JPS58500307A - Screen lens array system - Google Patents

Screen lens array system

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JPS58500307A
JPS58500307A JP50269881A JP50269881A JPS58500307A JP S58500307 A JPS58500307 A JP S58500307A JP 50269881 A JP50269881 A JP 50269881A JP 50269881 A JP50269881 A JP 50269881A JP S58500307 A JPS58500307 A JP S58500307A
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lens
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JP50269881A
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Inventor
ウイリアムズ・ノ−マン
コツク・ジヨ−ジ・ア−ル
Original Assignee
ベ−コ インスツルメンツ インコ−ポレイテツド
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。 (57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 1スクリ一ンレンズアレーシステム 発明の背景 この発明は荷電粒子ビームリトグラフィシステム、そして特に平行荷電粒子ビー ム露出システムに用いるだめのスクリーンレンズアレーに関スるものである。[Detailed description of the invention] 1 screen lens array system Background of the invention This invention relates to charged particle beam lithography systems, and more particularly to collimated charged particle beam lithography systems. This invention relates to a blank screen lens array used in a camera exposure system.

近年、集積回路がより複雑になるに従って半導体産業技術における一般的傾向は デバイス集積密度を増大することに向けられるようになった。本発明の技術概念 はチップすなわち、ダイサイズを可能な限り縮小し、デバイス集積密度を高めよ うとするものである。しかしながら、チップサイズは現在用いられている写真平 版グラフィック工程における固有の分解能により制限されるため、任意にこれを 縮小することはできないものである。In recent years, the general trend in semiconductor industry technology has been as integrated circuits have become more complex. The focus has been on increasing device integration density. Technical concept of the present invention The goal is to reduce chip or die size as much as possible and increase device integration density. It is intended to be However, the chip size is This is optionally limited by the inherent resolution of the plate graphics process. It cannot be reduced.

特に光の波長は1μmの領域において精細な再現性の障害となるものである。Particularly, the wavelength of light becomes an obstacle to fine reproducibility in the 1 μm region.

この分解能の問題を解決するために多くの方法が提案されてきたが、これは半導 体産業における2つの流れに結びついている。これらの解決方法は分解能の制限 を克服するために可視光線より短い波長の粒子を採用するリトグラフィ技術に基 づくものである。一般に短い波長の粒子としては光、すなわち高エネルギーフォ トン(X線)及び電子からなる2つのクラスを選択的に用いることが提案されて いる。Many methods have been proposed to solve this resolution problem, but this This is connected to two trends in the physical industry. These solutions have limited resolution Based on lithography technology that employs particles with wavelengths shorter than visible light to overcome It is something that can be developed. In general, short-wavelength particles include light, that is, high-energy photons. It has been proposed to selectively use two classes consisting of electrons (X-rays) and electrons. There is.

最適なりトグラフイシステムは集積回路の製造において有益な要素となるべき所 定の属性をもつことが要求される。これらの属性は分解能適用範囲、リトグラフ 速度、整合能力及び安定性である。Optimized topography systems should become a valuable element in integrated circuit manufacturing is required to have certain attributes. These attributes include resolution coverage, lithograph These are speed, matching ability and stability.

目下のところ、再現可能な最小の線幅は1μmであるが、将来の集積回路構造は 所望のシステム分解能として1/4μm以下を要求するであろう。露出システム はこの分野で現在用いられている標準型の3“及び4“のウェーハを覆うことが できるとともに、より大きいサイズのウェーハを覆うことができるものでなけれ ばならない。そして数十分から数時間にまで及ぶような顕著なウェーハ露出時間 はIC製造工程の露出システムにおいては受け容れ不可能である。ウェーハ露出 時間として許容されるスループット条件は3′及び4′ウエーハにおいて数分が 限度である。Currently, the minimum reproducible linewidth is 1 μm, but future integrated circuit structures will One would require a desired system resolution of 1/4 μm or less. exposure system can cover standard 3" and 4" wafers currently used in this field. It must also be able to cover larger size wafers. Must be. and significant wafer exposure times ranging from tens of minutes to hours. is unacceptable in the exposure system of an IC manufacturing process. wafer exposure The acceptable throughput condition is several minutes for 3' and 4' wafers. This is the limit.

1981年4月10日付でなされた国際特許願PCT/USB110○488号 (CP出願)には平行荷電粒子ビームシステムが記載されており、これらの記載 をここに参考として引用する。このシステムにおいては通常型のリトグラフシス テムのスループット容量は多重荷電粒子ビーム露出システムを用いることにより 顕著に高められ、これによって標的面上の複数の位置に1つの集光回路パター実 施例においては電子発生源により対物絞り孔を照射するための電子ビームが生成 される。多数の孔からなるスクリーンレンズは対物絞り孔から出射された電子ビ ームを中断して多束ビームとし。International Patent Application No. PCT/USB110○488 filed on April 10, 1981 (CP application) describes a parallel charged particle beam system, and these descriptions is quoted here for reference. This system uses conventional lithography The system's throughput capacity is increased by using a multiple charged particle beam exposure system. This significantly enhances the ability to implement a single concentrating circuit putter at multiple locations on the target surface. In the example, an electron beam is generated by an electron source to irradiate the objective aperture. be done. A screen lens consisting of many holes captures the electronic beams emitted from the objective aperture. The system is interrupted to create a multi-bundle beam.

それらの焦点を整合して感応層、いわゆる感光膜を有する基板上に平行に入射さ せる。レンズ板におケル番孔はそのウェーハにスクリーンレンズアレーに関して 正の電位が印加されたときに小さい絞りレンズとして作用する。Their focus is aligned so that they are incident parallel to a substrate with a sensitive layer, the so-called photoresist film. let The holes on the lens plate are used for the screen lens array on the wafer. Acts as a small aperture lens when a positive potential is applied.

前記国際特許出願において開示された型のシステム中に、スクリーンレンズアレ ーシステムヲ用いることは、重大な技術的困難を露呈することになる。特に、こ の場合には基板整合及びパターンライティングのための選択的な手段が要求され る。In a system of the type disclosed in the said international patent application, a screen lens array is incorporated. - system would present significant technical difficulties. Especially this In some cases, selective means for substrate alignment and pattern writing are required. Ru.

さらに、衝突するビームによってスクリーンレンズアレーに付与される熱量にも とづき、個々の小レンズは許容誤差レベルを超過して膨張し、その結果、厳密に はパターンひずみを生ずることになる。サラに、スクリーンレンズアレーのいず れかのプレートに発生した二次電子は基板標的面上の感応膜(レジスト)にかぶ りを生じやすい。Additionally, the amount of heat imparted to the screen lens array by the colliding beams As a result, the individual lenslets expand beyond their tolerance levels, resulting in will result in pattern distortion. Izuku from Screen Lens Array to Sarah. The secondary electrons generated on either plate overlap the sensitive film (resist) on the target surface of the substrate. It is easy to cause damage.

最適のレンズアレーシステムは一定の厳格な性能仕様を有するものである。特に 、個々の小レンズ開口を選択的に形成し、低エネルギー二次電子を抑制し、かつ レンズアレー上の熱ビーム負荷を極小化できることが望ましい。The optimal lens array system is one that has certain strict performance specifications. especially , selectively forming individual lenslet apertures to suppress low-energy secondary electrons, and It is desirable to be able to minimize the thermal beam load on the lens array.

したがって、本発明の一般的な目的は、前述した技術的困難を克服し、かつ必要 な技術的要件を満足するために、前述したすべての望ましい特性を備えた荷電粒 子ビーム露出システムにおいて用いるためのスクリーンレンズアレーシステムヲ 提供することである。Accordingly, the general object of the present invention is to overcome the technical difficulties mentioned above and to Charged particles with all the desired properties mentioned above to meet the technical requirements Screen lens array system for use in child beam exposure systems It is to provide.

本発明の特定の目的は、高分解能のスクリーンレンズアレーシステムを提供する ことである。A particular object of the invention is to provide a high resolution screen lens array system. That's true.

その他の目的は、以下の詳細な説明及び本発明の実施において明らかになるであ ろう。Other objects will become apparent in the following detailed description and practice of the invention. Dew.

発明の要約 好ましい実施例に関する以下の詳細な説明、又は本発明の実施において明確にな ふであろう前述した、又はそれ以外の目的と利益は、ここに略記した特徴を有す る発明の構成によって達せられる。Summary of the invention The following detailed description of the preferred embodiments or the practice of the invention will become clearer. The above-mentioned or other purposes and benefits which may occur have the characteristics outlined herein. This can be achieved by the configuration of the invention.

すなわち、本発明のスクリーンレンズアレーは、第1及び第2の開口グループを 有する頂板と、同様な第1及び第2の開口グループを有する底板を所定の間隔に 維持したものにおいて、前記頂板及び底板の第1の開口グループは常時に整列さ せるが、前記頂板及び底板の第2の開口グループは常時に不整列とし、かつこれ らの板を互いに相対移動させることにより、前記常時整列した開口グループを不 整列に、そして前記常時不整列の開口グループを整列状態にそれぞれもたらすこ とができるようにしたものである。That is, the screen lens array of the present invention has the first and second aperture groups. and a bottom plate having similar first and second opening groups at predetermined intervals. The first group of openings in the top and bottom plates are always aligned. provided that the second group of openings in the top and bottom plates are always misaligned; By moving the plates relative to each other, the permanently aligned aperture groups can be made uniform. and bringing the normally misaligned aperture groups into alignment, respectively. It is designed so that it can be done.

図面の簡単な説明 本発明の典型的実施例を図解するために、次の(2)が添付される。Brief description of the drawing To illustrate an exemplary embodiment of the present invention, the following (2) is attached.

第1図は本発明に従って構成された典型的なレンズ板の平面図、第2図は本発明 に従って構成された典型的なマスク板を示す平面図、第3図はライティング用開 口を整列させたレンズ板及びマスク板の配置を示す図、第4図は再整合用開口を 整列させたレンズ板及びマスク板の別の配置を示す図、第5図はマスク板を電気 的にバイアスすることにより二次電子を抑制する態様を示す図である。FIG. 1 is a plan view of a typical lens plate constructed according to the present invention, and FIG. 2 is a plan view of a typical lens plate constructed according to the present invention. FIG. 3 is a plan view showing a typical mask plate constructed according to A diagram showing the arrangement of the lens plate and mask plate with the mouths aligned, Figure 4 shows the aperture for realignment. A diagram showing another arrangement of aligned lens plates and mask plates, FIG. FIG. 3 is a diagram illustrating a mode in which secondary electrons are suppressed by biasing the electron beam.

好ましい実施例の詳細な説明 第1図及び第2図を参照すると、それぞれ典型的なレンズ板0(ト)及びマスク (カバー)板(200)の平面図が示されている。第1図に示すとおり、多孔レ ンズ板QOIはライティングされるべき基板にほぼ等しい直径を有し、規則的な 小レンズ孔の配列をカーテシアン座標系上に収容したものである。DETAILED DESCRIPTION OF PREFERRED EMBODIMENTS Referring to FIGS. 1 and 2, a typical lens plate 0 and mask are shown, respectively. A plan view of the (cover) plate (200) is shown. As shown in Figure 1, the porous layer The lens board QOI has a diameter approximately equal to the substrate to be lit, and has a regular The arrangement of small lens holes is accommodated on a Cartesian coordinate system.

ある種の適用例においては、各小レンズ孔群は矩形状又は他の幾何学的パターン において配置されうる。レンズ板0(ト)の各小孔は最も近いものどうしの隣接 間隔が2δとなるように分離さ、れでいる。In certain applications, each lenslet group may be rectangular or other geometric pattern. can be placed in Each small hole in lens plate 0 (g) is adjacent to the closest one. They are separated with an interval of 2δ.

また、レンズ板0(ト)には2個の(典型的に示す)孔が示されており、これら は再整合又はテストパターンライティングのために用いられる。これら2個の孔 はチップパターンのライティングに用いられる小レンズ孔の至近の列から間隔り だけ離れている。In addition, two (typically shown) holes are shown on lens plate 0 (g), and these is used for realignment or test pattern writing. These two holes is the distance from the nearest row of lenslets used for lighting the chip pattern. is far away.

レンズ板0(ト)のその他の詳細は1981年4月3Q日付コーペンディング国 際特許出願P CT/U S81/Q○595号(出願人は本願と同一人である )において開示されており、その開示を参考としてここに編入する。レンズ板0 (至)は互いに整合した一対の板からなっている。この上部レンズ板は典型的に は直径0.05〜0.075cmからなる開口の配列を、また下部レンズ板は典 型的には直径0.15cmの開口の配列を有する。Other details of lens plate 0 (g) are as of April 3Q, 1981. International patent application P CT/U S81/Q○595 (the applicant is the same person as the present application) ), which disclosure is incorporated herein by reference. Lens plate 0 (to) consists of a pair of plates aligned with each other. This upper lens plate is typically has an array of apertures with a diameter of 0.05 to 0.075 cm, and the lower lens plate has a typical It typically has an array of apertures 0.15 cm in diameter.

同様に、第2図に示すとおシ、多孔マスク板(200)・はレンズ板Q(X)と 同数の開口を有する。マスク板(200)の開口は典型的には0.15cm程度 の直径を有する。第2図に示した開口配列と、第1図に示したそれとの間の相違 は、マスク板(200)における再整合用開口とライティング用開口の至近の列 との間隔が、レンズ板0(ト)ではDであったのに対し、(D+δ)及び(D− δ)となることである。Similarly, as shown in FIG. 2, the porous mask plate (200) is the same as the lens plate Q(X). have the same number of apertures. The opening of the mask plate (200) is typically about 0.15 cm. has a diameter of Differences between the aperture arrangement shown in Figure 2 and that shown in Figure 1 is the closest row of realignment apertures and writing apertures in the mask plate (200). The distance between the lens plate 0 (G) was D, but the distance between δ).

マスク板(200)がレンズ板O(ト)の頂面に載置される場合には、チップラ イティング用開口のすべてに再整合用開口が整列し、チップライティング用開口 が不整列である時に両者間の有効な整合が生じる。しだがって、レンズ板0(ト )又はマスク(カバー)板(200)のいずれかに直線的運動を与えることによ り、チップライティング工程及び再整合工程を独立して遂次実施することができ る。しかしながら、レンズ板(2)を移動させる場合には良好な店を得るために 、より高い位置精度が要求されな る。我々の適用例では、i状態が(固定した)レンズ位置により判定されること となり、レンズカバーの位置精度がそれほど重大でなくなるため、マスク(カバ ー)を摺動させる方が容易であった。When the mask plate (200) is placed on the top surface of the lens plate O (G), the tip plate All of the writing apertures are aligned with realignment apertures, and the tip writing apertures are aligned with each other. A valid match between the two occurs when the two are misaligned. Therefore, the lens plate 0 (to ) or the mask (cover) plate (200) by applying a linear motion to the mask (cover) plate (200). The chip writing process and realignment process can be carried out independently and sequentially. Ru. However, in order to obtain a good store when moving the lens plate (2) , higher positional accuracy is not required. Ru. In our application, the i-state is determined by the (fixed) lens position. , the positional accuracy of the lens cover is not as critical, so the mask (cover) -) was easier to slide.

さらに、このような不整列開口のいくつかのセットを、多数の遂次オペレーショ ンのために採用することができる。Furthermore, several sets of such misaligned apertures can be combined in a large number of sequential operations. can be adopted for the purpose of

レンズ板QOI又はマスク板(200)のい、ずれかに、このような直線的運動 を与えるだめの一つの技術1は、外部真空システムにより駆動されうる二又はそ れ以上の安定位置を有する回転カムを用いることである。Such linear movement may be applied to either the lens plate QOI or the mask plate (200). One technique for providing a The purpose is to use a rotating cam that has a stable position greater than or equal to this point.

第1図及び第2図に示されたレンズ板回及び絞す板(200)はローラベアリン グ、及び環状絶縁リングによって分離した2個の金属支持リングとを用いて、典 型的には0.05 inの関係に維持される。The lens plate rotation and aperture plate (200) shown in FIGS. 1 and 2 are roller bearings. and two metal support rings separated by an annular insulating ring. Typically, the relationship is maintained at 0.05 inch.

これにより、レンズカバーには後述のようなバイアス電位が印加される。レンズ 板001及びカバー板(200)の厚さは典型的には0.1αである。ビームに よって付与される熱負荷はカバー板(200)を膨張させて各小レンズへの各ビ ーム入射点を配置し直スが、レンズ板はカバー板(200)によりいかなる熱ビ ーム負荷からも実質的に保護されて熱膨張しないため、レンズ板0(ト)により 基板上に形成された像は移動することがない。As a result, a bias potential as described below is applied to the lens cover. lens The thickness of plate 001 and cover plate (200) is typically 0.1α. to the beam Therefore, the applied heat load causes the cover plate (200) to expand and each bit to each small lens. The lens plate is protected from any thermal radiation by the cover plate (200). The lens plate 0 (T) provides substantial protection from thermal loads and prevents thermal expansion. The image formed on the substrate does not move.

第3図及び第4図に示すとおり、レンズ板a[相]及びマスク板(200)の二 つの近接位置関係は、前述した二つのオペレーションを実行するためのものであ る。As shown in FIGS. 3 and 4, two of the lens plate a [phase] and the mask plate (200) The two proximal positions are for performing the two operations mentioned above. Ru.

第3図に示すとおり、チップライティング用開口は常時において整列し、再整合 用開口は常時において不整列である。レンズ板001とマスク板(200)とを 一定距離だけ相対移動させることにより、第4図のように常時整列のチップライ ティング用開口を不整列位置に、また、常時不整列の再整合用開口を整列位置に もたらすものである。As shown in Figure 3, the chip writing apertures are constantly aligned and realigned. The openings are always misaligned. Lens plate 001 and mask plate (200) By relatively moving a certain distance, the tip lines are always aligned as shown in Figure 4. alignment apertures in misaligned positions and permanently misaligned realignment apertures in aligned positions. It is something that brings.

第5図を参照すると、レンズ板001の一つのレンズ(ビーム集束)開口と、こ れに整列したマスク板(200)の一つの絞り開口とにより、電子ビーム(30 0)の基板(400)に到る通路を許容する状態が断面図で示されている。この 図にはまた、−次電子ビーム(300)がマスク板(200)及びレンズ板回に 衝突することにより生起される電子の軌道が示されている。これらの電子が感応 膜を被覆した基板(400)の表面に到着すると、感応膜はかぶりを生じ、所望 のパターン露出が消去されることになる。マスク板(200)とレンズ板Q(X Iとの間に、典型(400)の感応層被膜に到達することを阻止する。Referring to FIG. 5, one lens (beam focusing) aperture of lens plate 001 and this An electron beam (30 0) is shown in cross-section to allow passage to the substrate (400). this The figure also shows that the −order electron beam (300) is connected to the mask plate (200) and the lens plate. The orbits of electrons caused by the collision are shown. These electrons are sensitive Upon reaching the surface of the membrane-coated substrate (400), the sensitive membrane fogs and forms the desired pattern exposure will be erased. Mask plate (200) and lens plate Q (X I to prevent reaching the typical (400) sensitive layer coating.

レンズ板0(ト)において生じた二次電子を抑制することは比較的困難であるが 、マスク板(200)の開口径をレンズ板におけるものよりも小さくすることに より顕著に減少させることができる。電気的にバイアスされたマスク板(200 )が存在しなければ、レンズ根回において生じたすべての二次電子は+10KV 電位による吸引効果を有する基板(400)の感応膜面に到達し、かぶりを生ず ることになる。Although it is relatively difficult to suppress the secondary electrons generated in lens plate 0 (g), , the aperture diameter of the mask plate (200) is made smaller than that of the lens plate. can be reduced more significantly. Electrically biased mask plate (200 ), all the secondary electrons generated in the root gyrus of the lens would be +10KV It reaches the sensitive film surface of the substrate (400), which has an attraction effect due to the electric potential, and causes fogging. That will happen.

以上好ましい実施例について行なった説明は、本発明の範囲をなんら限定するも のではなく、本発明は添付の請求の範囲によってのみ限定されるものである。The description given above of the preferred embodiments does not in any way limit the scope of the invention. Rather, the invention is limited only by the scope of the appended claims.

手続補正書(方式) 特許庁長己′ 殿 1、事件の表示 PCT/TjS811010492、発明の名称 スクリーン レンズアレーシステム3補正をする者 事イ1との関(Jr 特許出願人 民 名(名 称) ベーク インヌッルメンツ インコーポレイテッド4代理人  〒604 6、補正により増加する発明の数 閑 際 裾 杏 部 牛Procedural amendment (formality) Director General of the Patent Office 1. Display of incident PCT/TjS811010492, title of invention screen Lens array system 3 correction person Relationship with matter A1 (Jr. Patent applicant Private name (first name) Bake Innulments Incorporated 4 Agent 〒604 6. Number of inventions increased by amendment Off-season hem anzu part beef

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 a、第1及び第2の開口群を有する第1の板と、b、第1及び第2の開口群 を有する第2の板とを備え、 C9前記第1の板及び前記第2の板を所定の間隔に維持し、 d、この場合において、前記第1及び第2の板の第1群の開口が常時整列すると 共に、第2群の開口が常時不整列となるようにし、さらに e、前記第1及び第2の板が相対的に移動することにより、前記第1及び第2の 板における前記常時整列した開口群を不整列は、また、前記第1及び第2の板に おける常時不整列の開口群を整列状態にすることができるようにした ことを特徴とするスクリーンレンズアレーシステム。 2 前記第1の板における前記第1の開口群を前記第2の板における前記第1の 開口群よね小さい開口径としたことを特徴とする請求の範囲第1項記載のスクリ ーンレンズアレーシステム。 3 前記第1及び第2の板を異った電位に維持するようにした請求の範囲第2項 記載のシステム。 4 前記第1群の開口の各々がほぼ円形であることを特徴とする請求の範囲第3 項記載のシステム。 5 a、第1及び第2の開口群を有する第1の板と、b、第1及び第2の開口群 を有する第2の板とを備え、 C0前記第1の板及び第2の板を所定の、間隔に維持し、 d、この場合において、前記第1及び第2の板の前記第1の開口群を常時整列さ せると共に、前記第1及び第2の板の前記第2の開口群を常時不整列状態に維持 し、さらに e、前記第1及び第2の板が相対的に移動することにより、これらの板における 前記常時整列しまた開口群を不整列とし、前記常時不整列の開口群を整列状態に することができるようにした 平行荷電粒子ビーム露出システムにおいて用いルだメのスクリーンレンズアレー システム。 6 前記第1の板における前記第1群の開口を前記第2の板における前記第1群 の開口より小さくしたことを特徴とする請求の範囲第5項記載のシステム。 7 前記第1の板及び前記第2の板を異った電位に維持することを特徴とする請 求の範囲第6項記載のシステム。 8 前記第1群の開口の各々がほぼ円形であることを特徴とする請求の範囲第7 項記載のシステム。 9 a、第1及び第2の開口群を有する第1の板と、b、第1及び第2の開口群 を有する第2の板とを備え、 C0前記第1の板及び前記第2の板とを互いに所定の間隔に維持し、 d、この場合において前記第1及び第2の板の第1の開口群どうしが常時整合す ると共に、前記第1及び第2の板の第2の開口群どうしが常時不整合となるよう にし、さらに e、前記第1及び第2の板を互いに相対移動させて前記第1及び第2の板の常時 整合した開口群を不整合に、また前記第1及び第2の板の常時不整合の開口群を 整合状態にすることができるようにした ことを特徴とする平行電子ビーム露出システムにおいて用いるだめのスクリーン レンズアレーシステム。 10 前記第1の板の前記第1群における開口を前記第2の板の前記第1群にお ける開口よりも小さくしたことを特徴とする請求の範囲第9項記載のシステム。 11 前記第1の板及び前記第2の板を異った電位に維持することを特徴とする 請求の範囲第10項記載のシステム。 12 前記第1群の開口の各々が、はぼ円形であることを特徴とする請求の範囲 第11項記載のシステム。 13 前記第1の板における前記第1群の開口の各々が約0.05〜0.075 cm程度の直径を有し、前記第2の板における前記第1群の開口が約0.15( 1)の直径を有することを特徴とする請求の範囲第12項記載のシステム。 14 前記第1の板と第2の板との間の電位差が約100■であることを特徴と する請求の範囲第12項記載のシステム。 15 前記第1の板が約0.1 cm程度の厚みを有することを特徴とする請求 の範囲第12項記載のシステム。 16 標的面上の複数の位置において集積回路パターンを同時に直接ライティイ ブするためのシステムであって、 a、ライティング用開口群及び再整合用開口群を有するマスク板と、 b、同じくライティング用開口群及び再整合用開口群を有するレンズ板とを備え 、 C9前記マスク板及び前記レンズ板を所定の間隔に維持し、 d、この場合において前記マスク板及びレンズ板のライティング用開口を常時整 合させると共に、前記マスク板及びレンズ板の再整合用開口を常時不整合状態と し、かつ e、前記マスク板及びレンズ板を互いに相対移動させて前記マスク板及びレンズ 板における前記常時整合したライティング用開口を不整合状態に、また前記マス ク板及びレンズ板における前記常時不整合の再整合用開口を整合状態にもたらす ことができるようにしたことを特徴とする平行電子ビーム露出システムにおいて 用いるだめのスクリーンレンズアレーシステム。 17 前記マスク板におけるライティング用開口が前記レンズ板におけるライテ ィング用開口よりも小さいことを特徴とする請求の範囲第16項記載のシステム 。 18 前記マスク板及び前記レンズ板を異った電位に維持することを特徴とする 請求の範囲第17項記載のシステム。 19 前記各板のライティング用開口がほぼ円形であることを特徴とする請求の 範囲第18項記載のシステム。 20 前記マスク板におけるライティング用開口の直径が約0.05〜0.07 5cm程度であり、前記レンズ板におけるライティング用開口の直径が約。。 15cIn程度であることを特徴とする請求の範囲第19項記載のシステム。 21 前記マスク板と前記レンズ板との間の電位差を約100Vとしたことを特 徴とする請求の範囲第19項記載のシステム。 22 前記マスク板が約0.1cm程度の厚みを有することを特徴とする請求の 範囲第19項記載のシステム。 23 前記レンズ板が約0.1 cm程度の厚みを有することを特徴とする請求 の範囲第19項記載のシステム。 浄書(内容に変更なし)[Claims] 1. a, a first plate having a first and second aperture group, and b, a first and second aperture group and a second plate having C9 maintaining the first plate and the second plate at a predetermined interval; d. In this case, if the openings of the first group of the first and second plates are always aligned; together, the apertures of the second group are always misaligned, and e. By relatively moving the first and second plates, the first and second plates Misalignment of the normally aligned apertures in the plates also causes the first and second plates to Aperture groups that are always misaligned can now be aligned. A screen lens array system characterized by: 2. The first opening group in the first plate is connected to the first opening group in the second plate. The screen according to claim 1, characterized in that the aperture group has a smaller aperture diameter. lens array system. 3. Claim 2, wherein the first and second plates are maintained at different potentials. The system described. 4. Claim 3, wherein each of the first group of openings is substantially circular. System described in section. 5. a, a first plate having first and second aperture groups, and b, first and second aperture groups and a second plate having C0 maintaining the first plate and the second plate at a predetermined interval; d. In this case, the first group of openings in the first and second plates are always aligned. and maintain the second group of openings in the first and second plates in a misaligned state at all times. and further e. Due to the relative movement of the first and second plates, the The aperture groups that are always aligned are made to be unaligned, and the aperture groups that are always misaligned are made to be in an aligned state. made it possible to Luminous screen lens array used in collimated charged particle beam exposure system system. 6. The first group of openings in the first plate is connected to the first group of openings in the second plate. 6. The system according to claim 5, wherein the opening is smaller than that of the opening. 7. A claim characterized in that the first plate and the second plate are maintained at different potentials. Scope of Requirement The system according to item 6. 8. Claim 7, wherein each of the first group of openings is substantially circular. System described in section. 9. a, first plate having first and second aperture groups, and b, first and second aperture groups and a second plate having C0 maintaining the first plate and the second plate at a predetermined distance from each other; d. In this case, the first aperture groups of the first and second plates are always aligned; and the second aperture groups of the first and second plates are always misaligned. and further e, by moving the first and second plates relative to each other so that the first and second plates are constantly The aligned aperture groups are made unaligned, and the always misaligned aperture groups in the first and second plates are made unaligned. It is now possible to bring it into a consistent state. A dam screen used in a parallel electron beam exposure system characterized by lens array system. 10 The openings in the first group of the first plate are connected to the first group of the second plate. 10. The system of claim 9, wherein the opening is smaller than the opening. 11. The first plate and the second plate are maintained at different potentials. The system according to claim 10. 12. Claim characterized in that each of the first group of openings has a substantially circular shape. The system according to paragraph 11. 13 Each of the first group of openings in the first plate has a diameter of about 0.05 to 0.075. cm, and the openings of the first group in the second plate are approximately 0.15 cm in diameter. 13. System according to claim 12, characterized in that it has a diameter of 1). 14. The electric potential difference between the first plate and the second plate is about 100■. 13. The system according to claim 12. 15. Claim characterized in that the first plate has a thickness of about 0.1 cm. The system according to item 12. 16 Simultaneously direct lighting of integrated circuit patterns at multiple locations on the target surface It is a system for a. a mask plate having a lighting aperture group and a realignment aperture group; b. Also equipped with a lens plate having a lighting aperture group and a realignment aperture group. , C9 maintaining the mask plate and the lens plate at a predetermined distance; d. In this case, the lighting apertures of the mask plate and lens plate are constantly adjusted. At the same time, the realignment openings of the mask plate and lens plate are kept in a misaligned state at all times. And e. moving the mask plate and lens plate relative to each other to remove the mask plate and lens; The normally aligned lighting apertures in the plate are brought into a misaligned state, and the said mass bringing the constantly misaligned realignment openings in the lens plate and the lens plate into alignment; In a parallel electron beam exposure system characterized by being able to Dual screen lens array system used. 17 The writing opening in the mask plate is the same as the writing opening in the lens plate. 17. The system of claim 16, wherein the system is smaller than the opening for . 18. The mask plate and the lens plate are maintained at different potentials. The system according to claim 17. 19. The lighting aperture of each of the plates is approximately circular. The system according to scope item 18. 20 The diameter of the writing opening in the mask plate is approximately 0.05 to 0.07 The diameter of the writing aperture in the lens plate is approximately 5 cm. . 20. The system according to claim 19, wherein the amount is about 15 cIn. 21 The electric potential difference between the mask plate and the lens plate is about 100V. 20. The system of claim 19, characterized in that: 22. The mask plate has a thickness of about 0.1 cm. The system according to scope item 19. 23. Claim characterized in that the lens plate has a thickness of about 0.1 cm. The system according to item 19. Engraving (no changes to the content)
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007518223A (en) * 2003-12-30 2007-07-05 コミツサリア タ レネルジー アトミーク Hybrid multi-beam electron emission device with divergence control function
JP2013505575A (en) * 2009-09-18 2013-02-14 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. Charged particle optics system with multiple beams

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007518223A (en) * 2003-12-30 2007-07-05 コミツサリア タ レネルジー アトミーク Hybrid multi-beam electron emission device with divergence control function
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