JPS5840283B2 - タイネツタイホウシヤセンケ−ブル - Google Patents
タイネツタイホウシヤセンケ−ブルInfo
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- JPS5840283B2 JPS5840283B2 JP50092845A JP9284575A JPS5840283B2 JP S5840283 B2 JPS5840283 B2 JP S5840283B2 JP 50092845 A JP50092845 A JP 50092845A JP 9284575 A JP9284575 A JP 9284575A JP S5840283 B2 JPS5840283 B2 JP S5840283B2
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- Japan
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- polyethylene
- insulator
- crosslinking
- coaxial cable
- radiation
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Links
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Landscapes
- Insulated Conductors (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、耐熱性と耐放射線特性とを要求される原子炉
や放射線照射装置等の内部に使用される放射線装置用同
軸ケーブルに関する。
や放射線照射装置等の内部に使用される放射線装置用同
軸ケーブルに関する。
原子炉内部や電子線を使用する装置内での配線用ケーブ
ルには、耐熱性及び耐放射線性が要求されるため、通常
電気特性が優れ、比較的耐熱性の良い架橋ポリエチレン
絶縁体が使用される。
ルには、耐熱性及び耐放射線性が要求されるため、通常
電気特性が優れ、比較的耐熱性の良い架橋ポリエチレン
絶縁体が使用される。
ポリエチレンの架橋方法として一般に用いられている方
法は、ポリエチレン中に架橋剤を配合して加熱して架橋
する方法と、放射線を照射して架橋する方法であり、絶
縁厚が１ｃｒｎ以上のケーブルは加熱架橋法を多く採用
し、絶縁厚が数ｍ以下のものは照射架橋法が多く用いら
れている。
法は、ポリエチレン中に架橋剤を配合して加熱して架橋
する方法と、放射線を照射して架橋する方法であり、絶
縁厚が１ｃｒｎ以上のケーブルは加熱架橋法を多く採用
し、絶縁厚が数ｍ以下のものは照射架橋法が多く用いら
れている。
絶縁厚の範いものにも加熱架橋法がとれないわけではな
いが、製造上の問題もあって、照射架橋の方がより多く
用いられている。
いが、製造上の問題もあって、照射架橋の方がより多く
用いられている。
このようなことから一般に絶縁厚の薄い従来の難燃性の
同軸ケーブルは、中心導体外周に照射架橋ポリエチレン
を介して外部導体を形成し、その外側に難燃ビニルシー
スを被覆した槽底のものとなっている。
同軸ケーブルは、中心導体外周に照射架橋ポリエチレン
を介して外部導体を形成し、その外側に難燃ビニルシー
スを被覆した槽底のものとなっている。
そして、耐熱特性上ディスク等を用いた空隙型絶縁体は
用いられず、捷た電気特性上ポリエチレン以外の材料は
あ捷り用いられない。
用いられず、捷た電気特性上ポリエチレン以外の材料は
あ捷り用いられない。
ところが、ポリエチレンは多量の放射線を浴びると絶縁
特性や機械特性が劣化し、オた照射架橋工程中に絶縁体
中に残留した電子が絶縁体を劣化させる原因となること
もあって、照射後ケーブルを加熱処理する工程を必要と
し、その製造コストを高くしていた。
特性や機械特性が劣化し、オた照射架橋工程中に絶縁体
中に残留した電子が絶縁体を劣化させる原因となること
もあって、照射後ケーブルを加熱処理する工程を必要と
し、その製造コストを高くしていた。
すなわち同軸ケーブル［１−いては、使用時中心導体と
外部導体間に課電１〜た際に、ポリエチレン絶縁体中に
電子が残留していると、この電子が一挙に流れ出して絶
縁破壊を引き起こしたり、また使用前に既に絶縁体の放
射線による劣化が相当進んでし１うという難点があった
。
外部導体間に課電１〜た際に、ポリエチレン絶縁体中に
電子が残留していると、この電子が一挙に流れ出して絶
縁破壊を引き起こしたり、また使用前に既に絶縁体の放
射線による劣化が相当進んでし１うという難点があった
。
本発明は上記の難点を解決するためなされたもので、耐
熱性と耐放射線性に優れた放射線装置用に好適する同軸
ケーブルを提供することを目的とする。
熱性と耐放射線性に優れた放射線装置用に好適する同軸
ケーブルを提供することを目的とする。
すなわち本発明の放射線装置用同軸ケーブルは、中心導
体と、これをとり囲む絶縁体と、その外周に設けられた
外部導体とを有する同軸ケーブルにかいて、前記絶縁体
を、 （式中Ｒ１，Ｒ２：！＝−よびＲ３は夫々、水酸基又は
アルコキシ基を示す。
体と、これをとり囲む絶縁体と、その外周に設けられた
外部導体とを有する同軸ケーブルにかいて、前記絶縁体
を、 （式中Ｒ１，Ｒ２：！＝−よびＲ３は夫々、水酸基又は
アルコキシ基を示す。
）以下同じで示される基を側鎖ニ有するポリエチレン化
合物を架橋させてなるもので形成したこと特徴とするも
のである。
合物を架橋させてなるもので形成したこと特徴とするも
のである。
本発明の同軸ケーブル絶縁体に使用する
で示される基を側鎖に有するポリエチレン化合物はポリ
エチレンにジクミルペルオキシド（ＤＣＰ）とビニルト
リメトキシシラン（ＶＴＭＯ８Ｗビニルエトキシシラン
（ＶＴＥＯ８）を添加して約２００℃で加熱反応させて
得られる。
エチレンにジクミルペルオキシド（ＤＣＰ）とビニルト
リメトキシシラン（ＶＴＭＯ８Ｗビニルエトキシシラン
（ＶＴＥＯ８）を添加して約２００℃で加熱反応させて
得られる。
得られた
で示される基を側鎖に有するポリエチレン化合物は、こ
れにジブチルチンジラウレートを混合するのである。
れにジブチルチンジラウレートを混合するのである。
例えばで示される基を側鎖に有するポリエチレン化合物
は、架橋反応に必要とする水の充分な存在下［ｉ−いて
、−例として常温で数日、５０℃で数時間、７０℃で数
１０分、９０℃で数分、１００℃で１分前後の如く比較
的低い温度で架橋させることができる。
は、架橋反応に必要とする水の充分な存在下［ｉ−いて
、−例として常温で数日、５０℃で数時間、７０℃で数
１０分、９０℃で数分、１００℃で１分前後の如く比較
的低い温度で架橋させることができる。
で示される基を側鎖に有するポリエチレン化合物を下式
により更に説明する。
により更に説明する。
このフリーラジカルによるポリエレン鎖からのＨ原子の
引き抜き ２゜ フリーラジカルを持つポリエチレン鎖へのＶＴＭＯ８の
付加 ３、 このラジカルによる他のポリエチレン鎖からのＨ
原子の引抜き（この反応の継続） ４、全てのＶＴＭＯ８Ａｉ型の反応をした時反応は終了
、架橋可能なシリコーングラフト化ポリエチレンが得ら
れる。
引き抜き ２゜ フリーラジカルを持つポリエチレン鎖へのＶＴＭＯ８の
付加 ３、 このラジカルによる他のポリエチレン鎖からのＨ
原子の引抜き（この反応の継続） ４、全てのＶＴＭＯ８Ａｉ型の反応をした時反応は終了
、架橋可能なシリコーングラフト化ポリエチレンが得ら
れる。
５ 得られた架橋可能なシリコーングラフト化ポリエチ
レンはジブチルチンジラウレート（ＤＢＴＤＬ、シラノ
ール縮合触媒）を混合すると水の存在に釦いて架橋され
る ポリエチレン鎖の架橋網目はＳ ｉ −０−Ｓｉ 結合
となり反応の際ＣＨ３０Ｈを生ずる。
レンはジブチルチンジラウレート（ＤＢＴＤＬ、シラノ
ール縮合触媒）を混合すると水の存在に釦いて架橋され
る ポリエチレン鎖の架橋網目はＳ ｉ −０−Ｓｉ 結合
となり反応の際ＣＨ３０Ｈを生ずる。
次に本発明の実施例について説明する。
実施例
中心導体上に
で示される基を側鎖に有するポリエチレン化合物を厚さ
が３．４ｍｍとなるよう押出被覆し、この上に外部導体
を形成したのち常温に４日間放置して架橋させ、離愁ビ
ニルシースを施して本発明のケーブルを製造した。
が３．４ｍｍとなるよう押出被覆し、この上に外部導体
を形成したのち常温に４日間放置して架橋させ、離愁ビ
ニルシースを施して本発明のケーブルを製造した。
このケーブルにγ線を照射して絶縁体の強度釦よび伸び
の変化を測定した。
の変化を測定した。
結果は図面のグラフに示す通りであった。
なか、図中ＳＴ、ＳＥはそれぞれ本発明ケーフル絶縁体
の強度残率釦よび伸び残率、ＡＴ 、 ＡＥはそれぞれ
照射架橋ポリエチレン絶縁体の強度残率ち−よび伸び残
率な示す。
の強度残率釦よび伸び残率、ＡＴ 、 ＡＥはそれぞれ
照射架橋ポリエチレン絶縁体の強度残率ち−よび伸び残
率な示す。
このグラフを見てわかるように、
で示される基を側鎖に有するポリエチレン化合物を架橋
させたもの強度残率ＳＴは照射量５０メガラツドで、も
との値より１２〜１３％悪化するが、照射架橋ポリエチ
レンはＡＴのように２２〜２３係程度も悪化している。
させたもの強度残率ＳＴは照射量５０メガラツドで、も
との値より１２〜１３％悪化するが、照射架橋ポリエチ
レンはＡＴのように２２〜２３係程度も悪化している。
伸び残率に関しても５０メガラツド照射捷では残率は
で示される基を側鎖に有するポリエチレン化合物の方が
良い。
良い。
ただし、ここで残率とは照射前の特性値に対する照射後
の特性値の割合を言う。
の特性値の割合を言う。
このように本発明の耐放射線装置用同軸ケーブルは、従
来の照射架橋ポリエチレン絶縁体を使用したものに比べ
て照射量５０メガランド程度１ではケーブルの初期の特
性をある程度捷で維持できる点で優って釦す、信頼性の
高いものである。
来の照射架橋ポリエチレン絶縁体を使用したものに比べ
て照射量５０メガランド程度１ではケーブルの初期の特
性をある程度捷で維持できる点で優って釦す、信頼性の
高いものである。
例えば、最も環境の厳しい原子炉等に使用する場合、通
常の使用で照射線量５０メガランド程度渣で特性を維持
できれば良いとされているので、本発明のケーブルはそ
の要求を満たしているといえる。
常の使用で照射線量５０メガランド程度渣で特性を維持
できれば良いとされているので、本発明のケーブルはそ
の要求を満たしているといえる。
即ち、従来照射架橋以外の方法はとられていなかった絶
縁厚数理以下の放射線装置用同軸ケーブルは、本発明に
よれば製造工程が簡素化でき、しかも特性の優れたもの
が得られ、その工業的価値は太きい。
縁厚数理以下の放射線装置用同軸ケーブルは、本発明に
よれば製造工程が簡素化でき、しかも特性の優れたもの
が得られ、その工業的価値は太きい。
図面は照射架橋ポリエチレン絶縁体を使用した従来の同
軸ケーブルＡと架橋Ｉ７た で示される基を側鎖に有するポリエチレン化合物絶縁体
を使用した本発明の同軸ケーブルＳＫついて照射線量を
変化させたときの絶縁体の強度残率Ｔ及び伸び残率Ｅの
変化を示すグラフである。
軸ケーブルＡと架橋Ｉ７た で示される基を側鎖に有するポリエチレン化合物絶縁体
を使用した本発明の同軸ケーブルＳＫついて照射線量を
変化させたときの絶縁体の強度残率Ｔ及び伸び残率Ｅの
変化を示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 中心導体と、これをとり囲む絶縁体と、その外周に
設けられた外部導体とを有する同軸ケーブルにむいて、
前記絶縁体を （式中Ｒ，，Ｒ２及びＲ３は夫々１．水酸基又はアルコ
キシ基を示す。 ）で示される基を側鎖に有するポリエチレン化合物を架
橋させてなるもので形成したことを特徴とする放射線装
置用同軸ケーブル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50092845A JPS5840283B2 (ja) | 1975-07-29 | 1975-07-29 | タイネツタイホウシヤセンケ−ブル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50092845A JPS5840283B2 (ja) | 1975-07-29 | 1975-07-29 | タイネツタイホウシヤセンケ−ブル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5216684A JPS5216684A (en) | 1977-02-08 |
| JPS5840283B2 true JPS5840283B2 (ja) | 1983-09-05 |
Family
ID=14065758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50092845A Expired JPS5840283B2 (ja) | 1975-07-29 | 1975-07-29 | タイネツタイホウシヤセンケ−ブル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5840283B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54129399A (en) * | 1978-03-29 | 1979-10-06 | Sumitomo Bakelite Co | Flame resisting insulated cover |
| JPS54136687A (en) * | 1978-04-17 | 1979-10-23 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Preparing insulated wire for equipment high voltage circuit wiring |
| JPS5716155A (en) * | 1980-07-02 | 1982-01-27 | Nippon Funmatsu Gokin Kk | Free cutting sintered iron |
| JP6480264B2 (ja) | 2015-05-27 | 2019-03-06 | 株式会社神戸製鋼所 | 鉄基粉末冶金用混合粉及び焼結体 |
| JP6480266B2 (ja) | 2015-05-27 | 2019-03-06 | 株式会社神戸製鋼所 | 鉄基粉末冶金用混合粉及びその製造方法、並びに、焼結体 |
| JP6480265B2 (ja) * | 2015-05-27 | 2019-03-06 | 株式会社神戸製鋼所 | 鉄基粉末冶金用混合粉及びその製造方法並びに焼結体及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50152291A (ja) * | 1974-05-29 | 1975-12-08 |
-
1975
- 1975-07-29 JP JP50092845A patent/JPS5840283B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50152291A (ja) * | 1974-05-29 | 1975-12-08 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5216684A (en) | 1977-02-08 |
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