JPS5842405B2 - 間隙測定装置 - Google Patents

間隙測定装置

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JPS5842405B2
JPS5842405B2 JP52094695A JP9469577A JPS5842405B2 JP S5842405 B2 JPS5842405 B2 JP S5842405B2 JP 52094695 A JP52094695 A JP 52094695A JP 9469577 A JP9469577 A JP 9469577A JP S5842405 B2 JPS5842405 B2 JP S5842405B2
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JP
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gap
mask
fresnel
wafer
light
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JP52094695A
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昭一 谷元
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Nikon Corp
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Nippon Kogaku KK
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は2つの平板の間隙を測定する間隙測定装置に関
する。
例えばフォトマスクを用いたIC。LSIのパターン焼
付法のうち、プロキシミテイ法とコンタクト法において
はフォトマスクとウェハの間隙の測定とその制御が重要
な問題の1つとなる。
即ち、プロキシミテイ法では、マスクとウェハのアライ
メント及び露光の間、コンタクト法ではアライメントを
行なう間、マスクとウェハの間隙を数μm〜数+μmの
設定値に保たねばならない。
アライメント時に設定間隔よりもマスクとウェハが接近
しすぎると、マスクとウェハが接触する危険性が高くな
り、ウェハだけでなく、マスクをも痛めることがあり、
また間隙が太きすぎると、マスクとウェハのパターンが
同時にアライメント用顕微鏡の焦点深度内に入ることが
できなくなったり、間隙の場所むらが起ったりして、ア
ライメントに誤差が生じやすい。
またプロキシミテイ法においては露光焼付時にマスクと
ウェハの間隙が所定値を越えると回折現象が顕著になり
、パターンが正確に焼付けされない。
また、回折効果が著しく小さい短波長の電磁波での焼付
けにおいてもマスクとウェハの間隙に場所ムラができる
と焼付けされたパターンとマスクのパターンの間に誤差
を生じる。
ウェハやマスクに接触子を当てる方法では接触部分に傷
をつける恐れがあるので、この間隙測定は非接触で行な
うことが望ましい。
従来、このような間隙の非接触測定は、空気マイクロメ
ータや静電容量の変化を利用した方法や、あるいは光学
的には平行光線をマスクとウェハに対して斜めに入射さ
せて、マスクとウェハによって反射された光線の位置ず
れ量を測定したりしてなされてきた。
これらの方法のうち、第1と第2の者は測定器の指示値
と間隙量を較正する必要がある。
第3の方法では、光線の横ずれにより測定するが、これ
は原理的に較正の必要はないが、測定感度を上げようと
すれば入射角が大きくなり、測定光学系が大きくなるこ
とは避けられない。
現在用いられているウェハの直径は最大の大きさで5イ
ンチであり、その場合でも測定点は最低3点は必要であ
るから測定センサが大きくなると装置化が困難になる。
本発明の目的は、較正が不要で、大きな測定センサを必
要とせず、構造が簡単で、安定な間隙測定が可能となる
間隙測定装置を提供することである。
次に、本発明の実施例を図に基いて説明する。
第1図は第1実施例を表わし、第1図Aはマスク1とウ
ェハ2の間隙を測定する為のフレネル輪帯板3をマスク
1に取りつけた実施例の平面図で第1図Bはその断面図
である。
第1図において、フレネル輪帯板3は、同心円の内から
n番目の輪帯の半径rnが で表わされるような円で区切られる領域を、中心から交
互に光の透過部分3aと不透過部分3bに分けたもので
ある。
中心を光が透過する部分3aで形成したものとしないも
の2種類があるが、本発明に利用するのは中心を透過部
分3aにした方である。
尚、第1図においてrlは透過部分3aの中心から第1
の不透過部分の内周までの半径を示す不透過部分3bの
形成は、マスク1上にクロムを一様に0.3μ厚に蒸着
し、透過部分3aを除去して行われる。
フレネル輪帯板3のレンズ作用は古くから知られており
、1つの輪帯板に対し、理論上無限側の焦点が存在する
その焦点距離は、である。
ただし、λは光の波長である。輪帯の数、即ち、nの最
大値をNとおくとNが10程度以上であれば結像作用が
あることが確かめられているが平行光を収光し、スポッ
トとしたのを観測するだけならばNく10のときでも可
能である。
また、1次の焦点が最もはっきり観測さへ高次の焦点に
なるに従ってぼやけてくる。
N〜10程度で3次の焦点までは明瞭に観測される。
第1図Bにおいて、マスク上方からの平行光または平行
に近い入射光でもって、マスク1の回路パターン(不図
示)と同一面に形成されたフレネル輪帯°板3を照明す
る。
フレネル輪帯板3の透過部3aを透過した光線は(2)
弐〜(5)式で表わされる各次数の焦点距離を持つ焦点
例えば1次焦点(不図示)、3決然点4,5次焦点5に
収束していくが、焦点距離がマスク1とウェハ2との間
隙より長い場合滑らかなウェハ2表面によって反射され
る。
反射の際、光量の減少を多少伴うが、光線は鏡面で反射
する場合と同じ場所を通過し、各次の焦点を空間中に結
ぶ。
開口数の大きな、即ち焦点深度の浅い対物レンズをつけ
た顕微鏡(不図示)でマスク1上からフレネル輪帯板3
を観察すると、焦点がフレネル輪帯板3と同一内面にあ
るとき、即ち、焦点距離が間隙の丁度2倍になったとき
明るい光点4が第1図Aの如くフレネル輪帯板3の中心
に見える。
更に詳述すると、IC,LSIのパターン焼付の時のよ
う?(10μm前後の間隙を測定する場合、フレネル輪
帯板3は間隙の2倍の20μm前後の焦点距離を必要と
する。
前述したように1次の焦点が最も明瞭であるのでできる
だけこれを用いたいが、波長0.546μm(水銀のe
線)の光で観測する場合f1=20μmとすると(2)
式よりrl =3.3μmとなり、N=10とすると最
も外側の輪帯の幅は(1)式よりr、。
−rg ==Q、 53μmとなり、現在のマスクパタ
ーン形成技術ではほぼ限界的な大きさである。
そこで、1次の焦点を利用する場合より輪帯の幅が広く
なりうる3次の焦点を利用することを考える。
波長を0.546μmf3=20μmとすると、(3)
式よりr1==5.7μmとなり、N=10とすると(
1)式よりrlOr9=0.91μmであってやはり技
術的な限界値ではあるが、1次焦点を利用するのに比べ
れば形成は容易である。
このような微細なパターンの形成技術は現在発達の段階
にあり、フレネル輪帯板3の透過部3aまたは不透過部
3bの帯を実際に形成した場合、その幅が設計値より多
少太くなったり細くなったりすることがある。
このような幅の多少の増減は帯の縁が両側に均等に増減
する場合、焦点距離に影響を与えず、収束された光点の
コントラストを減少させるだけである。
もちろん、数10μm以上の間隙を測定する場合には1
次の焦点を用いた方が明るい光点を見ることができて望
ましい。
3次の焦点を利用する場合、マスク1に対してウェハ2
を離れた位置から近づけていくと最初に1次の焦点の光
点が見え、次に3次の焦点の光点が見える。
3次の焦点の焦点距離を設定する間隙の2倍にしておけ
ば3次の焦点が見えるときに間隙が設定値であることが
わかる。
次に第2の実施例を第2図に基いて説明する。
第1図の如くフレネル輪帯板が1個の場合、間隙が丁度
焦点距離の半分になった時はわかるが、その前後では測
定できない。
そこで大きさの異なるフレネル輪帯板を複数個、例えば
第2図の如く8個を1組の輪帯列13として同一マスク
11面上に形成して用いる。
第2図Aはフレネル輪帯列13の平面図であり、同図B
のマスク11の下面に輪帯列13が形威されている。
最も大きい輪帯板13−8しか正確に図示していない力
入他の円で表示されたものも輪帯板である。
いま、3次の焦点を用いるものとして、その焦点が光点
として観測されるときのウェハ12面の位置を破線で示
す。
この破線とウェハ12表面の交点とその近くで光点16
が明るく見える。
例えば第2図Bの場合、6番目の輪帯板13−6の中心
が最も明るく見える。
次に5番目の輪帯板の中心が明るい。この最も明るく見
える輪帯板の焦点距離はあらかじめわかっているのでそ
れから間隙がわかる。
このようにして輪帯列13の中の中心の最も明るい輪帯
板を見出すことによって間隙を測定できる。
第3の実施例を第3図に基いて説明する。
第3図において、フレネル帯板は円形から直線状に変形
させたものであり、第3図の帯板23−8の如く直線状
の帯より戒っている。
対称の中心線から各線までの距離をrとすれば、その距
離が(1)式で表わすことが可能な帯の組合せであり、
円筒レンズと同じ働きをする。
IC,LSIのパターンは互いに直交する2つの方向を
持った直線群により形成されるので、フレネル帯板23
−8も直線的な方が形威しやすい場合が多い。
この直線状のフレネル帯板23−8を1次元フレネル帯
板と呼ぶことにする。
1次元フレネル帯列23のうち、最も大きなもの23−
8しか正確に図示していないが、他の小さなものも帯板
であり、焦点距離が異なるだけである。
この1次元フレネル帯板の帯の向きは必ずしも第3図の
ように各中心線と平行になっている必要はなく、第4図
の帯板23’ −8のようであってもよい。
即ち1つの帯板内の帯群が同一方向さえ向いていれば帯
列中の他の帯板の方向がどちらを向いていてもよい。
また、第2゜第3の実施例に用いるフレネル輪帯板の輪
帯列または1次元フレネル帯板の帯列は、間隙が一定と
みなせる領域内に局在していればよく、1組の輪帯列又
は帯列のうちで帯板の配列のし方に制限はない。
ウェハとマスクの間隙は100μmX100μm程度の
大きさの領域では一定とみなすことができ、この領域内
に輪帯列又は帯列を形成することは容易である。
次に第4実施例を第5図に基いて説明する。
第4の実施例は、第2.第3の実施例のように、離散的
な焦点距離をもつ複数個のフレネル帯板から威る帯列を
利用するものではなく、第5図Aの如く1つの帯列の場
所により焦点距離が連続的に変化するような変形された
フレネル帯板33を用いるものである。
即ち、これ(も第4図に示したような1次元フレネル帯
列23′を大きさ順に一列に並べ、隣合う帯板の帯同志
を連結したものと考えられる。
この時、最大の帯板と最小の帯板の間にある帯板の個数
を無限に大きくしていくと、その極限においては最大の
帯板の焦点距離と最小の帯板の焦点距離の間の焦点距離
をもつ連続焦点の1次元フレネル帯板ができあがる。
たとえば、3次の焦点を用いて測定する場合、3次の焦
点だけに注目すると、光点がマスクのパターン面にある
ときの第5図Bの如くウェハ32表面位置は破線のよう
になり、この破線がウェハ32表面と交わる点とその近
くでは第5図Aに対応する位置に光点36が観測される
この光点36はX状に交わった線の交点のように見える
この連続焦点1次元フレネル帯板33の帯の延び方向の
大きさは間隙即ち、マスク31とウェハ32の平行度が
一定とみなせる領域内に入っていればよい。
第1〜第4の実施例に示したフレネル輪帯列またはそれ
を変形した1次元フレネル帯板の帯列をマスクのパター
ン面に少なくとも3箇所に形成すればマスクとウェハの
間隙測定ができる。
本発明を用いる場合、フレネル輪帯列または1次元フレ
ネル帯列の投影されるウェハ表面は焼付用パターンの形
成されていない滑らかな面であることが望ましい。
通常IC、LSIの製造では数種のマスクによりパター
ン焼付けが行なわれ、ある1枚のマスクを焼付ける前に
以前に焼付けされたフレネル輪帯板又は1次元フレネル
帯板の帯列、即ちフレネル帯列のパターンがある。
そこで各マスクにおけるフレネル帯列の位置をマスク毎
に異ならせておけば、それぞれのマスクでの焼付は時に
は滑らかなウェハ面を用いて光点の検出ができて都合が
良い。
また、上述の実施例ではフレネル帯板の焦点距離を間隙
の2倍にし、ウェハで1度反射した光点をマスク上で結
像させてこれを検出したが、焦点距離と間隙を等しくシ
、即ちウェハ上に光点を結像させてこれを検出してもよ
い。
上述の実施例ではマスクとウェハの間隙測定を例に挙げ
て説明したが、他の互いに平行な2平面をもって近接す
る2つの物件の間隙を測定する場合、周平面が滑らかで
少なくとも一方の物体が透明であればいかなる材料から
成る物体の間隙測定にも本発明は利用できる。
また、本実施例ではクロムマスクを対象として、説明し
たのでフレネル輪帯板または1次元フレネル帯板、即ち
フレネル帯板は透過部と完全不透過部から形成されるが
、不透過部が必ずしも完全に光をさえぎらなくてもよく
、シースルーマスクのような材質で形威されていてもよ
い。
或は、不透過とする代りに、πだけ光の位相を透過部と
異ならせるようにすれば単に不透過部分とする場合に比
べて焦点の強度が4倍大きいことが知られていλ るので、7板となる薄膜を形成してもよい。
尚、上記実施例ではウェハで一旦反射された光点をマス
クの下面に結像されたものをマスクの上面側から光学顕
微鏡で検出していた。
一般的にはマスクの下面に焼付用パターンが形成されて
おり、通常のアライメント作業においてはマスクの下面
とウェハの上面の間の間隙を測定する方が都合が良い。
従って上記実施例ではマスクの下面に光点を結像させた
が、一般的な、2枚の平板の間隙測定では、必ずしも平
板の対向する側面上に光点を結像させる必要はない。
また2枚共に透明な部材でできた平板の間隙測定では、
前記のウェハに対応する平板の表面上にできた光像をそ
の平板を透過した光線によって観察してもよい。
以上、本発明によると、マスクにフレネル帯板を形成す
ることを除けば、測定光学系として開口数の大きい対物
レンズを用いた光学顕微鏡を利用するだけでよく、装置
が非常に簡単である。
さらに、設定間隙の1倍又は2倍の焦点距離の前後の焦
点距離をもつフレネル帯板をマスクのパターン面に形威
し、フレネル帯板に入射してくる照明と顕微鏡の焦点深
度が浅いことを利用し、単色光でマスクのパターン面又
はウェハ面を観測することによって間隙が測定できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例の平面と断面を示す図で
あり、第2図は本発明の第2の実施例の平面と断面を示
す図であり、第3図は本発明の第3の実施例の平面図で
あり、第4図は第3図に図示の第3の実施例の変形例の
平面図であり、第5図は本発明の第4の実施例の平面と
断面を示す図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 少なくとも一方が光を透過する材料から戒る第1平
    板と第2平板との間隙を測定する装置において、入射光
    をそれ自身の固有の焦点上に収れんさせるフレネル帯板
    を光透過性の一方の平板上に設け、両平板を相対的に移
    動させながら該フレネル帯板によって形成された光像の
    他方の平板上での結像状態、または該他方の平板により
    反射された該光像の該一方の平板上での結像状態を検出
    する検出手段を設け、フレネル帯板固有の焦点距離から
    第1平板と第2平板の間隙を測定することを特徴とする
    間隙測定装置。
JP52094695A 1977-08-09 1977-08-09 間隙測定装置 Expired JPS5842405B2 (ja)

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JP20021782A Division JPS6037403B2 (ja) 1982-11-15 1982-11-15 間隙検出装置

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JPS5429667A JPS5429667A (en) 1979-03-05
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JPS6045914U (ja) * 1983-09-05 1985-04-01 小西 周次 袋ナット

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4832556A (ja) * 1971-08-31 1973-04-28
JPS49102370A (ja) * 1973-01-31 1974-09-27

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JPS4832556A (ja) * 1971-08-31 1973-04-28
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