JPS5844323A - 圧力センサ - Google Patents
圧力センサInfo
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- JPS5844323A JPS5844323A JP56141852A JP14185281A JPS5844323A JP S5844323 A JPS5844323 A JP S5844323A JP 56141852 A JP56141852 A JP 56141852A JP 14185281 A JP14185281 A JP 14185281A JP S5844323 A JPS5844323 A JP S5844323A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/02—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning
- G01L9/04—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning of resistance-strain gauges
- G01L9/045—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning of resistance-strain gauges with electric temperature compensating means
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は流体圧力を電気信号に変換する圧力センサに関
し、特に、流体圧をダイアフラムで受けてダイアフラム
のひずみを電気信号に変換する方式の圧力センサに関す
る。
し、特に、流体圧をダイアフラムで受けてダイアフラム
のひずみを電気信号に変換する方式の圧力センサに関す
る。
この種の圧力センサは一般に、流体の圧力変化をダイア
フラムの変形でとらえ、これに取付けたひずみゲージで
出力を得る構造になっている。そして、従来のものにお
いてはひずみゲージとして金属抵抗線（Ｎｉ−Ｃｕ系等
）またはピエゾ抵抗形や拡散形の半導体によるものが実
用化されている。
フラムの変形でとらえ、これに取付けたひずみゲージで
出力を得る構造になっている。そして、従来のものにお
いてはひずみゲージとして金属抵抗線（Ｎｉ−Ｃｕ系等
）またはピエゾ抵抗形や拡散形の半導体によるものが実
用化されている。
しかしながら金属抵抗線ストレインゲージは温度安定性
が高い反面、出力電圧が小さい（８ｆｆ！Ｖ以下）、最
高使用温度が低い（８０℃程度）、最大抗張力が小さく
過大ひずみにより破壊され易い、などの問題点があり、
半導体ストレインゲージにおいては感度（ゲージ率）が
高い反面、温度安定性が低い〔０，１％ＦＳ（フルスケ
ール：以下ゝＦＳと記載する）／℃以上〕、最高使用温
度が低い （１００℃）、衝撃力に弱く保護対策が必要
、などの問題点が存在するため、このゲージの特性によ
り圧力センサの応用範囲がかなり制限されているのが現
状である。
が高い反面、出力電圧が小さい（８ｆｆ！Ｖ以下）、最
高使用温度が低い（８０℃程度）、最大抗張力が小さく
過大ひずみにより破壊され易い、などの問題点があり、
半導体ストレインゲージにおいては感度（ゲージ率）が
高い反面、温度安定性が低い〔０，１％ＦＳ（フルスケ
ール：以下ゝＦＳと記載する）／℃以上〕、最高使用温
度が低い （１００℃）、衝撃力に弱く保護対策が必要
、などの問題点が存在するため、このゲージの特性によ
り圧力センサの応用範囲がかなり制限されているのが現
状である。
本発明の目的は使用範囲が広く使い易い圧力センサを提
供することである。
供することである。
この目的を達成するため本発明においては、ストレイン
ゲージの材料としてアモーファス金属材料を用いる。こ
のアモーファス金属材料からなる抵抗体は少なくとも４
素子を使用し、各２素子毎の２つのグループは、互いに
直交するダイアフラムの放射方向（中心と円周を結ぶ線
の方向）の線上に、すべての抵抗体を実質上同一の方向
に向けて配置する。各抵抗体はブリッジ回路の各辺を構
成可能とし、そのブリッジ回路の出力から圧力に対応す
る信号を得る。このような構成により圧力をアモーファ
ス金属材料の抵抗値変化として電気信号・に変換しうる
。
ゲージの材料としてアモーファス金属材料を用いる。こ
のアモーファス金属材料からなる抵抗体は少なくとも４
素子を使用し、各２素子毎の２つのグループは、互いに
直交するダイアフラムの放射方向（中心と円周を結ぶ線
の方向）の線上に、すべての抵抗体を実質上同一の方向
に向けて配置する。各抵抗体はブリッジ回路の各辺を構
成可能とし、そのブリッジ回路の出力から圧力に対応す
る信号を得る。このような構成により圧力をアモーファ
ス金属材料の抵抗値変化として電気信号・に変換しうる
。
アモーファス金属材料は、
−４（１）応力に対する電気抵抗の変化が線形でありし
かも応力の増減に対するヒステリシスがほとんどない。
かも応力の増減に対するヒステリシスがほとんどない。
（１１）電気抵抗の変化率の最大値（飽和値）が５〜６
９６と高く、しかも抵抗率（比抵抗）が結晶質材料の数
倍〔１６０〜１９０（μΩ・ｃＰｎ）〕と高いので応力
に対する抵抗変化の絶対値が著しく高い。
９６と高く、しかも抵抗率（比抵抗）が結晶質材料の数
倍〔１６０〜１９０（μΩ・ｃＰｎ）〕と高いので応力
に対する抵抗変化の絶対値が著しく高い。
（１１）最大抗張力が著しく高い（２００，〜４００に
９／Ｍ）強靭弾性体であるため過大応力に対する信頼性
が高い。
９／Ｍ）強靭弾性体であるため過大応力に対する信頼性
が高い。
（ｉｖｌ 結晶化温度が５００℃程度と高いため最高
使用温度も２００℃程度と高い。
使用温度も２００℃程度と高い。
Ｍ・細薄帯形状のものを容易に得られる（たとえば幅２
０μｍ、厚さ３０μｍ）ので設計を容易に行ないうる。
０μｍ、厚さ３０μｍ）ので設計を容易に行ないうる。
という特徴があり、また特にＣｒ元素を少量加えたもの
は弾性ひずみ率が大きく耐食性にも優れるという特性を
有する。
は弾性ひずみ率が大きく耐食性にも優れるという特性を
有する。
このようなアモーファス金属材料をダイアフラムの変形
検出に使用するので圧力センサとしこ応用範囲の広いも
のを提供できる。
検出に使用するので圧力センサとしこ応用範囲の広いも
のを提供できる。
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１ａ図は一実施例の縦断面図、第１ｂ図はそのＩＢ−
ＩＢ線線入大断面図ある。これらにおいて、電気絶縁性
のダイアフラム１はケーシング２の本体２ａとキャップ
２ｂの間に挟まれ支持されている。ダイアフラム１の裏
面（第１ａ図の下方）にはあらかじめアモーファス薄板
（ＦｅｖｓＣｒｓＣ８ｉ Ｂ）１Ｇ）を貼着しそれをエ
ツチング加工して４つの短形波状抵抗体３ａ、３ｂ、３
ｃおよび３ｄを形成しである。各抵抗体３ａ、３ｂ、３
Ｃおよび３ｄは、全て同一の方向（矢印Ａ方向）に向け
られ、ダイアフラム１の中心を囲むようにその中心に対
して３ａと３ｂおよび３ｃと３ｄがそれぞれほぼ対称に
配置されている。また各抵抗体３ａ、３ｂ、３Ｃおよび
３ｄはそれぞれその全長に対して矢印Ｂ方向に向かう長
さの成分が大きな割合いを占める形状とされ、圧力を受
けない状態において各′抵抗体の電気的特性が実質的に
同一となるように構成されている。抵抗体３ａと３Ｃの
接続箇所にはリード線４ａが、抵抗体３Ｃと３ｂの接続
箇所にはリード線４ｂが、抵抗体３ｂと３ｄの接続箇所
にはリード線４Ｃがそれぞれ接続され、抵抗体３ａと３
ｄの一端は、ダイアフラム１とケーシング本体２ａに挟
まれたアモーファス薄板３の残りのパターンに接続され
、これを介してケーシング本体２ａと接続されている。
ＩＢ線線入大断面図ある。これらにおいて、電気絶縁性
のダイアフラム１はケーシング２の本体２ａとキャップ
２ｂの間に挟まれ支持されている。ダイアフラム１の裏
面（第１ａ図の下方）にはあらかじめアモーファス薄板
（ＦｅｖｓＣｒｓＣ８ｉ Ｂ）１Ｇ）を貼着しそれをエ
ツチング加工して４つの短形波状抵抗体３ａ、３ｂ、３
ｃおよび３ｄを形成しである。各抵抗体３ａ、３ｂ、３
Ｃおよび３ｄは、全て同一の方向（矢印Ａ方向）に向け
られ、ダイアフラム１の中心を囲むようにその中心に対
して３ａと３ｂおよび３ｃと３ｄがそれぞれほぼ対称に
配置されている。また各抵抗体３ａ、３ｂ、３Ｃおよび
３ｄはそれぞれその全長に対して矢印Ｂ方向に向かう長
さの成分が大きな割合いを占める形状とされ、圧力を受
けない状態において各′抵抗体の電気的特性が実質的に
同一となるように構成されている。抵抗体３ａと３Ｃの
接続箇所にはリード線４ａが、抵抗体３Ｃと３ｂの接続
箇所にはリード線４ｂが、抵抗体３ｂと３ｄの接続箇所
にはリード線４Ｃがそれぞれ接続され、抵抗体３ａと３
ｄの一端は、ダイアフラム１とケーシング本体２ａに挟
まれたアモーファス薄板３の残りのパターンに接続され
、これを介してケーシング本体２ａと接続されている。
キャップ２ｂの内面のリング状の構にはＯリング５が挿
入されており、キャップ２ｂとダイアフラム１とで形成
される空間６が気密にされている。７はキャップ２ｂに
形成された、空間６に連通する流体圧印加ポートである
。なお各リード線４ａ、４ｂおよび４Ｃはダイアフラム
１の変形を妨げない十分に柔らかいものである。
入されており、キャップ２ｂとダイアフラム１とで形成
される空間６が気密にされている。７はキャップ２ｂに
形成された、空間６に連通する流体圧印加ポートである
。なお各リード線４ａ、４ｂおよび４Ｃはダイアフラム
１の変形を妨げない十分に柔らかいものである。
この実施例の動作、を説明する前に、基本原理すなわち
アモーファス金属材料の張力に対する抵抗値変化につい
て述べる。
アモーファス金属材料の張力に対する抵抗値変化につい
て述べる。
長さｌのアモーファス薄帯の抵抗値をＲ〔Ω〕 とする
と、張力によって生ずる抵抗値の変化ΔＲはほとんどア
モーファス薄帯ののびΔｌのみに関係し、薄帯の抵抗率
およびその体積はのびΔｅにかかわらず一定であり次式
が成立する。
と、張力によって生ずる抵抗値の変化ΔＲはほとんどア
モーファス薄帯ののびΔｌのみに関係し、薄帯の抵抗率
およびその体積はのびΔｅにかかわらず一定であり次式
が成立する。
したがってアモーファス金属材料においては、Δｌ／１
は最大で３％程度であるから最大の抵抗変化率ΔＲ／Ｒ
は６％程度となる。この値（６９６）は結晶質金属抵抗
線の場合よりも大きく、また同二形状（長さおよび断面
積）試料の抵抗変化の絶対値は、抵抗率に比例するから
結晶質金属抵抗線の場合の数倍である。さらにヤング率
についてみるとアモーファス金属材料は１０’Ｋｙ／−
程度で結晶質材料よりも２０〜ｂ 応力に対するのびの効率が高い。
は最大で３％程度であるから最大の抵抗変化率ΔＲ／Ｒ
は６％程度となる。この値（６９６）は結晶質金属抵抗
線の場合よりも大きく、また同二形状（長さおよび断面
積）試料の抵抗変化の絶対値は、抵抗率に比例するから
結晶質金属抵抗線の場合の数倍である。さらにヤング率
についてみるとアモーファス金属材料は１０’Ｋｙ／−
程度で結晶質材料よりも２０〜ｂ 応力に対するのびの効率が高い。
第３図は第２図に示す実験回路のように、Ｆｅ７８Ｃｒ
３（Ｓｉ−Ｂ）ｔ９のアモ−７７ス薄帯（輻ｌｕｘ、厚
さ３５μｍ、長さ１０（１ｍ１１）を真鍮の圧着端子に
装着して１０ｍＡの直流定電流を流し、加重Ｑを印加し
て圧着端子間の電圧を測定した結果番示す張力−抵抗変
化率（ΔＲ／Ｒ’）特性のグラフである。この測定にお
いては荷重Ｑを、０〜７ ＫＰまで増加した後ＯＫＰま
で徐々に減少させたが、抵抗値変化ΔＲ／Ｈのヒステリ
シスは最大で０．６７９６ＦＳであり、また４、 ５
ＫＰの荷重（ΔＲ／Ｒは約３％）までの直線性は０．６
９６ＦＳ以下と良好であった。なおこの測定においては
薄帯にあらかじめ４ ＫＰの荷重を４００回印加して応
力分布を定常化しである。
３（Ｓｉ−Ｂ）ｔ９のアモ−７７ス薄帯（輻ｌｕｘ、厚
さ３５μｍ、長さ１０（１ｍ１１）を真鍮の圧着端子に
装着して１０ｍＡの直流定電流を流し、加重Ｑを印加し
て圧着端子間の電圧を測定した結果番示す張力−抵抗変
化率（ΔＲ／Ｒ’）特性のグラフである。この測定にお
いては荷重Ｑを、０〜７ ＫＰまで増加した後ＯＫＰま
で徐々に減少させたが、抵抗値変化ΔＲ／Ｈのヒステリ
シスは最大で０．６７９６ＦＳであり、また４、 ５
ＫＰの荷重（ΔＲ／Ｒは約３％）までの直線性は０．６
９６ＦＳ以下と良好であった。なおこの測定においては
薄帯にあらかじめ４ ＫＰの荷重を４００回印加して応
力分布を定常化しである。
第４図は荷重を４ ＫＰとしてその印加回数に対する端
子間電圧の変化を測定した結果を示すグラフである。こ
の測定においては印加回数約１００回以上で出力電圧の
変化がな（なり定常状態に達した。
子間電圧の変化を測定した結果を示すグラフである。こ
の測定においては印加回数約１００回以上で出力電圧の
変化がな（なり定常状態に達した。
第５図は上記のものと同一のアモーファス薄帯を３５０
℃の温度で２分間加熱急冷して４ ＫＰの荷重５Ｑを４
００回印加した後に、４ ＫＰの荷重Ｑを印加して抵抗
変化率ΔＲ／Ｒを周囲温度（Ｔ）を変化させて測定した
結果を示すグラフである。この測定においては、Ｔ二１
９５℃以下ではΔＲ〆Ｒはほとんど一定（０，５％ＦＳ
以下）でありＴ ） ２００℃でΔＲ／Ｒが増大する傾
向にあった。
℃の温度で２分間加熱急冷して４ ＫＰの荷重５Ｑを４
００回印加した後に、４ ＫＰの荷重Ｑを印加して抵抗
変化率ΔＲ／Ｒを周囲温度（Ｔ）を変化させて測定した
結果を示すグラフである。この測定においては、Ｔ二１
９５℃以下ではΔＲ〆Ｒはほとんど一定（０，５％ＦＳ
以下）でありＴ ） ２００℃でΔＲ／Ｒが増大する傾
向にあった。
第６図は第１ｂ図の抵抗体３ａの部分拡大平面図である
。
。
第１ａ図に示す流体圧印加ボート７に圧力が印加される
と空間６内の圧力が上昇してダイアフラム１が変形する
。このときダイアフラム１にはその放射方向に張力が加
わり、この張力は各抵抗体３ａ。
と空間６内の圧力が上昇してダイアフラム１が変形する
。このときダイアフラム１にはその放射方向に張力が加
わり、この張力は各抵抗体３ａ。
３ｂ、３ｃおよび３ｄにも印加される。そこで第６図を
参照して抵抗体３ａについてみると、抵抗体３ａには矢
印Ｂ方向の張力が印加されるので矢印Ｂ方向の長さＬｌ
がＬ’ｔにのびることになる。一方、抵抗体３Ｃについ
てみると、張力の方向は矢印Ａ方向となるので矢印Ａ方
向の長さＬ２がＬ’２にのびることになるが、このパタ
ーンの形状はＬｌ）Ｌ２となっているのでΔＬ２（Ｌ’
＋ Ｌ２）はΔＬｘ （Ｌ’ｔ −Ｌｔ ）に対して
無視しうる。抵抗体３ｂは３ａと同じ（大きなのびを生
じ、抵抗体３ｄは３Ｃと同じくほとんど長さが変化しな
い。ところで、前記したようにアモーファス金属材料（
薄帯）の抵抗値はその・長さ （のび）によって変化す
るので、抵抗体３ａおよび３ｂは張力を受けるとそれに
応じて抵抗値が変化する。
参照して抵抗体３ａについてみると、抵抗体３ａには矢
印Ｂ方向の張力が印加されるので矢印Ｂ方向の長さＬｌ
がＬ’ｔにのびることになる。一方、抵抗体３Ｃについ
てみると、張力の方向は矢印Ａ方向となるので矢印Ａ方
向の長さＬ２がＬ’２にのびることになるが、このパタ
ーンの形状はＬｌ）Ｌ２となっているのでΔＬ２（Ｌ’
＋ Ｌ２）はΔＬｘ （Ｌ’ｔ −Ｌｔ ）に対して
無視しうる。抵抗体３ｂは３ａと同じ（大きなのびを生
じ、抵抗体３ｄは３Ｃと同じくほとんど長さが変化しな
い。ところで、前記したようにアモーファス金属材料（
薄帯）の抵抗値はその・長さ （のび）によって変化す
るので、抵抗体３ａおよび３ｂは張力を受けるとそれに
応じて抵抗値が変化する。
第７図は第１ａ図の等価回路を示す回路図である。
抵抗体３ａ、３ｂ、３ｃおよび３ｄはブリッジ接続され
ており、リード線４ｂとケーシング２の間に電圧（直流
または交流）が印加された状態において、圧力がボート
７に印加されないときにはブリッジは平衡して出力（リ
ード線４ａ、４Ｃ間）には電圧が現われない。すなわち
、抵抗体３ａ。
ており、リード線４ｂとケーシング２の間に電圧（直流
または交流）が印加された状態において、圧力がボート
７に印加されないときにはブリッジは平衡して出力（リ
ード線４ａ、４Ｃ間）には電圧が現われない。すなわち
、抵抗体３ａ。
３ｂ、３ｃおよび３ｄの抵抗値をそれぞれＲａｔ Ｒｂ
。
。
ＲｃおよびＲｄとすると、ブリッジの平衡条件ＲａＲｂ
＝Ｒｃ Ｒｄが成立している。ボート７に圧力が印加さ
れると抵抗体３ａおよび３ｂの抵抗値は、それに応じて
変化してそれぞれＲ’ａおよびＲ（） （Ｒａ＞Ｒａ。
＝Ｒｃ Ｒｄが成立している。ボート７に圧力が印加さ
れると抵抗体３ａおよび３ｂの抵抗値は、それに応じて
変化してそれぞれＲ’ａおよびＲ（） （Ｒａ＞Ｒａ。
Ｒｄ＞Ｒｂ’）となる。したがってブリッジは平衡がく
ずれ、出力には印加された圧力に対応する電圧が現われ
る。周囲温度が変化するとき、各抵抗体３ａ、３ｂ、３
ｃおよび３ｄはすべて同一の抵抗値変化を生ずるので、
ブリッジ全体の特性は温度の影響を受けない。
ずれ、出力には印加された圧力に対応する電圧が現われ
る。周囲温度が変化するとき、各抵抗体３ａ、３ｂ、３
ｃおよび３ｄはすべて同一の抵抗値変化を生ずるので、
ブリッジ全体の特性は温度の影響を受けない。
第８図は本発明のもう１つの実施例を示！ダイアフラム
１の平面図である。この実施例において抵抗体３ａ、３
ｂ、３ｃおよび３ｄは、それぞれにおいて主体となる部
分が実質上同一の方向（矢印Ｂ方、向）に揃えであるが
、厳密には抵抗体３ａおよび３ｂではダイアフラム１の
放射方向、抵抗体３ｃおよび３ｄではその放射方向と直
交する円周方向に揃えである。
１の平面図である。この実施例において抵抗体３ａ、３
ｂ、３ｃおよび３ｄは、それぞれにおいて主体となる部
分が実質上同一の方向（矢印Ｂ方、向）に揃えであるが
、厳密には抵抗体３ａおよび３ｂではダイアフラム１の
放射方向、抵抗体３ｃおよび３ｄではその放射方向と直
交する円周方向に揃えである。
以上のとおり本発明の圧力センサは、ダイアプラムの変
形（ひずみ）を電気信号に変換する手段がアモーファス
金属材料で構成されるので、アモーファス金属材料の有
する数多くの長所により広い範囲に応用でき、しかも、
各抵抗体はブリッジ接続されるため出力には温度変化に
対するドリフトが生じない。
形（ひずみ）を電気信号に変換する手段がアモーファス
金属材料で構成されるので、アモーファス金属材料の有
する数多くの長所により広い範囲に応用でき、しかも、
各抵抗体はブリッジ接続されるため出力には温度変化に
対するドリフトが生じない。
第１ａ図は本発明の一実施例を示す圧力センサの縦断面
図、第１ｂ図はそのＩＢ−ＩＢ線拡大断面図である。第
２図はアモーファス薄帯の電気的特性を測定するための
構成を示す回路図、第３図。 第４図および第５図はそれぞれアモーファス薄帯の荷重
−抵抗変化率特性、荷重印加回数一端子間電圧特性およ
び温度−抵抗変化率特性を示すグラフである。第６図は
抵抗体３ａの部分拡大平面図。 第７図は第１図に示す実施例の等価回路図、第８図は本
発明のもう１つの実施例を示すダイアフラムと抵抗体の
平面図である。 １：ダイアフラム ２：ケーシング２ａ：本 体
２ｂ：キャップ３：アモーファス薄板 ３
ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ ：抵抗体４ａ、４ｂ、４ｃ ：
リード線 ５：Ｏリング６：空 間
７：流体圧印加ボート′１ＰＪＧ図 １・ 列８図 第７図 Ｃ ８
図、第１ｂ図はそのＩＢ−ＩＢ線拡大断面図である。第
２図はアモーファス薄帯の電気的特性を測定するための
構成を示す回路図、第３図。 第４図および第５図はそれぞれアモーファス薄帯の荷重
−抵抗変化率特性、荷重印加回数一端子間電圧特性およ
び温度−抵抗変化率特性を示すグラフである。第６図は
抵抗体３ａの部分拡大平面図。 第７図は第１図に示す実施例の等価回路図、第８図は本
発明のもう１つの実施例を示すダイアフラムと抵抗体の
平面図である。 １：ダイアフラム ２：ケーシング２ａ：本 体
２ｂ：キャップ３：アモーファス薄板 ３
ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ ：抵抗体４ａ、４ｂ、４ｃ ：
リード線 ５：Ｏリング６：空 間
７：流体圧印加ボート′１ＰＪＧ図 １・ 列８図 第７図 Ｃ ８
Claims (3)
- （１）圧力を受けて放射方向に張力を生ずるダイアフラ
ム； ダイアフラムを支持するケーシング；および、互いに直
交するダイアフラムの放射方向上の位置に少なくともそ
れぞれ２つ同一の方向に向けてダイアフラム上に配置さ
れたアモーファス金属材料からなる抵抗体； を備え、各抵抗体はその全体の長さに対して大きな割合
いを占める部分が実質上同一の方向に揃ルてあり、それ
らの抵抗体は、ダイアフラムの放射方向が直交する位置
にあるものを互いに隣り合う辺とするブリッジ回路の接
続としうる構成とした圧力センサ。 - （２）抵抗体は４つであり、それらの電気的特性は定常
状態において全て等しいものとした前記特許請求の範囲
第（１）項記載の圧力センサ。 - （３）抵抗体は短形波状のパターンとした前記特許請求
の範囲第（１）項または第（２）項記載の圧力センサ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56141852A JPS5844323A (ja) | 1981-09-09 | 1981-09-09 | 圧力センサ |
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Applications Claiming Priority (1)
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| JP56141852A JPS5844323A (ja) | 1981-09-09 | 1981-09-09 | 圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5844323A true JPS5844323A (ja) | 1983-03-15 |
Family
ID=15301658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56141852A Pending JPS5844323A (ja) | 1981-09-09 | 1981-09-09 | 圧力センサ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JPS5844323A (ja) |
| DE (1) | DE3233356C2 (ja) |
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1984
- 1984-02-27 US US06/582,162 patent/US4488436A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
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|---|---|
| DE3233356A1 (de) | 1983-03-24 |
| US4488436A (en) | 1984-12-18 |
| DE3233356C2 (de) | 1986-06-19 |
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