため水晶振動子が
動作困難(水晶振動子の可能動作温度は400℃以下で
ある。
)となること、などがある。
また、水晶振動子に、電子や、イオン化された粒子が付
着すると、動作が不可能になることである。
着すると、動作が不可能になることである。
そのため、電子ビーム銃による蒸着、イオンビーム蒸着
、イオンブレーティングなどの高温で、電子、イオンを
扱う蒸発源には何らかの手段をこおしなければならない
。
、イオンブレーティングなどの高温で、電子、イオンを
扱う蒸発源には何らかの手段をこおしなければならない
。
したがって、本発明の目的は、測定量が蒸着速度を示し
、高温雰囲気中でも使用可能であり、温度依存性がなく
、電子、イオンを扱う蒸発源に使用できるような蒸着速
度測定装置を提供することである。
、高温雰囲気中でも使用可能であり、温度依存性がなく
、電子、イオンを扱う蒸発源に使用できるような蒸着速
度測定装置を提供することである。
本発明の蒸着速度測定装置を電子ビーム銃に応用した装
置を第1図に示す。
置を第1図に示す。
この装置の原理を述べる。
電子ビーム銃のヒータ1から熱放射によって発生した電
子は、印加されている磁界により電子ビームとなって蒸
発源2にぶつかる。
子は、印加されている磁界により電子ビームとなって蒸
発源2にぶつかる。
このとき電子の運動エネルギーは蒸発源2の熱エネルギ
ーに変換する。
ーに変換する。
蒸発源2が、蒸気圧で1O−2Torrに相当する温度
、またはそれ以上の温度になれば、蒸発を始めることに
なる。
、またはそれ以上の温度になれば、蒸発を始めることに
なる。
この蒸発粒子の中のある割合の粒子は電子ビームと衝突
する。
する。
電子と衝突した蒸発粒子は、電子からエネルギーを与え
られ、プラスにイオン化する。
られ、プラスにイオン化する。
ここで、電子ビーム銃の構造、蒸発源2が同じものであ
り、電子の加速電圧が一定であれば、蒸発粒子中のイオ
ン化される粒子の割合は一定である。
り、電子の加速電圧が一定であれば、蒸発粒子中のイオ
ン化される粒子の割合は一定である。
したがって、単位時間当りの蒸発量(蒸着速度)と単位
時間当りにイオン化される粒子数(イオン電流)は一対
一に対応する。
時間当りにイオン化される粒子数(イオン電流)は一対
一に対応する。
蒸発粒子が飛来する位置に負電位をかけた金属板3を置
けば、プラスイオン粒子が金属板3に捕獲される。
けば、プラスイオン粒子が金属板3に捕獲される。
このプラスイオン粒子による電流は、標準抵抗器4を通
ることにより、電圧Voとして記録される。
ることにより、電圧Voとして記録される。
ここで、プラスイオン粒子のみによる電流がほしいので
あるから、金属板3では電子を集電しないことが必要に
なってくる。
あるから、金属板3では電子を集電しないことが必要に
なってくる。
そこで、金属板3に飛んでくる電子を散乱するために、
金属板3と平行に均一磁界を加える方法を用いた。
金属板3と平行に均一磁界を加える方法を用いた。
例えば金属板から1cm1の範囲に3500e程度の磁
界Hを加えることにより、10KeV以下のエネルギー
の電子Eは軌道を大きく曲げられ、金属板3に到達する
ことなしに散乱されてしまうが、プラスのイオン粒子■
は質量が大きいので、わずかに軌道が曲げられる程度で
金属板3に到達する。
界Hを加えることにより、10KeV以下のエネルギー
の電子Eは軌道を大きく曲げられ、金属板3に到達する
ことなしに散乱されてしまうが、プラスのイオン粒子■
は質量が大きいので、わずかに軌道が曲げられる程度で
金属板3に到達する。
金属板3に対して、平行な均一磁界を加えたときのプラ
スイオン粒子と電子の経路を第2図に示した。
スイオン粒子と電子の経路を第2図に示した。
以下本発明を実施例にもとづいて説明する。
実施例
電子ビーム銃は加速電圧10KVのものを使用した。
イオン粒子を捕獲する金属板3には50×40X2mm
の銅板を使用した。
の銅板を使用した。
銅板の生地のままでは、蒸着膜がはげやすかったので、
やすりなどで表面を凸凹にした。
やすりなどで表面を凸凹にした。
負電位をかけるためり、C。O〜100Vの定電圧電源
を使用した。
を使用した。
標準抵抗器4には、100Ωの標準抵抗器を用いた。
金属板3と平行に磁界を加える装置として、空隙の中心
で4000eの永久磁石を用いた。
で4000eの永久磁石を用いた。
蒸発源をNbとし、金属板3の前面に磁界Hを加えない
ときの、イオン電流により標準抵抗器4に現れる電圧の
変化を第3図に示す。
ときの、イオン電流により標準抵抗器4に現れる電圧の
変化を第3図に示す。
縦軸は標準抵抗器4に現われる電圧Vい横軸は、真空度
が1O−5Iorrより悪くならないようにエミッショ
ン電流を除々にあげていくときの、時間経過をとった。
が1O−5Iorrより悪くならないようにエミッショ
ン電流を除々にあげていくときの、時間経過をとった。
加速電圧を10KVとしたとき、エミッション電流が約
150mA(点6)で負の電圧が現われ始め、約200
mA(点7)で負の電圧が最大となった。
150mA(点6)で負の電圧が現われ始め、約200
mA(点7)で負の電圧が最大となった。
約250mAで、蒸発源からの蒸発が始まる。
その後、エミッション電流を増加させ、350mA(点
8)に固定して電圧の変化を測定した。
8)に固定して電圧の変化を測定した。
負の電圧の現われる原因は、金属板3で電子が捕獲され
るためである。
るためである。
約10KeVのエネルギーを持っている電子から見れば
、通常扱いやすい負電位をかけた金属板3から発生する
負の電位はほとんど無視できる。
、通常扱いやすい負電位をかけた金属板3から発生する
負の電位はほとんど無視できる。
従って、Nb蒸発中においては、プラスイオン粒子によ
る電流と、電子による電流との差に相当する電圧が測定
されることになる。
る電流と、電子による電流との差に相当する電圧が測定
されることになる。
金属板3に磁界を加えたときの電圧の変化を第4図に示
す。
す。
縦軸、横軸は第3図と同じである。金属板と平行に40
00eの磁界を加えることにより、電子流による負の電
圧がでなくなることが実証できた。
00eの磁界を加えることにより、電子流による負の電
圧がでなくなることが実証できた。
エミッション電流が350mAのとき、金属板に磁界を
加えない場合は、真値よりも約り%小さいイオン電流値
を示すことがわかった。
加えない場合は、真値よりも約り%小さいイオン電流値
を示すことがわかった。
Nbを蒸発させる場合、加速電圧10に■、エミッショ
ン電流350mAの条件では、蒸発速度は6.67X1
0−3gr/sec、イオン電流は約3mA(100Ω
の標準抵抗器での電圧降下は300mV)であった。
ン電流350mAの条件では、蒸発速度は6.67X1
0−3gr/sec、イオン電流は約3mA(100Ω
の標準抵抗器での電圧降下は300mV)であった。
イオン電流のふるまいが、蒸着速度と対応するかどうか
を調べるために、水晶振動子に現われる出力信号を微分
した信号(蒸発速度)との対応を見た。
を調べるために、水晶振動子に現われる出力信号を微分
した信号(蒸発速度)との対応を見た。
蒸発装置に、水晶振動子と金属板3を取り付け、蒸発速
度とイオン電流による電圧降下を同時に書かせたところ
、水晶振動子による蒸発速度の出力は第4図の波形と対
応した。
度とイオン電流による電圧降下を同時に書かせたところ
、水晶振動子による蒸発速度の出力は第4図の波形と対
応した。
これより、イオン電流値は、蒸発速度と対応することが
わかった。
わかった。
イオン電流2.5mAに対して、蒸発速度は6×10−
3gr/se0.3mAに対して6.67X10−3g
r/sec、3.5mAに対して7.37X10−39
r/sec程度である。
3gr/se0.3mAに対して6.67X10−3g
r/sec、3.5mAに対して7.37X10−39
r/sec程度である。
水晶振動子で測定するときは、蒸発源から十分はなして
蒸発源からの熱輻射をさけ、イオン粒子や電子が水晶振
動子に付着するのを防ぐためには、接地した金属製の網
を水晶振動子の前に設けた。
蒸発源からの熱輻射をさけ、イオン粒子や電子が水晶振
動子に付着するのを防ぐためには、接地した金属製の網
を水晶振動子の前に設けた。
次に前記蒸着速度測定装置を用いた蒸着速度の制御方法
について述べる。
について述べる。
電子ビーム銃を使用した場合、一般に蒸着速度は、数秒
間の間隔で必ずゆらいでいる。
間の間隔で必ずゆらいでいる。
しかし、ゆらぎを平均した値は、だいたい一定である。
ゆらぎの程度は蒸発物質の種類により異なるが、10〜
30%程度の大きさである。
30%程度の大きさである。
しかし、エミッション電流を一定にして蒸発を続けた場
合は、蒸発源の減少ということと、それにともないハー
ス5を熱冷却していることにより生ずる蒸発源への冷却
効果の変化により、蒸発速度が変わってくる。
合は、蒸発源の減少ということと、それにともないハー
ス5を熱冷却していることにより生ずる蒸発源への冷却
効果の変化により、蒸発速度が変わってくる。
蒸発源の温度調節をするには時間遅れがあるために、数
秒以内で蒸発速度を一定に制御するのは困難である。
秒以内で蒸発速度を一定に制御するのは困難である。
そこで、イオン電流により標準抵抗器4に現われる電圧
を、平滑回路に挿入することにより、ゆらぎを平均した
電圧が得られる。
を、平滑回路に挿入することにより、ゆらぎを平均した
電圧が得られる。
この出力電圧の変化分を、制御回路の動作する信号に変
換してネガティブ・フィードバックすることにより、ゆ
らぎを制御系に入れず、長い時間に対する蒸着速度を一
定にできる。
換してネガティブ・フィードバックすることにより、ゆ
らぎを制御系に入れず、長い時間に対する蒸着速度を一
定にできる。
第5図に、蒸着速度を一定にするための制御系の一例と
してのフローチャートを示す。
してのフローチャートを示す。
イオン電流により、標準器4に現われる電圧をV。
とする。Voを平滑回路に入れ、■ちという信号電圧に
変換する。
変換する。
このV。を制御系の動作可能範囲におさめるために、適
当に定数倍できる回路を通して、v。
当に定数倍できる回路を通して、v。
−α■′0という出力電圧を得る。
ここで、Voと、希望する蒸発速度に相当する標準電圧
Vsとの差を検出する回路を設け、△v=vo−vsと
いう信号を得る。
Vsとの差を検出する回路を設け、△v=vo−vsと
いう信号を得る。
この△Vをネガティブ・フィードバックして、vc−■
s−△Vという信号を電源に入れる。
s−△Vという信号を電源に入れる。
電源は信号V に比例するだけの電力を電子ビーム銃に
供給して、一定の蒸発速度にすることが可能である。
供給して、一定の蒸発速度にすることが可能である。
以上説明した如く本発明によれば、
■、直接の測定量が蒸発速度を表わす。
2、高温中においても使用可能である。
3、温度に対する依存性がない。
4、金属板1枚とマグネットで装置が作れるので比較的
安価である。
安価である。
などの効果が上げられる。
さらに以上の説明から類推できるように、イオンブレー
ティグやイオンビーム蒸発においても、イオンの一部を
金属板に集めることにより蒸発速度の測定ができる。
ティグやイオンビーム蒸発においても、イオンの一部を
金属板に集めることにより蒸発速度の測定ができる。
第1図は、本発明の蒸着速度測定装置を、電子ビーム銃
に取り付けた概略図である。 第2図は、金属板3に対して平行に磁界を加えたとき、
金属板3に向って飛来するプラス・イオン粒子と電子の
経路を示した。 第3図は、金属板3の電子経路に磁界を加えない状態で
、標準抵抗器に現われる電圧■。 を時間の関数として表わした。第4図は、金属板3の電
子経路に磁界を加えた状態で、標準抵抗器4に現われる
電圧V。 を時間の関数として表わした。 第5図は、蒸着速度を一定にするための一例としてのフ
ローチャートを示す。 1・・・・・・ヒータ、2・・・・・・蒸発源、3・・
・・・・金属板、4・・・・・・標準抵抗器、H・・・
・・・磁界、■・・・・・・イオン粒子、E・・・・・
・電子。
に取り付けた概略図である。 第2図は、金属板3に対して平行に磁界を加えたとき、
金属板3に向って飛来するプラス・イオン粒子と電子の
経路を示した。 第3図は、金属板3の電子経路に磁界を加えない状態で
、標準抵抗器に現われる電圧■。 を時間の関数として表わした。第4図は、金属板3の電
子経路に磁界を加えた状態で、標準抵抗器4に現われる
電圧V。 を時間の関数として表わした。 第5図は、蒸着速度を一定にするための一例としてのフ
ローチャートを示す。 1・・・・・・ヒータ、2・・・・・・蒸発源、3・・
・・・・金属板、4・・・・・・標準抵抗器、H・・・
・・・磁界、■・・・・・・イオン粒子、E・・・・・
・電子。
Claims (1)
- 1 蒸発粒子中にイオン化された粒子を含む蒸発法を利
用した蒸着装置において、蒸着作業空間中で蒸発源から
の飛来粒子が存在する空間部位に、蒸発源に対して負の
電位を与えた金属板を配置し、かつ、金属板とほぼ平行
に磁界を加える装置とを備えたことを特徴とする蒸着速
度測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12334874A JPS585379B2 (ja) | 1974-10-28 | 1974-10-28 | ジヨウチヤクソクドソクテイソウチ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12334874A JPS585379B2 (ja) | 1974-10-28 | 1974-10-28 | ジヨウチヤクソクドソクテイソウチ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5149785A JPS5149785A (ja) | 1976-04-30 |
JPS585379B2 true JPS585379B2 (ja) | 1983-01-31 |
Family
ID=14858330
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12334874A Expired JPS585379B2 (ja) | 1974-10-28 | 1974-10-28 | ジヨウチヤクソクドソクテイソウチ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS585379B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5635763A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-08 | Tdk Corp | Film thickness controlling system |
JPS5698473A (en) * | 1979-12-31 | 1981-08-07 | Rohm Co Ltd | Forming device for thin alloy film |
-
1974
- 1974-10-28 JP JP12334874A patent/JPS585379B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5149785A (ja) | 1976-04-30 |
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