JPS5832528B2 - surface acoustic wave device - Google Patents

surface acoustic wave device

Info

Publication number
JPS5832528B2
JPS5832528B2 JP52142731A JP14273177A JPS5832528B2 JP S5832528 B2 JPS5832528 B2 JP S5832528B2 JP 52142731 A JP52142731 A JP 52142731A JP 14273177 A JP14273177 A JP 14273177A JP S5832528 B2 JPS5832528 B2 JP S5832528B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
surface acoustic
acoustic wave
output
wave device
piezoelectric substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP52142731A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS5475971A (en
Inventor
剛 間
章綱 湯原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP52142731A priority Critical patent/JPS5832528B2/en
Publication of JPS5475971A publication Critical patent/JPS5475971A/en
Publication of JPS5832528B2 publication Critical patent/JPS5832528B2/en
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02535Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818Means for compensation or elimination of undesirable effects

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、周波数精度が高く且つピーク間減衰量が深い
規則正しい多ピーク周波数特性を有する表面弾性波デバ
イスに関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a surface acoustic wave device having regular multi-peak frequency characteristics with high frequency accuracy and deep peak-to-peak attenuation.

従来から、規則正しい多ピーク周波数特性を有する表面
弾性波デバイスとして、第1図に示すような構成のもの
が使用されている。
Conventionally, a surface acoustic wave device having a structure as shown in FIG. 1 has been used as a surface acoustic wave device having regular multi-peak frequency characteristics.

第1図に示すように、従来使用されている表面弾性波デ
バイスでは、圧電性基板1上にインターディジタルトラ
ンスデユーサからなる入力電極2が配設され、入力電極
2から所定距離能れた位置に、相互距離xK設定された
インターディジタルトランスデユーサからなる出力電極
3及び4が配設され、これらが電気的に並列に接続され
た構成となっている。
As shown in FIG. 1, in a conventional surface acoustic wave device, an input electrode 2 consisting of an interdigital transducer is disposed on a piezoelectric substrate 1, and is placed at a position a predetermined distance from the input electrode 2. Output electrodes 3 and 4 made of interdigital transducers are arranged at a distance of xK from each other, and are electrically connected in parallel.

第1図に示す構造のものにおいては、相互距離Xにより
出力電極3及び4間に、圧電性基板1の表面弾性波速度
をv8 としてて−X / VS なる遅延時間を生
ずる。
In the structure shown in FIG. 1, the mutual distance X causes a delay time of -X/VS between the output electrodes 3 and 4, where the surface acoustic wave velocity of the piezoelectric substrate 1 is v8.

又、出力電極3及び4間の位相差φは、入力ボンデイン
グパツド5,5′を介して入力電極2に印加さhる高周
波信号の周波数を1として、φ−2πf、となる。
Further, the phase difference φ between the output electrodes 3 and 4 becomes φ-2πf, where the frequency of the high frequency signal h applied to the input electrode 2 via the input bonding pads 5 and 5' is 1.

従って、位相差φが2πの自然数n倍となる周波数f−
fn−n/τでは、出力ボンデイングパツド6,6′間
に出力を生じ、周波数1=(n++)/τでは、出力電
極3及び4間に生ずる電気信号が絶対値が等しく逆位相
となるため、出力ボンデイングパツド6,6′間には出
力を生じない。
Therefore, the frequency f- at which the phase difference φ is a natural number n times 2π
At fn-n/τ, an output is generated between the output bonding pads 6 and 6', and at frequency 1=(n++)/τ, the electric signals generated between the output electrodes 3 and 4 have equal absolute values and opposite phases. Therefore, no output is generated between the output bonding pads 6 and 6'.

この通過帯域周波数特性は、周波数間隔1f−1/τの
多ピーク特性を有し第2図に示すような櫛形形状を示す
This passband frequency characteristic has a multi-peak characteristic with a frequency interval of 1f-1/τ and has a comb-shaped shape as shown in FIG.

このように、第1図に示す従来使用されている表面弾性
波デバイスでは、出力電極3に生じた電気信号は、出力
電極3及び4間の距離Xだげ遅れて到達し、表面弾性波
による遅れ時間τに比して、実効遅れ時間τlは短縮さ
れるので、ピーク周波数ff1=’n/τ′、周波数間
隔Af=17τ′に設定値からの偏差を生ずることにな
る。
In this way, in the conventionally used surface acoustic wave device shown in FIG. 1, the electrical signal generated at the output electrode 3 arrives with a delay of the distance Since the effective delay time τl is shorter than the delay time τ, a deviation from the set value occurs in the peak frequency ff1='n/τ' and the frequency interval Af=17τ'.

従来は、真空中の光速と圧電体中の音速比が105 と
大きいという理由で、この偏差については考慮をしてい
なかった。
Conventionally, this deviation was not taken into consideration because the ratio of the speed of light in a vacuum to the speed of sound in a piezoelectric material is as large as 105.

しかし、実際問題として、出力電極3の電気信号は圧電
体中を伝搬して出力電極4に到達し、しかもこの圧電体
の誘電率が大きいため、圧電体中での電磁波の速度v−
1//71の値は小さくなる。
However, as a practical matter, the electrical signal from the output electrode 3 propagates through the piezoelectric material and reaches the output electrode 4, and since the dielectric constant of this piezoelectric material is large, the electromagnetic wave velocity in the piezoelectric material v-
The value of 1//71 becomes smaller.

従って、電磁波速度と音速の比は小さくなり電気信号の
遅れ時間の寄与は、無視することが出来なくなる。
Therefore, the ratio between the electromagnetic wave velocity and the sound velocity becomes small, and the contribution of the delay time of the electric signal cannot be ignored.

例えば、LiNbO3では比誘電率51本48 、PZ
Tではεr −1,00〜1.000であり、電磁波速
度と音速の比は104程度になり、その周波数精度は4
桁目が変動することになる。
For example, LiNbO3 has a dielectric constant of 5148, PZ
At T, εr is -1,00 to 1.000, the ratio of electromagnetic wave velocity to sound velocity is about 104, and the frequency accuracy is 4
The digits will change.

この程度の周波数精度の変動は、表面弾性波デバイスを
周波数ンンセザイザ等に応用する場合には問題となる。
This degree of variation in frequency accuracy poses a problem when the surface acoustic wave device is applied to a frequency analyzer or the like.

又、圧電体の誘電率が小さい場合であっても、厳しい周
波数精度が要求される場合には、同様な問題が生ずる。
Furthermore, even if the dielectric constant of the piezoelectric material is small, a similar problem will occur if strict frequency accuracy is required.

さらに、第1図に示す従来使用されてL・る表面弾性波
デバイスでは、電気信号が配線電極を伝搬する途中の高
周波線路としての減衰も無視出来なくなる。
Furthermore, in the conventionally used surface acoustic wave device shown in FIG. 1, the attenuation caused by the high frequency line during the propagation of the electrical signal through the wiring electrode cannot be ignored.

このために、出力電極3かもの出力信号が減衰し到達す
ることになり、出力電極4の出力信号と合成した場合、
第2図に示されるピーク間の減衰量が充分に得られず、
第1図に示す従来使用されている表面弾性波デバイスの
応用上問題を生ずる。
For this reason, the output signal from the output electrode 3 reaches the attenuated state, and when combined with the output signal from the output electrode 4,
The amount of attenuation between the peaks shown in Figure 2 cannot be obtained sufficiently,
This causes a problem in the application of the conventionally used surface acoustic wave device shown in FIG.

又一方では、従来使用されている表面弾性波デバイスに
おいて、出力電極3及び4かも別々に外部実装用パッケ
ージの端子にワイヤーボン、ディングなどの手段で接続
を行なう場合には、ワイヤー長が完全に等しく設定され
得ないことワイヤーボンディングのため]二数が増加す
ること、多数個のフィルターを同一チップ上に形成する
ことで信号の相互干渉が生ずることなどの難点が避けら
れない。
On the other hand, in conventional surface acoustic wave devices, when the output electrodes 3 and 4 are separately connected to the terminals of the external mounting package by means of wire bonding, ding, etc., the wire length is completely Problems such as an increase in the number of filters (which cannot be set equal due to wire bonding) and mutual interference of signals due to the formation of a large number of filters on the same chip are unavoidable.

本発明に係る表面弾性波デバイスは、これら従来の装置
での諸難点を解決し、周波数精度が高く且つピーク間減
衰量が深い規則正しい多ピーク周波数特性を有するもの
である。
The surface acoustic wave device according to the present invention solves the problems of these conventional devices and has regular multi-peak frequency characteristics with high frequency accuracy and deep peak-to-peak attenuation.

以下、本発明に係る表面弾性波デバイスを、その実施例
に基づいて詳細に説明する。
Hereinafter, the surface acoustic wave device according to the present invention will be described in detail based on examples thereof.

第3図は、本発明に係る表向弾性波デバイスの第1の実
施例の構成を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing the configuration of the first embodiment of the surface acoustic wave device according to the present invention.

図示のように、この第1の実施例においては、圧電性基
板13の1端に近く人力インターディジタルトランスデ
ユーサ14が配設され、人力用ボンデングパット21.
21′を経て入力端子11゜11′が設置されている。
As shown, in this first embodiment, a manual interdigital transducer 14 is disposed near one end of a piezoelectric substrate 13, and a manual bonding pad 21.
An input terminal 11°11' is installed via 21'.

一方、圧電性基板13の他端に近く出力インターディジ
タルトランスデー1−サ15及び16が配設され、出力
用ボンティングパッド22,22’を経て出力端子12
、12’が設置されている。
On the other hand, output interdigital transducers 15 and 16 are disposed near the other end of the piezoelectric substrate 13, and the output terminals 12 and 16 are connected to the output terminals 15 and 16 through output bonding pads 22 and 22'.
, 12' are installed.

又17.18は配線電極で、19は人力インターデイジ
タルトランステ゛ユーサ14と出力インターデイジタル
トランスデューサ15間に配設されたシールド電極であ
る。
Further, 17 and 18 are wiring electrodes, and 19 is a shield electrode disposed between the human-powered interdigital transducer 14 and the output interdigital transducer 15.

この場合、所定の周波数間隔ifを実現するために、出
力インターデイジタルトランステ′ユーサ15及び16
間の距離Xは圧電性基板の表面弾性波速度をV8 と
して、x=v8/Ifに設定されている。
In this case, in order to realize a predetermined frequency interval if, the output interdigital transformer users 15 and 16
The distance X between them is set to x=v8/If, where the surface acoustic wave velocity of the piezoelectric substrate is V8.

又出力用ポンディングパッド22,22′は、出力イン
ターデ゛イジタルトランステ゛ユーサ15及び16から
x / 2の中間位置に配設された構成を有している。
Further, the output bonding pads 22, 22' are arranged at an intermediate position x/2 from the output interdigital transducers 15 and 16.

このような構成を有するため、出力インターディジタル
トランスデユーサ15及び16から伝搬される電気信号
は、遅延時間も減衰量も等しい状態で出力用ポンディン
グパッド22に到達することになる。
With this configuration, the electrical signals propagated from the output interdigital transducers 15 and 16 reach the output bonding pad 22 with equal delay time and equal attenuation.

従って、本発明に係る表面波デバイスにおいては、電気
的な遅延時間の周波数間隔IJfに対する影響を無視す
ること力昂丁能であり、又電気的減衰量からの差に基づ
くピーク間減衰量が浅くなる虞れもないことになる。
Therefore, in the surface wave device according to the present invention, it is easy to ignore the influence of the electrical delay time on the frequency interval IJf, and the peak-to-peak attenuation based on the difference from the electrical attenuation is shallow. There is no possibility that it will happen.

第4図は、本発明に係る表面弾性波デバイスの第2の実
施例の構成を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing the configuration of a second embodiment of the surface acoustic wave device according to the present invention.

この第2の実施例では、出力電極の非接地側の出力用ポ
ンディングパッド22に対してのみ、本発明の位置設定
条件が与えられている。
In this second embodiment, the position setting conditions of the present invention are given only to the output bonding pad 22 on the non-grounded side of the output electrode.

このため、出力用ポンディングパッド22′の位置は、
図に示すように出力インターディジタルトランスデユー
サ16の下方に配設された構成となっている。
Therefore, the position of the output bonding pad 22' is
As shown in the figure, it is arranged below the output interdigital transducer 16.

又、第5図は、本発明に係る表面弾性波デバイスの第3
の実施例の構成を示す図である。
Moreover, FIG. 5 shows the third surface acoustic wave device according to the present invention.
It is a figure showing the composition of an example.

この第3の実施例においては、図示のように出力電極の
非接地側の出力用ポンディングパッド22が、出力イン
ターディジタルトランスデユーサ15及び16の中点か
ら引き出された配線電極20の終端に配設されている。
In this third embodiment, as shown in the figure, the output bonding pad 22 on the non-grounded side of the output electrode is connected to the terminal end of the wiring electrode 20 drawn out from the midpoint of the output interdigital transducers 15 and 16. It is arranged.

これら、第2及び第3の実施例に示した構造の表面弾性
波デバイスは、複数個のデバイスを1個の圧電性基板上
に形威し実装する場合に適したものであり、このような
構造にするとワイヤーボンディングのワイヤーが相互に
接触したり、信号が相互干渉を起したりすることがなく
、又ワイヤーボンディング工作が簡単に行ない得て、製
造上の歩留りも向上するという利点がある。
These surface acoustic wave devices having the structures shown in the second and third embodiments are suitable for mounting a plurality of devices on one piezoelectric substrate; This structure has the advantage that the wire bonding wires do not come into contact with each other or that signals do not interfere with each other, and that the wire bonding process can be easily performed and the manufacturing yield is improved.

以上詳細に説明したように、本発明によれば周波数精度
が5桁以上と高く、且つピーク間減衰量が深く規則正し
い多ピーク周波数特性を有する表面弾性波デバイスが提
供可能で、接続外部回路に厳格な仕様条件が不用となり
、使用が容易になってその応用範囲が拡大すると共に製
造技術も容易となる。
As explained in detail above, according to the present invention, it is possible to provide a surface acoustic wave device with high frequency accuracy of 5 digits or more, deep and regular multi-peak frequency characteristics with deep peak-to-peak attenuation, and with strict control over connection external circuits. This eliminates the need for specific specification conditions, making it easier to use, expanding the range of applications, and simplifying manufacturing technology.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来使用されている表面弾性波デバイスの構成
を示す図、第2図は従来使用されている表面弾性波デバ
イスの特性を示す図、第3図は本発明に係る表面弾性波
デバイスの第1の実施例の構成を示す図、第4図、第5
図は本発明に係る表面弾性波デバイスの第2及び第3の
実施例の構成を示す図である。 符号の説明;1・・・・・・圧電性基板、2・・・・・
・入力電極、3,4・・・・・・出力電極、5 、5’
・・・・・入力ボンディングパッド、6,6′・・・・
・・出力ボンテ゛イングパツド、11,11’・・・・
・・入力端子、12 、12’・・・・・・出力端子、
13・・・・・・圧電性基板、14・・・・・・入力イ
ンターディジタルトランスデユーサ、15,16・・・
・・・出力インターディジタルトランスデユーサ、17
.18,20・・・・・・配線電極、19・・・・・・
シールド電極、21,21’・・・・・・入力用ポンデ
ィングパッド、22,22’・・・・・・出力用ポンデ
ィングパッド。
FIG. 1 is a diagram showing the configuration of a conventionally used surface acoustic wave device, FIG. 2 is a diagram showing the characteristics of a conventionally used surface acoustic wave device, and FIG. 3 is a surface acoustic wave device according to the present invention. Figures 4 and 5 showing the configuration of the first embodiment of
The figure is a diagram showing the configuration of second and third embodiments of the surface acoustic wave device according to the present invention. Explanation of symbols: 1...Piezoelectric substrate, 2...
・Input electrodes, 3, 4... Output electrodes, 5, 5'
...Input bonding pad, 6,6'...
・・Output bonding pad, 11, 11'・・・・
...Input terminal, 12, 12'...Output terminal,
13... Piezoelectric substrate, 14... Input interdigital transducer, 15, 16...
...Output interdigital transducer, 17
.. 18, 20... Wiring electrode, 19...
Shield electrode, 21, 21'... Input bonding pad, 22, 22'... Output bonding pad.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 圧電性基板と、圧電性基板上に設けられた第1の変
換器と、第1の変換器から異なる距離で圧電性基板上に
設けられた第2および第3の変換器と、第2および第3
の変換器を圧電性基板上で並列接続する配線電極とから
なる表面弾性波デバイスにおいて、各配線電極のポンデ
ィングパッドを第2および第3の変換器から等距離の位
置に設けたことを特徴とする表面弾性波デバイス。
1 a piezoelectric substrate, a first transducer disposed on the piezoelectric substrate, second and third transducers disposed on the piezoelectric substrate at different distances from the first transducer, and a second transducer disposed on the piezoelectric substrate; and third
A surface acoustic wave device comprising wiring electrodes connecting transducers in parallel on a piezoelectric substrate, characterized in that the bonding pad of each wiring electrode is provided at a position equidistant from the second and third transducers. surface acoustic wave device.
JP52142731A 1977-11-30 1977-11-30 surface acoustic wave device Expired JPS5832528B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP52142731A JPS5832528B2 (en) 1977-11-30 1977-11-30 surface acoustic wave device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP52142731A JPS5832528B2 (en) 1977-11-30 1977-11-30 surface acoustic wave device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5475971A JPS5475971A (en) 1979-06-18
JPS5832528B2 true JPS5832528B2 (en) 1983-07-13

Family

ID=15322260

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP52142731A Expired JPS5832528B2 (en) 1977-11-30 1977-11-30 surface acoustic wave device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5832528B2 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5210652A (en) * 1975-07-16 1977-01-27 Toshiba Corp Elastic surface wave device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5210652A (en) * 1975-07-16 1977-01-27 Toshiba Corp Elastic surface wave device

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5475971A (en) 1979-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4023124A (en) Acoustic surface wave devices
US3688223A (en) Electromechanical filters comprising input-output interdigital electrodes having differing amplitude and frequency characteristics
JPH033411B2 (en)
US3686518A (en) Unidirectional surface wave transducers
JPH0697727B2 (en) Surface acoustic wave filter
US3987376A (en) Acoustic surface wave device with harmonic coupled transducers
US3978436A (en) Surface acoustic wave device and method of making same
EP0316836B1 (en) Surface-acoustic-wave device
JPS5937605B2 (en) surface acoustic wave device
US4575696A (en) Method for using interdigital surface wave transducer to generate unidirectionally propagating surface wave
JPS5832528B2 (en) surface acoustic wave device
JPH0410764B2 (en)
JP3895397B2 (en) Substrate mounting method of SAW filter
US4185218A (en) Piezoelectric acoustic surface wave filter coupler
US3750056A (en) Acoustic surface-wave filters and methods of manufacture therefor
US4128819A (en) Surface elastic wave device
JPS63266911A (en) Surface acoustic wave filter
US4191934A (en) High efficiency wide band surface acoustic wave coupler processors
JPS6114194Y2 (en)
JPS5843927B2 (en) surface acoustic wave device
JPH04298111A (en) Surface acoustic wave filter
JPS6236343Y2 (en)
JPH0225289B2 (en)
JPH09153767A (en) Saw(surface accoustic wave) element
JPH0214811B2 (en)