JPH10341150A - Current generating circuit - Google Patents

Current generating circuit

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Publication number
JPH10341150A
JPH10341150A JP9150538A JP15053897A JPH10341150A JP H10341150 A JPH10341150 A JP H10341150A JP 9150538 A JP9150538 A JP 9150538A JP 15053897 A JP15053897 A JP 15053897A JP H10341150 A JPH10341150 A JP H10341150A
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JP
Japan
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circuit
current
iil
transistor
emitter
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Application number
JP9150538A
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Japanese (ja)
Inventor
Shinichi Watanabe
慎一 渡辺
Michiya Sako
美智也 迫
Shunichiro Takahashi
俊一郎 高橋
Fumiya Tokutome
史也 徳留
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a current generating circuit that generates an injection current to supply to an IIL circuit with high accuracy. SOLUTION: In a current generating circuit that generates an injection current I12 feed to an IIL circuit 20, a reference current I11 generated from a current source 11 based on an externally mounted resistor is reflected by a current mirror circuit 12 and a resulting injjection current I12 is fed to the IIL circuit 20, and a dummy circuit 23 of the same circuit configuration as that of the current mirror circuit 12 is provided to a reference current side of the current mirror circuit 12.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電流発生回路に関
し、特にIIL(Integrated Injection Logic)回路へ供
給するインジェクション電流を発生する電流発生回路に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a current generation circuit, and more particularly to a current generation circuit for generating an injection current supplied to an IIL (Integrated Injection Logic) circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】この種の従来回路を図5に示す。同図に
おいて、電源Vccとグランドとの間には、基準電流I
101を流す電流源101と、順方向に直列接続された
例えば3個のダイオード102〜104とが接続されて
いる。電流源101とダイオード102のアノードとの
接続点Aには、トランジスタ105のベースが接続され
ている。トランジスタ105のコレクタは電源Vccに
接続されている。
2. Description of the Related Art FIG. 5 shows a conventional circuit of this kind. In the figure, a reference current I is provided between a power supply Vcc and a ground.
A current source 101 for flowing 101 is connected to, for example, three diodes 102 to 104 serially connected in a forward direction. The base of the transistor 105 is connected to a connection point A between the current source 101 and the anode of the diode 102. The collector of the transistor 105 is connected to the power supply Vcc.

【0003】トランジスタ105のエミッタとIIL回
路106の電流供給端子106aとの間には抵抗107
が接続されている。IIL回路106は、エミッタが電
流供給端子106aに接続され、ベースが接地されたp
npトランジスタ108と、このpnpトランジスタ1
08のコレクタと共にベースが入力端子106bに、コ
レクタが出力端子106cにそれぞれ接続され、エミッ
タが接地されたnpnトランジスタ109とから構成さ
れている。
A resistor 107 is connected between the emitter of the transistor 105 and the current supply terminal 106a of the IIL circuit 106.
Is connected. The IIL circuit 106 includes a p-type transistor having an emitter connected to the current supply terminal 106a and a base grounded.
np transistor 108 and this pnp transistor 1
08 and an npn transistor 109 whose base is connected to the input terminal 106b, whose collector is connected to the output terminal 106c, and whose emitter is grounded.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記構成の従来回路に
おいて、ダイオードの順方向電圧およびバイポーラトラ
ンジスタのエミッタ・ベース間電圧をVfとすると、電
流源101の基準電流I101によって接続点Aには3
Vfの電圧が発生する。これにより、IIL回路106
に供給されるインジェクション電流I102は、抵抗1
07の抵抗値をR0とすると、次式で決まる。
In the conventional circuit having the above structure, when the forward voltage of the diode and the emitter-base voltage of the bipolar transistor are Vf, the reference current I101 of the current source 101 causes three points at the connection point A.
A voltage of Vf is generated. Thereby, the IIL circuit 106
The injection current I102 supplied to the
If the resistance value of 07 is R0, it is determined by the following equation.

【0005】この(1)式から明らかなように、ダイオ
ードの順方向電圧Vfのバラツキ、抵抗値R0の絶対値
のバラツキが、直接、インジェクション電流I102の
変動要因となるため、インジェクション電流I102を
精度良く得ることができないという問題点がある。最悪
の場合、インジェクション電流I102の影響によって
IIL回路106の動作が不安定になる。
As is apparent from the equation (1), the variation in the forward voltage Vf of the diode and the variation in the absolute value of the resistance value R0 directly cause the variation of the injection current I102. There is a problem that it cannot be obtained well. In the worst case, the operation of the IIL circuit 106 becomes unstable due to the influence of the injection current I102.

【0006】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、IIL回路へ供給す
るインジェクション電流を精度良く生成することが可能
な電流発生回路を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a current generating circuit capable of accurately generating an injection current to be supplied to an IIL circuit. .

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明による電流発生回
路は、外付け抵抗に基づく基準電流を流す電流源と、こ
の電流源の基準電流に応じたインジェクション電流を生
成してIIL回路へ供給するカレントミラー回路と、こ
のカレントミラー回路の基準電流側と基準電位点との間
にエミッタおよびベースが接続されたトランジスタを含
むダミー回路とを備えた構成となっている。
SUMMARY OF THE INVENTION A current generating circuit according to the present invention generates a current source for supplying a reference current based on an external resistor, and generates an injection current corresponding to the reference current of the current source and supplies it to an IIL circuit. The current mirror circuit includes a dummy circuit including a transistor having an emitter and a base connected between a reference current side and a reference potential point of the current mirror circuit.

【0008】上記構成の電流発生回路において、電流源
では外付け抵抗を用いることで安定した基準電流の生成
が行われる。カレントミラー回路は、この基準電流を折
り返すことによってインジェクション電流を生成し、こ
のインジェクション電流をIIL回路に供給する。この
とき、バイポーラトランジスタのエミッタ・ベース間電
圧をVfとすると、IIL回路の電流供給端子には、V
fの電圧が発生する。一方、ダミー回路の電流供給端子
にも、同じVfの電圧が発生する。よって、このVfの
電圧はキャンセルされる。
In the current generating circuit having the above configuration, a stable reference current is generated by using an external resistor in the current source. The current mirror circuit generates an injection current by folding the reference current, and supplies the injection current to the IIL circuit. At this time, if the emitter-base voltage of the bipolar transistor is Vf, the current supply terminal of the IIL circuit is
A voltage of f is generated. On the other hand, the same voltage Vf is also generated at the current supply terminal of the dummy circuit. Therefore, the voltage of Vf is canceled.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しつつ詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0010】図1は、本発明の一実施形態を示す回路図
である。図1において、電流源11は電源Vccに接続
されており、この電流源11では外付け抵抗を用いて安
定した所定の基準電流I11の生成が行われる。電流源
11の具体的な回路例については後述する。この電流源
11の基準電流I11は、カレントミラー回路12によ
って折り返されてインジェクション電流I12となる。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention. In FIG. 1, a current source 11 is connected to a power supply Vcc, and the current source 11 generates a stable predetermined reference current I11 using an external resistor. A specific circuit example of the current source 11 will be described later. The reference current I11 of the current source 11 is turned back by the current mirror circuit 12 to become an injection current I12.

【0011】カレントミラー回路12は、ベースが共通
に接続されたnpnトランジスタ13,14と、これら
トランジスタ13,14の各エミッタに各一端が接続さ
れた抵抗15,16と、トランジスタ13,14の共通
接続されたベースにアノードが接続されたダイオード1
7と、このダイオード17のカソードに一端が、基準電
位点であるグランドに他端がそれぞれ接続された抵抗1
8と、トランジスタ13のコレクタにベースが、そのベ
ースにエミッタがそれぞれ接続され、コレクタが電源V
ccに接続されたnpnトランジスタ19とから構成さ
れている。
The current mirror circuit 12 includes npn transistors 13 and 14 whose bases are connected in common, resistors 15 and 16 each having one end connected to each emitter of the transistors 13 and 14, and transistors 13 and 14. Diode 1 with anode connected to connected base
7 and a resistor 1 having one end connected to the cathode of the diode 17 and the other end connected to the ground which is a reference potential point.
8, a base is connected to the collector of the transistor 13, and the emitter is connected to the base.
and an npn transistor 19 connected to cc.

【0012】このカレントミラー回路12において、ト
ランジスタ13とトランジスタ14は、ほぼ同一の特性
を有している。また、抵抗15,16としては、同一の
抵抗値のものが用いられる。ダイオード17、抵抗18
およびトランジスタ19は、基準電流I11とほぼ同一
電流値のインジェクション電流I12を得るために設け
られたものである。
In the current mirror circuit 12, the transistors 13 and 14 have substantially the same characteristics. Also, resistors 15 and 16 having the same resistance value are used. Diode 17, resistor 18
The transistor 19 is provided to obtain an injection current I12 having substantially the same current value as the reference current I11.

【0013】インジェクション電流I12側の抵抗16
の他端には、IIL回路20がその電流供給端子20a
にて接続されている。IIL回路20は、エミッタが電
流供給端子20aに接続され、ベースが接地されたpn
pトランジスタ21と、このpnpトランジスタ21の
コレクタと共にベースが入力端子20bに、コレクタが
出力端子20cにそれぞれ接続され、エミッタが接地さ
れたnpnトランジスタ22とからなる1段のゲート構
成となっている。
The resistor 16 on the side of the injection current I12
The IIL circuit 20 has a current supply terminal 20a
Connected at The IIL circuit 20 includes a pn circuit having an emitter connected to the current supply terminal 20a and a base grounded.
The pnp transistor 21 has a one-stage gate configuration including an npn transistor 22 having a collector connected to the input terminal 20b, a collector connected to the output terminal 20c, and an emitter grounded, together with the collector of the pnp transistor 21.

【0014】IIL回路20は、消費電力が少なく、高
集積化が可能であるという利点を持つ論理回路である。
このIIL回路20の電流供給端子20aには、カレン
トミラー回路12により、電流源11の基準電流I11
を基にして生成されたインジェクション電流I12、本
実施形態では基準電流I11とほぼ同一電流値のインジ
ェクション電流I12が供給される。
The IIL circuit 20 is a logic circuit having the advantages of low power consumption and high integration.
The current supply terminal 20a of the IIL circuit 20 is connected to the reference current I11 of the current source 11 by the current mirror circuit 12.
, An injection current I12 having a current value substantially the same as the reference current I11 in the present embodiment.

【0015】また、基準電流I11側の抵抗15の他端
にも、例えばIIL回路20と全く同じ回路構成のダミ
ー回路23がその電流供給端子23aにて接続されてい
る。すなわち、ダミー回路23は、エミッタが電流供給
端子23aに接続され、ベースが接地されたpnpトラ
ンジスタ24と、このpnpトランジスタ24のコレク
タにベースが接続され、かつエミッタが接地されたnp
nトランジスタ25とから構成されている。
A dummy circuit 23 having the same circuit configuration as the IIL circuit 20, for example, is connected to the other end of the resistor 15 on the side of the reference current I11 via a current supply terminal 23a. That is, the dummy circuit 23 includes an pnp transistor 24 having an emitter connected to the current supply terminal 23a and a grounded base, and an pnp transistor 24 having a base connected to the collector of the pnp transistor 24 and having an emitter grounded.
and an n-transistor 25.

【0016】図2に、電流源11の具体的な回路構成の
一例を示す。同図において、オペアンプ26の反転
(−)入力端と電源Vccの間には、バラツキのない電
圧Vrを発生する直流電源27が接続されている。この
オペアンプ26の出力端には、npnトランジスタ2
8,29の各ベースが接続されている。これらトランジ
スタ28,29の各エミッタは、抵抗30,31を介し
て接地されている。トランジスタ28のコレクタは、オ
ペアンプ26の非反転(+)入力端に接続されるととも
に、電源端子32に接続されている。電源端子32と電
源Vccの間には、外付け抵抗33が接続されている。
FIG. 2 shows an example of a specific circuit configuration of the current source 11. In the figure, a DC power supply 27 for generating a voltage Vr without variation is connected between an inverting (-) input terminal of an operational amplifier 26 and a power supply Vcc. The output terminal of the operational amplifier 26 has an npn transistor 2
8 and 29 are connected. The emitters of these transistors 28 and 29 are grounded via resistors 30 and 31. The collector of the transistor 28 is connected to the non-inverting (+) input terminal of the operational amplifier 26 and to the power supply terminal 32. An external resistor 33 is connected between the power supply terminal 32 and the power supply Vcc.

【0017】この電流源11において、A点の電圧は、
オペアンプ26によって帰還がかかっているため、常
時、Vcc−Vrの電圧となる。したがって、外付け抵
抗33の抵抗値をR21とすると、トランジスタ28の
コレクタに流れる電流I0は、I0=Vr/R21とな
り、バラツキのない安定した電流となる。また、トラン
ジスタ29のコレクタに流れる電流I1も同様であり、
この電流I1が図1の基準電流I11となる。
In this current source 11, the voltage at point A is
Since the feedback is applied by the operational amplifier 26, the voltage is always Vcc-Vr. Therefore, assuming that the resistance value of the external resistor 33 is R21, the current I0 flowing through the collector of the transistor 28 is I0 = Vr / R21, and is a stable current without variation. The same applies to the current I1 flowing through the collector of the transistor 29.
This current I1 becomes the reference current I11 in FIG.

【0018】上記構成の一実施形態に係る電流発生回路
において、バイポーラトランジスタのエミッタ・ベース
間電圧をVf、抵抗15,16の各抵抗値をR11,R
12とすると、トランジスタ13のエミッタ電位V11
は、R11×I11+Vfとなる。また、トランジスタ
14のエミッタ電位V12は、従来回路の場合と同様で
あり、R12×I12+Vfとなる。
In the current generating circuit according to an embodiment of the present invention, the emitter-base voltage of the bipolar transistor is Vf, and the resistances of the resistors 15 and 16 are R11 and R11.
12, the emitter potential V11 of the transistor 13
Is R11 × I11 + Vf. The emitter potential V12 of the transistor 14 is the same as that of the conventional circuit, that is, R12 × I12 + Vf.

【0019】ここで、V11=V12であることから、
インジェクション電流I12は、 I12=(R11×I11+Vf−Vf)/r12 =(R11/R12)・I11 ……(2) となる。
Here, since V11 = V12,
The injection current I12 is as follows: I12 = (R11 × I11 + Vf−Vf) / r12 = (R11 / R12) · I11 (2)

【0020】この(2)式から明らかなように、基準電
流I11側の抵抗15の他端にもIIL回路20と全く
同じ回路構成のダミー回路23を付加したことにより、
バイポーラトランジスタのエミッタ・ベース間電圧Vf
のバラツキがキャンセルされることがわかる。また、I
Cにおいて、同一チップ内で製造された抵抗のペアの特
性は優れているので、抵抗15,16の各抵抗値R1
1,R12の絶対値のバラツキも抑えられる。
As is apparent from the equation (2), the dummy circuit 23 having the same circuit configuration as the IIL circuit 20 is added to the other end of the resistor 15 on the reference current I11 side.
Emitter-base voltage Vf of bipolar transistor
It can be seen that the variation is canceled. Also, I
In C, since the characteristics of the pair of resistors manufactured in the same chip are excellent, the resistance values R1 of the resistors 15 and 16 are different.
Variations in the absolute values of 1 and R12 can also be suppressed.

【0021】なお、本実施形態では、基準電流I11側
の抵抗15の他端に、IIL回路20と全く同じ回路構
成のダミー回路23を付加するとしたが、これに限定さ
れるものではなく、抵抗15の他端と基準電位点である
グランドとの間に、エミッタおよびベースが接続された
トランジスタを含むダミー回路であれば、(2)式から
明らかなように、エミッタ・ベース間電圧Vfのバラツ
キをキャンセルできることになる。
In the present embodiment, the dummy circuit 23 having the same circuit configuration as the IIL circuit 20 is added to the other end of the resistor 15 on the reference current I11 side. However, the present invention is not limited to this. In the case of a dummy circuit including a transistor having an emitter and a base connected between the other end of the reference 15 and the ground which is a reference potential point, as is apparent from the equation (2), the variation of the emitter-base voltage Vf varies. Can be canceled.

【0022】ただし、ダミー回路23をIIL回路20
と全く同一の回路構成とした方が、カレントミラー回路
12の基準電流I11側とインジェクション電流I12
側との対称性を高めることができるため、回路構成上有
利である。
However, the dummy circuit 23 is connected to the IIL circuit 20
It is preferable that the circuit configuration be completely the same as that of the reference current I11 of the current mirror circuit 12 and the injection current I12.
Since the symmetry with the side can be increased, this is advantageous in circuit configuration.

【0023】図4は、n個(nは2以上の整数)のゲー
ト段からなるIIL回路に適用された本発明の他の実施
形態を示す回路図である。図4において、電流源51は
電源Vccに接続されており、この電流源51では外付
け抵抗を用いて安定した所定の基準電流I21の生成が
行われる。電流源121としては、図2に示す回路構成
のものが用いられる。電流源51の基準電流I21は、
カレントミラー回路52によって折り返されてインジェ
クション電流I22となる。
FIG. 4 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention applied to an IIL circuit having n (n is an integer of 2 or more) gate stages. In FIG. 4, a current source 51 is connected to a power supply Vcc, and the current source 51 generates a stable predetermined reference current I21 using an external resistor. As the current source 121, one having a circuit configuration shown in FIG. 2 is used. The reference current I21 of the current source 51 is
It is turned back by the current mirror circuit 52 to become an injection current I22.

【0024】カレントミラー回路22は、ベースが共通
に接続されたnpnトランジスタ53,54と、これら
トランジスタ53,54の各エミッタに各一端が接続さ
れた抵抗55,56と、トランジスタ53,54の共通
接続されたベースにアノードが接続されたダイオード5
7と、このダイオード57のカソードに一端が、グラン
ドに他端がそれぞれ接続された抵抗58と、トランジス
タ53のコレクタにベースが、そのベースにエミッタが
それぞれ接続され、コレクタが電源Vccに接続された
npnトランジスタ59とから構成されている。
The current mirror circuit 22 includes npn transistors 53 and 54 whose bases are connected in common, resistors 55 and 56 each having one end connected to each emitter of the transistors 53 and 54, and transistors 53 and 54. Diode 5 with anode connected to connected base
7, a resistor 58 having one end connected to the cathode of the diode 57 and the other end connected to the ground, a base connected to the collector of the transistor 53, an emitter connected to the base, and a collector connected to the power supply Vcc. and an npn transistor 59.

【0025】このカレントミラー回路52において、ト
ランジスタ54は、n個(nは2以上の整数)のエミッ
タを有するマルチエミッタトランジスタである。これに
伴って、抵抗55,56の各抵抗値R21,R22は、
n×R21=R22の関係に設定される。
In the current mirror circuit 52, the transistor 54 is a multi-emitter transistor having n (n is an integer of 2 or more) emitters. Accordingly, the resistance values R21 and R22 of the resistors 55 and 56 are
It is set so that n × R21 = R22.

【0026】インジェクション電流I22側の抵抗66
の他端には、IIL回路60がその電流供給端子60a
にて接続されている。IIL回路60は、各エミッタが
電流供給端子20aに共通に接続され、各ベースが接地
されたn個のpnpトランジスタ61-1〜61-nと、各
ベースがトランジスタ61-1〜61-nの各コレクタとそ
れぞれ接続されるととともに、各コレクタが次段のトラ
ンジスタ61-2〜61-nの各コレクタとそれぞれ接続さ
れ、各エミッタが接地されたn個のnpnトランジスタ
62-1〜62-nとからなる6段のゲート構成となってい
る。
The resistor 66 on the side of the injection current I22
The IIL circuit 60 has a current supply terminal 60a
Connected at The IIL circuit 60 includes n pnp transistors 61-1 to 61-n whose emitters are commonly connected to the current supply terminal 20a and whose bases are grounded, and the bases of the transistors 61-1 to 61-n. N npn transistors 62-1 to 62-n each connected to each collector, each collector is connected to each collector of transistors 61-2 to 61-n in the next stage, and each emitter is grounded. And a six-stage gate configuration.

【0027】そして、初段のnpnトランジスタ62-1
のベースが入力端子60bに接続され、最終段のnpn
トランジスタ62-nのコレクタが出力端子60cに接続
されている。このIIL回路60において、その電流供
給端子60aにはカレントミラー回路52により、電流
源151の基準電流I21のn倍のインジェクション電
流I22(=n×I11)が供給される。このとき、I
IL回路60内の各ゲートには基準電流I21がそれぞ
れ流れることになる。
The first stage npn transistor 62-1
Is connected to the input terminal 60b, and the final stage npn
The collector of the transistor 62-n is connected to the output terminal 60c. In the IIL circuit 60, an injection current I22 (= n × I11) that is n times the reference current I21 of the current source 151 is supplied to the current supply terminal 60a by the current mirror circuit 52. At this time, I
The reference current I21 flows through each gate in the IL circuit 60.

【0028】また、基準電流I21側の抵抗55の他端
には、IIL回路60のゲート1段分の回路構成のダミ
ー回路63がその電流供給端子63aにて接続されてい
る。すなわち、ダミー回路63は、エミッタが電流供給
端子63aに接続され、ベースが接地されたpnpトラ
ンジスタ64と、このpnpトランジスタ64のコレク
タにベースが接続され、かつエミッタが接地されたnp
nトランジスタ65とから構成されている。
The other end of the resistor 55 on the reference current I21 side is connected to a dummy circuit 63 having a circuit configuration for one gate of the IIL circuit 60 at a current supply terminal 63a. That is, the dummy circuit 63 includes an pnp transistor 64 having an emitter connected to the current supply terminal 63a and a grounded base, and an pnp transistor 64 having a base connected to the collector of the pnp transistor 64 and an emitter grounded.
and an n-transistor 65.

【0029】上記構成の他の実施形態に係る電流発生回
路において、バイポーラトランジスタのエミッタ・ベー
ス間電圧をVfとすると、ダミー回路63の電流供給端
子63aに発生する電圧V11およびIIL回路60の
電流供給端子60aに発生する電圧V22は共にVfと
なり、IIL回路60のVf分をキャンセルできる。す
なわち、n段のゲートからなるIIL回路60にインジ
ェクション電流I22を供給する電流発生回路において
も、基準電流I21側にIIL回路60のゲート1段分
の回路構成のダミー回路63を付加することで、Vfバ
ラツキをキャンセルできる。
In the current generating circuit according to another embodiment of the present invention, assuming that the emitter-base voltage of the bipolar transistor is Vf, the voltage V11 generated at the current supply terminal 63a of the dummy circuit 63 and the current supply of the IIL circuit 60 The voltage V22 generated at the terminal 60a becomes Vf, and the Vf of the IIL circuit 60 can be canceled. That is, in the current generating circuit that supplies the injection current I22 to the IIL circuit 60 including the n-stage gates, the dummy circuit 63 having a circuit configuration for one gate of the IIL circuit 60 is added to the reference current I21 side. Vf variation can be canceled.

【0030】また、IIL回路60のゲート数がn個で
あっても、トランジスタ53,54のエミッタサイズS
21,S22をS2:S22=1:n、また抵抗55,
56の抵抗値R21,R22をR21:R22=n:1
の関係にすることで、ICにおいて同一チップ内で製造
された回路素子のペアの特性は優れていることから、抵
抗55,56の各抵抗値R21,R22のバラツキを抑
えることができるために、基準電流I21のn倍のイン
ジェクション電流I22が精度良く得られることにな
る。
Further, even if the number of gates of the IIL circuit 60 is n, the emitter size S
21, S22 is S2: S22 = 1: n, and the resistance 55, S22
The resistance values R21 and R22 of 56 are R21: R22 = n: 1.
Since the characteristics of the pair of circuit elements manufactured in the same chip in the IC are excellent, the variation in the resistance values R21 and R22 of the resistors 55 and 56 can be suppressed. The injection current I22 which is n times the reference current I21 can be obtained with high accuracy.

【0031】なお、本実施形態においても、先の実施形
態の場合と同様に、ゲート1段分の回路構成のダミー回
路63に代えて、抵抗55の他端と基準電位点であるグ
ランドとの間に、エミッタおよびベースが接続されたト
ランジスタを含むダミー回路を付加することにより、エ
ミッタ・ベース間電圧Vfのバラツキをキャンセルでき
る。
In this embodiment, as in the previous embodiment, instead of the dummy circuit 63 having a circuit configuration of one gate, the other end of the resistor 55 and the ground which is the reference potential point are connected. By adding a dummy circuit including a transistor to which an emitter and a base are connected between them, a variation in the emitter-base voltage Vf can be canceled.

【0032】また、上記各実施形態においては、基準電
流側に専用のダミー回路を設ける構成としたが、図4に
示すように、IIL回路60をダミー回路として兼用す
ることも可能である。この場合には、電圧V21と電圧
V22とが完全に一致するため、Vfバラツキを確実に
キャンセルできるとともに、ダミー回路を省略した分だ
け回路構成を簡略化できる利点もある。
In each of the above embodiments, a dedicated dummy circuit is provided on the reference current side. However, as shown in FIG. 4, the IIL circuit 60 can be used also as a dummy circuit. In this case, since the voltage V21 completely matches the voltage V22, there is an advantage that the variation in Vf can be surely canceled and the circuit configuration can be simplified by omitting the dummy circuit.

【0033】このように、IIL回路60をダミー回路
として兼用した回路構成において、n≫1の場合には、
基準電流I21に対してインジェクション電流I22が
極めて大きいことから、(I21+I22)の電流がイ
ンジェクション電流としてIIL回路60に流れ込んだ
としても、基準電流I21が占める割合は極めて小さ
く、各ゲートには基準電流I21にほぼ近い電流が流れ
ることになるため、実用上問題はない。
As described above, in a circuit configuration in which the IIL circuit 60 is also used as a dummy circuit, when n≫1,
Since the injection current I22 is extremely large with respect to the reference current I21, even if the current of (I21 + I22) flows into the IIL circuit 60 as the injection current, the ratio occupied by the reference current I21 is extremely small, and each gate has the reference current I21. Therefore, there is no practical problem since a current almost equal to the current flows.

【0034】ただし、n>1の場合には、基準電流I2
1が占める割合が大きくなるため、IIL回路60のゲ
ートの段数をn+1に設定する必要がある。これによ
り、n>1のIIL回路60に適用した場合に、IIL
回路60をダミー回路として兼用しても、各ゲートには
基準電流I21が流れることになるため、何ら問題とな
ることはない。
However, when n> 1, the reference current I2
Since the ratio occupied by 1 increases, it is necessary to set the number of gate stages of the IIL circuit 60 to n + 1. Thus, when applied to the IIL circuit 60 with n> 1, the IIL circuit 60
Even if the circuit 60 is also used as a dummy circuit, there is no problem because the reference current I21 flows through each gate.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
外付け抵抗によって生成された基準電流を、カレントミ
ラー回路によって折り返してインジェクション電流とし
てIIL回路へ供給するとともに、このカレントミラー
回路の基準電流側と基準電位点との間にエミッタおよび
ベースが接続されたトランジスタを含むダミー回路を設
けたことにより、IIL回路のバイポーラトランジスタ
のエミッタ・ベース間電圧Vfをキャンセルでき、しか
も同一チップ内で製造された回路素子の特性が優れてい
るため、IIL回路へのインジェクション電流を精度良
く生成できることになる。
As described above, according to the present invention,
The reference current generated by the external resistor is turned back by the current mirror circuit and supplied as an injection current to the IIL circuit, and the emitter and the base are connected between the reference current side of the current mirror circuit and the reference potential point. By providing the dummy circuit including the transistor, the emitter-base voltage Vf of the bipolar transistor of the IIL circuit can be canceled, and since the characteristics of the circuit element manufactured in the same chip are excellent, the injection into the IIL circuit is performed. The current can be generated with high accuracy.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.

【図2】電流源の具体的な回路構成の一例を示す回路図
である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of a specific circuit configuration of a current source.

【図3】本発明の他の実施形態を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention.

【図4】本発明の変形例を示す回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing a modification of the present invention.

【図5】従来例を示す回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram showing a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11,51…電流源、12,52…カレントミラー回
路、20,60…IIL回路、23,63…ダミー回
路、26…オペアンプ、I11,I21…基準電流、I
12,I22…インジェクション電流
11, 51: current source, 12, 52: current mirror circuit, 20, 60: IIL circuit, 23, 63: dummy circuit, 26: operational amplifier, I11, I21: reference current, I
12, I22 ... injection current

フロントページの続き (72)発明者 徳留 史也 鹿児島県国分市野口北5番1号 ソニー国 分株式会社内Continuation of the front page (72) Inventor Fumiya Tokudome 5-1 Noguchikita, Kokubu-shi, Kagoshima

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 IIL回路へ供給するインジェクション
電流を発生する電流発生回路であって、 外付け抵抗に基づく基準電流を流す電流源と、 前記電流源の基準電流に応じたインジェクション電流を
生成して前記IIL回路へ供給するカレントミラー回路
と、 前記カレントミラー回路の基準電流側と基準電位点との
間にエミッタおよびベースが接続されたトランジスタを
含むダミー回路とを備えたことを特徴とする電流発生回
路。
1. A current generating circuit for generating an injection current to be supplied to an IIL circuit, comprising: a current source for flowing a reference current based on an external resistor; and an injection current corresponding to the reference current of the current source. A current mirror circuit for supplying current to the IIL circuit; and a dummy circuit including a transistor having an emitter and a base connected between a reference current side of the current mirror circuit and a reference potential point. circuit.
【請求項2】 前記ダミー回路は前記IIL回路と同じ
回路構成であることを特徴とする請求項1記載の電流発
生回路。
2. The current generating circuit according to claim 1, wherein said dummy circuit has the same circuit configuration as said IIL circuit.
【請求項3】 前記IIL回路を前記ダミー回路として
兼用したことを特徴とする請求項2記載の電流発生回
路。
3. The current generating circuit according to claim 2, wherein said IIL circuit is also used as said dummy circuit.
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