JPS5830169A - 半導体電子回路 - Google Patents
半導体電子回路Info
- Publication number
- JPS5830169A JPS5830169A JP56127402A JP12740281A JPS5830169A JP S5830169 A JPS5830169 A JP S5830169A JP 56127402 A JP56127402 A JP 56127402A JP 12740281 A JP12740281 A JP 12740281A JP S5830169 A JPS5830169 A JP S5830169A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- light
- bidirectional
- light receiving
- transistors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 4
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 210000000554 iris Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、正負すずれの信号に依ってもオンにすること
ができる所■双方向性を有する半導体電子回路の改良に
関する。
ができる所■双方向性を有する半導体電子回路の改良に
関する。
従来、双方向＊ｔ−有する半導体スイッチング素子とし
て双方向性２端子ナイリスタ（ＳＳＳ ：Ｓｊｊ＜ａｓ
ｓ Ｓｙｗｈｓａｉｒ４ａ＠ｌ １ｈａ４ｔｅｈ ）
、双方向性５端子サイリスタ（トライアツタ）などが知
られているが、これ等サイリスタ上値用し九牛導体スイ
ッチー路はスイッチングｊ１度が遍く、ま九、回踏構成
が複雑になる欠点會呻っている。
て双方向性２端子ナイリスタ（ＳＳＳ ：Ｓｊｊ＜ａｓ
ｓ Ｓｙｗｈｓａｉｒ４ａ＠ｌ １ｈａ４ｔｅｈ ）
、双方向性５端子サイリスタ（トライアツタ）などが知
られているが、これ等サイリスタ上値用し九牛導体スイ
ッチー路はスイッチングｊ１度が遍く、ま九、回踏構成
が複雑になる欠点會呻っている。
本発明は、半導体スイッチング素子として、オン・オフ
がナイリスタよＪ）ＩＩＪＩ且り高速であるトランジス
タを使用し、しかも、そのトランジスタ拡道方向電流増
幅率が大、即ち、双方向性のものであル、それを発光ダ
イオードと受光トランジスタとｆ：組合せ九所■フォト
・アイル−タでドライブすることに依シ、回踏構成を簡
単に、を比、高速スイッチングが可能であるようにする
ものであｐ１以下これを詳細に説−する。
がナイリスタよＪ）ＩＩＪＩ且り高速であるトランジス
タを使用し、しかも、そのトランジスタ拡道方向電流増
幅率が大、即ち、双方向性のものであル、それを発光ダ
イオードと受光トランジスタとｆ：組合せ九所■フォト
・アイル−タでドライブすることに依シ、回踏構成を簡
単に、を比、高速スイッチングが可能であるようにする
ものであｐ１以下これを詳細に説−する。
第１ａｌｌは本発明一実施例を表わす要部回路図である
。
。
図に於ｉてｓ Ｊ）Ｌｌｌ ｔ ＤＩＪＩ倉は発光ダイ
オード、ＱＰＩ ＊ Ｑｖ＊社受光受光トランジスタは
双方向性トランジスタ、ＬＤは負荷、Ｉｓ１＊Ｉ＊驚ｅ
０１１ａ端子をそれぞれ示し、１１発光ダイオードＩｈ
ｓ ｔ ｖ ＤＬｍ＊と受光トランジスタＱｙｔ＋ ４
ｂ＊とでフォト・アイソレータＰ４を構成している。
オード、ＱＰＩ ＊ Ｑｖ＊社受光受光トランジスタは
双方向性トランジスタ、ＬＤは負荷、Ｉｓ１＊Ｉ＊驚ｅ
０１１ａ端子をそれぞれ示し、１１発光ダイオードＩｈ
ｓ ｔ ｖ ＤＬｍ＊と受光トランジスタＱｙｔ＋ ４
ｂ＊とでフォト・アイソレータＰ４を構成している。
この実施例に於ｉ″ｔ″、端子ＯｔＫ正負の信号、例え
ば交流信号【印加してお童、発光ダイオードＪ）Ｌｌｌ
＊ Ｊ）Ｌｕｇに入力信号電流１１を流して発光させ
ると、その光は受光トランジスタＱｐ＋ ＊ Ｑｙｍで
光電変換される。充電変換され九電流は微小であるが、
それ等受光トランジスタＱＰＩ ｅ ＱＰ！はそれぞれ
とダーリン）／Ｉ！続されな双方向性トランジスタＱｔ
駆動して正負いずれの方向にも大きな出力電流ＩＱが得
られるようにスイッチング動作をさせることができる。
ば交流信号【印加してお童、発光ダイオードＪ）Ｌｌｌ
＊ Ｊ）Ｌｕｇに入力信号電流１１を流して発光させ
ると、その光は受光トランジスタＱｐ＋ ＊ Ｑｙｍで
光電変換される。充電変換され九電流は微小であるが、
それ等受光トランジスタＱＰＩ ｅ ＱＰ！はそれぞれ
とダーリン）／Ｉ！続されな双方向性トランジスタＱｔ
駆動して正負いずれの方向にも大きな出力電流ＩＱが得
られるようにスイッチング動作をさせることができる。
１１１２ｍは前記のようにしてスイッチング動作をさせ
た際に得られる４Ｉ性の一例を表わす線図であって、縦
軸に出力電流Ｚａを横軸に印加電圧を採ってＴｏＬｊＡ
’はオン特性ｆ、Ｅ、Ｅ’はオフ特性をそれぞれ示す。
た際に得られる４Ｉ性の一例を表わす線図であって、縦
軸に出力電流Ｚａを横軸に印加電圧を採ってＴｏＬｊＡ
’はオン特性ｆ、Ｅ、Ｅ’はオフ特性をそれぞれ示す。
爾、この際、フォト・アイソレータＰ−として（ｙ ｚ
１０ （鶴Ａ ３ ｓ光電ＩＬＩｏ〜５０〔愼Ａ〕の
もの【、［魁双方向性トランジスタＱはｈ ＦＭ Ｉ’
ｍ ５０ 、４ｙｏｓｖ ５Ｑのものを使用しな。
１０ （鶴Ａ ３ ｓ光電ＩＬＩｏ〜５０〔愼Ａ〕の
もの【、［魁双方向性トランジスタＱはｈ ＦＭ Ｉ’
ｍ ５０ 、４ｙｏｓｖ ５Ｑのものを使用しな。
前記実施例はスイッチとして機能させた場合であるが、
発光ダイオードＤＬ１ｔ ＋ Ｊ）Ｌｍ！に対する入力
域ＩＬｈｒｔ変えることに依ル、１Ｉｉ５図に見られる
ようにアナログ動作【させることも可能である。
発光ダイオードＤＬ１ｔ ＋ Ｊ）Ｌｍ！に対する入力
域ＩＬｈｒｔ変えることに依ル、１Ｉｉ５図に見られる
ようにアナログ動作【させることも可能である。
３１４図は第１図実施例と殆んど同様であるが、発光ダ
イオードＩｈ＊ｔ ｒ Ｉ）Ｌｍｚ Ｋ対する入力を別
個に加えることができるようになつている点で相違して
いる。従うて、双方向性トランジスタＱも正・逆両方向
く対して別個に制御され得るようになつている。
イオードＩｈ＊ｔ ｒ Ｉ）Ｌｍｚ Ｋ対する入力を別
個に加えることができるようになつている点で相違して
いる。従うて、双方向性トランジスタＱも正・逆両方向
く対して別個に制御され得るようになつている。
第１ＷｊＡ及び第４１Ｑｆ）実施例では、双方向性トラ
ンジスタＱを受光トランジスタＱＰ１＋ ＱＰ２でドラ
イブするようにしているが、これでドライブ不足となる
ようであれば５１Ｍ５Ｗｔ及びｊｌＩｄ図に見られるよ
うに、受光トランジスタＱｐｔ ｙ Ｃｈｘと双方向性
トランジスタＱとの間に駆動用トランジスタＱｎ＋ｙＱ
ｎ２ｔ−ダ、−リントン接続すれば艮１４．．崗、第５
図は第１囚実施例と同様に発光ダイオードＪ）Ｌ！１１
＋ＤＬｍ倉を同じ入力信号で動作させるようにし九実施
例でＴｏシ、第６図はｆ１４１１１実施例と同様に発光
ダイオードＤＬｌｌ ｌ ＤＬＮｔ ｋ別個Ｋ１１１作
させるようにし次実施例である。
ンジスタＱを受光トランジスタＱＰ１＋ ＱＰ２でドラ
イブするようにしているが、これでドライブ不足となる
ようであれば５１Ｍ５Ｗｔ及びｊｌＩｄ図に見られるよ
うに、受光トランジスタＱｐｔ ｙ Ｃｈｘと双方向性
トランジスタＱとの間に駆動用トランジスタＱｎ＋ｙＱ
ｎ２ｔ−ダ、−リントン接続すれば艮１４．．崗、第５
図は第１囚実施例と同様に発光ダイオードＪ）Ｌ！１１
＋ＤＬｍ倉を同じ入力信号で動作させるようにし九実施
例でＴｏシ、第６図はｆ１４１１１実施例と同様に発光
ダイオードＤＬｌｌ ｌ ＤＬＮｔ ｋ別個Ｋ１１１作
させるようにし次実施例である。
以上の説明で判るように、本発明に依れば、逆方向電流
増幅率が高い双方向性トランジスタを出力側とし、その
トランジスタをダーリント／ｗ！続され九２個の受光ト
ランジスタで駆動するととに依シ、正逆両方の出力電流
を得ることがで龜るので、例えば、磁気テープ装置の正
方向走行、逆方向走行の切換えなどく好適でｉｎ、その
他多くの用適に応用することができる。
増幅率が高い双方向性トランジスタを出力側とし、その
トランジスタをダーリント／ｗ！続され九２個の受光ト
ランジスタで駆動するととに依シ、正逆両方の出力電流
を得ることがで龜るので、例えば、磁気テープ装置の正
方向走行、逆方向走行の切換えなどく好適でｉｎ、その
他多くの用適に応用することができる。
第１図は本発明一実施例のｍｉｓ回路図、鮪２図は＄１
１１１実施例の印加電圧対出力電流の関係を表わす線図
、第５ＷＡはダイオード・ドライブ電＃ｌを変化させ大
場会の印加電圧対出力電流の関係１＊わす線図、第４図
乃ｊ［菖６図は本発明のそれぞれ異なる実施例１＊わす
ｌＩ！１ｌＩＩ回路図である。 ＨＫ於いてｓ Ｊ）Ｌｉｔ ｔ ＤＬＭ意拡発光ダイオ
ード、Ｑｐ、＋ Ｑｐｔは受光ダイオード、Ｑ拡翼方向
性トランジスタである。 特許出願人富士通株式余光 代通人弁珊士玉蟲久五部 （外３名） 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 しＤ ・１ｍ６１Ｄ
１１１実施例の印加電圧対出力電流の関係を表わす線図
、第５ＷＡはダイオード・ドライブ電＃ｌを変化させ大
場会の印加電圧対出力電流の関係１＊わす線図、第４図
乃ｊ［菖６図は本発明のそれぞれ異なる実施例１＊わす
ｌＩ！１ｌＩＩ回路図である。 ＨＫ於いてｓ Ｊ）Ｌｉｔ ｔ ＤＬＭ意拡発光ダイオ
ード、Ｑｐ、＋ Ｑｐｔは受光ダイオード、Ｑ拡翼方向
性トランジスタである。 特許出願人富士通株式余光 代通人弁珊士玉蟲久五部 （外３名） 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 しＤ ・１ｍ６１Ｄ
Claims (1)
- 脅光ダイオード及び少なくとも２個の受光トランジスタ
を有する７オト・アイソレータ、前記受光トランジスタ
で態動され正負両方向の電流を出力する双方向性トラン
ジスタを備えてなる半導体電子回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56127402A JPS5830169A (ja) | 1981-08-14 | 1981-08-14 | 半導体電子回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56127402A JPS5830169A (ja) | 1981-08-14 | 1981-08-14 | 半導体電子回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5830169A true JPS5830169A (ja) | 1983-02-22 |
| JPS6259913B2 JPS6259913B2 (ja) | 1987-12-14 |
Family
ID=14959096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56127402A Granted JPS5830169A (ja) | 1981-08-14 | 1981-08-14 | 半導体電子回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5830169A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01181481A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-19 | Sharp Corp | 光結合素子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS564288A (en) * | 1979-06-25 | 1981-01-17 | Fujitsu Ltd | Photocoupling semiconductor device |
-
1981
- 1981-08-14 JP JP56127402A patent/JPS5830169A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS564288A (en) * | 1979-06-25 | 1981-01-17 | Fujitsu Ltd | Photocoupling semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01181481A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-19 | Sharp Corp | 光結合素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6259913B2 (ja) | 1987-12-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS58106902A (ja) | Ｐｉｎダイオ−ド駆動回路 | |
| JPS5830169A (ja) | 半導体電子回路 | |
| EP0452650A2 (en) | Electronic gain cell | |
| GB914848A (en) | Improvements in tunnel diode frequency changes | |
| US3895307A (en) | Electronic circuit having bias stabilizing means | |
| ES493894A0 (es) | Rectificador en conexion de puente | |
| SU1160530A1 (ru) | Операционный усилитель | |
| US3176152A (en) | Current switching transistor system utilizing tunnel diode coupling | |
| US4423357A (en) | Switchable precision current source | |
| JP2596957B2 (ja) | 光結合素子 | |
| JPS63285990A (ja) | レ−ザダイオ−ド駆動回路 | |
| JPS6216021Y2 (ja) | ||
| US3459963A (en) | Bistable differential circuit | |
| SU1300630A1 (ru) | Усилитель | |
| SU1019632A1 (ru) | Фотоприемник | |
| SU1656667A1 (ru) | Усилитель мощности | |
| SU1279049A1 (ru) | Ключевой усилитель мощности | |
| SU725197A1 (ru) | Усилитель | |
| JP2829965B2 (ja) | プリスケーラ回路 | |
| JPH0292044A (ja) | 伝送回路 | |
| RU1517702C (ru) | Детектор амплитудно-модулированных сигналов | |
| SU790315A1 (ru) | Оптоэлектронный переключатель | |
| JPH0129333B2 (ja) | ||
| SU718884A1 (ru) | Амплитудный детектор | |
| SU754647A1 (ru) | Усилитель мощности 1 |