JPS5836855B2 - switching circuit - Google Patents
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- JPS5836855B2 JPS5836855B2 JP53131595A JP13159578A JPS5836855B2 JP S5836855 B2 JPS5836855 B2 JP S5836855B2 JP 53131595 A JP53131595 A JP 53131595A JP 13159578 A JP13159578 A JP 13159578A JP S5836855 B2 JPS5836855 B2 JP S5836855B2
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- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は複数の入力信号のうちのいずれかーの入力信号
を選択出力するスイッチング回路に係り、極めて少ない
数のトランジスタにより、阻正する入力信号の減衰度が
充分大で、かつ、通過損失少なく入力信号を選択出力し
つる高入力インピーダンスで抵出力インピーダンスのス
イッチング回路を提供することを目的とする。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a switching circuit that selectively outputs one of a plurality of input signals. It is an object of the present invention to provide a switching circuit with high input impedance and low output impedance, which selectively outputs input signals with little passing loss.
従来はスイッチング回路として、ダイオードブリッジ回
路か差動増幅器の組合せ回路を用いるのが一般的であっ
た。Conventionally, it has been common to use a diode bridge circuit or a differential amplifier combination circuit as a switching circuit.
しかし、ダイオードブリッジ回路は入力インピーダンス
が低く、制御するのに大きな電力を必要とし、また素子
数を多く必要とする等の欠点があった。However, the diode bridge circuit has drawbacks such as low input impedance, requiring a large amount of power for control, and requiring a large number of elements.
一方、差動増幅器の組合せ回路は、高入力インピーダン
スで低出力インピーダンスとするには、数多くのトラン
ジスタを必要とし、また選択出力する二つの入力信号の
通過損失を等しく設定するためには、調整を有するとい
う欠点があった。On the other hand, the combinational circuit of a differential amplifier requires a large number of transistors to achieve high input impedance and low output impedance, and adjustment is required to set the passing losses of the two input signals to be selectively output to be equal. It had the disadvantage of having
本発明は上記の諸欠点を悉く除去したものであり、以下
図面と共にその一実症例について説明する。The present invention eliminates all of the above-mentioned drawbacks, and an example thereof will be described below with reference to the drawings.
第1図は本発明になるスイッチング回路の一実施例を示
す具体的回路図で、1及び2は夫々選択出力されるべき
信号の入力端子である。FIG. 1 is a specific circuit diagram showing an embodiment of the switching circuit according to the present invention, and 1 and 2 are input terminals for signals to be selectively output.
また3は制御信号入力端子、4は出力端子で上記入力端
子1又は2よりの入力信号が取り出される。Further, 3 is a control signal input terminal, and 4 is an output terminal from which an input signal from the input terminal 1 or 2 is taken out.
入力端子1に入来した信号は、抵抗R, R2により
ベースバイアスされるNPN I−ランジスクTrt
のベースに供給さへ他方入力端子2に入来した信号は、
抵抗R3R4 によりベースバイアスされるNPN?ラ
ンジスタTr2のベースに供給される。The signal coming into input terminal 1 is an NPN I-ranjisk Trt which is base biased by resistors R and R2.
The signal that enters the other input terminal 2 is supplied to the base of the
NPN base biased by resistor R3R4? It is supplied to the base of transistor Tr2.
トランジスタTr1,Tr2のコレクタは抵抗R5 R
6を介して正の直流電源電圧入力端子に接続さヘ トラ
ンジスタTr,,Tr2のエミツタは抵抗R7R8を介
して接地される一方、抵抗R9 RIOとスイッチング
用NPN t−ランジスタTr 3 r Tr 4のコ
レクタとの接続的に結合されている。The collectors of transistors Tr1 and Tr2 are resistors R5 R
The emitters of the transistors Tr, Tr2 are connected to the positive DC power supply voltage input terminal through the resistor R9 RIO and the collector of the switching NPN t-transistor Tr3 r Tr4. connected with.
トランジスタTr3 ,Tr,のエミツタは共通の抵抗
Rttを介して接地される一方、出力端4に接続されて
いる。The emitters of the transistors Tr3, Tr, are grounded via a common resistor Rtt, and are connected to the output terminal 4.
また制御信号入力端子3は抵抗R1及びFttsよりな
る抵抗分割回路を介してトランジスタTr,のベースに
接続される一方、抵抗Rl4を介してトランジスタTr
4のベースに接続されている。Further, the control signal input terminal 3 is connected to the base of the transistor Tr through a resistor divider circuit consisting of a resistor R1 and Ftts, while the control signal input terminal 3 is connected to the base of the transistor Tr through a resistor Rl4.
Connected to the base of 4.
トランジスタTr,は制御信号入力端子3よりの制御信
号をトランジスタTr3,Tr4のベースに互いに逆極
性で印加するため、位相反転用のトランジスタで、原理
的にはトランジスタTr3, Tr,のベース入力が逆
極性であればよいからこのトランジスタTr5は無くて
もよく、よってTr1〜Tr4のトランジスタ4個でス
イッチング回路を構戊できる。Transistor Tr is a phase inversion transistor because the control signal from control signal input terminal 3 is applied to the bases of transistors Tr3 and Tr4 with opposite polarities, and in principle, the base inputs of transistors Tr3 and Tr are reversed. Since any polarity is sufficient, this transistor Tr5 may be omitted, and the switching circuit can therefore be configured with four transistors Tr1 to Tr4.
更に上記トランジスタTr3のベースと正の直流電源電
圧入力端子間には抵抗R15 t R16が直列に接続
されており、抵抗R15とR16との接続点はトランジ
スタTr5のコレクタに結合されている。Further, a resistor R15 t R16 is connected in series between the base of the transistor Tr3 and the positive DC power supply voltage input terminal, and a connection point between the resistors R15 and R16 is coupled to the collector of the transistor Tr5.
次に上記の回路の動作につき説明するに、入力端子3よ
り入来した制御信号は正の直流電源電圧と同電位のレベ
ル(Hレベル)であり、抵抗R1,R13で分割された
後トランジスタTr5により極性反転されてトランジス
タTr3のベースに印加される一方、抵抗R14を経て
トランジスタTr4のベースに印加される。Next, to explain the operation of the above circuit, the control signal input from input terminal 3 is at the same potential level (H level) as the positive DC power supply voltage, and after being divided by resistors R1 and R13, transistor Tr5 The polarity of the signal is inverted and applied to the base of the transistor Tr3, while the signal is applied to the base of the transistor Tr4 via the resistor R14.
これにより、トランジスタTr5が飽和領域動作をし、
そのコレクタ電位がほぼ接地位置(Lレベル)となるた
め、トランジスタTr3は不活性領域動作をする(非導
通状態となる)。As a result, the transistor Tr5 operates in the saturation region,
Since its collector potential is approximately at the ground level (L level), the transistor Tr3 operates in an inactive region (becomes non-conductive).
トランジスタTr3の不活性領域動作により、そのコレ
クタ・エミツタ間インピーダンスが抵抗R9に比して充
分大となるので、トランジスタ’l”r 3のコレクタ
に接続されているトランジスタTr,のエミツタには、
抵抗R,とR7とにより決まる電圧がかかることになる
。Due to the inactive region operation of the transistor Tr3, the impedance between its collector and emitter becomes sufficiently larger than that of the resistor R9, so that the emitter of the transistor Tr connected to the collector of the transistor 'l''r3 is as follows.
A voltage determined by resistors R and R7 will be applied.
ここで、抵抗R,とR2の抵抗値は、トランジスタTr
1のベース電位がこのときの上記エミツタ電位よりも
高く、かつ、後述する条件より高くなるように選定され
ているため、トランジスタTr1は不活性領域動作をす
る。Here, the resistance values of the resistors R and R2 are the transistor Tr
Since the base potential of transistor Tr1 is selected to be higher than the emitter potential at this time and higher than the conditions described later, the transistor Tr1 operates in an inactive region.
従って、Hレベルの制御信号が入力端子3に入来したと
きは、トランジスタTr,及びTr3共に不活性領域動
作をするので、入力端子1よりの人力信号はトランジス
タTr 1+ Tr3により減衰遮断される。Therefore, when an H level control signal enters the input terminal 3, both transistors Tr and Tr3 operate in the inactive region, so that the human input signal from the input terminal 1 is attenuated and blocked by the transistors Tr 1 + Tr 3 .
このとき入力端子1よりの人力信号はほぼトランジスタ
Tr1のベース・エミツタ間逆バイアスインピーダンス
対抵抗R7 1 R9の並列抵抗、及びトランジスタT
r3のコレクタ・エミツタ間の不活性領域動作時のイン
ピーダンス対抵抗R11の2段に亘って減衰する。At this time, the human input signal from input terminal 1 is approximately the reverse bias impedance between the base and emitter of transistor Tr1, the parallel resistance of resistor R7 1 R9, and the transistor T
Attenuation occurs over two stages of impedance versus resistance R11 during operation in the inactive region between the collector and emitter of r3.
このため入力信号が高周波であっても入力端子1より出
力端子4までの回路により十分な減衰度が得られる。Therefore, even if the input signal is a high frequency signal, a sufficient degree of attenuation can be obtained by the circuit from the input terminal 1 to the output terminal 4.
一方、Hレベルの制御信号がベースに印加されるトラン
ジスタTr4は飽和領域動作をし、トランジスタTr4
は導通状態となり、抵抗R8 1RIO IRIt J
R14により決まる電圧がトランジスタTr2のエミ
ツタにかかる。On the other hand, the transistor Tr4 to which the H level control signal is applied to its base operates in the saturation region, and the transistor Tr4
becomes conductive, and the resistance R8 1RIO IRIt J
A voltage determined by R14 is applied to the emitter of transistor Tr2.
ここで、このときのトランジスタTr2のベース電位は
抵抗R3, R4により上記エミツタ電位に順方向電圧
VBEを加えた電匣よりも犬なる電位となるように予め
設定されているので、このときトランジスタTr2は活
性領域動作を行ない、抵抗R8,R1o, t−ラン
ジスタTr4の導通時のコレクタ・エミツタ間インピー
ダンス、抵抗Rl4及びRl 1は夫々エミツタ抵抗と
して働き低出力インピーダンスとなり入力端子2よりの
入力信号が出力端子4より取り出される。Here, since the base potential of the transistor Tr2 at this time is set in advance by the resistors R3 and R4 to be a potential higher than the electric potential obtained by adding the forward voltage VBE to the emitter potential, at this time the base potential of the transistor Tr2 performs active region operation, resistors R8, R1o, and the impedance between the collector and emitter when the t-transistor Tr4 is conductive, and the resistors Rl4 and Rl1 each act as emitter resistors, resulting in a low output impedance, and the input signal from input terminal 2 is output. It is taken out from terminal 4.
ここで、トランジスタTr4の飽和領域動作時のコレク
タ・エミツタ間インピーダンスは抵抗R1、に比し極め
て小であるから、出力端子4と入力端子2の出力対入力
の電圧利得はほぼ1となる。Here, since the collector-emitter impedance of the transistor Tr4 when operating in the saturation region is extremely small compared to the resistor R1, the voltage gain of the output versus input of the output terminal 4 and the input terminal 2 is approximately 1.
次に制御信号入力端子3の入力レベルがLレベルとなる
と、トランジスタTr5は不活性領域動作となり、その
コレクタ・エミツタ間インピーダンスは高いインピーダ
ンスとなる。Next, when the input level of the control signal input terminal 3 becomes L level, the transistor Tr5 operates in an inactive region, and the impedance between its collector and emitter becomes high.
よってトランジスタTr3には抵抗R15及びRtaを
介してベース電流が供給さヘ トランジスタTr 3は
飽和領域動作をする。Therefore, the base current is supplied to the transistor Tr3 via the resistor R15 and Rta. The transistor Tr3 operates in the saturation region.
これにより、トランジスタTr1のエミツタにかかる電
圧は、抵抗R7, R,, R,5, R16,Rll
によりほぼ決定される。As a result, the voltage applied to the emitter of transistor Tr1 is applied to resistors R7, R,, R,5, R16, Rll
It is almost determined by
この電圧にトランジスタTr1の順方向電圧VBEを加
えた電圧値よりも高くなるように、トランジスタTr,
のベース電位が抵抗R1, R2により設定されている
ため、トランジスタTr 1は活性領域で動作する。The transistors Tr,
Since the base potential of the transistor Tr1 is set by the resistors R1 and R2, the transistor Tr1 operates in the active region.
そのときトランジスタTr1のエミツタ抵抗として抵抗
R7Rt5+ R46 , Rg及びR11が働き、低
出力インピーダンスとなり、トランジスタTr3の飽和
領域インピーダンス(オン抵抗)が抵抗R11に比して
無視しうるほと小さいから、端子1と4との間の回路の
利得はほぼ1となる。At this time, the resistors R7Rt5+ R46, Rg, and R11 act as emitter resistances of the transistor Tr1, resulting in a low output impedance, and since the saturation region impedance (on resistance) of the transistor Tr3 is negligibly small compared to the resistor R11, the terminal 1 The gain of the circuit between and 4 is approximately 1.
これにより、入力端子1に入来した信号が活性領域にあ
るトランジスタTr1及び飽和領域にあるトランジスタ
Tr3を通過して出力端子4より損失少なく取り出され
る。As a result, a signal entering the input terminal 1 passes through the transistor Tr1 in the active region and the transistor Tr3 in the saturation region, and is extracted from the output terminal 4 with less loss.
一方、制御信号入力端子3の入力レベルがLレベルとな
ると、トランジスタTr4のベース電位がLレベルとな
るから不活性領域動作をする。On the other hand, when the input level of the control signal input terminal 3 becomes L level, the base potential of the transistor Tr4 becomes L level, so that the transistor Tr4 operates in an inactive region.
従ってトランジスタTr2のエミツタには抵抗,。Therefore, there is a resistor at the emitter of transistor Tr2.
,R8によって決定された電圧がかかる。, R8.
しかしトランジスタTr2のベース電位は抵抗R3,
R4により、このときのエミツタ電位よりも低くなるよ
うに設定されているため、トランジスタTr2も不活性
領域動作をする。However, the base potential of the transistor Tr2 is the resistor R3,
Since the emitter potential is set to be lower than the emitter potential at this time by R4, the transistor Tr2 also operates in an inactive region.
従pて出力端子4よりの出力対入力端子2よりの入力の
減衰度は、トランジスタTr2のべ一入・エーミツタ間
逆バイアスインピーダンス対抵抗R8 ? RIOによ
り決定される抵抗値とトランジスタTr4の不活性領域
動作インピーダンス対抵抗R11の2段で減衰されるの
で十分大なる値となる。Therefore, the attenuation of the output from output terminal 4 versus the input from input terminal 2 is the reverse bias impedance between the base input and emitter of transistor Tr2 versus resistance R8? Since it is attenuated in two stages: the resistance value determined by RIO and the inactive region operating impedance of transistor Tr4 versus resistor R11, it becomes a sufficiently large value.
これにより、入力端子2に入来した信号は共に不活性領
域動作をするトランジスタTr2及びTr4により十分
減衰され遮断されるので、出力端子4より取り出されな
い。As a result, the signal entering the input terminal 2 is sufficiently attenuated and cut off by the transistors Tr2 and Tr4, both of which operate in an inactive region, so that the signal is not taken out from the output terminal 4.
以上のように、制御信号入力端子3の入力レベルを切換
えることにより、一方が飽和領域で他方が不活性領域で
動作をするトランジスタTr 3及びTr4の動作態様
が切換わると共に、それに応じてトランジスタTr 1
+ Tr2のエミツタにかかる電圧も変化して一方が
活性領域で他方が不活性領域で動作をするトランジスタ
Try,Tr2の動作態様も切換わる。As described above, by switching the input level of the control signal input terminal 3, the operating modes of the transistors Tr3 and Tr4, one of which operates in a saturated region and the other in an inactive region, are switched, and the transistor Tr3 and Tr4 operate in a corresponding manner. 1
+ The voltage applied to the emitter of Tr2 also changes, and the operating modes of the transistors Try and Tr2, one of which operates in an active region and the other in an inactive region, also change.
これにより、出力端子4から取り出される信号は入力端
子1(又は2)に入来した信号から入力端子2(又は1
)に入来した信号にスイッチングされる。As a result, the signal taken out from the output terminal 4 is changed from the signal that entered the input terminal 1 (or 2) to the input terminal 2 (or 1
) is switched depending on the signal that comes into the terminal.
また入力端子1の人力信号を出力端子4より取り出す場
合はトランジスタTr1が活性領域、トランジスタTr
3が飽和領域で動作すると共にトランジスタTr2及び
Tr4が共に不活性領域動作となり、他方、入力端子2
の入力信号を出力端子4より取り出す場合はトランジス
タTr2が活性領域、トランジスタTr4が飽和領域で
動作すると共に、トランジスタTr ,及びTr 3が
不活性領域動作をする。In addition, when taking out the human input signal of the input terminal 1 from the output terminal 4, the transistor Tr1 is the active region, and the transistor Tr
3 operates in the saturation region, and both transistors Tr2 and Tr4 operate in the inactive region, while input terminal 2
When taking out the input signal from the output terminal 4, the transistor Tr2 operates in the active region, the transistor Tr4 operates in the saturation region, and the transistors Tr and Tr3 operate in the inactive region.
このため、入力信号を通過させる回路部は極めて低い出
力インピーダンスとなり、また入力信号を阻屯する回路
部は不活性領域動作により出力インピーダンスが高く分
離度が高い。Therefore, the circuit section that passes the input signal has an extremely low output impedance, and the circuit section that blocks the input signal has a high output impedance and high isolation due to the inactive region operation.
更に信号入力側のトランジスタTr1,Tr2のベース
電流が大きく、かつ、トランジスタTr 1 tTr
2に電流増幅率大なるものを用いることにより、トラン
ジスタTr1,Tr2のエミツタ電流の変化に対しベー
ス電流の変化を無視でき、夫々のベース電位を等しく設
定しておくことにより、スイッチング等の出力電圧変動
を極めて小にすることができ、また更に両トランジスタ
Tr1,Tr2のエミツタ電位を等しく設定しておくこ
とにより、スイッチング時の直流電圧の変動をなくすこ
とができる。Furthermore, the base currents of the transistors Tr1 and Tr2 on the signal input side are large, and the transistors Tr 1 tTr
By using a large current amplification factor for transistors Tr1 and Tr2, changes in the base current can be ignored with respect to changes in the emitter currents of transistors Tr1 and Tr2. By setting the base potentials of each transistor to be equal, the output voltage for switching, etc. Fluctuations can be made extremely small, and furthermore, by setting the emitter potentials of both transistors Tr1 and Tr2 to be equal, it is possible to eliminate fluctuations in the DC voltage during switching.
第2図は本発明になるスイッチング回路の他の実施例を
示し、第1図と同一部分には同一符号を付しその説明を
省略する。FIG. 2 shows another embodiment of the switching circuit according to the present invention, and the same parts as those in FIG. 1 are given the same reference numerals and the explanation thereof will be omitted.
本実施例は第1図に示す実施例が入力端子1と2への入
力信号を択一的にスイッチング出力するのに比し、入力
端子1,2,5.6への4人力信号のうちのいずれかー
の入力信号を選択出力するものである。In contrast to the embodiment shown in FIG. 1 which selectively outputs input signals to input terminals 1 and 2, this embodiment selectively outputs input signals to input terminals 1, 2, 5, and 6. It selectively outputs one of the input signals.
7,8.9及び10は夫々制御信号入力端子で、スイッ
チング用NPN }ランジスタTrB v Tr3 r
Tr4及びTrgのうちいずれかーのトランジスタの
み飽和領域で動作させ、かつ、残りのトランジスタは不
活性領域で動作させるための制御信号が入力される。7, 8, 9 and 10 are control signal input terminals, respectively, for switching NPN transistors TrB v Tr3 r
A control signal is input to cause only one of the transistors Tr4 and Trg to operate in the saturation region, and to cause the remaining transistors to operate in the inactive region.
これにより第1図と同様の動作をし、例えば入力端子7
の制御入力のみがHレベル、入力端子8,9及び10の
制御入力がいずれもLレベルのときは、トランジスタT
r Bが飽和領域動作をし、トランジスタTr3,Tr
4及びTr gはすべて不活性領域動作となり、またト
ランジスタTr8の飽和領域動作によりトランジスタT
r6のみが活性領域動作をし、トランジスタTr 1
+ Tr2及びTr7は不活性領域動作をするので、入
力端子5に入来した信号のみが出力端子4より選択的に
スイッチング出力される。As a result, the same operation as in Fig. 1 is performed, for example, the input terminal 7
When only the control input of the transistor T is at H level and the control inputs of input terminals 8, 9 and 10 are all at L level, the transistor T
r B operates in the saturation region, and transistors Tr3 and Tr
4 and Trg are all operated in the inactive region, and the transistor Tr8 is operated in the saturation region.
Only r6 operates as an active region, and transistor Tr1
+ Since Tr2 and Tr7 operate in the inactive region, only the signal that has entered the input terminal 5 is selectively switched and outputted from the output terminal 4.
このようにして第2図示の回路では4人力信号のうちの
いずれかーの入力信号を選択出力でき、動様の動作原理
により、本発明回路によれば入力信号がベースに供給さ
れる入力トランジスタ(第2図ではTr 1 + Tr
2 + Tr 6及びTr7に相当)と、この入力ト
ランジスタによるエミツタフオロワ出力を飽和領域動作
によりエミツタより出力するスイッチング用トランジス
タ(第2図ではTr 3 e Tr4 ’Tr8及びT
rgに相当)とよりなる一対のトランジスタを任意の対
数増すことにより、任意の複数の入力信号のうちいずれ
かーの入力信号を選択的にスイッチング出力することが
できる。In this way, the circuit shown in FIG. 2 can selectively output any one of the four input signals, and according to the principle of operation, according to the circuit of the present invention, the input signal is supplied to the base of the input transistor ( In Figure 2, Tr 1 + Tr
2 + Tr 6 and Tr7), and a switching transistor (Tr 3 e Tr4 'Tr8 and T
By adding a pair of transistors (corresponding to rg) by an arbitrary logarithm, it is possible to selectively switch and output any one of a plurality of arbitrary input signals.
なお、スイッチング出力される入力信号はアナログ信号
及びデイジタル信号のいずれでもよく、また上記各実施
例ではトランジスタにNPNトランジスタを用いている
が、直流電源電圧の極性を負にすることなどにより、N
PNI−ランジスタを用いても同様な動作をすることは
明らかである。Note that the input signal to be outputted by switching may be either an analog signal or a digital signal, and in each of the above embodiments, an NPN transistor is used as a transistor, but by making the polarity of the DC power supply voltage negative, etc.
It is clear that a similar operation can be achieved using a PNI-transistor.
上述の如く、本発明になるスイッチング回路は、入力信
号がベースに供給される第1のトランジスタと、この第
1のトランジスタのエミツタと電源入力端子との間に接
続された第1の抵抗と、第1のトランジスタのエミツタ
と接地間に接続された第2の抵抗と、上記第1のトラン
ジスタのエミツタと第1及び第2の抵抗との接続点にコ
レクタが接続されベースに制御信号が入力される第2の
トランジスタとよりなる回路を複数設け、この複数個の
第2のトランジスタのエミツタを共通接続し、上記制御
信号により複数個の第2のトランジスタのうち任意のー
の第2のトランジスタのみを飽和領域動作せしめると共
に他を不活性領域動作とし、複数個の第1のトランジス
タのうち飽和領域動作をする第2のトランジスタのコレ
クタにエミツタが接続された第1のトランジスタのみ活
性領域で動作させると共に他を不活性領域動作として上
記活性領域で動作する第1のトランジスタの入力信号を
上記飽和領域動作をする第2のトランジスタのエミツタ
よりスイッチング出力するよう構威したため、次の如き
数々の特長を有する。As described above, the switching circuit according to the present invention includes: a first transistor whose base is supplied with an input signal; a first resistor connected between the emitter of the first transistor and a power input terminal; A second resistor is connected between the emitter of the first transistor and ground, and a collector is connected to a connection point between the emitter of the first transistor and the first and second resistors, and a control signal is input to the base. A plurality of circuits each consisting of a plurality of second transistors are provided, the emitters of the plurality of second transistors are connected in common, and only an arbitrary one of the plurality of second transistors is controlled by the control signal. operate in the saturation region while the others operate in the inactive region, and among the plurality of first transistors, only the first transistor whose emitter is connected to the collector of the second transistor operating in the saturation region operates in the active region. At the same time, the input signal of the first transistor operating in the active region is switched and outputted from the emitter of the second transistor operating in the saturation region, with the other transistors operating in the inactive region. have
■ 不活性領域動作をする第1のトランジスタのベース
入力信号は、その第1のトランジスタ及びそのエミツタ
にコレクタが接続されている第2のトランジスタが共に
不活性領域動作をするので2段に亘って減衰さへ十分大
なる減衰度をもって入力信号の通過を阻止でき、分離度
が大である。■ The base input signal of the first transistor that operates in the inactive region is transmitted over two stages because both the first transistor and the second transistor whose collector is connected to the emitter operate in the inactive region. Passage of the input signal can be blocked with a sufficiently large degree of attenuation, and the degree of separation is high.
■ 活性領域動作をする第1のトランジスタはエミツク
フオロワ形式なので高入力インピーダンスである。(2) The first transistor operating in the active region is of the emitter follower type and therefore has a high input impedance.
■ 上記エミツタフオロワ出力を飽和領域動作をする第
2のトランジスタのエミツタより取り出すようにしたた
め、低出力インピーダンスである。(2) Since the emitter follower output is taken out from the emitter of the second transistor operating in the saturation region, the output impedance is low.
■ 高いhFE のトランジスタを初段に使用でき、
複数個の第1のトランジスタのベース電位を同電位に設
定することにより、スイッチング時の直流電圧の変動を
除去できる。■ High hFE transistor can be used in the first stage,
By setting the base potentials of the plurality of first transistors to the same potential, fluctuations in DC voltage during switching can be eliminated.
■ スイッチング制御は複数個の第2のトランジスタの
夫々のベースに制御信号を供給して行なうため、小電力
でスイッチング制御できる。(2) Switching control is performed by supplying control signals to the bases of each of the plurality of second transistors, so switching can be controlled with low power.
■ 従来のダイオードブリッジ回路や差動増幅器の組合
せ回路に比し、極めて少ないトランジスタの数でもって
、上記■〜■の特長をもつスイッチング回路を構或でき
る。(2) Compared to conventional diode bridge circuits and differential amplifier combination circuits, a switching circuit having the features (1) to (4) above can be constructed with an extremely small number of transistors.
第1図は本発明になるスイッチング回路の一実施例を示
す具体的回路図、第2図は本発明になるスイッチング回
路の他の実施例を示す具体的回路図である。
1,2,5,6・・・・・・入力端子、3,7,8.1
0・・・・・・制御信号入力端子、4・・・・・・出力
端子、Tr −Tr ・・・・・・NPN }ラン
ジスタ。
19FIG. 1 is a specific circuit diagram showing one embodiment of the switching circuit according to the present invention, and FIG. 2 is a specific circuit diagram showing another embodiment of the switching circuit according to the present invention. 1, 2, 5, 6... Input terminal, 3, 7, 8.1
0... Control signal input terminal, 4... Output terminal, Tr - Tr... NPN } transistor. 19
Claims (1)
と、該第1のトランジスタのエミツタにコレクタが接続
されベースに制御信号が入力される第2のトランジスタ
とよりなる回路を複数設け、該複数個の第2のトランジ
スタのエミツタを共通接続し、上記制御信号により該複
数個の第2のトランジスタのうち任意の一の第2のトラ
ンジスタのみを飽和領域動作せしめると共に他を不活性
領域動作とし、上記飽和領域で動作する第2のトランジ
スタのコレククに接続されている該第1のトランジスタ
のベース入力信号を該飽和領域で動作する第2のトラン
ジスタのエミツタよりスイッチング出力するスイッチン
グ回路であって、該第1のトランジスタのエミツタを第
1の抵抗を介して第1の電源端子に接続すると共に第2
の抵抗を介して第2の電源端子に接続し、該複数個の第
1のトランジスタのうち飽和領域動作をするーの第2の
トランジスタのコレクタにエミツタが接続されたーの第
1のトランジスタのみ活性領域で動作させると共に他を
不活性領域で動作をさせてスイッチング出力を得るよう
構成したことを特徴とするスイッチング回路。1 A plurality of circuits each consisting of a first transistor whose base is supplied with a human power signal and a second transistor whose collector is connected to the emitter of the first transistor and whose base receives a control signal, The emitters of the second transistors of the plurality of transistors are commonly connected, and the control signal causes only one of the plurality of second transistors to operate in the saturation region, and the others to operate in the inactive region, and A switching circuit that switches and outputs a base input signal of the first transistor connected to the collector of the second transistor that operates in the saturation region from the emitter of the second transistor that operates in the saturation region, The emitter of the first transistor is connected to the first power supply terminal via the first resistor, and the emitter of the second transistor is connected to the first power supply terminal via the first resistor.
is connected to the second power supply terminal through a resistor, and among the plurality of first transistors, only the first transistor whose emitter is connected to the collector of the second transistor which operates in the saturation region 1. A switching circuit characterized in that the switching circuit is configured to operate in an active region and operate other components in an inactive region to obtain a switching output.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP53131595A JPS5836855B2 (en) | 1978-10-27 | 1978-10-27 | switching circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP53131595A JPS5836855B2 (en) | 1978-10-27 | 1978-10-27 | switching circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5558624A JPS5558624A (en) | 1980-05-01 |
JPS5836855B2 true JPS5836855B2 (en) | 1983-08-12 |
Family
ID=15061722
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP53131595A Expired JPS5836855B2 (en) | 1978-10-27 | 1978-10-27 | switching circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5836855B2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3526175A1 (en) * | 1985-07-23 | 1987-02-05 | Blaupunkt Werke Gmbh | Input changeover switch for a satellite receiving circuit |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5342455Y2 (en) * | 1973-08-17 | 1978-10-13 | ||
JPS5286350U (en) * | 1975-12-24 | 1977-06-28 |
-
1978
- 1978-10-27 JP JP53131595A patent/JPS5836855B2/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5558624A (en) | 1980-05-01 |
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