JPS5838924B2 - 同極エレクトレットの製造方法 - Google Patents

同極エレクトレットの製造方法

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JPS5838924B2
JPS5838924B2 JP50034873A JP3487375A JPS5838924B2 JP S5838924 B2 JPS5838924 B2 JP S5838924B2 JP 50034873 A JP50034873 A JP 50034873A JP 3487375 A JP3487375 A JP 3487375A JP S5838924 B2 JPS5838924 B2 JP S5838924B2
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フアン タルンホウト ヤン
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Koninklijke Philips Electronics NV
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G7/00Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture
    • H01G7/02Electrets, i.e. having a permanently-polarised dielectric
    • H01G7/021Electrets, i.e. having a permanently-polarised dielectric having an organic dielectric
    • H01G7/023Electrets, i.e. having a permanently-polarised dielectric having an organic dielectric of macromolecular compounds
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、無極性ポリマの箔をその溶融温度よりも低く
ガラス−ゴム転移温度(通常ガラス転移温度と称する)
よりも高い温度まで加熱した後に静電界内でエレクトレ
ットに形成し、このエレクトレット基を室温に冷却する
ことにより無極性ポリマの箔から同極エレクトレットを
製造する方法に関するものである。
かかるエレクトレットには、誘電体の外側に形成された
電荷を注入されることにより同極電荷が与えられる。
直流電圧源に接続した2個の対向する電極間に箔を配置
し、静電界を増大させて一方の電極と箔との間の空気層
に破壊が生じるようにすると、イオンおよび電子が発生
し、これらが静電界により箔材科内に注入される。
同極電荷を箔内に注入する他の方法としては、コロナ放
電効果を用いる方法、液体を電荷部として用いる方法お
よび真空中における電子ボンバードメントを用いる方法
とがある。
無極性誘電体は同極電荷を蓄積するのに著しく適してい
るということが確かめられている。
無極性誘電体は、電気的なコンダクタンスが極めて小さ
く、湿気に対する親和力が小さいという特性を有してい
る。
無極性ポリマの代表的な例は商品名テフロン(TEFL
ON)で市販されている重合弗素−炭素化合物である。
この材料のエレクトレット基は優れた熱安定性を呈する
本発明の目的は、著しい熱および湿気安定性を有する上
述した材料のエレクトレット基を製造する方法を提供せ
んとするにある。
本発明は、無極性ポリマの箔をこのポリマのガラス転移
温度よりも高く、溶融温度よりも低い温度に加熱した後
、前記の箔に静電界を加え、これにより前記の無極性ポ
リマをエレクトレットに形成し、静電界を遮断した後に
前記の箔をある時間間隔中室温よりも高い温度に維持゛
することにより無極性ポリマの箔から同極エレクトレッ
トを製造するに当り、無極性ポリマがエレクトレットに
形成される時間中温度を増大し続け、静電界が遮断され
た後も温度を更に増大し続けることを特徴とする。
本発明によれば、エレクトレットの形成中および静電界
の遮断後も温度が上昇し続ける為、エレクトレットの形
成時間が著しく短縮されるとともに同極電荷の注入後に
箔内の弱い拘束電荷を極めて迅速に流出させ、過剰電荷
の除去時間が著しく短縮される。
更に本発明によればエレクトレットの製造に必要とする
エネルギーがわずかで足りるという利点が得られる。
注入電荷は異なるエネルギーのトラップ内に保持される
電荷注入後は選択した増大する高温度で電荷が箔の外側
から、すなわち電荷が最も弱い結合をしているトラップ
から箔の内側に移動する。
この移動は増大する高温度により電荷の移動度が増大す
る為に生じる。
温度を高くすればするほど電荷は一層容易に移動する。
エレクトレット基を増大する高温度に保つ時間の長さも
電荷の移動に関係する。
この時間を長くすればするほど多くの電荷が内方に移動
する。
いわゆる深いエネルギートラップに位置するエレクトレ
ット基の電荷のみがそのまま維持される。
その理由はこれらの電荷が最も強く拘束されている為で
ある。
湿気はエレクトレット基にその極めてわずかな深さまで
浸透しうるだけであり、同極電荷或は少くとも強い拘束
電荷(深いエネルギートラップ中の電荷)に及ぼすその
影響は実際的に無視しうる。
このようにして形成したエレクトレット基はこの「枯化
(エージング)」処理の為に著しく優れた熱安定性を有
し、湿気に対し高い電荷安定性を呈する。
実験によれば電荷注入(帯電)時間はo、oi秒〜1分
の範囲、好適には0.1秒〜5秒の範囲とする必要があ
るということを確かめた。
本発明によるエレクトレットの製造中静電界をある値に
する。
得られる単極電荷は所望電荷よりも著しく、例えば50
φだけ多い。
この差の電荷の除去は選択温度およびその持続時間によ
って行なう。
この電荷の除去とは、前述したように電荷を減少させる
ことを意味するものとする。
本発明による方法の場合、箔を2個の互に対向して位置
する電極間に配置し、少くとも一方の電極に薄織物状の
中間層を設け、他方の電極をエレクトレットの形成中直
流電圧源に接続するようにするのが有利である。
しばしば、金或はニッケルークロミウムのような真空堆
積した非酸化金属層を有する箔を用いる。
この箔が前述したテフロン材料から成る場合には、この
テフロン材料は正の電荷を設ける場合よりも負の同極電
荷を設ける場合に著しく優れた電荷安定性を呈する。
かかる負電荷を有するエレクトレット基を製造する為に
は、箔を両電極間に配置する場合この箔の金属層を一方
の電極に直接接触させ、この一方の電極を直流電圧源の
正端子に接続し、中間層を箔と他方の電極との間に配置
するのが好適である。
図面につき本発明を説明する。
第1図において、1はサーモスタットを示し、このサー
モスタット1内に2個の互に対向する電極2および3を
配置し、これら電極を電圧源4に接続し、電極2を正端
子とし、電極3を負端子とする。
電極2および3間に例えばテフロンEEP(商品名)の
箔5を配置する。
この箔5の一方の面にニクロムより成る極めて肉薄の真
空堆積した金属層6を設ける。
この金属層6は湿潤雰囲気中で殆んど酸化しない。
この金属層6を正電極2と完全に接触させる。
箔5と負電極3との間にはガラス織布の中間層7を配置
する。
サーモスタット1には加熱用のコイル8を設け、矢印の
方向でこの加熱用コイル8に沿ってサーモスタット1内
に空気を送り込む。
またサーモスタット1には温度制御装置9をも設ける。
箔5の厚さは25μとする。
ガラス織布の中間層7の厚さは0.25mmとする。
これが為、電気的な降服が可能である。
中間層中、すなわちガラス織布内の空洞中にイオンおよ
び電子が得られ、これらが電界によって基5内に注入さ
れて同極(homopolar)電荷を形成する。
本発明方法における温度一時間曲線を第2図に示す。
温度は経験的に決めた最大温度T1まで上昇させる。
この最大温度T1はガラス−ゴム転移温度Tgよりも上
で箔の溶融温度よりも下に位置させる必要がある。
ガラス−ゴム転移温度Tgに相当し、温度サイクルの加
熱期間および冷却期間内にそれぞれ位置する瞬時t1お
よび42間で電極2および3を電圧源4に接続し、期間
tf中中型電界電極間に従って箔材科内に設定されるよ
うにする。
この静電界の大きさは箔に与えるべき電荷の量によって
決める。
温度曲線をAで示し、これに関連する帯電曲線をaで示
す。
この帯電曲線aは瞬時t1およびt2間で電荷の一部が
流出されるということを示す。
その量は最大温度T1および時間差(12−11)によ
って決まる。
本発明以外の他の可能な温度曲線をBで示す。
この場合最大温度T2を瞬時t3まで一定に維持する。
形成される電荷は曲線すに応じて変化する。
従って電荷の流出は、ガラス−ゴム転移温度に相当し曲
線Bの冷却期間内に位置する瞬時t4まで延長される。
かかる電荷流出処理後、電荷の熱に対する安定性および
湿気に対する安定性の双方が著しく改善される。
安定性の曲線はTSD(熱誘導放電: thermally stimulated disc
harge)法によって測定する。
この場合形成したエレクトレット基を1分当り1℃だけ
加熱し、電荷の量を連続的に測定する。
この測定はいわゆる補償法に応じて行ない、この点を考
慮して、測定した同極電荷を等価のボルト単位Ve、で
表示される。
第3a図は湿気に関し通常の状態にあるテフロンFEP
製エレクトレット箔の安定性曲線(曲線11および12
)と湿気に関し特別な状態にあるテフロンFEP製エレ
クトレット箔の安定性曲線(曲線13および14)とを
示す。
通常の状態と※※は22℃−40%RH(相対湿度)の
状態であり、特別な状態とは70°C−100%RHの
状態である。
単極電荷を縦軸にV ボルト単位でプロットし、時間を
横軸に日にちの単位でプロットした。
破線曲線で示した本発明方法によって形成した枯化(エ
ージング)したエレクトレット基は200℃の温度でI
KVの直流電圧を1分間与え、その後に温度を最大温度
T1=220’Cに上昇させて形成したものである。
実線曲線で示す枯化しないエレクトレット基は室温Tr
に冷却される後まで直流電圧を切断しない既知の方法に
よって形成されるものである。
第3b図は安定性曲線を温度の関数として示す。
曲線15は枯化処理しない(非枯化)曲線であり、曲線
16は本発明によって枯化処理した曲線であり、これら
曲線は一層延長する。
これら曲線は、70℃の温度で100%RHの高湿気状
態での枯化エレクトレット基の安定性曲線が非枯化エレ
クトレット箔の安定性曲線よりも著しく優れているとい
うことを示す。
しかし、エレクトレット基をマイクロホン中の振動板と
して用いる場合には上述した極めて不適切な状態は実際
上流して生じない。
テフロンFEP箔で行なった測定により次のデータが得
られた。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明方法に用いるエレクトレット形成装置の
一例を示す説明図、第2図はエレクトレット形成処理を
線図的に示すグラフ、第3図は本発明方法を用いて製造
したエレクトレット基の実験的な安定性曲線を示す線図
である。 1・・・・・・サーモスタット、2,3・・・・・・電
極、4・・・・・・電圧源、5・・・・・・箔、6・・
・・・・金属層、7・・・・・・中間層、8・・・・・
・加熱用コイル、9・・・・・・温度制御装置。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 無極性ポリマの箔をこのポリマのガラス転移温度よ
    りも高く、溶融温度よりも低い温度に加熱した後、前記
    の箔に静電界を加え、これにより前記の無極性ポリマを
    エレクトレットに形成し、静電界を遮断した後に前記の
    箔をある時間間隔中室温よりも高い温度に維持すること
    により無極性ポリマの箔から同極エレクトレットを製造
    するに当り、無極性ポリマがエレクトレットに形成され
    る時間中温度を増大し続け、静電界が遮断された後も温
    度を更に増大し続けることを特徴とする同極エレクトレ
    ットの製造方法。
JP50034873A 1974-03-25 1975-03-22 同極エレクトレットの製造方法 Expired JPS5838924B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7403965A NL7403965A (nl) 1974-03-25 1974-03-25 Werkwijze tot het vervaardigen van een homopo- laire electreet uit een folie.

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Publication Number Publication Date
JPS50129999A JPS50129999A (ja) 1975-10-14
JPS5838924B2 true JPS5838924B2 (ja) 1983-08-26

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JP50034873A Expired JPS5838924B2 (ja) 1974-03-25 1975-03-22 同極エレクトレットの製造方法

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US (1) US4037310A (ja)
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DE (1) DE2511438A1 (ja)
FR (1) FR2266276B3 (ja)
GB (1) GB1493518A (ja)
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DE2511438A1 (de) 1975-10-09
FR2266276A1 (ja) 1975-10-24
GB1493518A (en) 1977-11-30
FR2266276B3 (ja) 1977-12-02
NL7403965A (nl) 1975-09-29
US4037310A (en) 1977-07-26

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