JPS5828285B2 - シユクゴウブツノセイゾウホウ - Google Patents
シユクゴウブツノセイゾウホウInfo
- Publication number
- JPS5828285B2 JPS5828285B2 JP50042937A JP4293775A JPS5828285B2 JP S5828285 B2 JPS5828285 B2 JP S5828285B2 JP 50042937 A JP50042937 A JP 50042937A JP 4293775 A JP4293775 A JP 4293775A JP S5828285 B2 JPS5828285 B2 JP S5828285B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diisocyanate
- added
- reacted
- imide
- anhydride
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- Expired
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- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は縮合物の製造法に係り、特に絶縁電線に使用す
るに好適な縮合物の製造法に関する。
るに好適な縮合物の製造法に関する。
従来、耐熱性のすぐれた安価な樹脂としてポリエステル
イミドがある。
イミドがある。
しかし、この樹脂を用いて得られる絶縁電線は耐摩耗性
、密着性、耐冷媒性などが悪かったり、クレージングが
発生したりし、実用上問題となっている。
、密着性、耐冷媒性などが悪かったり、クレージングが
発生したりし、実用上問題となっている。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくシ、耐
熱性、耐摩耗性、密着性、耐薬品性にすぐれており、エ
ステル結合、イミド結合及びヒダントイン結合を有する
縮合物の製造法を提供するにある。
熱性、耐摩耗性、密着性、耐薬品性にすぐれており、エ
ステル結合、イミド結合及びヒダントイン結合を有する
縮合物の製造法を提供するにある。
本発明の縮合物の製造法は、エステル結合をもつテトラ
カルボン酸誘導体と多官能第一アミンとを反応させてポ
リエステルイミド共重合体を生成させ、その後この系に
ビスグリシン誘導体と多官能インシアネートあるいは多
官能第一アミンとを添加し、反応させてポリヒダントイ
ンを生成させ。
カルボン酸誘導体と多官能第一アミンとを反応させてポ
リエステルイミド共重合体を生成させ、その後この系に
ビスグリシン誘導体と多官能インシアネートあるいは多
官能第一アミンとを添加し、反応させてポリヒダントイ
ンを生成させ。
ポリエステル−イミド−ヒダントイン共重合体を得るこ
とを特徴とする。
とを特徴とする。
本発明で使用できるエステル結合をもつテトラカルボン
酸誘導体はトリカルボン酸誘導体と多価アルコールとの
反応により生成される。
酸誘導体はトリカルボン酸誘導体と多価アルコールとの
反応により生成される。
使用されるトリカルボン酸誘導体としては、例えばトリ
メリド酸無水物、２，３．−ナフタリントリカルボン酸
無水物、２，３，５−ナフタリントリカルボン酸無水物
、２，２，３−ビフェニルトリカルボン酸無水物、１，
２，４−ナフタリントリカルボン酸無水物、１，４，５
−ナフタリントリカルボン酸無水物、４−（４′−カル
ボキシベンゼンスルホニル）無水フタル酸、これらの酸
のモノハロゲン化物がある。
メリド酸無水物、２，３．−ナフタリントリカルボン酸
無水物、２，３，５−ナフタリントリカルボン酸無水物
、２，２，３−ビフェニルトリカルボン酸無水物、１，
２，４−ナフタリントリカルボン酸無水物、１，４，５
−ナフタリントリカルボン酸無水物、４−（４′−カル
ボキシベンゼンスルホニル）無水フタル酸、これらの酸
のモノハロゲン化物がある。
また本明細書においては酸誘導体とは酸自体も含むもの
である。
である。
使用される多価アルコールとしては、例えばエチレング
リコール、フロピレンゲリコール、フタンジオール、水
添加ビスフェノールＡ、グリセリン、トリメチロールプ
ワパン、トリスヒドロキシエチルイソシアヌレートおよ
びこれらのエステルがある。
リコール、フロピレンゲリコール、フタンジオール、水
添加ビスフェノールＡ、グリセリン、トリメチロールプ
ワパン、トリスヒドロキシエチルイソシアヌレートおよ
びこれらのエステルがある。
本発明で使用できる多官能第一アミンとしては、例えば
４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４゜４′−ジ
アミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニ
ルプロパン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、
４，４′−ジアミノジフェニルスルフィド、メタフェニ
レンジアミン、パラフェニレンジアミン、３，３７−ジ
アミノジフェニルスルホン、ｌ、５−ジアミノナフタリ
ン、２，６−ジアミノナフタリン、４，４′−ジ（ｍ−
アミ／フェノキシ）ジフェニルスルホン、２，６−ジア
ミノピリジン、４，４′−ジ（ｐ−アミノベンゾイル）
ジフェニルエーテル、４，４′−ジ（ｐ−アミ／フェノ
キシ）ジフェニルスルホン、■、４−ジ（ｐ−アミノフ
ェノキシ）ベンゼン、■、３−ジ（ｐアミノフェノキシ
）ベンゼン、ヘキサメチレンジアミンなどがある。
４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４゜４′−ジ
アミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニ
ルプロパン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、
４，４′−ジアミノジフェニルスルフィド、メタフェニ
レンジアミン、パラフェニレンジアミン、３，３７−ジ
アミノジフェニルスルホン、ｌ、５−ジアミノナフタリ
ン、２，６−ジアミノナフタリン、４，４′−ジ（ｍ−
アミ／フェノキシ）ジフェニルスルホン、２，６−ジア
ミノピリジン、４，４′−ジ（ｐ−アミノベンゾイル）
ジフェニルエーテル、４，４′−ジ（ｐ−アミ／フェノ
キシ）ジフェニルスルホン、■、４−ジ（ｐ−アミノフ
ェノキシ）ベンゼン、■、３−ジ（ｐアミノフェノキシ
）ベンゼン、ヘキサメチレンジアミンなどがある。
本発明法においては、前記のエステル結合をもつテトラ
カルボン酸誘導体と多官能第一アミンとの反応によりイ
ミド結合が形成され、従ってポリエステル−イミドとな
る。
カルボン酸誘導体と多官能第一アミンとの反応によりイ
ミド結合が形成され、従ってポリエステル−イミドとな
る。
この反応の際に少割合量のテトラカルボン酸二無水物が
存在していてもよく、そのテトラカルボン酸二無水物と
しては、例えばピロメリト酸二無水物、３．３’、 ４
．４’ベンゾフエノンテトラカルボン酸二無水物、シク
ロペンクンテトラカルボン酸二無水物、３，３′。
存在していてもよく、そのテトラカルボン酸二無水物と
しては、例えばピロメリト酸二無水物、３．３’、 ４
．４’ベンゾフエノンテトラカルボン酸二無水物、シク
ロペンクンテトラカルボン酸二無水物、３，３′。
４．４′−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、１．
２，５，６−ナフタリンテトラカルボン酸二無水物、２
，３，６，７−ナフタリンテトラカルボン酸二無水物、
２．３，５，６−ピリジンテトラカルボン酸二無水物、
１，４，５，８−ナフタリンテトラカルボン酸二無水物
、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水
物、４，４’−スルホニルシフタル酸無水物、３，３’
、４．−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物
、エチレンビストリメリテート無水物、プロピレンビス
トリメリテート無水物などがある。
２，５，６−ナフタリンテトラカルボン酸二無水物、２
，３，６，７−ナフタリンテトラカルボン酸二無水物、
２．３，５，６−ピリジンテトラカルボン酸二無水物、
１，４，５，８−ナフタリンテトラカルボン酸二無水物
、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水
物、４，４’−スルホニルシフタル酸無水物、３，３’
、４．−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物
、エチレンビストリメリテート無水物、プロピレンビス
トリメリテート無水物などがある。
本発明で使用できるビスグリシン誘導体としてハ、例え
ばメチレンビス（Ｎ−フェニルグリシンエチルエステル
）、メチレンビス（Ｎ−フェニルグリシンメチルエステ
ル）、メチレンビス（Ｎフェニルグリシンプロピルエス
テル）、メチレンビス（Ｎ−フェニルグリシンブチルエ
ステル）。
ばメチレンビス（Ｎ−フェニルグリシンエチルエステル
）、メチレンビス（Ｎ−フェニルグリシンメチルエステ
ル）、メチレンビス（Ｎフェニルグリシンプロピルエス
テル）、メチレンビス（Ｎ−フェニルグリシンブチルエ
ステル）。
メチレンビス（Ｎ−フェニルグリシン）２ｍ−フェニレ
ンビスイミノ酢酸メチルエステル、ｍ−フェニレンビス
イミノ酢酸エチルエステル、ｐ−フェニレンビスイミノ
酢酸メチルエステル、ｐ−フェニレンビスイミノ酢酸エ
チルエステルなどのＮ置換ビスグリシン誘導体、並びに
Ｎ、Ｎ’−ジカルボキシメチル−Ｎ、Ｎ’−ジカルボエ
トキシーｐフェニレンジアミン、 Ｎ 、 Ｎ’−ジカ
ルボキシメチル−Ｎ 、 Ｎ’−ジカルボエトキシーｐ
−フェニレンジアミン、 ４ 、４’−ビス（Ｎ−カル
ボキシメチル−Ｎ−Ｊルボエトキシアミノ）ジフェニル
エーテル、 ４ 、４’−ビス（Ｎ−カルボキシメチル
−Ｎ−カルボエトキシアミノ）ジフェニルスルフィド。
ンビスイミノ酢酸メチルエステル、ｍ−フェニレンビス
イミノ酢酸エチルエステル、ｐ−フェニレンビスイミノ
酢酸メチルエステル、ｐ−フェニレンビスイミノ酢酸エ
チルエステルなどのＮ置換ビスグリシン誘導体、並びに
Ｎ、Ｎ’−ジカルボキシメチル−Ｎ、Ｎ’−ジカルボエ
トキシーｐフェニレンジアミン、 Ｎ 、 Ｎ’−ジカ
ルボキシメチル−Ｎ 、 Ｎ’−ジカルボエトキシーｐ
−フェニレンジアミン、 ４ 、４’−ビス（Ｎ−カル
ボキシメチル−Ｎ−Ｊルボエトキシアミノ）ジフェニル
エーテル、 ４ 、４’−ビス（Ｎ−カルボキシメチル
−Ｎ−カルボエトキシアミノ）ジフェニルスルフィド。
４．４′〜ビス（Ｎ−カルボキシメチル−Ｎ−カルボエ
トキシアミノ）ジフェニルメタン、 ４ 、４’ビス（
Ｎ−カルボキシ−Ｎ−カルボエトキシアミノ）ジフェニ
ルスルホンなどのＮ 、 Ｎ’−ジ置換ビスグリシン誘
導体がある。
トキシアミノ）ジフェニルメタン、 ４ 、４’ビス（
Ｎ−カルボキシ−Ｎ−カルボエトキシアミノ）ジフェニ
ルスルホンなどのＮ 、 Ｎ’−ジ置換ビスグリシン誘
導体がある。
本発明で使用できる多官能インシアネートとしては、例
えばメタンジイソシアネート、ブタン−１，１−ジイソ
シアネート、エタン−１，２−ジイソシアネート、ブタ
ン−１，２−ジイソシアネート、トランスビニレンジイ
ソシアネート、プロパン−１，３−ジイソシアネート、
ブタン−１，４−ジイソシアネート、２−ブテン−１，
４−ジイソシアネート、２−メチルブタン−１，４−ジ
イソシアネート、ペンタン−１，５−ジイソシアネート
、ヘキサン−１，６−ジイソシアネート、ヘプタン１．
７−ジイソシアネート、オクタン−１，８−ジイソシア
不一ト、ノナン−１，９−ジイソシアネート、デカン−
１，１０−ジイソシアネート。
えばメタンジイソシアネート、ブタン−１，１−ジイソ
シアネート、エタン−１，２−ジイソシアネート、ブタ
ン−１，２−ジイソシアネート、トランスビニレンジイ
ソシアネート、プロパン−１，３−ジイソシアネート、
ブタン−１，４−ジイソシアネート、２−ブテン−１，
４−ジイソシアネート、２−メチルブタン−１，４−ジ
イソシアネート、ペンタン−１，５−ジイソシアネート
、ヘキサン−１，６−ジイソシアネート、ヘプタン１．
７−ジイソシアネート、オクタン−１，８−ジイソシア
不一ト、ノナン−１，９−ジイソシアネート、デカン−
１，１０−ジイソシアネート。
ジメチルシランジイソシアネート、ジフェニルシランジ
イソシアネート、ω、ω’−１，３−ジメチルベンゼン
ジイソシアネート、ω、Ｏ）′−１，４−ジメチルベン
ゼンジイソシアネート、ω、ω′−１゜３−ジメチルシ
クロヘキサンジイソシアネート。
イソシアネート、ω、ω’−１，３−ジメチルベンゼン
ジイソシアネート、ω、Ｏ）′−１，４−ジメチルベン
ゼンジイソシアネート、ω、ω′−１゜３−ジメチルシ
クロヘキサンジイソシアネート。
ω、Ｑ）′−１，４−ジメチルシクロヘキサンジイソシ
アネート、ω、ω’−１，４−ジエチルベンゼンジイソ
シアネート、ω、ω’−１，４−ジメチルナフタリンジ
イソシアネート、ω、ω’−１，５−ジメチルナフタリ
ンイソシアネート、シクロヘキサン−１，３−ジイソシ
アネート、シクロヘキサン１．４−ジイソシアネート、
ジシクロヘキシルメタン−４，４′〜ジイソシアネート
、１，３−フエニレンジイソシアネ−１−，１，４−フ
エニレンジイソシアネート、１−メチルベンゼン−２，
６−ジイソシアネート、１−メチルベンゼン−２゜５−
ジイソシアネート、■−メチルベンゼンー２゜４−ジイ
ソシアネート、１−メチルベンゼン−３゜５−ジイソシ
アネート、ジフェニルエーテル−４゜４′−ジイソシア
ネート、ジフェニルエーテル−２゜４′−ジイソシアネ
ート、ナフタリン−１，４−ジイソシアネート、ナフタ
リン−１，５−ジイソシアネート、ビフェニル−４，４
′−ジイソシアネート、 ３ 、３’−ジメチルビフェ
ニル−４，４′−ジイソシアネート、 ２ 、３’−ジ
メトキシビフェニル−４，４′−ジイソシアネート、ジ
フェニルメタン−４，４′−ジイソシアネート、 ３
、３’−ジメトキシジフェニルメタン−４，４′−ジイ
ソシアネート。
アネート、ω、ω’−１，４−ジエチルベンゼンジイソ
シアネート、ω、ω’−１，４−ジメチルナフタリンジ
イソシアネート、ω、ω’−１，５−ジメチルナフタリ
ンイソシアネート、シクロヘキサン−１，３−ジイソシ
アネート、シクロヘキサン１．４−ジイソシアネート、
ジシクロヘキシルメタン−４，４′〜ジイソシアネート
、１，３−フエニレンジイソシアネ−１−，１，４−フ
エニレンジイソシアネート、１−メチルベンゼン−２，
６−ジイソシアネート、１−メチルベンゼン−２゜５−
ジイソシアネート、■−メチルベンゼンー２゜４−ジイ
ソシアネート、１−メチルベンゼン−３゜５−ジイソシ
アネート、ジフェニルエーテル−４゜４′−ジイソシア
ネート、ジフェニルエーテル−２゜４′−ジイソシアネ
ート、ナフタリン−１，４−ジイソシアネート、ナフタ
リン−１，５−ジイソシアネート、ビフェニル−４，４
′−ジイソシアネート、 ３ 、３’−ジメチルビフェ
ニル−４，４′−ジイソシアネート、 ２ 、３’−ジ
メトキシビフェニル−４，４′−ジイソシアネート、ジ
フェニルメタン−４，４′−ジイソシアネート、 ３
、３’−ジメトキシジフェニルメタン−４，４′−ジイ
ソシアネート。
４．４′−ジメトキシジフェニルメタン−３，３’−ジ
イソシアネート、ジフェニルサルファイド−４゜４′−
ジイソシアネート、ジフェニルスルホン−４，４’−ジ
イソシアネート、ポリメチレンポリフェニルイソシアネ
ート、トリフェニルメタントリイソシアネート、トリレ
ンジイソシアネートのトリマー。
イソシアネート、ジフェニルサルファイド−４゜４′−
ジイソシアネート、ジフェニルスルホン−４，４’−ジ
イソシアネート、ポリメチレンポリフェニルイソシアネ
ート、トリフェニルメタントリイソシアネート、トリレ
ンジイソシアネートのトリマー。
トリス（４−フェニルイソシアネートチオフォスフェー
ト） 、３ ｔ３’、４．４’−ジフェニルメタンテト
ライソシアネートなどがある。
ト） 、３ ｔ３’、４．４’−ジフェニルメタンテト
ライソシアネートなどがある。
本発明においては、Ｎ−置置換ビスクリシン誘導体多官
能イソシアネートとの反応、またはＮ。
能イソシアネートとの反応、またはＮ。
Ｎ′−ジ置換ビスグリシンと多官能第一アミンとの反応
によりヒダントイン結合が形成され、またその反応が前
記したポリエステル−イミドの存在下で行なわれるので
、それらがブロック共重合して、ポリエステル−イミド
−ヒダントイン共重合体となる。
によりヒダントイン結合が形成され、またその反応が前
記したポリエステル−イミドの存在下で行なわれるので
、それらがブロック共重合して、ポリエステル−イミド
−ヒダントイン共重合体となる。
本発明法の一実施態様として、エステル結合を持つテト
ラカルボン酸誘導体と多官能第一アミンとを１：１のモ
ル比で、クレゾール等の溶媒中で５０〜２００℃で反応
させてポリエステル−イミドを生成させ、さらに、この
反応生成物系にビスグリシン誘導体と多官能インシアネ
ートあるいは多官能第一アミンとを１：１のモル比で添
加し、５０〜２００’Ｃで反応させてポリヒダントイン
を生成させ、ブロック共重合によりポリエステル−イミ
ド−ヒダントイン共重合体を得る。
ラカルボン酸誘導体と多官能第一アミンとを１：１のモ
ル比で、クレゾール等の溶媒中で５０〜２００℃で反応
させてポリエステル−イミドを生成させ、さらに、この
反応生成物系にビスグリシン誘導体と多官能インシアネ
ートあるいは多官能第一アミンとを１：１のモル比で添
加し、５０〜２００’Ｃで反応させてポリヒダントイン
を生成させ、ブロック共重合によりポリエステル−イミ
ド−ヒダントイン共重合体を得る。
ポリエステル−イミドとポリヒダントインとの割合は最
初の反応に用いる原料と後で添加する原料との割合を調
節することにより任意に変化させ得る。
初の反応に用いる原料と後で添加する原料との割合を調
節することにより任意に変化させ得る。
本発明法で得られる樹脂状物は１５０〜４００℃に加熱
することにより十分に強靭な皮膜とすることができる。
することにより十分に強靭な皮膜とすることができる。
また、これを電線用絶縁塗料として使用する場合には、
ポリイソシアネートやフェノールホルムアルデヒド樹脂
と配合して用いることもできる。
ポリイソシアネートやフェノールホルムアルデヒド樹脂
と配合して用いることもできる。
本発明の実施例を示してさらに具体的に説明する。
実施例 １
温度計、撹拌機、窒素導入管をとりつけた１１の四ロフ
ラスコに、４，４′−ジアミノジフェニルメタン２９．
７ｇ、エチレンビストリメリテート無水物６１．５ｇ、
クレゾール３００ｇおよびキシレン１００ｇを入れ、内
容物をよく撹拌しながら温度を１４０８Ｃまで上げた。
ラスコに、４，４′−ジアミノジフェニルメタン２９．
７ｇ、エチレンビストリメリテート無水物６１．５ｇ、
クレゾール３００ｇおよびキシレン１００ｇを入れ、内
容物をよく撹拌しながら温度を１４０８Ｃまで上げた。
１４０℃で５時間反応させ、生成する水をキシレンと共
に追い出した。
に追い出した。
次に、ジフェニルメタン−４，４′−ジイソシアネート
１２．５ｇ及びメチレンビス（Ｎ−フェニルグリシンメ
チルエステル）１７．１ｇを入れ、１４０℃で３時間反
応させ、エステル、イミド、ヒダントイン結合をもつ縮
合物を得た。
１２．５ｇ及びメチレンビス（Ｎ−フェニルグリシンメ
チルエステル）１７．１ｇを入れ、１４０℃で３時間反
応させ、エステル、イミド、ヒダントイン結合をもつ縮
合物を得た。
上記溶液を６×１２ｃｒｒＬの銅板に塗布し、２５０℃
で１０分間加熱して８０μの塗膜を得た。
で１０分間加熱して８０μの塗膜を得た。
この銅板を１８０℃で２４時間熱劣化させた後、マンド
レル試験機によ■ す１８０度折りまげたが百インチでも亀裂、剥離の発生
はなく良好な可撓性を示した。
レル試験機によ■ す１８０度折りまげたが百インチでも亀裂、剥離の発生
はなく良好な可撓性を示した。
実施例 ２
実施例１と同様のフラスコに、４，４７−ジアミツジフ
エニルメタン１９．１’１エチレンビストリメリテート
無水物４１．（１、クレゾール３００ｇおよびキシレン
１００ｇを入れ、例１と同様に１４０℃で５時間反応さ
せた。
エニルメタン１９．１’１エチレンビストリメリテート
無水物４１．（１、クレゾール３００ｇおよびキシレン
１００ｇを入れ、例１と同様に１４０℃で５時間反応さ
せた。
次に、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート２
５０，９及びメチレンビス（Ｎ−フェニルグリシンメチ
ルエステル）３４．２ｇを入れ１４０℃で３時間反応さ
せ、エステル、イミド、ヒダントイン各結合を有する樹
脂状物を得た。
５０，９及びメチレンビス（Ｎ−フェニルグリシンメチ
ルエステル）３４．２ｇを入れ１４０℃で３時間反応さ
せ、エステル、イミド、ヒダントイン各結合を有する樹
脂状物を得た。
生成溶液を実施例１と同様に銅板に塗布し、焼付け、８
０μの塗膜を得た。
０μの塗膜を得た。
この銅板を１８０°Ｃで２４時間劣化させた後のマンド
レル試験の結果はＸインチであり、良好な可撓性を示し
た。
レル試験の結果はＸインチであり、良好な可撓性を示し
た。
実施例 ３
実施例１と同様のフラスコに、４，４′−ジアミノジフ
ェニルメタン９．９Ｌエチレンビストリメリテート無水
物２０．５ ｇ、クレゾール３００ｇおよびキシレン１
００ｇを入れ、１４０°Ｃで５時間反応させた。
ェニルメタン９．９Ｌエチレンビストリメリテート無水
物２０．５ ｇ、クレゾール３００ｇおよびキシレン１
００ｇを入れ、１４０°Ｃで５時間反応させた。
次に、４，４′−ジフェニルメタンジイソシアネート３
７，５ｇ、メチレンビス（Ｎ−フェニルグリンシンメチ
ルエステル）５１．３ｇを入れ、１４０℃で３時間反応
させ、エステル、イミド、ヒダントイン各結合をもつポ
リマーを得た。
７，５ｇ、メチレンビス（Ｎ−フェニルグリンシンメチ
ルエステル）５１．３ｇを入れ、１４０℃で３時間反応
させ、エステル、イミド、ヒダントイン各結合をもつポ
リマーを得た。
生成溶液を銅板に塗布し、焼付けて４５μの塗膜を得た
。
。
この銅板を１８０℃で２４時間劣化させま
た後のマンドレル試験の結果は百インチであり、良好な
可撓性を示した。
可撓性を示した。
実施例 ４
実施例１と同様のフラスコに、４，４′−ジアミノジフ
ェニルメタン３９．６．９．エチレンビストリメリテー
ト無水物４１．０．！ｉｉ’、クレゾール３００ｇおよ
びキシレンＩｏｎを入れ、１４００Ｃで５時間反応させ
、次に、４，４′−ビス（Ｎ−カルボキシメチル−Ｎ１
カルボエトキシアミノ）ジフェニルメタン４５．８．！
ｌｉ’を入れ２００℃で２時間反応させ、エステル、イ
ミド、ヒダントイン結合をもつポリマーを得た。
ェニルメタン３９．６．９．エチレンビストリメリテー
ト無水物４１．０．！ｉｉ’、クレゾール３００ｇおよ
びキシレンＩｏｎを入れ、１４００Ｃで５時間反応させ
、次に、４，４′−ビス（Ｎ−カルボキシメチル−Ｎ１
カルボエトキシアミノ）ジフェニルメタン４５．８．！
ｌｉ’を入れ２００℃で２時間反応させ、エステル、イ
ミド、ヒダントイン結合をもつポリマーを得た。
生成溶液を銅板に塗布し、焼付けて銅板塗膜を得た。
この銅板を１８０℃で２４時間劣化させた後のマンドレ
ル試験結果はｉインチであり、熱劣化後の可撓性は良好
であった。
ル試験結果はｉインチであり、熱劣化後の可撓性は良好
であった。
以上の実施例１〜４で得られた溶液を導体に繰返し塗布
し、焼付けて１種皮膜厚の絶縁電線を得た。
し、焼付けて１種皮膜厚の絶縁電線を得た。
得られた絶縁電線の諸性能の試験結果を次表に示す。
Claims (1)
- １ エステル結合を持つテトラカルボン酸誘導体と多官
能第一アミンとを１：１のモル比でクレゾール等の溶媒
中で反応させてポリエステル−イミドを生成させ、さら
に、この反応生成物系にビスグリシン誘導体と多官能イ
ソシアネートあるいは多官能第一アミンとをＩ：１のモ
ル比で添加し、反応させてポリエステルイミドブロック
とポリヒダントインブロックとが交互に繰り返すポリエ
ステルイミド・ヒダントイン共重合体を得ることを特徴
とする縮合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50042937A JPS5828285B2 (ja) | 1975-04-09 | 1975-04-09 | シユクゴウブツノセイゾウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50042937A JPS5828285B2 (ja) | 1975-04-09 | 1975-04-09 | シユクゴウブツノセイゾウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51117798A JPS51117798A (en) | 1976-10-16 |
| JPS5828285B2 true JPS5828285B2 (ja) | 1983-06-15 |
Family
ID=12649914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50042937A Expired JPS5828285B2 (ja) | 1975-04-09 | 1975-04-09 | シユクゴウブツノセイゾウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5828285B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2662425B2 (ja) * | 1987-09-17 | 1997-10-15 | 日立化成工業株式会社 | ポリイミドイソインドロキナゾリンジオン及びその前駆体の製造法 |
| JPH03195732A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 新規なポリエステルイミド |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4919079A (ja) * | 1972-05-20 | 1974-02-20 | ||
| JPS4919080A (ja) * | 1972-09-05 | 1974-02-20 |
-
1975
- 1975-04-09 JP JP50042937A patent/JPS5828285B2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4919079A (ja) * | 1972-05-20 | 1974-02-20 | ||
| JPS4919080A (ja) * | 1972-09-05 | 1974-02-20 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS51117798A (en) | 1976-10-16 |
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