JPS5852582A - 磁場検出器 - Google Patents
磁場検出器Info
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- JPS5852582A JPS5852582A JP14952681A JP14952681A JPS5852582A JP S5852582 A JPS5852582 A JP S5852582A JP 14952681 A JP14952681 A JP 14952681A JP 14952681 A JP14952681 A JP 14952681A JP S5852582 A JPS5852582 A JP S5852582A
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- magnetic field
- thin film
- magnetic
- piezoelectric element
- field detector
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁場検出器に係り、特に、磁束変化量を電気信
号として得るための磁場検出器に関する。
号として得るための磁場検出器に関する。
プラズマ等が作る磁場における磁束の変化を検出する原
理的な方法は、誘導作用を利用し、交流電気信号として
出力することである。この具体的な例を第１図に示す。
理的な方法は、誘導作用を利用し、交流電気信号として
出力することである。この具体的な例を第１図に示す。
第１図に示す如く、ボビン１にコイル２を多数回巻いた
構造となっている。外部より磁束Ｂが磁気プローブに貫
通すると、コイル２には電磁誘導作用が起り、検出端Ｔ
＋ 、Ｔ２には、ｅ ＝ −８ｎ ｄ Ｂ／ｄ ｔ
＝・−−（１）但し、Ｓ：ボビンの径 ｎ：ターン数 の電圧ｅが誘起される。したがってｅを測定することに
より、プラズマ等が作る磁場の時間変化量ｄＢ／ｄｉ−
ｉ知ることができる。プラズマを囲む様に多数個の磁気
グローブを配置すれば、プラズマの位置、形状およびプ
ラズマ自体の振動が測定できる。ここでプラズマ振動の
測定に関しては、特にプラズマの高周波域での挙動の解
明が必要である。プラズマの変化の時間は、装置によっ
て異なるが、将来の核融合プラズマでは１μＳ（ＩＭｌ
（Ｚ）程度が見込まれている。一方、磁場検出器は、前
述の様な形状であることから、インダクタンスＬ１線間
容量Ｃ１及び芯線の抵抗Ｒの結合回路で表わせ、その高
域しゃ断層波数ｆＣは次式％式％ （２） ｆｃを大きくするためには（２）式よりＬｋ小さくする
必要がある。一般にＬは巻数ｎの２乗で増加するため高
周波特性を良くするためにはｎを小さくする。しかし、
ｎを小さくすることは（］）式より明らかな如く出力電
圧ｅを小さくすることに々るので検出器として見た場合
のＳＮ比は悪くなる。通常（１１，（２１式を考慮して
実現される磁場検出器の高域しゃ断層波数ｆｃは１００
１（ＩＴＺ程度が限界であり、ＩＩｔＳ以下のプラズマ
の挙動を現在の様なコイル状の検出器で検出することは
不可能である。
構造となっている。外部より磁束Ｂが磁気プローブに貫
通すると、コイル２には電磁誘導作用が起り、検出端Ｔ
＋ 、Ｔ２には、ｅ ＝ −８ｎ ｄ Ｂ／ｄ ｔ
＝・−−（１）但し、Ｓ：ボビンの径 ｎ：ターン数 の電圧ｅが誘起される。したがってｅを測定することに
より、プラズマ等が作る磁場の時間変化量ｄＢ／ｄｉ−
ｉ知ることができる。プラズマを囲む様に多数個の磁気
グローブを配置すれば、プラズマの位置、形状およびプ
ラズマ自体の振動が測定できる。ここでプラズマ振動の
測定に関しては、特にプラズマの高周波域での挙動の解
明が必要である。プラズマの変化の時間は、装置によっ
て異なるが、将来の核融合プラズマでは１μＳ（ＩＭｌ
（Ｚ）程度が見込まれている。一方、磁場検出器は、前
述の様な形状であることから、インダクタンスＬ１線間
容量Ｃ１及び芯線の抵抗Ｒの結合回路で表わせ、その高
域しゃ断層波数ｆＣは次式％式％ （２） ｆｃを大きくするためには（２）式よりＬｋ小さくする
必要がある。一般にＬは巻数ｎの２乗で増加するため高
周波特性を良くするためにはｎを小さくする。しかし、
ｎを小さくすることは（］）式より明らかな如く出力電
圧ｅを小さくすることに々るので検出器として見た場合
のＳＮ比は悪くなる。通常（１１，（２１式を考慮して
実現される磁場検出器の高域しゃ断層波数ｆｃは１００
１（ＩＴＺ程度が限界であり、ＩＩｔＳ以下のプラズマ
の挙動を現在の様なコイル状の検出器で検出することは
不可能である。
本発明の目的は、プラズマ等が作る磁束変化計の高周波
成分を感変良＜、シかも広帯域に検出することのできる
磁場検出器を提供することにある。
成分を感変良＜、シかも広帯域に検出することのできる
磁場検出器を提供することにある。
本発明は、被測定体の作る磁束変化量を磁性薄膜又は導
電性薄膜で受け、これによって生ずる誘導力又は渦電流
による力を圧電素子に伝え、受けた力に応じて圧電電圧
全発生させて磁場の高周波成分を検出するようにしたも
のである。
電性薄膜で受け、これによって生ずる誘導力又は渦電流
による力を圧電素子に伝え、受けた力に応じて圧電電圧
全発生させて磁場の高周波成分を検出するようにしたも
のである。
第２図は本発明の第１の実施例を示す斜視図である。第
２図は薄膜材として磁性材料を用いた場合である。すな
わち、超音波センサ等の圧電素子（通常、数１０ Ｋ＃
Ｉ Ｚから数１０Ｍ■■Ｚの帯域を有するもので例えば
ＰＺＴ等によるアコースティックエミツンヨン用センザ
）３の感圧表面４に、厚さ数μｍで比透磁率１以上の磁
性薄膜５を、蒸着あるいは接着する。外部から交流磁場
Ｂが印加されると、磁性薄膜５は外部交流磁場Ｂの時間
変化にしたがって振動を開始する。磁性薄膜５０半径を
ａ、厚さ’ｔｚｔとすると磁性薄膜５の磁気モーメント
Ｍは、 Ｍ−πａ２ｔＢ ・・・・・・・・
・（３）で表わせる。例えば、ａ−”２ｍ＋ｎ、Ｌ＝１
１ｔｍを考え、外部交流磁場Ｂ−３０ガウス（３０Ｘ１
０−’Ｔ）、を考えｎば、約１０’−１２（ｗｂ−ｍ）
程度である。この磁性薄膜５の磁気モーメントＭにより
、磁性薄膜５に発生する電磁力Ｆは、Ｆ ＝ −Ｍ Ｂ
／μ０ ・・・・・・・・・（４）とな
る。Ｂ＝３０Ｘ１０””’ｒ全代入して１Ｏ−９（Ｎ）
程度である。即ち、磁性薄膜５にかかる応力ａは、 ａ二Ｆ／πａ２ ・・・・・・・・
・（５＋より、約１０−’Ｐ・となる。一方、超音波セ
ンサ２１の応力検出レベルの下限値は０．１〜１ｎｂａ
ｒ（１０−５Ｐ、〜１０−’Ｐ、）である。したがって
外部磁場による磁性薄膜５の応力は十分検出可能である
。さらに圧電素子自体の周波数特性は、すでにのべた様
に数１０ Ｋ、 ｌ（Ｚから数１０ＭＩＴＺ寸であるた
め、′第２図の構成ににす、１μｓの磁場変動が検出可
能となる。
２図は薄膜材として磁性材料を用いた場合である。すな
わち、超音波センサ等の圧電素子（通常、数１０ Ｋ＃
Ｉ Ｚから数１０Ｍ■■Ｚの帯域を有するもので例えば
ＰＺＴ等によるアコースティックエミツンヨン用センザ
）３の感圧表面４に、厚さ数μｍで比透磁率１以上の磁
性薄膜５を、蒸着あるいは接着する。外部から交流磁場
Ｂが印加されると、磁性薄膜５は外部交流磁場Ｂの時間
変化にしたがって振動を開始する。磁性薄膜５０半径を
ａ、厚さ’ｔｚｔとすると磁性薄膜５の磁気モーメント
Ｍは、 Ｍ−πａ２ｔＢ ・・・・・・・・
・（３）で表わせる。例えば、ａ−”２ｍ＋ｎ、Ｌ＝１
１ｔｍを考え、外部交流磁場Ｂ−３０ガウス（３０Ｘ１
０−’Ｔ）、を考えｎば、約１０’−１２（ｗｂ−ｍ）
程度である。この磁性薄膜５の磁気モーメントＭにより
、磁性薄膜５に発生する電磁力Ｆは、Ｆ ＝ −Ｍ Ｂ
／μ０ ・・・・・・・・・（４）とな
る。Ｂ＝３０Ｘ１０””’ｒ全代入して１Ｏ−９（Ｎ）
程度である。即ち、磁性薄膜５にかかる応力ａは、 ａ二Ｆ／πａ２ ・・・・・・・・
・（５＋より、約１０−’Ｐ・となる。一方、超音波セ
ンサ２１の応力検出レベルの下限値は０．１〜１ｎｂａ
ｒ（１０−５Ｐ、〜１０−’Ｐ、）である。したがって
外部磁場による磁性薄膜５の応力は十分検出可能である
。さらに圧電素子自体の周波数特性は、すでにのべた様
に数１０ Ｋ、 ｌ（Ｚから数１０ＭＩＴＺ寸であるた
め、′第２図の構成ににす、１μｓの磁場変動が検出可
能となる。
第３図は本発明のｇ２の実施例を示すもので、第２図の
実施例における磁性薄膜の代りに、導電材料による導電
性薄膜６を用い、この導電性薄膜６を圧電素子３に蒸着
あるいは接着したものである。
実施例における磁性薄膜の代りに、導電材料による導電
性薄膜６を用い、この導電性薄膜６を圧電素子３に蒸着
あるいは接着したものである。
外部から検出すべき外部磁場Ｂの方向が導電性薄膜６の
面に垂直であるとき、導電性源ｊ摸６には、うず電流■
が発生する。電流丁の回転’２ｒｏｔｌとすると、導電
性薄膜の導電率全にとすると、次式が成立する。
面に垂直であるとき、導電性源ｊ摸６には、うず電流■
が発生する。電流丁の回転’２ｒｏｔｌとすると、導電
性薄膜の導電率全にとすると、次式が成立する。
ｒｏｔ ［＝ −ｋ ａ ［３／ ａ ｔ・−・・”・
ｔ６）発生した電流■と外部定常磁場Ｂ［により、ｐ
＝ ｌｌ Ｘ Ｂ ｔ ・・・・
・・・・・（７）の力Ｆが導電性薄膜に発生する。外部
定常磁場Ｂｔは、プラズマの場合、第４図に示す様にプ
ラズマ７にはプラズマを閉じ込める様な定常的な１・ロ
イダル磁場Ｂｔがトロイダル方向７０に印加されている
。したがって（力式により発生する力Ｆを圧電素子で検
出すれば（８）式により導電性薄膜６を通過する外部磁
場の時間変動量２Ｂ／ａｔ−ｆｚ検出することができる
。
ｔ６）発生した電流■と外部定常磁場Ｂ［により、ｐ
＝ ｌｌ Ｘ Ｂ ｔ ・・・・
・・・・・（７）の力Ｆが導電性薄膜に発生する。外部
定常磁場Ｂｔは、プラズマの場合、第４図に示す様にプ
ラズマ７にはプラズマを閉じ込める様な定常的な１・ロ
イダル磁場Ｂｔがトロイダル方向７０に印加されている
。したがって（力式により発生する力Ｆを圧電素子で検
出すれば（８）式により導電性薄膜６を通過する外部磁
場の時間変動量２Ｂ／ａｔ−ｆｚ検出することができる
。
第５図は本発明の第３の実施例を示す斜視図である。
本実施例は第３図に示した実施例の検出感度を」二げ、
ＳＮ（信号対雑音）比の向上を図ったものである。すな
わち圧電素子３を、外部定常磁場Ｂ ｔに対して垂直に
３ａ、３ｂに分割し、その間を、緩衝材８を用いて音響
的に分離している。検出すべき磁場■３の時間変化ａＢ
／ａｔは検出端ＴＩ １２間、およびＴ ｓ Ｔ
４間に現われるが、第３図から明らかな様に力Ｆの方向
は互いに逆方向にあることから、第６図に示す様な構成
により、’Ｉ’３ Ｔ４間の信号Ｓ２を、移相器９で１
８０度ずらし、Ｔ１−１２間の信号Ｓ１ と加算器１０
で加え合せて、検出のＳＮＮ全全向上せることができる
。
ＳＮ（信号対雑音）比の向上を図ったものである。すな
わち圧電素子３を、外部定常磁場Ｂ ｔに対して垂直に
３ａ、３ｂに分割し、その間を、緩衝材８を用いて音響
的に分離している。検出すべき磁場■３の時間変化ａＢ
／ａｔは検出端ＴＩ １２間、およびＴ ｓ Ｔ
４間に現われるが、第３図から明らかな様に力Ｆの方向
は互いに逆方向にあることから、第６図に示す様な構成
により、’Ｉ’３ Ｔ４間の信号Ｓ２を、移相器９で１
８０度ずらし、Ｔ１−１２間の信号Ｓ１ と加算器１０
で加え合せて、検出のＳＮＮ全全向上せることができる
。
以」−の各実施例によれば、圧電素子３の共振周波数付
近で、磁場の時間変化ａＢ７δｔの検出感度が最もよい
が、圧電素子３自体に周波数帯域がない場合には、冒周
波域のごとく一部の周波数帯しか高感度の検出ができな
いという欠点がある。
近で、磁場の時間変化ａＢ７δｔの検出感度が最もよい
が、圧電素子３自体に周波数帯域がない場合には、冒周
波域のごとく一部の周波数帯しか高感度の検出ができな
いという欠点がある。
そこで、この点を改良した実施例を次に例示する。
第７図は本発明の第４の実施例を示す斜視図である。共
振周波数が互に異なる圧電素子１２を所要周波数特性の
得られる個数（図でｕ：１２ａ。
振周波数が互に異なる圧電素子１２を所要周波数特性の
得られる個数（図でｕ：１２ａ。
１２ｂ、１２Ｃ）だけ、緩衝材１１ａ、１１１）（Ｔ７
介して直列に並べたものである。圧電素子１２ａ〜１２
Ｃの谷出力は電気的に合成することにより、単一の出力
信号にすることができる。
介して直列に並べたものである。圧電素子１２ａ〜１２
Ｃの谷出力は電気的に合成することにより、単一の出力
信号にすることができる。
第８図は本発明の第５の実施例を示す斜視図である。
本実施例は、共振周波数の異なる複数の圧電素子１２を
同心固状に配置（中心部が円柱状、その外側に円筒状の
複数の圧電素子３自低しでいく）し、第７図の実施例と
同様に出力を取り出し処理するものである（この場合も
各圧電素子間に緩衝材を設けて音響干渉を防止する）。
同心固状に配置（中心部が円柱状、その外側に円筒状の
複数の圧電素子３自低しでいく）し、第７図の実施例と
同様に出力を取り出し処理するものである（この場合も
各圧電素子間に緩衝材を設けて音響干渉を防止する）。
なお、ヘッド部の磁性薄膜は１枚形状であり分割はしな
い。
い。
第９図は本発明の第６の実施例を示す斜視図である。
本実施例は第５図と第７図の実施例を組合せた構成であ
り、ヘッド部の薄膜に導電性薄膜を用いる場合である。
り、ヘッド部の薄膜に導電性薄膜を用いる場合である。
圧電素子を分割したものを直列に１２ａ、１２ｂ、１２
Ｃの如くに直列接続すると共に、その各々の磁場Ｂ受入
面に導電性薄膜６ａ。
Ｃの如くに直列接続すると共に、その各々の磁場Ｂ受入
面に導電性薄膜６ａ。
６ｂ、６”ｋ前述の接着方法により固着するものである
。
。
さらに、第１０図は本発明の第７の実施例を示す斜視図
である。本実施例は、第５図の実施例と第８図の実施例
を組合せた構成であり、共振周波数の異なる複数の同心
円状に配すると共に、これらを２分割したものである。
である。本実施例は、第５図の実施例と第８図の実施例
を組合せた構成であり、共振周波数の異なる複数の同心
円状に配すると共に、これらを２分割したものである。
以上説明した第５図、第７図乃至第１０図の実施例は、
いずれも共振周波数の異なる圧電素子３を複数個用いる
ため検出信号を合成する必要がある。この合成処理の為
の装置の１例を示したのが第１１図である。第７図の３
段直列の実施例を例に説明する。
いずれも共振周波数の異なる圧電素子３を複数個用いる
ため検出信号を合成する必要がある。この合成処理の為
の装置の１例を示したのが第１１図である。第７図の３
段直列の実施例を例に説明する。
圧電素子１２ａ、１２ｂｌ １２Ｃの各出力Ｓｌ＋Ｓ２
．Ｓｓは増幅器１３ａ、１３１）、１３Ｃ（７）各各に
入力され所定の電圧値に増幅される。増幅器１３ａ〜１
３Ｃはフィルタ１４ａ〜１４Ｃによって不要周波数成分
が除去される。フィルタ１４８〜１４Ｃは第１２図の如
くに周波数帯域が各圧電素子の共振周波数に合せて連続
的となるように選定される。これによジフィルタより出
力される信号は圧電素子自体の周波数領域内の信号のみ
を得ることができる。そこで、これらフィルタ１４３〜
１４Ｃの各出力全アイログ加算器１５で加算し単一の検
出信号を得る。なお、第９図および第１０図の各実施例
に対しては、第１１図の構成に加え移相器を必要とする
点が異なる。
．Ｓｓは増幅器１３ａ、１３１）、１３Ｃ（７）各各に
入力され所定の電圧値に増幅される。増幅器１３ａ〜１
３Ｃはフィルタ１４ａ〜１４Ｃによって不要周波数成分
が除去される。フィルタ１４８〜１４Ｃは第１２図の如
くに周波数帯域が各圧電素子の共振周波数に合せて連続
的となるように選定される。これによジフィルタより出
力される信号は圧電素子自体の周波数領域内の信号のみ
を得ることができる。そこで、これらフィルタ１４３〜
１４Ｃの各出力全アイログ加算器１５で加算し単一の検
出信号を得る。なお、第９図および第１０図の各実施例
に対しては、第１１図の構成に加え移相器を必要とする
点が異なる。
ところで第７図乃至第１０図の実施例においては、高周
波域の帯域は第１の実施例に比して広帯域とる。しかし
圧電素子３の特性」二、低周波域（ＩＯＫＨ２以下）で
の検出感度は余り良くないという性質がある。次に低域
特性を向上させる実施例を具体的に例示する。
波域の帯域は第１の実施例に比して広帯域とる。しかし
圧電素子３の特性」二、低周波域（ＩＯＫＨ２以下）で
の検出感度は余り良くないという性質がある。次に低域
特性を向上させる実施例を具体的に例示する。
第１３図は本発明の第８の実施例を示す断面図である。
第１３図に示すように、第７図乃至第１０図の磁場検出
器を第１図に示したコイル状検出器のボビン１の中に挿
入したものである。即ち、１０ＫＩ−ＩＺ−！での磁場
変動はコイル２により検出し、これよりさらに高い周波
数成分をもつ磁場変動に対しては本発明による磁場検出
器２０を使用するものである。信号処理法は第１１図に
示したと同様である。この様な構成および信号処理をほ
どこすことで低周波域から高周波域にわたる広帯域の磁
場検出器を得ることができる。
器を第１図に示したコイル状検出器のボビン１の中に挿
入したものである。即ち、１０ＫＩ−ＩＺ−！での磁場
変動はコイル２により検出し、これよりさらに高い周波
数成分をもつ磁場変動に対しては本発明による磁場検出
器２０を使用するものである。信号処理法は第１１図に
示したと同様である。この様な構成および信号処理をほ
どこすことで低周波域から高周波域にわたる広帯域の磁
場検出器を得ることができる。
次に、以」二に示した磁場検出器全トロイダル状プラズ
マに設置する場合の一例を説明する。
マに設置する場合の一例を説明する。
第１４図はトロイダル状プラズマを収納するための真空
容器９１の外観図を示す。第１５図は第１４図のＡ−Ａ
’断面図を示す。磁気検出器９３は真空容器９２等の時
間遅れが無い様に真空容器内壁９４に設置される。一般
にプラズマ７の垂直（１１） 及び水平の位置変動を検出するためには、断面図の上下
・左右に図示の様に最低４個の磁気検出器９３が必要で
ある。磁気検出器ＡおよびＢは水平方向９５の位置を計
測するために用いられ、磁気検出器Ｃおよび］）ｉｒよ
垂直方向９６の位置を計４１１１するために用いられる
ものである。
容器９１の外観図を示す。第１５図は第１４図のＡ−Ａ
’断面図を示す。磁気検出器９３は真空容器９２等の時
間遅れが無い様に真空容器内壁９４に設置される。一般
にプラズマ７の垂直（１１） 及び水平の位置変動を検出するためには、断面図の上下
・左右に図示の様に最低４個の磁気検出器９３が必要で
ある。磁気検出器ＡおよびＢは水平方向９５の位置を計
測するために用いられ、磁気検出器Ｃおよび］）ｉｒよ
垂直方向９６の位置を計４１１１するために用いられる
ものである。
以」二、説明したごとく本発明の実施例によれば、プラ
ズマ等が作る磁場の高周波成分を感ＩＷ良く検出するこ
とができる。さらに、複数個の互いに異なる周波数帯域
を有する圧電素子を組み合せれば、高周波広帯域の磁場
検出が可能であり、またこの検出器を従来からのコイル
状検出器と組み合わせれば、低周波域からの磁場検出器
が実現できる。
ズマ等が作る磁場の高周波成分を感ＩＷ良く検出するこ
とができる。さらに、複数個の互いに異なる周波数帯域
を有する圧電素子を組み合せれば、高周波広帯域の磁場
検出が可能であり、またこの検出器を従来からのコイル
状検出器と組み合わせれば、低周波域からの磁場検出器
が実現できる。
即ち従来から行なってきた様に、高周波特性を良くする
ため巻数ｒ＋（ｔ−小さくするといった手法を取らずに
、ｎを大きくとり低周波域の感度も向」ニさせることが
できる。′・ なお、以上の説明ではプラズマ等の磁場の磁力変化を測
定する例のみを述べたが、この他、回転機の漏洩磁場の
検出および渦電流探傷装置への適（１２） 用等が可能である。
ため巻数ｒ＋（ｔ−小さくするといった手法を取らずに
、ｎを大きくとり低周波域の感度も向」ニさせることが
できる。′・ なお、以上の説明ではプラズマ等の磁場の磁力変化を測
定する例のみを述べたが、この他、回転機の漏洩磁場の
検出および渦電流探傷装置への適（１２） 用等が可能である。
以上より明らかな如く本発明によれば、磁場の高周波成
分を感度良く検出することのできる磁場検出器が得られ
る。
分を感度良く検出することのできる磁場検出器が得られ
る。
第１図は従来の磁場検出器の構成を示す断面図、第２図
は本発明の第１の実施例を示す斜視図、第３図は本発明
の第２の実施例を示す斜視図、第４図はプラズマにおけ
る定常磁場Ｂｔの発生説明図、第５図は本発明の第３の
実施例を示す斜視図、第６図は第５図の実施例の信号処
理のための処理装置を示すブロック図、第７図は本発明
の第４の実施例を示す斜視図、第８図は本発明の第５の
実施例を示す斜視図、第９図は本発明の第６の実施例を
示す斜視図、第１０図は本発明の第７の実施例を示す斜
視図、第１１図は多信号を出力する本発明の実施例に適
用される処理装置を示すブロック図、第１２図は第１１
図の装置に適用されるフィルタの周波数特性図、第１３
図は本発明の第８の実施例を示す断面図、第１４図は本
発明に係るト（１３） ロイダル状プラズマを収納するための真空容器の外観を
示す斜視図、第１５図は第１４図に示すＡａ／面の断面
図である。 ■・・・ボビン、２−・：フイル、３．１２ａ、１２１
）。 １２Ｃ・・・圧電素子、４・・・感圧表面、５・・・磁
性薄膜、６．６ａ、６ｂ、６Ｃ・・・導電性薄膜、８．
Ｉｌａ。 １１ｂ・・・緩衝材、９・・・移相器、１０・・・加算
器、１３ａ、１３ｂ、１３Ｃ，、、増幅器、１４ ａ、
１４１〕＋（１４） 第 １ 囚 ′ｆ−Ｊ ｚ 口 第３ 口 ｔ 筋手口 第５０ ム ′ＰＪ６ 口 第７１ 第１０１２］ 第 １１０ 箔 １２ 口 月夜牧５ ′＄１３の 第１４０ 第 ＩＳ 口
は本発明の第１の実施例を示す斜視図、第３図は本発明
の第２の実施例を示す斜視図、第４図はプラズマにおけ
る定常磁場Ｂｔの発生説明図、第５図は本発明の第３の
実施例を示す斜視図、第６図は第５図の実施例の信号処
理のための処理装置を示すブロック図、第７図は本発明
の第４の実施例を示す斜視図、第８図は本発明の第５の
実施例を示す斜視図、第９図は本発明の第６の実施例を
示す斜視図、第１０図は本発明の第７の実施例を示す斜
視図、第１１図は多信号を出力する本発明の実施例に適
用される処理装置を示すブロック図、第１２図は第１１
図の装置に適用されるフィルタの周波数特性図、第１３
図は本発明の第８の実施例を示す断面図、第１４図は本
発明に係るト（１３） ロイダル状プラズマを収納するための真空容器の外観を
示す斜視図、第１５図は第１４図に示すＡａ／面の断面
図である。 ■・・・ボビン、２−・：フイル、３．１２ａ、１２１
）。 １２Ｃ・・・圧電素子、４・・・感圧表面、５・・・磁
性薄膜、６．６ａ、６ｂ、６Ｃ・・・導電性薄膜、８．
Ｉｌａ。 １１ｂ・・・緩衝材、９・・・移相器、１０・・・加算
器、１３ａ、１３ｂ、１３Ｃ，、、増幅器、１４ ａ、
１４１〕＋（１４） 第 １ 囚 ′ｆ−Ｊ ｚ 口 第３ 口 ｔ 筋手口 第５０ ム ′ＰＪ６ 口 第７１ 第１０１２］ 第 １１０ 箔 １２ 口 月夜牧５ ′＄１３の 第１４０ 第 ＩＳ 口
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■、磁場の変化を電気信号の変化として出力する磁場検
出器において、前記磁場の磁束に対面して設けられる磁
性あるいは導電性の薄膜材と、表面に前記薄膜を蒸着あ
るいは接着し該薄膜による振動を電気信号に変換する圧
電素子とを具備することを特徴とする磁場検出器。 ２、前記導電性薄膜に貼付される前記圧電素子を受振面
に対し２分割し、各々の出力を同相化し加算出力するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁場検出器
。 ３、前記圧電素子は、各々が異なる周波数特性を有する
複数の圧電素子片を縦列接続して構成すること全特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の磁場検出器。 ４、前記圧電素子は、各々が異なる周波数特性を有する
複数の圧電素子片を同心円状に形成して構成すること全
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁場検出器。 ５、前記薄膜と前記圧電素子を組合せて構成される磁場
検出器の近傍にコイルを検出体とする第２の磁場検出器
を配置し、両磁場検出器の出力を加算して取出すことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁場検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14952681A JPS5852582A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 磁場検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14952681A JPS5852582A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 磁場検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5852582A true JPS5852582A (ja) | 1983-03-28 |
Family
ID=15477057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14952681A Pending JPS5852582A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 磁場検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5852582A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014508287A (ja) * | 2011-01-18 | 2014-04-03 | クリスティアン−アルブレヒツ−ウニヴェアズィテート ツー キール | 磁電気センサによる磁場測定方法 |
-
1981
- 1981-09-24 JP JP14952681A patent/JPS5852582A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014508287A (ja) * | 2011-01-18 | 2014-04-03 | クリスティアン−アルブレヒツ−ウニヴェアズィテート ツー キール | 磁電気センサによる磁場測定方法 |
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