JPS5852325B2 - Plasma etching processing method and processing equipment - Google Patents
Plasma etching processing method and processing equipmentInfo
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- JPS5852325B2 JPS5852325B2 JP54162508A JP16250879A JPS5852325B2 JP S5852325 B2 JPS5852325 B2 JP S5852325B2 JP 54162508 A JP54162508 A JP 54162508A JP 16250879 A JP16250879 A JP 16250879A JP S5852325 B2 JPS5852325 B2 JP S5852325B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、安定したプラズマエツチング処理を、行なう
ための処理方法及び処理装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a processing method and a processing apparatus for performing stable plasma etching processing.
第1図に一般的なプラズマエツチング装置の概略図を示
す。FIG. 1 shows a schematic diagram of a general plasma etching apparatus.
この装置は、被処理物1を第1の電極2に設置し、第」
の電極2とM2の電極3との間に高周波4によりプラズ
マ5を発生させて、被処理物1をエツチングするもので
ある。In this device, a workpiece 1 is placed on a first electrode 2, and a
The object to be processed 1 is etched by generating plasma 5 using high frequency waves 4 between the electrode 2 of M2 and the electrode 3 of M2.
ところで今2図に示すフォトマスクを第2図のプラズマ
エツチング装置lこよりエツチングする場合を考えてみ
る。Now, let us consider the case where the photomask shown in FIG. 2 is etched using the plasma etching apparatus shown in FIG.
第2図のフォトマスクは例えば、ガラス基板9上に金属
膜(例えがCr)10を膜厚500人程度形威し、さら
にその上に所定のパターンのレジスト11を膜厚500
A程度形威している。The photomask shown in FIG. 2 is, for example, formed by forming a metal film (for example, Cr) 10 with a thickness of about 500 mm on a glass substrate 9, and then coating a resist 11 with a predetermined pattern on it with a thickness of about 500 mm.
Has an A-grade appearance.
そして、レジスト11をマスクOこしてプラズマエツチ
ング装置により、金属膜10をエツチングすることによ
り、ガラス基板9上に所定パターンの金属膜10を設け
たフォトマスクが形成されるわけである。Then, the metal film 10 is etched using a plasma etching device using the resist 11 as a mask O, thereby forming a photomask in which a predetermined pattern of the metal film 10 is provided on the glass substrate 9.
上記のようなフォートマスクの第1図に示すようなプラ
ズマエツチング装置による実際のエツチング処理では、
まず第2図の状態のフォトマスクを被処理物1として第
1の電極2に設置し、例えば真空ポンプ6により装置内
を真空にした後、例えば四塩化炭素(CC14)ガスを
供給孔7より供給して装置内をガス圧8X 10−3T
orr程度の雰囲気にする。In the actual etching process using a plasma etching apparatus as shown in FIG. 1 of the above-mentioned Fort Mask,
First, a photomask in the state shown in FIG. 2 is placed on the first electrode 2 as the object to be processed 1, and after the inside of the apparatus is evacuated using, for example, a vacuum pump 6, carbon tetrachloride (CC14) gas, for example, is supplied through the supply hole 7. Supply the gas pressure inside the device to 8X 10-3T
Create an atmosphere of orr.
そして発振器からの高周波4によりプラズマ5を発生さ
せる。Plasma 5 is then generated by high frequency waves 4 from an oscillator.
その際、最初はプラズマが発生しにくいため、プラズマ
発生の初期の段階では、第1、第2の電極間に高電圧の
高周波をかけてやる必要がある。At this time, since plasma is difficult to generate at first, it is necessary to apply high voltage and high frequency between the first and second electrodes in the initial stage of plasma generation.
さらに第2の電極3の極く近くに設けた補助電極8にも
同じ高周波をかけて、第2の電極3と補助電極8間にプ
ラズマを発生させ、第1、第2の電極間Oこプラズマが
発生しやすいようにしている。Furthermore, the same high frequency is applied to the auxiliary electrode 8 provided very close to the second electrode 3 to generate plasma between the second electrode 3 and the auxiliary electrode 8, and to generate a plasma between the first and second electrodes. This makes it easier for plasma to be generated.
具体的には、例えば第1、第2の電極間の距離が約8c
rIL1第2の電極3と補助電極8間の距離約3間の場
合、初期の段階での高いプレート電圧が約4.6KV1
その時のプレート電流が約、1.02A必要である。Specifically, for example, the distance between the first and second electrodes is approximately 8 cm.
rIL1 When the distance between the second electrode 3 and the auxiliary electrode 8 is about 3, the high plate voltage at the initial stage is about 4.6KV1
At that time, a plate current of approximately 1.02A is required.
第2の電極3と補助電極8間は距離が約3順と近いため
、簡単(こプラズマが発生し、その後第1、第2の電極
間にプラズマが発生する。Since the distance between the second electrode 3 and the auxiliary electrode 8 is close, about 3 times, plasma is generated easily, and then plasma is generated between the first and second electrodes.
そして、そのプラズマが安定したところでプレート電圧
を約2.2 K V1プレート電流約1.75A程度(
こしてプラズマエツチングを行う。Once the plasma has stabilized, the plate voltage is increased to approximately 2.2 K and the V1 plate current is approximately 1.75 A (
Strain and perform plasma etching.
そこで問題になるのが、最初のプラズマ発生時(こ高い
プレート電圧により両電極間の雰囲気が不安定なプラズ
マ状態となり、被処理物1であるフォトマスクのレジス
ト11や金属膜10等に、例えば不安定なプラズマ状態
(こよる過電流が生じ、溶解あるいは剥離等の損傷が生
じ、正常なプラズマエツチングが行なわれないことがあ
る点である。The problem is that when plasma is first generated (due to the high plate voltage, the atmosphere between the two electrodes becomes unstable plasma state, and the resist 11 of the photomask, metal film 10, etc., which is the object 1 to be processed, etc.) An unstable plasma state (due to this, an overcurrent occurs), damage such as melting or peeling occurs, and normal plasma etching may not be performed.
本発明は上記従来の欠点を除去し、プラズマ発生の初期
の段階での不安定なプラズマが被処理物Oこ悪影響を及
ぼすのを防いで正常なプラズマエツチングを行なう処理
方法及び処理装置を提供することを目的とするものであ
る。The present invention eliminates the above-mentioned conventional drawbacks and provides a processing method and processing apparatus that prevents unstable plasma in the initial stage of plasma generation from adversely affecting the object to be processed and performs normal plasma etching. The purpose is to
そして上記の目的は、本発明によれば、被処理物を設置
する第1の電極と該第1の電極(こ対抗する第2の電極
との間にプラズマを発生させてエツチングを行なうプラ
ズマエツチング処理方法において、該第1、第2の電極
とは別に第3の電極を設けておいて、該第3の電極を該
第1の電極と第2の電極との間に位置させた状態で該第
3、第2の電極間に高周波を印加して最初のプラズマを
発生させ、かつ、該最初のプラズマ中には前記被処理物
を置かないようにする工程と、該プラズマ安定後に該第
3、第2電極間への高周波の印加を停止し、該第1、第
2の電極間に高周波を印加することによりその間にプラ
ズマを発生させて前記被処理物をエツチングする工程と
を含むことを特徴とするプラズマエツチング処理方法と
、被処理物を設置する第1の電極と、該第1の電極に対
抗する第2の電極との間にプラズマを発生させてエツチ
ングを行なうプラズマエツチング処理装置において、該
第1、第2の電極の間にあり、かつ該第2の電極との間
にプラズマを発生させる第3の電極を設け、該第3、第
2の電極間のプラズマ発生と、該第1、第2の電極間の
プラズマ発生とを切換えるスイッチ手段を設けたことを
特徴とするプラズマエツチング処理装置とを提供するこ
とにより達成される。According to the present invention, the above object is achieved by plasma etching in which plasma is generated between a first electrode on which an object to be processed is placed and a second electrode opposing the first electrode. In the treatment method, a third electrode is provided separately from the first and second electrodes, and the third electrode is positioned between the first electrode and the second electrode. generating an initial plasma by applying a high frequency between the third and second electrodes, and not placing the object to be processed in the initial plasma; 3. Stopping the application of high frequency between the second electrodes and applying high frequency between the first and second electrodes to generate plasma therebetween to etch the object to be processed. A plasma etching processing method characterized by: and a plasma etching processing apparatus that performs etching by generating plasma between a first electrode on which an object to be processed is placed and a second electrode opposing the first electrode. A third electrode is provided between the first and second electrodes and generates plasma between the second electrode, and plasma generation between the third and second electrodes; This is achieved by providing a plasma etching processing apparatus characterized in that it is provided with a switch means for switching plasma generation between the first and second electrodes.
以下本発明の一実施例を図面に従って詳細に説明する。An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
第3図に本発明の一実施例であるプラズマエツチング処
理装置の概略図を示す。FIG. 3 shows a schematic diagram of a plasma etching processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
この装置が第1図の従来の装置と異なる点は、第1の電
極2と第1の電極3の間(こ移動可能な第3の電極12
が設けられ、スイッチ13により発振器からの高周波4
を第1の電極2及び第3の電極12のいずれかに導くこ
とができるようになっている点である。This device differs from the conventional device shown in FIG.
is provided, and a switch 13 outputs a high frequency signal 4 from the oscillator.
can be guided to either the first electrode 2 or the third electrode 12.
本実施例のプラズマエツチング処理方法は、上記の様な
構造の処理装置を利用して次の様に行なわれる。The plasma etching method of this embodiment is carried out in the following manner using a processing apparatus having the structure described above.
まずプラズマ発生の初期の段階では第11第2の電極間
に第3の電極12を介在させ、スイッチ13により高周
波4を第3の電極12に導いて、第3の電極12と第2
の電極3の間に最初のプラズマを発生させる。First, in the initial stage of plasma generation, the third electrode 12 is interposed between the eleventh and second electrodes, the high frequency wave 4 is guided to the third electrode 12 by the switch 13, and the third electrode 12 and the second
An initial plasma is generated between the electrodes 3 of.
そしてそのプラズマが安定したところで、第3の電極1
2を例えば第1、第2の電極間から退避させると共にス
イッチ13を切り変えて発振器からの高周波4を第1の
電極2t/こ導くようにする。Then, when the plasma becomes stable, the third electrode 1
For example, the high frequency wave 4 from the oscillator is guided to the first electrode 2t/2t by retracting the high frequency wave 4 from the oscillator from between the first and second electrodes and switching the switch 13.
このような方法でプラズマエツチングを行なうことによ
り、被処理物1を初期の不安定なプラズマ中におくこと
がないため、前述したような被処理物1への損傷を防ぐ
ことができる。By performing plasma etching in this manner, the object to be processed 1 is not placed in an unstable initial plasma, so that damage to the object to be processed 1 as described above can be prevented.
次に第2図のフォトマスクを被処理物1としてプラズマ
エツチングを行なう場合の具体的な一実施例につし)で
述べる。Next, a specific example will be described in which plasma etching is performed using the photomask shown in FIG. 2 as the object to be processed 1.
まず第3図の処理装置は、例えば第1、第2の電極間の
距離が約8湿、第3、第2の電極間の距離が約6cIf
L1第2の電極3と補助電極8間の距離が約3m1JL
である。First, in the processing apparatus shown in FIG. 3, for example, the distance between the first and second electrodes is approximately 8 cIf, and the distance between the third and second electrodes is approximately 6 cIf.
The distance between L1 second electrode 3 and auxiliary electrode 8 is approximately 3m1JL
It is.
又処理装置内Qこは四塩化炭素(CC14)をガス圧約
8X 10−”Torrに満す。Also, the inside of the processing equipment was filled with carbon tetrachloride (CC14) to a gas pressure of about 8×10-” Torr.
そして初期段階では、第3の電極12を第1、第2の電
極間に挿入し、プレート電圧的1.7KV、プレート電
流的1.5Alこ設定する。In the initial stage, the third electrode 12 is inserted between the first and second electrodes, and the plate voltage is set to 1.7 KV and the plate current is set to 1.5 Al.
その時補助電極8にも同様の高周波4が導ひかれている
。At this time, a similar high frequency wave 4 is also guided to the auxiliary electrode 8.
そしてまず補助電極8と第2の電極3との間にプラズマ
が発生し、さら(こ第3の電極12と第2の電極3との
間にもプラズマが発生する。First, plasma is generated between the auxiliary electrode 8 and the second electrode 3, and furthermore, plasma is generated between the third electrode 12 and the second electrode 3.
この時被処理物1は初期の不安定なプラズマ中にはない
。At this time, the object 1 to be processed is not in the initial unstable plasma.
そしてこのプラズマが安定した後(本実施例では約10
秒後)、第3の電極12を例えば軸部12′を中心に回
転させて、第1、第2の電極の間より退避させ、スイッ
チ13を切り変え、さらにプレート電圧的2.2KV1
プレート電流を約1.75Aに変える。After this plasma stabilizes (in this example, about 10
seconds later), the third electrode 12 is rotated, for example, around the shaft portion 12', moved away from between the first and second electrodes, the switch 13 is switched, and the plate voltage is further increased to 2.2 KV1.
Change the plate current to approximately 1.75A.
そしてその後約1分間安定したプラズマを供給すること
により、被処理物1であるフォトマスクの金属膜10が
正常にプラズマエツチングされる。Then, by supplying stable plasma for about one minute, the metal film 10 of the photomask, which is the object to be processed 1, is normally plasma etched.
なお、プラズマ発生の初期段階におけるプレート電圧は
、その時の電極の第3の電極12と第2の電極3との距
離が、従来の第1の電極1と第2の電極3間よりも近い
ため、従来に比べて低い電圧(約1.7KV)でプラズ
マが発生しうるわけである。Note that the plate voltage at the initial stage of plasma generation is determined by the fact that the distance between the third electrode 12 and the second electrode 3 is shorter than that between the conventional first electrode 1 and the second electrode 3. This means that plasma can be generated at a lower voltage (approximately 1.7 KV) than in the past.
次に他の実施例として、第3の電極が特にメツシュ状の
金属よりなる場合について説明する。Next, as another example, a case where the third electrode is made of a mesh-like metal will be described.
前述の実施例の第3の電極が例えば軸12′を中心に回
軸するものであったが、本実施例の様にメツシュ状の金
属を第3の電極に利用することにより、第3の電極を固
定したまま前述したプラズマエツチング処理を行なうこ
とができる。The third electrode in the above-mentioned embodiment was one that rotated around the shaft 12', for example, but by using a mesh-like metal for the third electrode as in this embodiment, the third electrode rotates around the shaft 12'. The plasma etching process described above can be performed with the electrode fixed.
メツシュ状の金属は例えば銅よりなる直径0.5 mr
rtの針金をピッチ約1.0 cmのメツシュ状にした
ものである。The mesh-shaped metal is made of copper, for example, and has a diameter of 0.5 mr.
rt wire into a mesh shape with a pitch of approximately 1.0 cm.
このメツシュ状の金属を第3の電極として用いた場合、
その処理装置の各電極間の距離等及び処理時の種種の条
件等は前述の実施例とほぼ同じで良い。When this mesh-like metal is used as the third electrode,
The distance between each electrode of the processing device and various conditions during processing may be substantially the same as those of the above-mentioned embodiment.
異なる点は、第3の電極は第1,2の電極間に固定され
ており、プラズマが安定した後、第3の電極は第1,2
の電極間より退避することなく、スイッチ13のみを第
3の電極から第1の電極に切り変えるだけでよいという
点である。The difference is that the third electrode is fixed between the first and second electrodes, and after the plasma has stabilized, the third electrode is fixed between the first and second electrodes.
The point is that it is only necessary to switch only the switch 13 from the third electrode to the first electrode without retreating from between the electrodes.
本実施例によれば処理装置が簡単化されるという利点が
ある。This embodiment has the advantage that the processing device is simplified.
以上説明したように本発明によれば、プラズマエツチン
グで最初のプラズマ発生時の不安定なプラズマ中に被処
理部を置かないで、プラズマが安定したところで被処理
物のプラズマエツチングを行なうので、不安定なプラズ
マによる被処理物への損傷の発生を防ぐことができ、正
常で良好なプラズマエツチングを行なうことができる。As explained above, according to the present invention, the part to be processed is not placed in unstable plasma when plasma is first generated in plasma etching, but the part to be processed is plasma-etched when the plasma becomes stable. Damage to the object to be processed due to stable plasma can be prevented, and normal and good plasma etching can be performed.
第1図は従来のプラズマエツチング処理装置の概略図。
第2図は被処理物としてのフォトレジストの断面図。
第3図は本発明の一実施例であるプラズマエツチング処
理装置の概略図。
図中、1:被処理物、2:第1の電極、3:第2の電極
、4:高周波、5:プラズマ 12:第3の電極。FIG. 1 is a schematic diagram of a conventional plasma etching processing apparatus. FIG. 2 is a cross-sectional view of a photoresist as an object to be processed. FIG. 3 is a schematic diagram of a plasma etching processing apparatus which is an embodiment of the present invention. In the figure, 1: object to be processed, 2: first electrode, 3: second electrode, 4: high frequency, 5: plasma, 12: third electrode.
Claims (1)
抗する第2の電極との間にプラズマを発生させてエツチ
ングを行なうプラズマエツチング処理方法において、該
第1、第2の電極とは別(こ第3の電極を設けておいて
、該第3の電極を該第1の電極と第2の電極との間Oこ
位置させた状態で該第3、第2の電極間Gこ高周波を印
加して最初のプラズマを発生させ、かつ、該最初のプラ
ズマ中には前記被処理物を置かないようにする工程と、
該プラズマ安定後に該第3、第2電極間への高周波の印
加を停止し、該第1、第2の電極間に高周波を印加する
ことによりその間にプラズマを発生させて前記被処理物
をエツチングする工程とを含むことを特徴とするプラズ
マエツチング処理方法。 2 被処理物を設置する第1の電極と該第1の電極に対
抗する第2の電極との間(こプラズマを発生させてエツ
チングを行なうプラズマエツチング処理装置Oこおいて
、該第1、第2の電極の間にあり、かつ該第2の電極と
の間にプラズマを発生させる電3の電極を設け、該第3
、第2の電極間のプラズマの発生と、該第1、第2の電
極間のプラズマの発生とを切換えるスイッチ手段を設け
たことを特徴とするプラズマエツチング処理装置。 3 前記第3の電極がメツシュ状の金属よりなることを
特徴とする特許請求の第2項記載のプラズマツチング処
理装置。[Scope of Claims] 1. A plasma etching method in which etching is performed by generating plasma between a first electrode on which an object to be processed is placed and a second electrode opposing the first electrode. 1. Separate from the second electrode (a third electrode is provided, and the third electrode is positioned between the first electrode and the second electrode). , applying a high frequency between the second electrodes to generate an initial plasma, and not placing the object to be processed in the initial plasma;
After the plasma is stabilized, the application of the high frequency between the third and second electrodes is stopped, and the high frequency is applied between the first and second electrodes to generate plasma therebetween to etch the object to be processed. A plasma etching method comprising the steps of: 2. Between the first electrode on which the object to be processed is placed and the second electrode opposing the first electrode (in the plasma etching processing apparatus O that generates plasma to perform etching), A third electrode is provided between the second electrodes and generates plasma between the third electrode and the third electrode.
. A plasma etching processing apparatus, comprising a switch means for switching generation of plasma between the second electrode and generation of plasma between the first and second electrodes. 3. The plasma etching processing apparatus according to claim 2, wherein the third electrode is made of a mesh-like metal.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP54162508A JPS5852325B2 (en) | 1979-12-14 | 1979-12-14 | Plasma etching processing method and processing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP54162508A JPS5852325B2 (en) | 1979-12-14 | 1979-12-14 | Plasma etching processing method and processing equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5685827A JPS5685827A (en) | 1981-07-13 |
JPS5852325B2 true JPS5852325B2 (en) | 1983-11-22 |
Family
ID=15755948
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP54162508A Expired JPS5852325B2 (en) | 1979-12-14 | 1979-12-14 | Plasma etching processing method and processing equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5852325B2 (en) |
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JP2681360B2 (en) * | 1988-01-28 | 1997-11-26 | 富士通株式会社 | Resist film remover |
JPH04240725A (en) * | 1991-01-24 | 1992-08-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Etching method |
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JPS5676242A (en) * | 1979-11-26 | 1981-06-23 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Treating apparatus using gas plasma reaction |
-
1979
- 1979-12-14 JP JP54162508A patent/JPS5852325B2/en not_active Expired
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