JPS5827906B2 - Magnetic bubble memory drive circuit - Google Patents

Magnetic bubble memory drive circuit

Info

Publication number
JPS5827906B2
JPS5827906B2 JP3676578A JP3676578A JPS5827906B2 JP S5827906 B2 JPS5827906 B2 JP S5827906B2 JP 3676578 A JP3676578 A JP 3676578A JP 3676578 A JP3676578 A JP 3676578A JP S5827906 B2 JPS5827906 B2 JP S5827906B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
coil
capacitor
transistor
drive circuit
magnetic bubble
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP3676578A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS54129835A (en
Inventor
和俊 吉田
一博 石田
真作 千葉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP3676578A priority Critical patent/JPS5827906B2/en
Publication of JPS54129835A publication Critical patent/JPS54129835A/en
Publication of JPS5827906B2 publication Critical patent/JPS5827906B2/en
Expired legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、磁気バブルを転送するために用いられる回転
磁界の駆動回路に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a driving circuit for a rotating magnetic field used for transferring magnetic bubbles.

磁気バブルの転送には、磁気バブルの存在する磁性薄膜
面内で回転する磁界即ち回転磁界が必要とされる。
Transfer of magnetic bubbles requires a magnetic field that rotates within the plane of the magnetic thin film where the magnetic bubbles exist, that is, a rotating magnetic field.

このような回転磁界を得るには、磁気バブルに巻かれた
互に直交する一対のコイルにそれぞれ90°位相差を有
する正弦波の駆動電流が必要とされる。
To obtain such a rotating magnetic field, a pair of mutually orthogonal coils wound around a magnetic bubble requires a sine wave drive current having a phase difference of 90 degrees.

更にこのような駆動電流を得るには例えばコイルとコン
デンサを直列接続して直列共振させて得る方法かある。
Furthermore, such a driving current can be obtained by, for example, connecting a coil and a capacitor in series and causing series resonance.

第1図は、直列共振回路を構成する従来の磁気バブルメ
モリー駆動回路である。
FIG. 1 shows a conventional magnetic bubble memory drive circuit forming a series resonant circuit.

磁気バブル素子に巻かれたコイル1は、その一端がコイ
ル1と共に直列共振回路を形成するコンデンサ2を介し
て接地されており、その他端が低インピーダンスのスイ
ッチング素子であるトランジスタ3のエミッタ及びトラ
ンジスタ4の接続点に接続されている。
A coil 1 wound around a magnetic bubble element has one end grounded via a capacitor 2 forming a series resonant circuit together with the coil 1, and the other end connected to the emitter of a transistor 3, which is a low impedance switching element, and a transistor 4. connected to the connection point.

トランジスタ3及び4は、電源5と接地との間にカスケ
ード接続されており、図示なしの回路から制御信号が各
ベースに供給されて交互にオンされる。
Transistors 3 and 4 are connected in cascade between a power supply 5 and ground, and are turned on alternately by supplying a control signal to each base from a circuit (not shown).

このオンの期間は、コイル1及びコンデンサ] 2による直列共振周波数の周期の/2期間である。During this on period, coil 1 and capacitor] The period is /2 of the period of the series resonant frequency due to 2.

このようなトランジスタ3及び4のオンによってコイル
1とコンデンサ2との間に共振周波数の正弦波が流れる
のは明らかである。
It is clear that a sine wave at the resonant frequency flows between the coil 1 and the capacitor 2 by turning on the transistors 3 and 4.

ところで、回転磁界は、磁気バブルを転送しないときは
、発生されず、転送するときは発生されるといった動作
を繰返している。
Incidentally, the rotating magnetic field repeats an operation in which it is not generated when the magnetic bubble is not transferred, and is generated when the magnetic bubble is transferred.

この場合、動作開始時点ても過渡的な応答を伴うことな
く、回転磁界が発生されるのが好ましい。
In this case, it is preferable that the rotating magnetic field be generated without any transient response even at the start of operation.

このためには、動作開始時点を直列共振中のコイル1の
零電流点に対応させて、コンデンサ2は負電圧のピーク
に充電されているようにすることが必要となる。
For this purpose, it is necessary to make the operation start point correspond to the zero current point of the coil 1 during series resonance so that the capacitor 2 is charged to the peak of the negative voltage.

これは、負のバイアス電源であり電源7とコンデンサ2
との間に接続されているトランジスタ6をオンとするこ
とにより達成される。
This is a negative bias power supply and includes power supply 7 and capacitor 2.
This is achieved by turning on the transistor 6 connected between the two.

トランジスタ6に並列接続の抵抗8は、コンデンサ2を
負に充電した後に、コンデンサ2の充電電圧が低下(絶
対値)しないようにリーク電流を打消すに等しい電流を
供給する抵抗であればよく、共振回路のQを低下させな
いように通常数にΩ〜数百にΩが用いられている。
The resistor 8 connected in parallel to the transistor 6 may be any resistor that supplies a current equal to canceling the leakage current so that the charging voltage of the capacitor 2 does not decrease (absolute value) after the capacitor 2 is negatively charged. In order not to lower the Q of the resonant circuit, the number of Ω to several hundred Ω is usually used.

また、コイル1に並列に接続されるトランジスタ9は、
回転磁界を取り去るとき、コイル1の逆起電力を急速に
ダンピングさせるためオンにされるトランジスタである
Further, the transistor 9 connected in parallel to the coil 1 is
This is a transistor that is turned on in order to rapidly dampen the back electromotive force of the coil 1 when the rotating magnetic field is removed.

以上述べた従来の磁気バブルメモリ駆動回路のより詳し
い説明は、特願昭52−79829(特開昭54−02
5128号公報)に記載されている。
A more detailed explanation of the conventional magnetic bubble memory drive circuit described above can be found in Japanese Patent Application No. 52-79829 (Japanese Unexamined Patent Publication No. 54-02
No. 5128).

このような従来回路の欠点は、回路を構成するトランジ
スタの数が多いことである。
A drawback of such conventional circuits is that they have a large number of transistors.

つまり、コイルを短絡して回転磁界を急速に停止させる
トランジスタを必要とすることである。
This requires a transistor that shorts the coil and quickly stops the rotating magnetic field.

本発明は従来回路の欠点を改善するためになされたもの
である。
The present invention has been made to improve the drawbacks of conventional circuits.

本発明は、磁気バブルメモリ駆動回路において、素子数
を低減することを目的とし、これによって回路の構成を
簡単にすることを目的とする。
The present invention aims to reduce the number of elements in a magnetic bubble memory drive circuit, thereby simplifying the circuit configuration.

本発明の磁気バブルメモリ駆動回路は、直列共振回路を
構成するコイルの一端、即ち駆動電流源に例えばカソー
ドを接続するダイオードを備え、ダイオードの他端をバ
イアス電源に接続し、コイルの他端をトランジスタを介
して前記バイアス電源に接続して、回転磁界を取り去る
とき、コイルの逆起電力を前記トランジスタ及びダイオ
ードにより急速にダンピングさせると共に前記コンデン
サに前記バイアス電源の電圧を充電するものである。
The magnetic bubble memory drive circuit of the present invention includes a diode whose cathode is connected to one end of a coil constituting a series resonant circuit, that is, a drive current source, the other end of the diode is connected to a bias power source, and the other end of the coil is connected to a bias power source. When the rotating magnetic field is removed by connecting to the bias power supply through a transistor, the counter electromotive force of the coil is rapidly damped by the transistor and the diode, and the capacitor is charged with the voltage of the bias power supply.

以下、本発明を図を参照して詳細に説明する。Hereinafter, the present invention will be explained in detail with reference to the drawings.

第2図は本発明の一実施例である磁気バブルメモリ駆動
回路の図を示す。
FIG. 2 shows a diagram of a magnetic bubble memory drive circuit which is an embodiment of the present invention.

第2図の説明にあたって、第1図と同一部分には同一番
号を付け、従来回路と対応関係を明らかにしである。
In explaining FIG. 2, the same parts as in FIG. 1 are given the same numbers to clarify the correspondence with the conventional circuit.

第2図において、電圧E。In FIG. 2, voltage E.

の電源5と接地との間にトランジスタ3及び4がカスケ
ードに直列接続され、トランジスタ3及び4のベースは
、図示なしの回路に接続され、以下で詳しく説明するが
、第3図a及びbのようなオン及びオフの制御が行なわ
れ、正電圧パルスを供給する駆動電源として動作する。
Transistors 3 and 4 are connected in series in cascade between a power supply 5 and ground, the bases of transistors 3 and 4 being connected to a circuit (not shown), as shown in FIGS. 3a and b, as will be explained in detail below. Such on/off control is performed, and it operates as a driving power source that supplies positive voltage pulses.

トランジスタ3及び4の接続点は、直列共振回路を構成
するコイル1及びコンデンサ2を介して接地され、また
この接続点に対してカソードを接続するダイオード10
を介して電圧−Eのバイアスを供給する電源7に接続さ
れている。
A connection point between the transistors 3 and 4 is grounded via a coil 1 and a capacitor 2 forming a series resonant circuit, and a diode 10 is connected to the connection point with a cathode.
It is connected to a power supply 7 which supplies a bias of voltage -E via.

コイル1及びコンデンサ2の接続点は、これに対してエ
ミッタを接続するトランジスタ11及び抵抗8を介して
電源7に接続されている。
A connection point between the coil 1 and the capacitor 2 is connected to a power source 7 via a transistor 11 and a resistor 8, which connect the emitter to the connection point.

次に、第3図に示す波形図を参照して第1図の動作を説
明する。
Next, the operation shown in FIG. 1 will be explained with reference to the waveform diagram shown in FIG.

第3図a及びbに示すように互に180°位相を異にす
るようにトランジスタ3及び4を交互にオン及びオフさ
せる。
As shown in FIGS. 3a and 3b, transistors 3 and 4 are turned on and off alternately so that they are out of phase by 180 degrees.

即ち、トランジスタ3がオンのときは、トランジスタ4
はオフとなる。
That is, when transistor 3 is on, transistor 4
is off.

いま、コンデンサ2が電源7によって既に電圧−Eに充
電されているものとすると、トランジスタ3のオンによ
りコイル1には、第3図dに示すような電流■、が流れ
始める。
Assuming that the capacitor 2 has already been charged to a voltage -E by the power source 7, the transistor 3 is turned on and a current 2, as shown in FIG. 3d, begins to flow through the coil 1.

電流■、はコイル1及びコンデンサ2で定まる共振周波
数でもってピークに到る時点でトランジスタ3はオフと
なり、代ってトランジスタ4がオンとなる。
When the current {circle around (2)} reaches its peak at the resonant frequency determined by the coil 1 and capacitor 2, the transistor 3 is turned off and the transistor 4 is turned on instead.

この場合、トランジスタ11はオフに制御されているの
で、コイル1の電流■、は、減少を始めて、零となり、
更に負のピークへ増加を続ける。
In this case, since the transistor 11 is controlled to be off, the current 2 in the coil 1 starts to decrease and becomes zero.
Further, it continues to increase to a negative peak.

これに対して、コンデンサ2の電圧■。On the other hand, the voltage of capacitor 2 ■.

は、電圧−Eから始まり、第3図eに示すように電流■
、より90°遅れた正弦波となる。
starts from the voltage -E, and as shown in Figure 3e, the current ■
, it becomes a sine wave delayed by 90 degrees.

コンデンサ2が電圧−Eになった時点でトランジスタ1
1がオンになると、コンデンサ2は電圧Eになり、これ
を保持する。
When capacitor 2 reaches voltage -E, transistor 1
1 is turned on, capacitor 2 becomes and maintains voltage E.

電流■、は、コイル1のインダクタンス及び抵抗をそれ
ぞれL及びRとするとし、トランジスタ3及び11の飽
和電圧を無視すると、次式で示される。
If the inductance and resistance of the coil 1 are L and R, respectively, and the saturation voltages of the transistors 3 and 11 are ignored, the current {circle around (2)} is expressed by the following equation.

トランジスタ3がオンになっている間は、電流■、が増
加し続け、トランジスタ3がオフになる時点の電流■、
は、通常のピーク値より大きい値にある。
While the transistor 3 is on, the current ■, continues to increase, and when the transistor 3 turns off, the current ■,
is at a value greater than the normal peak value.

この時点以後の電流■、は次第に減少し、コイル1の逆
起電力はトランジスタ11及びダイオード10による閉
ループにより吸収されて零となる。
After this point, the current (2) gradually decreases, and the back electromotive force of the coil 1 is absorbed by the closed loop formed by the transistor 11 and the diode 10 and becomes zero.

この場合、トランジスター1のオンによる定常状態のピ
ークを超える電流■、の変動は、磁気バブルに不都合な
影響を与えるものではなく、むしろ電流■、の停止に伴
う回転磁界の動作範囲が低下することを補うという好ま
しい結果になる。
In this case, the fluctuation of the current ■, which exceeds the steady state peak due to the turning on of the transistor 1, does not have an adverse effect on the magnetic bubble, but rather the operating range of the rotating magnetic field is reduced due to the cessation of the current ■. This is a desirable result of compensating for the

なお、トランジスター1がオンにならなければ、図中の
点線のような波形となり、電圧V。
Note that if transistor 1 is not turned on, the waveform will be as shown by the dotted line in the figure, and the voltage will be V.

及び電流■、も最終的に零になる。and current ■, will eventually become zero.

また、以上の説明でトランジスタ3及び11のオンとな
るタイミングを同時としたが、これに本発明の動作を限
定するものではなく、トランジスり3がオンとなりオフ
になるまでの/2期間内であれば、何時でもよい。
In addition, in the above explanation, the transistors 3 and 11 are turned on at the same time, but the operation of the present invention is not limited to this. Any time is fine if you have it.

電流■、は正弦波の最大値に達する前であり、トランジ
スター1のオンにより更に増加し、トランジスタ3のオ
フにより減少する波形となる。
The current {circle around (2)} has a waveform before reaching the maximum value of the sine wave, and increases further when transistor 1 is turned on, and decreases when transistor 3 is turned off.

また、電流IXを停止させる時点での値は、トランジス
タ3のオン期間を増加すれば容易に大きな値に変更する
ことが可能である。
Further, the value at the time when the current IX is stopped can be easily changed to a larger value by increasing the on period of the transistor 3.

以上述べたように本発明によれば、回路の構成と制御を
簡単にすることができる効果を有する。
As described above, the present invention has the effect of simplifying the circuit configuration and control.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来の磁気バブルメモリ1駆動回路を示す図、
第2図は本発明の一実施例を示す回路図、第3図は第2
図の動作を説明する波形図である。 1・・・・・・コイル、2・・・・・・コンデンサ、3
,4,6゜9.11・・・・・・トランジスタ、5,7
・・・・・・電源、8・・・・・・抵抗、10・・・・
・・ダイオード。
FIG. 1 is a diagram showing a conventional magnetic bubble memory 1 drive circuit,
Fig. 2 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention, and Fig. 3 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a waveform diagram illustrating the operation shown in FIG. 1... Coil, 2... Capacitor, 3
,4,6゜9.11...transistor, 5,7
...Power supply, 8...Resistance, 10...
··diode.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 コイルとコンデンサを直列接続し、前記コイルの一
端から駆動電流源に接続し、コンデンサの一端を接地し
て前記コイルと前記コンデンサの直列共振により正弦波
電流を発生させて磁気バブルを転送させる磁界を得る磁
気バブルメモリ1駆動回路において、前記コイルの一端
とバイアス電源との間に逆極性に接続されたダイオード
と、前記コイルの他端と前記バイアス電源との間に接続
されたトランジスタとを有し、前記ダイオード及びオン
となった前記トランジスタにより前記コイルの逆起電力
を吸収する回路を構成することを特徴とする磁気バブル
メモリ、駆動回路。 2 ダイオードは正電圧パルスを供給する駆動電流源と
コイルとの接続点にカソードを接続することを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の磁気バブルメモリ駆動回
路。
[Claims] 1. A coil and a capacitor are connected in series, one end of the coil is connected to a drive current source, one end of the capacitor is grounded, and a sine wave current is generated by series resonance between the coil and the capacitor. In a magnetic bubble memory 1 drive circuit that obtains a magnetic field for transferring magnetic bubbles, a diode connected with opposite polarity between one end of the coil and a bias power source, and a diode connected between the other end of the coil and the bias power source. A magnetic bubble memory and a drive circuit, characterized in that the diode and the turned-on transistor constitute a circuit that absorbs the back electromotive force of the coil. 2. The magnetic bubble memory drive circuit according to claim 1, wherein the diode has a cathode connected to a connection point between a drive current source that supplies a positive voltage pulse and the coil.
JP3676578A 1978-03-31 1978-03-31 Magnetic bubble memory drive circuit Expired JPS5827906B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3676578A JPS5827906B2 (en) 1978-03-31 1978-03-31 Magnetic bubble memory drive circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3676578A JPS5827906B2 (en) 1978-03-31 1978-03-31 Magnetic bubble memory drive circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS54129835A JPS54129835A (en) 1979-10-08
JPS5827906B2 true JPS5827906B2 (en) 1983-06-13

Family

ID=12478843

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3676578A Expired JPS5827906B2 (en) 1978-03-31 1978-03-31 Magnetic bubble memory drive circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5827906B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5978621U (en) * 1982-11-19 1984-05-28 東芝テック株式会社 electromagnetic device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5978621U (en) * 1982-11-19 1984-05-28 東芝テック株式会社 electromagnetic device

Also Published As

Publication number Publication date
JPS54129835A (en) 1979-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4618812A (en) Direct current power control on selectable voltage step-up and step-down
EP0343005B1 (en) Driving circuit for driving a piezoelectric vibrator
US4379984A (en) Brushless DC motor driven by complementary type transistors
KR100272348B1 (en) Driver circuitry for commutated inductive loads
US2867762A (en) Commutatorless electric motor
JPH0360360A (en) Gate driving circuit
US4158795A (en) Brushless DC motors
JPS5827906B2 (en) Magnetic bubble memory drive circuit
US5886483A (en) Circuit for supplying a piezo-electric motor
JPS5927192B2 (en) Electric motor speed control device
JPH0216673B2 (en)
JPS5827907B2 (en) Drive circuit for magnetic bubble device
JPS5843997B2 (en) Unbalanced magnetization prevention circuit for transistor inverter
JPS6122393B2 (en)
JPH03139178A (en) Drive circuit for vibration wave motor
JPH0219694Y2 (en)
JPS6020174Y2 (en) bias oscillation circuit
JP2742820B2 (en) Power supply
JPH09154297A (en) Motor drive circuit
JPS6138552B2 (en)
JPS627399A (en) Motor driving device
JPH01305705A (en) Driving circuit of yig oscillator
JPS597153B2 (en) magnetic bubble drive device
JPS58163300A (en) Stepper motor drive circuit
JPS6320912A (en) Comparator circuit