JPS5850029B2 - サイリスタ変換器 - Google Patents

サイリスタ変換器

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JPS5850029B2
JPS5850029B2 JP56151368A JP15136881A JPS5850029B2 JP S5850029 B2 JPS5850029 B2 JP S5850029B2 JP 56151368 A JP56151368 A JP 56151368A JP 15136881 A JP15136881 A JP 15136881A JP S5850029 B2 JPS5850029 B2 JP S5850029B2
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JP
Japan
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module
support
thyristor
epoxy resin
insulating
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JP56151368A
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English (en)
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JPS5853855A (ja
Inventor
博夫 池亀
保夫 唐沢
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Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/32—Holders for supporting the complete device in operation, i.e. detachable fixtures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/11—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/112—Mixed assemblies
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は直流送電あるいは異周波数電力系統間の連系統
におげろ交直変換用のサイリスタ変換器の構成に関する
ものである。
直流送電あるいは異周波数連系等におげろ交直変換用の
サイリスタ変換器は、最近の高電圧化及び大電流化にと
もない高層化及び大形化しつつあり、安価で十分な強度
を有する絶縁支柱で構成されたコンパクトで保守点検の
容易なサイリスタ変換器をいかに製作するかが問題とな
って来ている。
以下従来のサイリスタ変換器について第１図及至第３図
により説明する。
サイリスク変換器は第１図に示すような複数個のサイリ
スク素子１を直並列接続したサイリスタスタック２とそ
の付属回路であるアノードリアクトル３、ダンピング回
路を兼ねた分圧回路４及び各サイリスタ素子１を点弧さ
せるための点弧回路５等を収納したモジュール６を第２
図および第３図のごとく絶縁支柱８により数段積み重ね
て接続し構成されている。
図で９は絶縁支柱８に突設したモジュール支え、１０は
変換器の上下フレーム、１１は変換器の下部フレーム、
１２はサイリスク変換器を大地より支持絶縁する支持碍
子を示す。
以上のように従来の構造では電位が異なる左右のモジュ
ールを電気的に絶縁するということから、絶縁支柱より
突出しているモジュール支え９はモジュールを支えるた
めに強度を有する絶縁部でなげればならないため、絶縁
支柱としてのコストが非常に高価なものとなるばかりで
なく、モジュール支え９と絶縁支柱８との取付は金属等
のボルト類は使用出来ず接着構成としなげればならない
ため、強度上の信頼性の面でも問題がある。
さらに絶縁支柱８は碍子のように沿面距離をとるための
ヒダをもうげることが出来ないため、バルブの高さが増
大するという問題が生じ、バルブの耐震強度にも大きな
影響が生ずることになる。
本発明は上記のような問題点を解決し、安価でしかも強
度上、絶縁上信頼性の高い保守点検の容易なサイリスタ
変換器を提供することを目的としている。
以下本発明を第４図により説明する。
第４図に示すように、エポキシ碍子１３の上下間を接続
するために［形支え１４を取りつげて必要段数重ねて１
本の支柱にしている。
［形支え１４は左右のモジュール間の絶縁のために必要
な絶縁距離をもってエポキシ碍子１３に取りつげ、モジ
ュール６はモジュール６から突き出した支え１５を［形
支え１４の中に入れ、ボルトにより固定される構成とな
っている。
上述したようにモジュール６の支えにエポキシ碍子１３
を使用しているため碍子表面にヒダをもうけることが出
来、沿面距離をのばせるためバルブの高さを低く出来、
かつ絶縁性能は向上する。
またエポキシ碍子１３の上下間は金属のフレームにより
ボルトで固定出来るので支柱としての強度も向上する。
さらに左右のモジュール６の絶縁は［形の支え１４をエ
ポキシ碍子１３の左右に取り付けることにより確保でき
るばかりでなく、［形の支え１４を利用して容易にモジ
ュール６を取り付けることができるため、モジュール６
の交換も短時間のうちに出来る。
また第５図および第６図は本発明における別の実施例で
水で冷却する水冷式サイリスタ変換器において、メイン
パイプ１６から各モジュール６へ冷却水を送るパイプ１
７及びモジュール６を交換するため配管を外したときに
水がもれないようにするセルフカップリング１８を［形
支え１４に取り付けることが出来る。
このように各モジュール６へ送る冷却パイプ１７及びセ
ルフカップリング１８及びモジュールの取り付けがモジ
ュール６の前面より操作できる位置にあるため、モジュ
ール６の交換が短時間で、かつセルフカップリング１８
の接続が確認できるなどの信頼性の面でも向上する。
【図面の簡単な説明】
第１図は一般的なモジュール内部の回路図、第２図はサ
イリスタ変換器の構成を示す平面図、第３図はサイリス
ク変換器の正面図、第４図は本発明による絶縁支持物の
構成を示す正面図、第５図は本発明の一実施例を示す正
面図、第６図は第５図の側面図である。 １・・・・・・サイリスタ素子、２・・・・・・サイリ
スタスタック、３・・・・・・アノードリアクトル、４
・・・・・・分圧回路、５・・・・・・素子点弧回路、
６・・・・・・モジュール、７・・・・・・サイリスク
変換器、８・・・・・・絶縁支持物、９・・・・・・モ
ジュール支え、１０・・・・・・バルブ下部レーム、１
１・・・・・・バルブ下部フレーム、１２・・・・・・
支持碍子、１３・・・・・・エポキシ碍子、１４・・・
・・・［形支え、１５・・・・・・支え、１６・・・・
・メインパイプ、１７°°°′°°冷却水を送るパイプ
、１８・・・・・・セルフカプリング。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 複数個のサイリスク素子とその付属回路であるコン
    デンサ、抵抗、リアクトル及びサイリスタ素子の点弧回
    路等を収納したサイリスタモジュールを、絶縁支持物に
    より数段積み重ねて構成されるサイリスタ変換器におい
    て、前記モジュールを支持する絶縁支持物にエポキシ系
    樹脂碍子を使用し、エポキシ系樹脂碍子を積み重ねるた
    め、エポキシ系樹脂碍子の上下接続端面に少なくとも１
    対の金属製の接手を互いに離隔して設け、その接手によ
    り上下のエポキシ系樹脂碍子を固着し、前記金属製の接
    手に前記モジュールを取り付けたことを特徴としたサイ
    リスク変換器。
JP56151368A 1981-09-26 1981-09-26 サイリスタ変換器 Expired JPS5850029B2 (ja)

Priority Applications (4)

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JP56151368A JPS5850029B2 (ja) 1981-09-26 1981-09-26 サイリスタ変換器
US06/418,607 US4494173A (en) 1981-09-26 1982-09-16 Three-dimensional insulating structure for high voltage components
DE8282108834T DE3276602D1 (en) 1981-09-26 1982-09-24 High voltage apparatus with three-dimensional structure
EP82108834A EP0076439B1 (en) 1981-09-26 1982-09-24 High voltage apparatus with three-dimensional structure

Applications Claiming Priority (1)

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JPS5853855A JPS5853855A (ja) 1983-03-30
JPS5850029B2 true JPS5850029B2 (ja) 1983-11-08

Family

ID=15517016

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EP (1) EP0076439B1 (ja)
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EP0076439B1 (en) 1987-06-16
EP0076439A2 (en) 1983-04-13
EP0076439A3 (en) 1985-03-06
US4494173A (en) 1985-01-15
JPS5853855A (ja) 1983-03-30
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