JPS5827436A - Semiconductor circuit - Google Patents

Semiconductor circuit

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JPS5827436A
JPS5827436A JP56125554A JP12555481A JPS5827436A JP S5827436 A JPS5827436 A JP S5827436A JP 56125554 A JP56125554 A JP 56125554A JP 12555481 A JP12555481 A JP 12555481A JP S5827436 A JPS5827436 A JP S5827436A
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JP
Japan
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current
collector
transistor
circuit
npn
Prior art date
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Pending
Application number
JP56125554A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kenji Yamashita
健治 山下
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NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Original Assignee
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS5827436A publication Critical patent/JPS5827436A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0175Coupling arrangements; Interface arrangements
    • H03K19/018Coupling arrangements; Interface arrangements using bipolar transistors only
    • H03K19/01806Interface arrangements
    • H03K19/01818Interface arrangements for integrated injection logic (I2L)

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To make the operation of an interface circuit stable, by supplying a current applied to an output stage transistor (TR) of an I<2>L circuit from a current mirror circuit in response to the base current. CONSTITUTION:Currents supplied from an injector power supply 1 are equal when current sources 4 and 10 are of the same fro the constant current source 10 and an NPN TR11 constitute a current mirror circuit. When multicollectors 14 and 15 of the TR11 are of the same form, since the same current flows to both the collectors, 2/3 of the collector current of the TR11 flows to the collector of a TR5 via a current mirror circuit consisting of PNP TRs. Since the base current of the TR5 is the injector current of the source 4, the collector current to base current ratio of the TR5 is always unchanged to the fluctuation in the power supply voltage and the dispersion in components.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は定電流源を負荷として働く論理回路において該
る論理回路に用いる出力インターフェース回路を備えた
半導体回路に関するもので、特に−mm路としてI”L
(Integrate耐 Inje−ctlon Lo
gゑC:集積注入論理回路)を用いて構成した回路に関
するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a semiconductor circuit equipped with an output interface circuit used in a logic circuit that operates with a constant current source as a load.
(Integrate resistance Inje-ctlon Lo
The present invention relates to a circuit constructed using a gEC (integrated injection logic circuit).

工!Lは同一半導体基板上に形成された単一の島状領域
内にスイッチングトランジスタと骸るスイッチングトラ
ンジス、りにキャリアを注入する定電流源を有し、上記
スイッチングトランジスタのベース入力によりスイッチ
ングトランジスタのコレクタ出力を制御するものである
Engineering! L has a switching transistor and a surrounding switching transistor in a single island-like region formed on the same semiconductor substrate, and a constant current source for injecting carriers into the switching transistor, and the collector output of the switching transistor is controlled by the base input of the switching transistor. It is something to control.

第1図は従来より提案されているI”L  と周辺回路
との基本的なインターフ、−ス回路であり、ベースが接
地された横形PNP)ランシスタにより構成される定電
流源4Fil端を電源端子7に他端をエミッターが接地
された縦形NPN)ランジメタ50ペースに接続されて
I”L回路3t−構成する。縦形NPN トランジスタ
5のコレクタはインターフェース回路を構成するニオ、
夕が接地され九NPN)ランジスI6のベース及び1端
が電源端子1tC接続された抵抗8に接がれる。電源端
子II/c接がれた抵抗9の他端はNPNトランジスタ
ロのコレクターに接続される。
Figure 1 shows a basic interface circuit between I''L and peripheral circuits that has been proposed in the past, and connects the constant current source 4Fil end, which is made up of a horizontal PNP (horizontal PNP) transistor whose base is grounded, to the power supply terminal. 7 and the other end is connected to a vertical NPN (vertical NPN) range meter 50 pace whose emitter is grounded to form an I''L circuit 3t. The collector of the vertical NPN transistor 5 constitutes the interface circuit,
The base and one end of Rungis I6 are connected to the resistor 8 connected to the power supply terminal 1tC. The other end of the resistor 9 connected to the power supply terminal II/c is connected to the collector of the NPN transistor.

第1図の従来例の動作は以下の通りである。The operation of the conventional example shown in FIG. 1 is as follows.

即ち第1図において、インジェクタ電源7によりI2L
の定電流源4がスイッチングトランジスを、h□6.抵
抗8及90抵抗値をそれぞれB s 、b 。
That is, in FIG. 1, I2L is
The constant current source 4 of h□6. The resistance values of resistors 8 and 90 are B s and b , respectively.

電源1及2間の電圧t−Vtとし、トランジスタ5及6
の工fyり、コレクタ飽和電圧をそれぞバー。
The voltage between power supplies 1 and 2 is t-Vt, and transistors 5 and 6
, and the collector saturation voltage are respectively bar.

及VO16とすると、次式(1)、 (2)が成立する
and VO16, the following equations (1) and (2) hold true.

即ちトランジスタ5が導通状態にあるとトランジスタ5
に流れるコレクタ電流工。5Fi、、Ios=(Vl−
Vom5)/R8−=・−・−(1)IO!i”’IB
5・hFMS      ””””’  (2)となる
That is, when transistor 5 is in a conductive state, transistor 5
Collector current flow to the current. 5Fi,,Ios=(Vl-
Vom5)/R8-=・-・-(1) IO! i"'IB
5・hFMS “”””’ (2).

周知の通りI”LClNPN)ランラスタ5Fi通常の
NPN)ランジスタロに比べてコレクターとエミッター
の関係が逆であり、一般に逆形トランジスタと称されて
bるが、該る逆形トランジスターの電流増幅率は通常の
NPN)ランシスタに比べて非常に小さく、I2Lに改
良されたものでも実用レベルでは2〜10位である。
As is well known, the relationship between the collector and emitter is reversed compared to the normal NPN) run raster, and it is generally called an inverted transistor, but the current amplification factor of such an inverted transistor is usually It is very small compared to the NPN) Runcistor, and even the one improved to I2L is ranked 2nd to 10th at a practical level.

(1)及(2)式において、 h、、s:3  IB=
20μAとすると、I O,=50μA、  Vl=5
V  vo15=o−tVとすると、R11=81.7
にΩとなり、該る抵抗を半導体集積回路上に実現するに
は非常に広i項積を必景とすると同時に、抵抗8の抵抗
値R1の絶対値精度も非常に悪くなり%I2L とのイ
ンターフェース回路としては不向きである。
In equations (1) and (2), h,,s:3 IB=
Assuming 20μA, I O,=50μA, Vl=5
If V vo15=o-tV, R11=81.7
To realize such a resistor on a semiconductor integrated circuit, a very wide i-term product is required, and at the same time, the accuracy of the absolute value of the resistance value R1 of the resistor 8 becomes very poor, and the interface with %I2L becomes Ω. It is unsuitable as a circuit.

加えてI2L に供給される定電流は、抵抗8の値几畠
に関係なく変化する為、トランジスタ6のベース電流全
トランジスタ5が十分に引ききれなく、トランジスタ6
が十分非導通状態となるなど、インターフェース回路と
して安定な動作は期待できなり。
In addition, since the constant current supplied to I2L changes regardless of the value of the resistor 8, the base current of the transistor 6 cannot be fully drawn by all the transistors 5, and the transistor 6
As the interface circuit becomes sufficiently non-conductive, it cannot be expected to operate stably as an interface circuit.

本発明の目的は半導体集積回路にして有用でかつ安定な
動作をするインタフェース回路を備え次半導体回路を提
案することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to propose a semiconductor integrated circuit including an interface circuit that is useful and operates stably.

すなわち、本発明によれば、ペースが接地され九横形ト
ランジスタと、工R−p夕が接地された縦型トランジス
タとで構成されるl!L回路と、第1および第2のコレ
クタを有し、第1のコレクタがそのペースに接続された
第1の縦形トランジスタと、第1の縦形トランジスタの
第2のコレクタに電流ミラー回路を介してコレクタが接
続された第2の縦形トランジスタとを含む半導体回路を
得る。
That is, according to the present invention, the l! an L circuit, a first vertical transistor having first and second collectors, the first collector being connected to the pace, and a current mirror circuit to the second collector of the first vertical transistor; A semiconductor circuit including a second vertical transistor whose collector is connected is obtained.

次に図面を参照して本発明をよ〕詳細に説明する。Next, the present invention will be explained in more detail with reference to the drawings.

1s2図は本発明の一実施例を示すインターフ。Figure 1s2 is an interface showing an embodiment of the present invention.

−ス回路の一真体例であり、第1図と同様のところには
同一符号を付し、その説明は省略する。
- This is an example of an integrated circuit, and the same parts as in FIG.

即チ第2図において、ペースが接地され九横形PNP)
ランシスタにより構成される定電流源4及び10は、一
端管電源端子7に他端を工ivターが接地され九縦形N
PN)9yジス15及11のペースにそれぞれ接続され
る。縦形NPN)ランシスタ11のコレクターの内Iり
なくと411本はペースに帰され、残るコレクターの内
実なくとも1本は定電流出力としてPNP)ランシスタ
12゜13で構成する電流ミラーを介して、NPN)ラ
ンシスタ5のコレクター及びエミッターが接地され九N
PN)ランシスター6のペースに接がれる。
In Figure 2, the pace is grounded and the nine-horizontal PNP)
The constant current sources 4 and 10 constituted by Runsistors are connected to one end of the tube power supply terminal 7 and the other end of the iv terminal is grounded.
PN) 9y Jis is connected to the pace of 15 and 11 respectively. 411 of the collectors of the vertical NPN) run transistors 11 are assigned to the pace, and at least one of the remaining collectors is output as a constant current output to the NPN ) The collector and emitter of Runcistor 5 are grounded and 9N
PN) I can relate to the pace of Run Sister 6.

NPN)ランジスタロのコレクターは抵抗9を介して電
源lに接がれる。
The collector of the transistor (NPN) is connected to the power supply l via a resistor 9.

該る構成のインターフェース回路の動作を次に説明する
The operation of the interface circuit having such a configuration will be described next.

第2図の本発明一実施例の基本動作は、第1図従来例と
同等であり、詳細な説明は省略する。又81図の説明に
用い次記号は第3図においても同一記号を使用する。
The basic operation of the embodiment of the present invention shown in FIG. 2 is the same as that of the conventional example shown in FIG. 1, and detailed explanation will be omitted. The same symbols used in the explanation of FIG. 81 are also used in FIG. 3.

同一インジェクタ電源1により供給される電流(インジ
ェクタ電流)は電流源4及10が同一形状てあれば等し
く、定電流源10及NPN)ランシスタ11は電流ミラ
ーを構成する。
The current (injector current) supplied by the same injector power supply 1 is equal if the current sources 4 and 10 have the same shape, and the constant current source 10 and the NPN) run transistor 11 constitute a current mirror.

ここでNPN)ランシスタ11のマルチコレクタ14及
15が同一形状であるとすると% hF111=3!:
L、インジェクタ電流Ijユ。=20μAとすると、 II 1G=IB11 +3IB11   −−” (
3)20μA=4IB11.1111=5J1人従って
、Io、1=15μ入となる。トランジスタ11のコレ
クタ14及15には同一電流が流れる為、PNP トラ
ンジスタ12及13で構成する電流建う−回it介して
% l0IIの2/3の電流即ちlQmがトランジスタ
5のコレクター電流となる。
Here, assuming that the multi-collectors 14 and 15 of the NPN) run transistor 11 have the same shape, %hF111=3! :
L, injector current Ijyu. =20μA, II 1G=IB11 +3IB11 --” (
3) 20μA=4IB11.1111=5J1 person Therefore, Io, 1=15μ input. Since the same current flows through the collectors 14 and 15 of the transistor 11, the collector current of the transistor 5 is 2/3 of %l0II, ie, lQm, through the current formed by the PNP transistors 12 and 13.

又、トランジスタ5のベース電流は定電流源4のインジ
ェクタ電流1j4であり、定電流源4及10が同一形状
であるとすると、 Ij4=Ij 1o=20μ人−hFlll=3(=h
F111)よりNPN)ランシスタ5は工j4Xhシ、
!I=60μ人までコレクターに電流が流せることにな
る。
Furthermore, the base current of the transistor 5 is the injector current 1j4 of the constant current source 4, and assuming that the constant current sources 4 and 10 have the same shape, Ij4=Ij 1o=20μperson−hFllll=3(=h
F111) NPN) Runsista 5 is engineering j4Xh,
! Current can flow through the collector up to I=60μ.

Ij4×hymi>Iat、     ・・・・・・・
・・(4)全満足すれば必ずNPN)ランジスタロは非
導通状態となる。加えて、定電流源4及10は同一電源
7に接がれた同一形状の定電流源であり、I”Lのイン
ジェクタ電流源である為、相対的変動は非常に小さくい
かなる場合においてもI j 1o=I j 4が成り
立つと考えられる。
Ij4×hymi>Iat, ・・・・・・・・・
...(4) If all the conditions are satisfied, it is sure to be NPN) The transistor becomes non-conductive. In addition, the constant current sources 4 and 10 are constant current sources of the same shape connected to the same power supply 7, and are injector current sources of I"L, so the relative fluctuation is very small and in any case I It is considered that j 1o=I j 4 holds true.

従って、NPN)ランシスタ5のコレクタ電流対ペース
電流比は電源電圧変動、素子バラツキ等に関係なく常に
一定の値を取る為、非常に安定な工!Lインターフェー
ス回路が得られる。
Therefore, the collector current to pace current ratio of NPN) Runsistor 5 always takes a constant value regardless of power supply voltage fluctuations, element variations, etc., making it an extremely stable process! An L interface circuit is obtained.

NPN)ランジスタロの電流増幅率hB6 Ir1sN
PN)ランシスタ5の電流増幅率り、8.に比較して hF16>hFIB         ・・・・・・・
・・ (5)となり、■。11はNPN)ランジスタロ
t−導通させるに十分なベース電流になり得る。
NPN) Ranjistaro current amplification factor hB6 Ir1sN
PN) Current amplification factor of Lancistor 5, 8. hF16>hFIB compared to
...(5), and ■. 11 (NPN) can be enough base current to cause transistor conduction.

以上の説明で明らかな様に、第2図に例示のインターフ
ェース回路を用いれば I2Lと周辺回路の接続が非常
に安定に行なえるばかりでなく、I2Lに用いるインジ
ェクタ電流の変動に対しても十分実用可能なインターフ
ェースが構成可能であり、加えて、I2L及PNP  
)ランシスターの組合せであり高抵抗を使用しない為非
常に半導体集積回路に適し次インターフェース回路を提
案できる。
As is clear from the above explanation, if the interface circuit illustrated in Fig. 2 is used, not only can the connection between I2L and peripheral circuits be made very stable, but it can also be used for practical purposes even against fluctuations in the injector current used for I2L. Possible interfaces are configurable, in addition to I2L and PNP
) Since it is a combination of Run Sisters and does not use high resistance, it is very suitable for semiconductor integrated circuits and can propose the following interface circuit.

なお本発明は、上記実施例に限定されることはなく、N
PN)ランシスタ11のコレクター14゜150面積比
を変えて出力電流を可変することも可能であり、又、N
PN)ランシスタ5のコレクター面積との比を変えてN
PN)ランシスタ5のドライブ比を可変することも可能
である。
Note that the present invention is not limited to the above embodiments, and the present invention is not limited to the above embodiments.
PN) It is also possible to vary the output current by changing the collector 14゜150 area ratio of the Lancistor 11, and
PN) by changing the ratio to the collector area of Runcistor 5
(PN) It is also possible to vary the drive ratio of the run transistor 5.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はI2Lと周辺回路との従来のインタフェース回
路を説明する回路図である。 第2図は本発明の一実施例のインタフェース回路を説明
する回路図である。 1・・・・・・第1の電源端子、2・・・・・・接地端
子、3・・・−I2L回路% 4.10・・・・・・横
形PNP トランジスタで構成した定電流源、5,10
・・・・・・逆方向跡トランジスタ、6・・・・・・順
方向NPN)ランシスタ、7・・・・・・インジェクタ
用電源端子、8.9・・・・・・抵抗、12.13・・
・・・・PNP)ランシスタ、14.15・・・・・・
逆方向NPN)ランシスタのコレクタ部。 第1図 第2図
FIG. 1 is a circuit diagram illustrating a conventional interface circuit between I2L and peripheral circuits. FIG. 2 is a circuit diagram illustrating an interface circuit according to an embodiment of the present invention. 1...First power supply terminal, 2...Ground terminal, 3...-I2L circuit% 4.10...Constant current source composed of horizontal PNP transistors, 5,10
... Reverse direction trace transistor, 6 ... Forward direction NPN) run transistor, 7 ... Injector power supply terminal, 8.9 ... Resistor, 12.13・・・
...PNP) Runcissta, 14.15...
(reverse direction NPN) collector section of a run sister. Figure 1 Figure 2

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] ベースが接地された横形PNP)ランシスターと、工ε
ツタ−が接地された縦形NPN)ランシスターにて構成
されたI”1回路と、第1および第2のコレクタを有し
、第1のコレクタがそのベースに接続され次第1の縦形
トランジスターと、該第1の縦形トランジスタの第2の
コレクターが電流々ラー回路を介してコレクタに接続さ
れた第2の縦形トランジスターとを備えたこと1−特徴
とする半導体回路。
horizontal PNP) run sister with a grounded base, and
An I"1 circuit composed of a vertical NPN (vertical NPN) run transistor whose transistor is grounded, and a first vertical transistor having first and second collectors, the first collector being connected to its base, 1 - A semiconductor circuit characterized in that the second collector of the first vertical transistor comprises a second vertical transistor connected to the collector via a current collector circuit.
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