JPS585371B2 - ソツコウヒヨウジカイロ - Google Patents

ソツコウヒヨウジカイロ

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JPS585371B2
JPS585371B2 JP49132790A JP13279074A JPS585371B2 JP S585371 B2 JPS585371 B2 JP S585371B2 JP 49132790 A JP49132790 A JP 49132790A JP 13279074 A JP13279074 A JP 13279074A JP S585371 B2 JPS585371 B2 JP S585371B2
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photometric
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pulses
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豊田堅二
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Nippon Kogaku KK
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Priority to DE2551960A priority patent/DE2551960C3/de
Priority to FR7535329A priority patent/FR2292221A1/fr
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Publication of JPS585371B2 publication Critical patent/JPS585371B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B7/00Control of exposure by setting shutters, diaphragms or filters, separately or conjointly
    • G03B7/08Control effected solely on the basis of the response, to the intensity of the light received by the camera, of a built-in light-sensitive device
    • G03B7/091Digital circuits
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/10Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void
    • G01J1/16Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void using electric radiation detectors
    • G01J1/18Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void using electric radiation detectors using comparison with a reference electric value
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03MCODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
    • H03M1/00Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
    • H03M1/10Calibration or testing
    • H03M1/1009Calibration
    • H03M1/1033Calibration over the full range of the converter, e.g. for correcting differential non-linearity
    • H03M1/1057Calibration over the full range of the converter, e.g. for correcting differential non-linearity by trimming, i.e. by individually adjusting at least part of the quantisation value generators or stages to their nominal values

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は主に露出計の測光表示回路に関する。
カメラの露出計に於て、光電素子を用いた測光回路より
得られる電気信号をいくつかのレベルに分割し、そのレ
ベルに応じて複数個設けられた発光ダイオード等の表示
素子を選択的に点灯させ、もって露出の適否あるいは自
動露出のカメラに於ては制御されるべき絞り値あるいは
シャッタ速度等を表示する装置がいくつか提案されてい
る。
これらの装置では限られた数の表示素子でできるだけ多
くの情報を表示するために次に述べるような工夫がなさ
れている。
すなわちいま表示素子の総数をnとし、測光回路の出力
のm番目のレベルに対応してm番目の表示素子が点灯し
ているとする。
ここで測光回路の出力がm+1番目のレベルに変われば
m+1番目の表示素子が点灯するわけであるが、その中
間のレベルではm番目とm+1番目の表示素子を両方同
時に点灯させるのである。
このようにすればn個の表示素子で2n−1段階のレベ
ルを表示することができる。
しかし、この方法でも測光回路の出力信号をいくつかの
レベルに分割する回路(以下量子化回路と呼ぶ)に用い
る比較スイッチング回路あるいはカウンタの各ビットに
対応するフリップフロップの数は分割されるレベルに相
当する数だけ必要となる。
すなわち特開昭49−91641に示された様な方法で
は、n個の表示素子で20−1段階のレベルを表示する
のに少くとも2n−2個の比較スイッチング回路を必要
とし、また、米国特許第3,703,130号に示され
た様な方法では、例えば、8個の素子で15段階のレベ
ルを表示するのにバイナリカウンタを用いた場合にはカ
ウンタに使用するフリップフロップが4個、シフトレジ
スタによるシフトカウンタを用いた場合には15個のフ
リップフロップが必要となる。
本発明の目的は、このような発光ダイオード等の表示素
子を用いた測光表示回路の量子化回路にいわゆる追従比
較形AD変換回路を用い、測光回路の出力が中間のレベ
ルになった場合には回路系を故意に発振させることによ
って、フリップフロップの数を増すことなく、中間のレ
ベルを表示することにある。
本発明の1実施例を示す第1図において、2,3゜4は
固定抵抗器で電源1の両端子の間に互に直列に接続され
ている。
この抵抗器2,3.4の抵抗値については後に詳述する
5はcds等の光導電素子である。光導電素子5の一方
の端子は電源1の正端子に、いま一方の端子は固定抵抗
器6を介して電源の負端子に接続されている。
?a、7b、7c、7dは固定抵抗器でそれぞれ後述す
るような関係の抵抗値をもちその一端は前述の光導電素
子と固定抵抗器6との接続点に共通に接続され、いま一
端はそれぞれアナログスイッチ用の電界効果トランジス
タ(以下FETと呼ぶ)8at8bj8C78dを介し
て電源の負端子に接続されている。
抵抗7a〜7dとFET8a〜8dはDA変換回路を構
成する。
9は比較回路でその一方の入力端子9aは前述の光導電
素子5と抵抗器6の接続点にまた、いま一方の入力端子
9bは抵抗器2と抵抗器3の接続点にそれぞれ接続され
ており、9aの電圧が9bの電圧よりも高い場合にはそ
の出力端子9cに高レベルの電圧(以下Hと略す)を出
しその他の場合には低レベルの電圧(以下りと略すを出
す如く構成されている。
10は同じく比較回路でその一方の入力端子10aは抵
抗器3と抵抗器4の接続点に、いま一方の入力端子10
bは光導電素子5と抵抗器6の接続点にそれぞれ接続さ
れており、10aの電圧が10bの電圧より高い場合に
はその出力端子10CにHの電圧を出し、その他の場合
にはLの電圧を出す如く構成されている。
11は公知のパルス発生器で一定周期のパルスを発生す
る。
12はアンドゲート回路でその2つの入力端子は前述の
パルス発生器11及び比較回路9の出力端子9cに接続
され、9cの電圧がHとなったときパルス発生器11か
らのパルスを通過させ、他の場合は遮断する。
13は同じくアンドゲート回路でその2つの入力端子は
前述のパルス発生器11及び比較回路10の出力端子1
0cに接続され、10cの電圧がHとなったときパルス
発生器11からのパルスを通過させ他の場合は遮断する
14はライトレフトシフトレジスタを用いた可逆シフト
カウンタで各ビットを構成する4個のフリップフロップ
14a、14bt14ct14dから成っている。
このシフトカウンタ14にはクロックパルスの入力端子
が2種類ある。
その一方1は前述のアンドゲート回路13に接続されて
おり、この端子にクロックパルスが入ると、シフトカウ
ンタの各ビットの内容を左方に移す働きをする。
すなわち、14dのシリアル入力が電源の負端子に接続
されているので、いま、14a、14b、14c、14
dがすべてHとなっていたとするさ、この状態では前述
の入力端子1にパルスが1個人ると、14dがLとなり
、14a、14b、14cはHlいま1個人ると、14
d、14Cがし、14a、14bがHというようにして
14dから14aの方向に順にLとなって行き、減算が
行われる。
また、いま一方のクロックパルス入力端子rは、アンド
ゲート回路12に接続されており、この端子にクロック
パルスが入ると前述の1端子とは逆にシフトカウンタの
各ビットの内容を右方に移す働きをする。
すなわち、14aのシリアル入力が電源の正端子に接続
されているのでクロックパルスが入るたびに14a、1
4b、14c、14aの順にHとなって行き、加算が行
われる。
またシフトカウンタ14の出力端子は各ビット毎に2方
向に出ており、その一方は、前述のFET8a、5bt
8c+8dのゲートにそれぞれ接続されており、また、
いま一方は、インバータ16及びアンドゲート回路17
a、17b、17cに接続されている。
20゜21a、21b、21c、21dは例えば、カメ
ラのファインダー内に配設されている発光ダイオード(
以下LEDと呼ぶ)で、それらのカソード端子は共通に
電源の負端子に接続されており、20のアノード端子は
保護抵抗18を介して、インバータ16に、21aのア
ノード端子は保護抵抗19aを介してアンドゲート回路
17aに、21bのアノード端子は保護抵抗19bを介
してアンドゲート回路17bに、21cのアノード端子
は保護抵抗19cを介してアンドゲート回路17cに、
21dのアノード端子は保護抵抗19dを介して14d
の出力端子にそれぞれ接続されでいる。
これらシフトカウンタ14、インバータ16、アンドゲ
ート回路17a、17b、17c。
保護抵抗18,19a、19b、19c、LED20.
21a、21bt21c、21d、FET8a、8b、
8c、8ciは第1表のような関係となるように構成さ
れている。
閉じるため、パルス発生器11からのパルスはアンドゲ
ート回路12を通ってシフトカウンタ14のr入力に入
る。
最初のパルスが入ると、14aがHとなり、第1表に示
す如<LED20は消灯LED21aが点灯し、FET
8aがONとなる。
て第2図すのBのようになる。
この場合でもまだ■3は■1.V2より犬であるので、
比較回路9及び10の状態は変わらず、アンドゲート回
路12は開いたままであるので、パルス発生器11から
のパルスは更にシフトカウンタ14のr入力に加えられ
る。
このパルスが入ると、14a、14bがHとなり、第1
表よりLED21aは消灯、LED21 bが点灯して
FET8a及び8bが及び10の出力は両者共にLとな
るためアンドゲート回路12及び13は両者共に閉じ、
パルス発生器11からのパルスはシフトカウンタ14に
加えられないため、シフトカウンタ14はそのままの状
態を保持する。
従って光導電素子5に入射する光の強度が変わってRc
が変化しない限り、また、仮にRcが変化してもそれに
よって変化したv3がV2>Vs>V+、となっている
限りは、シフトカウンタ14の状態が変わらず、LED
21bが点灯しつづけてその時の光強度を表示する。
の状態から光導電素子5の入射光が+IEVだけの時は
第2図すのDの状態となり、再び■3がvI。
V2より大となるので比較回路9の出力がHlloの出
力がLとなり、アンドゲート回路12が開き、13は閉
じたままであるのでパルス発生器11のパルスが再びシ
フトカウンタ14のr入力に加えられ、14aF14b
、14cがHとなり、LFD21bが消灯、21cが点
灯し、FET8a、8b、8cがONとなる。
そして合成抵抗前となり、再びV2>V3>Vlとなる
ためアンドゲート回路12が閉じ、パルス発生器11の
パルスは阻止されそのままの状態を保持する。
従って点灯しているLEDは21bから21cに変わり
最初の光強度から+IEVだけ変化した入射光の強度を
表示する。
は光導電素子5の入射光が一2EVだけ変化して、態と
なり、v3はVl、■2より小となる。
この時は、比較回路9の出力がし、10の出力がHとな
り、アンドゲート回路13が開かれ、12は閉じたまま
となる。
従ってパルス発生器11のパルスはシフトカウンタ14
の1人力に加えられ、それまではHの出力を出していた
14cがLに変わる。
従ってLED21cが消灯、21bが点灯し、−状態と
なるが、この時もV3が■1.■2より小であるという
条件は変わらないため同様の経過をたどってシフトカウ
ンタ14の1人力に更にパルスが加えられ、14bがH
からLに、LED21bが消灯、21aが点灯、FET
abがONからOFFにそれぞれ状態を変え、■3は第
2図すのHの状態となり、V2>vs>vlとなるので
比較回路10の出力がLに変わり、9の出力はLのまま
であるのでアンドゲート回路は12,13共に閉じ、シ
フトカウンタ14はそのままの状態を保持する。
従ってこの場合、以前より一2EVだけ変化した入射光
に対応して、LED21aが点灯する。
以上に述べたことから解る通り、光導電機子5果として
IEV毎に各LEDが入射光の強度を表示する。
そして、それぞれの抵抗値から光導電素子5の抵抗値が
変化してもそれによって生じるV3の変化がV2>vs
>vlの範囲内であれば同じLEDが点灯する。
これは基準の入射光の強度か射光の強度に相当するLE
Dが点灯することを意味する。
次に、光導電素子5の抵抗値Rcが前述の範囲に含まれ
ない中間の値になった場合について述ベトカウンタ14
の14aのみがHで、LED21a点灯し、FET8a
がONになっていたため合成のIに示すようになり、■
1.V2より犬となるため比較回路9の出力がHllo
の出力がLとなってアンドゲート回路12が開き、13
が閉じる。
そこでパルス発生器11からシフトカウンタ14のr入
力にパルスが加えられ、14at14bがH,LED2
1aが消灯、21bが点灯する。
ま示す状態となり、v1jV2より小となるので今度は
比較回路9の出力はL、10の出力がHとなり、アンド
ゲート回路12は閉じ13が開かれる。
すると、パルス発生器11のパルスはシフトカウンタ1
4の1人力に加えられ、14bは再びLとなり14aの
みがHとなるので、LED21bは消灯21aが点灯す
る。
同時にFETabはOFFとなり、8aのみがONであ
るので合成抵抗RはのでV3は第2図すのKの状態、す
なわち■と同等の状態となり再度同じことを繰り返す。
つまり。このような条件ではV2>Va、Y+なる条件
が満足されることはなく、V3は第2図すに於ける■の
状態とJの状態を交互に繰返すた、LED21aと21
bが交互に点灯し、そのことによって入射光の強度がL
ED21aの点灯に対応する大きさと、LED21bの
点灯に対応する大きさとの中間にあることを示す。
尚、パルス発生器11の出力パルスの周期を充分短くす
れば、それだけLED21aと21bが交互に点灯する
周期も短くなるため、観察者の眼には両者が同時に点灯
しているように見える。
以上の実施例は、光導電素子5と固定抵抗6゜7a、7
b、7c、7dを含む回路を測光回路、固定抵抗2,3
,4によって構成される回路を基準電圧回路とすれば、
測光回路の出力電圧V3を、カウンタの出力によるFE
Tの制御によって変化させ、これを基準電圧回路の出力
電圧と比較して、その結果をもってカウンタによるパル
スの計数を制御するものであった。
しかし、これを逆に、基準電圧回路の出力電圧をカウン
タの出力によって変化させ、これを測光回路の出力と比
較して、その結果をもってカウンタによるパルスの計数
を制御することもできる。
以下そのような実施例について説明する。
第3図に本発明の別の実施例を示す。
図中第1図の実施例と同様の働きをするものは同じ番号
が付けられている。
第3図に於て、ダイオード101゜105、固定抵抗1
02,103,104,107、演算増巾器106トラ
ンジスタ108は定電流回路を構成しており、絶対温度
に比例した温度特性をもつ電流をトランジスタ108の
エミッタ電流として流す。
109及び110は、それぞれ使用フィルムの感光度及
び撮影レンズの絞り値に応じてその抵抗値が変化する可
変抵抗でトランジスタ108のエミッタ回路に直列に接
続され、トランジスタ108のエミッタと可変抵抗10
9の接続点の電圧を使用フィルムの感光度及び撮影レン
ズの絞り値に応じて変化させる。
ダイオード111、フォトダイオード112、演算増巾
器113は光強度の対数変換回路を構成し、光強度の対
数に比例した電圧を作り出す。
図の構成ではダイオード111のカソードに前述のトラ
ンジスタ108のエミッタ電圧が加えられているので演
算増巾器113の出力電圧VtSは光強度の対数に比例
する電圧に使用フィルムの感光度及び撮影レンズの絞り
値の情報を加えた値となり、各条件を適当に選べば適正
露出を与えるような露出時間の対数に比例する電圧とな
る。
以上に述べた101〜113で測光回路が構成される。
一方ダイオード114,118、固定抵抗115゜11
6.117,120、演算増巾器119トランジスタ1
21は前述の101〜108と同様の定電流回路を構成
しており、同じく絶対温度に比例する温度特性を有する
電流をトランジスタ121のエミッタ電流として流す。
このトランジスター21のエミッタと電源負端子の間に
は固定抵抗122、ダイオード123、固定抵抗124
及び125a、125bt125ct125dが直列に
接続されている。
固定抵抗122の抵抗値はそ用ダイオード111にシリ
コンダイオードを順方向に2個用いた場合には常温で約
18mVの電圧降下を起すように設定され、また、固定
抵抗125a125b、125c、125dの抵抗値は
互に等しく、それぞれIEV分の電圧降下、例えば、上
述の例では常温で約36mVの電圧降下を起すように設
定されている。
すなわち、125a、125b。125c、125dの
抵抗値は122の抵抗値の2倍に設定されているわけで
ある。
ダイオード123はダイオード111と温度特性を一致
させるためのダイオード、固定抵抗124は測光回路と
基準電圧回路の電圧レベルを一致させるための抵抗であ
る。
以上に述べた114〜125dで基準電圧回路が構成さ
れる。
FETI26a、126b。126c、126dは第1
図の実施例のFET8a、8b、8c、8dに相当する
が、それらのゲートはそれぞれインバーター27a、1
27b。
127c、127dを介して、シフトカウンター4の各
ビット14az14b、14c、14dに接続されてい
るので、第1図の実施例とは反対に、例えば、14aが
Hとなった時FET126aがOFFとなる如く、対応
するシフトカウンター4のビットがHになった時にOF
Fとなるように構成されている。
FET126aは、固定抵抗124と125aの接続点
と電源負端子の間に、FET126bは固定抵抗125
aと125bの接続点と電源負端子の間にFET126
cは固定抵抗125bと1250の接続点と電源負端子
の間にFET126dは固定抵抗125cと125dの
接続点と電源負端子の間にそれぞれ接続されている。
また、比較回路9の入力端子9bと比較回路10の入力
端子10bは測光回路の出力端子である前述の演算増巾
器113の出力端子に、比較回路9の他方の入力端子9
aはトランジスター21と固定抵抗122の接続点に比
較回路10の他方の端子10aは固定抵抗122とダイ
オード123の接続点にそれぞれ接続されている。
その他の接続は第1図の実施例と同様である。
いま、トランジスタ121のエミッタと固定抵抗122
の接続点の電圧をV12とし、固定抵抗122とダイオ
ード123の接続点の電圧をv、1とする。
最初の状態としてシフトカウンタ14のすべてのビット
がL、すなわちFET126a。
126b、126c、126dがすべてONとなった時
のV12とVllの相加平均の電圧をV。
、IEV当りの対数変換回路の出力の電圧変化を△■と
すれば、この最初の状態では前述の条件から、第4図に
第3図の実施例の作動をグラフで示す。
ここで横軸には時間の経過を、縦軸には■、1゜■、2
.■13をそれぞれ破線、実線、一点鎖線で示している
まず、使用フィルムの感光度、撮影レンズの絞り値を適
当に設定し、フォトダイオード112への入射光に応じ
て測光回路の出力電圧VtaがV。
+2△Vとなったとすると、この電圧はvll。
V12よりも犬となるので比較回路9の出力がHllo
の出力がLとなり、アンドゲート回路12が開き、13
は閉じたままである。
そこでパルス発生器11のパルスはシフトカウンタ14
のr入力に加えられ最初のパルスでまず14aがH,L
ED21aが点灯し、FET126aがOFFとなる。
すると、■11.■、2にそれまで、FET126aに
よって電源負端子にショートされていた固定抵抗125
aの両端の電圧△Vが加わり、各電圧■11.■12は
第4図Aの状態からBの状態となる。
この場合でも、比較回路9及び10の状態は変わらない
からシフトカウンタ14は更にカウントを続け、14b
がHとなり、LED21aが消灯、21bが点灯して、
FET126bがOFFとなり、V11tV12に更に
固定抵抗125bの両端の電圧△Vが加わり、第4図C
の状態となる。
この時には、■+2>VTR>Vllとなるため、比較
回路の出力は9,10共にLとなり、アンドゲート回路
12,13は共に閉じるため、シフトカウンタ14には
パルス発生器11のパルスは加えられず、LED21b
が点灯した状態が保たれる。
フォトダイオード112の入射光の強度、フィルムの感
光度又は撮影レンズの絞り値等が変化して■13に±I
EVの変化が生じ、Vo+3△Vとなった場合には、第
4図のDの状態となり、シフトカウンタ14のr入力に
パルスが1つ加えられてEの状態となり、LED21c
が点灯する。
また、更にV、3に一2EVの変化があり、v。
+△■となった場合にはFの状態からシフトカウンター
4の1人力にパルスが2つ加えられHの状態となり、L
ED21aが点灯する。
次にHの状態からV13この場合も第1図の実施例と同
様■の状態とJの状態とを交互に繰返し、LED21a
と21bが交互に点滅する。
以上の説明から解る通り、第3図の実施例ではフォトダ
イオード112に入射する光の強度、設定されたフィル
ム感光度、絞り値に応じて、それに対応するLEDを点
灯させることにより適正露出を与えるシャッタ速度を表
示するものであり、例えば、電気シャッタを有する自動
露出のカメラの表示に応用できるものである。
この場合も第1図の実施例と同様、各LEDに対応する
基準のシ合には同じLEDが点灯し、その中間の場合に
は相隣る2個のLEDが交互に点滅することになる上述
の2つの実施例にあっては2つの比較回路の状態の反転
レベルの差を作り出すのに基準電圧それぞれに比較回路
を接続しているが、第5図に示す本発明の第3実施例は
、同じ入射光を受けるを測光回路に設け、この測光回路
の出力により、2つの比較回路の状態の反転レベルの差
を作り出すことによって、上と同様の目的を達成してい
る詳述すると、第5図において、直列接続の抵抗200
.201とで、その接続点が出力となる基準電圧発生回
路を構成する。
直列接続の光電素子202と抵抗203、又、直列接続
の光電素子204と抵抗205は夫々電源1に接続され
る。
2つの光電素子はともに被写体からの光を受光するが、
素子204にはその前にフィルタ206が配置されてお
り両光型素子202,204の出力比較回路9,10の
それぞれ一方の入力端子9bt10aは基準電圧発生回
路200,201の出力端子に、又それぞれの他方の入
力端子9a。
10bは夫々測光回路202,203,204゜205
の2つの出力220,230に、それぞれ接続されてい
る。
また、4つの直列接続の抵抗とFET207aと208
a、207bと208bt207cと208cそして2
07dと208dとは抵抗203に夫々並列に接続され
、又同時に4つの直列接続の抵抗とFET209aと2
10a。
209bと210b、209cと210cそして209
dと210dとは抵抗205に夫々接続されており、測
光回路の2出力端子220,230の電圧をカウンタの
出力に応じて変化させる。
その他の構成は、前述の実施例と同様であり、またその
作用も類似しているので説明は略する。
これら3つの実施例を要約すれば、光電素子を含む測光
回路の出力信号と、基準電圧回路の出力信号とを比較し
、その大小に応じて可逆カウンタの正・負、いずれかの
入力にパルスを加え、該可逆カウンタに計数されたパル
ス数を複数の表示素子のうち、対応する1個の表示素子
を点灯させることにより表示すると共に、計数されたパ
ルス数をDA変換し該パルス数に応じて前記測光回路あ
るいは基準電圧回路の出力信号を変化させ、両回路の出
力信号がある一定の関係となった所でゲート回路を働か
せて可逆カウンタによるパルスの計数を中止し、もって
光電素子に入射する光の強度に関連する情報を前記表示
素子の点灯により表示する回路に於て、前記ゲート回路
を互にその状態の反転するレベルの異なった2個の比較
回路をもって制御し、該比較回路の状態が反転するレベ
ルの差を前記DA変換回路による測光回路あるいは基準
電圧回路の1パルス分の出力信号の変化より小さくとる
ことによって、光強度に関連する情報の予じめ定められ
た基準のレベル及びその近傍のレベルに対しては、該基
準のレベルに対応する1個の表示素子を点灯し、その中
間のレベルに対しては相隣る2個の表示素子を交互に点
滅する如く構成した測光表示回路ということができる。
これらの実施例では、比較回路の反転レベルのの出力信
号の差をIEVとして、もって表示の方はIEV毎に1
個の表示素子を点灯し、中間のレベルでは相隣る2個の
表示素子を交互に点滅するこれは設計上の条件により、
例えば反転レベルの差をIEVIパルス当たりの出力信
号の差を2EVとして、IEV毎に表示するなどしても
かまわない。
反転レベルの差も必ずしも1パルス当たたりの出力信号
の差よりも小であるという条件を満たせば上述したよう
な効果が得られる。
ここに述べた実施例では、説明の都合上、4ビツトのラ
イトレフトシフトレジスタを用いたシフトカウンタを用
いたがこれは場合によって、さらに多い、又は更に少い
ビット数のものを用いることも可能であるし、また、可
逆カウンタであれば例えば適当なデコーダを付したバイ
ナリアップダウンカウンタ等を使用しても効果に変わり
はない1以上に詳述した如く、本発明の構成をもってす
れば、発光ダイオード等の表示素子を用いる測光表示装
置に於て、表示の段階に対し必要なフリップフロップの
数を大巾に節約できる。
例えば、実施例の如く5個の表示素子で、計9段階の表
示をする場合、従来の方法ではシフトカウンタを用いる
と、少くとも8個のフリップフロップが必要であったも
のが4個のフリップフロップで9段階の表示が可能とな
る。
尚、バイナリカウンタを用いた場合には理論上フリップ
フロップを1個減らすにとどまるが、それに付随するデ
コーダに於てはゲートの数が大巾に節減できるものであ
る。
また、本発明では光強度が予め設定されたレベルの中間
に来た場合には相隣る2個の表示素子が交互に点滅し、
これはパルス発生器により発生されるパルスの周期を充
分短くすれば観察者の眼には2個同時に点灯するように
見えるきいうことは前に述べたが、場合によっては逆に
パルスの周期を適当に長く設定し、観察者に点滅が充分
感知できる如くすれば、それによって中間レベルに於け
る警告の効果をもたせることも可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1実施例の回路図、第2図は第1実
施例の電圧の説明図、第3図は本発明の第2実施例の回
路図、第4図は第2実施例の電圧の説明図、第5図は本
発明の第3実施例の回路図。 〔図の主要な部分の説明〕 測光回路:5,6゜7;1
09,110,111,112,113;202.20
3,204,205,207,209、基準電圧回路:
2,3,4;111〜122゜125;200,201
、表示素子:20,21、比較回路:9,10、AND
ゲート回路=12゜13、パルス発生器=11、可逆カ
ウンタ:14、DA変換器ニア、8;125,126;
207゜208;209,210゜

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 測光回路の出力の大きさに応じて可逆カウンタを加
    算及び減算させて、該可逆カウンタに計数されたパルス
    数に応じて複数の表示素子のうちの1個の素子を制御す
    ることにより測光表示を行う測光表示回路において、 測光回路の第1出力と基準電圧回路の第1出力とを比較
    しその大小に応じて自身の出力状態を反転する第1比較
    回路と、 測光回路の第2出力と基準電圧回路の第2出力とを比較
    し、その大小に応じて自身の出力状態を反転する第2比
    較回路と、 可逆カウンタに計数されたパルス数をDA変換し、その
    変換出力に応じて、測光回路と基準電圧回路とのいずれ
    か一方の回路の第1於び第2出力を変化させるDA変換
    回路とを具備し、 その測光そして基準電圧回路の一方の回路の第1及び第
    2出力に一定の差を与えることにより2つの比較回路の
    出力状態の反転するレベルに差を設け、そして可逆カウ
    ンタは第1比較回路の出力状態に応じて、夫々パルスの
    加算及びその阻止を行い、また第2比較回路の出力状態
    に応じて夫々パルスの減算及びその阻止を行い、 可逆カウンタの計数パルス1個分の変化に対する前記D
    A変換回路による前記第1及び第2出力の変化量を、前
    記一定差よりも大きくし、測光回路の出力の予じめ定め
    られたレベル及び前記一定の差によって定まるその近傍
    に対してはそのレベルに対応する1つの表示素子を制御
    し、その中間レベルに対しては、隣合う2個の表示素子
    を交互に制御することにより測光表示を行う測光表示装
    置。
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FR2292221A1 (fr) 1976-06-18
FR2292221B1 (ja) 1977-12-16
JPS5158986A (ja) 1976-05-22
US4061431A (en) 1977-12-06
GB1531275A (en) 1978-11-08
DE2551960C3 (de) 1981-09-10
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