JPS5826694B2 - Hatsushin Cairo - Google Patents

Hatsushin Cairo

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Publication number
JPS5826694B2
JPS5826694B2 JP50131049A JP13104975A JPS5826694B2 JP S5826694 B2 JPS5826694 B2 JP S5826694B2 JP 50131049 A JP50131049 A JP 50131049A JP 13104975 A JP13104975 A JP 13104975A JP S5826694 B2 JPS5826694 B2 JP S5826694B2
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JP
Japan
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transistor
collector
transistors
base
capacitor
Prior art date
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Expired
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JP50131049A
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Japanese (ja)
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JPS5242051A (en
Inventor
茂則 岩隈
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Victor Company of Japan Ltd
Original Assignee
Victor Company of Japan Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Victor Company of Japan Ltd filed Critical Victor Company of Japan Ltd
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Publication of JPS5242051A publication Critical patent/JPS5242051A/en
Publication of JPS5826694B2 publication Critical patent/JPS5826694B2/en
Expired legal-status Critical Current

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  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は発振回路に係り、IIL(インテグレーテッド
・インジェクション・ロジック)ゲートを用いて構成す
ることにより、高集積度でIC(集積回路)化でき、し
かも極めて低電力で動作しうる発振回路を提供すること
を目的とする。
[Detailed Description of the Invention] The present invention relates to an oscillation circuit, and by configuring it using IIL (Integrated Injection Logic) gates, it can be made into an IC (Integrated Circuit) with a high degree of integration and has extremely low power consumption. The purpose is to provide an oscillation circuit that can operate.

第1図は従来の発振回路の1例の具体的回路を示す。FIG. 1 shows a specific example of a conventional oscillation circuit.

この発振回路はIC化された無安定マルチバイブレーク
で、周知の如く出力端子1,2より所定パルス幅の矩形
波を夫々発振出力する。
This oscillation circuit is an IC-based astable multi-by-break, and as is well known, outputs a rectangular wave of a predetermined pulse width from output terminals 1 and 2, respectively.

すなわち、まずトランジスタT1かオンで、トランジス
タT2がオフのとき、コンデンサC2は抵抗R2を通し
て直流電圧■。
That is, first, when the transistor T1 is on and the transistor T2 is off, the capacitor C2 generates a DC voltage ■ through the resistor R2.

0を印加されて充電されていき、所定レベルに達すると
、回路の正帰還作用によりトランジスタT1のコレクタ
電流が瞬時に零となってトランジスタT1はオフとされ
る。
0 is applied and charged, and when a predetermined level is reached, the collector current of the transistor T1 instantly becomes zero due to the positive feedback effect of the circuit, and the transistor T1 is turned off.

これと同時にトランジスタT2はオンとされる。At the same time, transistor T2 is turned on.

次に、直流電圧■。Next, DC voltage ■.

Cを抵抗R1を通して印加されるコンデンサC1の充電
が始まり、上記と同様にトランジスタT がオン、トラ
ンジスタT2が第フとなる。
Charging of the capacitor C1 begins with C being applied through the resistor R1, and the transistor T is turned on and the transistor T2 is turned off in the same way as above.

以下、上記と同様の動作を繰り返す。上記トランジスタ
T1.T2のコレクタ出力はエミッタフォロワを構成し
ているトランジスタT3゜T4を経て出力端子1,2に
夫々導かれる。
Thereafter, the same operation as above is repeated. The transistor T1. The collector output of T2 is led to output terminals 1 and 2 through transistors T3 and T4 forming emitter followers, respectively.

然るに、上記の従来発振回路は、動作に高電圧、大電力
を必要とし、また消費電力、チップ表面の温度上昇、多
く必要とする負荷抵抗等の種々の理由によりIC化した
場合、高集積度にて構成できない等の欠点があった。
However, the above-mentioned conventional oscillation circuits require high voltage and large power for operation, and due to various reasons such as power consumption, temperature rise on the chip surface, and the need for a large amount of load resistance, it is difficult to achieve high integration when integrated into an IC. There were drawbacks such as the inability to configure the

本発明は上記欠点を除去するものであり、以下第2図及
び第3図と共にその1実施例につき説明する。
The present invention eliminates the above-mentioned drawbacks, and one embodiment thereof will be described below in conjunction with FIGS. 2 and 3.

第2図は本発明になる発振回路の1実施例の具体的回路
図、第3図は第2図に用いられるIILゲートの1例の
基本回路図を示す。
FIG. 2 shows a specific circuit diagram of an embodiment of the oscillation circuit according to the present invention, and FIG. 3 shows a basic circuit diagram of an example of the IIL gate used in FIG.

IIL(又はl2L)ゲートは第3図に示すように、電
流源として動作しインジェクタと呼ばれるPNP I−
ランジスタTjと、該トランジスタTjよりベース電流
を供給されるマルチコレクタNPN トランジスタTr
とより構成されている。
The IIL (or l2L) gate operates as a current source and is called an injector, as shown in Figure 3.
A transistor Tj and a multi-collector NPN transistor Tr supplied with base current from the transistor Tj.
It is composed of.

このトランジスタTrのベースはトランジスタTjのコ
レクタに接続され、かつトランジスタTrのエミッタは
トランジスタTjのベースに共通接続されている。
The base of the transistor Tr is connected to the collector of the transistor Tj, and the emitters of the transistor Tr are commonly connected to the base of the transistor Tj.

入力端子3より入来したデジタル信号は、上記トランジ
スタTrにより極性反転されてその各コレクタに夫々接
続されている出力端子4,5.6に夫夫導かれる。
A digital signal input from the input terminal 3 has its polarity inverted by the transistor Tr, and is guided to output terminals 4, 5.6 whose collectors are respectively connected.

このIILゲートは抵抗を含まず、低電圧、低電力で動
作する高集積度のICである。
This IIL gate is a highly integrated IC that does not include a resistor and operates at low voltage and low power.

第2図において、G1.G2.G3及びG4は夫々第3
図で説明したIILゲートで、インジェクタTj1.T
j2.Tj3及びTj、と、マルチコレクタトランジス
タTr1.Tr2.T、3及びTr4より構成されてい
る。
In FIG. 2, G1. G2. G3 and G4 are the third
In the IIL gate explained in the figure, injector Tj1. T
j2. Tj3 and Tj, and multi-collector transistor Tr1. Tr2. It is composed of T, 3 and Tr4.

また、上記トランジスタTr1゜Tr2のベースはNP
N)ランジスタTa、Tbの各コレクタに夫々接続され
ている。
Furthermore, the bases of the transistors Tr1 and Tr2 are NP.
N) Connected to the collectors of transistors Ta and Tb, respectively.

このトランジスタTa、Tbのエミッタは上記トランジ
スタTr1゜Trlのエミッタに夫々接続されている。
The emitters of the transistors Ta and Tb are connected to the emitters of the transistors Tr1 and Trl, respectively.

上記トランジスタTaのコレクタと正の直流電圧電源端
子7との間にはコンデンサCa及び可変抵抗Raが直列
接続されており、同様に、上記トランジスタTbのコレ
クタと電源端子7との間にはコンデンサCb及び可変抵
抗Rbが直列接続されている。
A capacitor Ca and a variable resistor Ra are connected in series between the collector of the transistor Ta and the positive DC voltage power supply terminal 7. Similarly, a capacitor Cb is connected between the collector of the transistor Tb and the power supply terminal 7. and variable resistor Rb are connected in series.

ここで、上記電源端子7よりの電源電圧V。Here, the power supply voltage V from the power supply terminal 7.

0は約0.7ボルト程度である。0 is about 0.7 volts.

また、上記可変抵抗Ra及びRbは発振時定数をそろえ
るため連動とされでいる。
Further, the variable resistors Ra and Rb are linked in order to make the oscillation time constants the same.

更に、上記トランジスタTrlのコレクタは上記トラン
ジスタTr3のベースに接続され、また上記トランジス
タTr2のコレクタは上記トランジスタTr4のベース
に接続されている。
Further, the collector of the transistor Trl is connected to the base of the transistor Tr3, and the collector of the transistor Tr2 is connected to the base of the transistor Tr4.

トランジスタ(インジェクタ)Tj1〜Tj3の各エミ
ッタは上記電源端子7に共通接続されている。
The emitters of the transistors (injectors) Tj1 to Tj3 are commonly connected to the power supply terminal 7.

また、トランジスタTaのベースは可変抵抗Rbとコン
デンサCbとの接続点に接続され、トランジスタTbの
ベースは可変抵抗RaとコンデンサCaとの接続点に接
続されている。
Further, the base of the transistor Ta is connected to the connection point between the variable resistor Rb and the capacitor Cb, and the base of the transistor Tb is connected to the connection point between the variable resistor Ra and the capacitor Ca.

上記可変抵抗Ra、Rb1コンデンサCa、Cbは本実
施例回路をIC化した場合に外付けとなる。
The variable resistors Ra, Rb1 capacitors Ca and Cb are externally attached when the circuit of this embodiment is integrated.

上記構成回路において、その動作は一般の無安定マルチ
バイブレークと略同様である。
In the above configuration circuit, its operation is substantially the same as a general astable multi-by-break.

すなわち、まずトランジスタT がオン、トランジスタ
Tbがオフの状態にある場合、コンデンサCaは抵抗R
aを通して充電されていき、電源電圧■Coまで充電さ
れるとトランジスタTbをオンとし、トランジスタTb
のコレクタ電位は略アースレベルとなり、これと同時に
トランジスタTaがオフとされる。
That is, first, when transistor T is on and transistor Tb is off, capacitor Ca is connected to resistor R.
is charged through a, and when it is charged to the power supply voltage ■Co, it turns on the transistor Tb, and the transistor Tb
The collector potential of T becomes approximately the ground level, and at the same time, the transistor Ta is turned off.

これにより、トランジスタTr1はインジェクタTj1
よりのベース電流を供給されてオンとなり、一方トラン
ジスタTr2はトランジスタTbノオンによりベース電
流が流れずオフとなる。
As a result, the transistor Tr1 becomes the injector Tj1
On the other hand, the transistor Tr2 is turned off due to no base current flowing through it due to the transistor Tb being turned on.

次に、上記と同様にしてコンデンサCbが抵抗Rbを通
して充電されていき、電源電圧■。
Next, the capacitor Cb is charged through the resistor Rb in the same manner as above, and the power supply voltage becomes ■.

0まで充電されるとトランジスタTaはオンとなり、こ
れと同時にトランジスタTbはオフとなる。
When charged to 0, the transistor Ta turns on, and at the same time, the transistor Tb turns off.

従って、トランジスタTr2はインジェクタTj2より
のベース電流を供給されてオンとなり、トランジスタT
riはオフとなる。
Therefore, the transistor Tr2 is turned on by being supplied with the base current from the injector Tj2, and the transistor T
ri is turned off.

以下、同様の動作を繰り返す。Thereafter, the same operation is repeated.

従って、トランジスタTr1.Tr2のコレクタより夫
々互いに逆位相の矩形波がIILゲートG3゜G4を構
成するトランジスタTr 3 j Tr4のベースに夫
々発生し、供給される。
Therefore, transistor Tr1. Rectangular waves having mutually opposite phases are generated from the collector of Tr2 and supplied to the bases of transistors Tr 3 j and Tr4 constituting IIL gates G3 and G4, respectively.

これにより、トランジスタTr3の各コレクタより所望
周期の矩形波が出力端子81,8□、83に導かれる一
方、この矩形波と逆位相の矩形波がトランジスタTr4
の各コレクタより出力端子91,92,93に夫々導か
れる。
As a result, a rectangular wave with a desired period is guided from each collector of the transistor Tr3 to the output terminals 81, 8□, and 83, while a rectangular wave having an opposite phase to this rectangular wave is guided to the transistor Tr4.
are led to output terminals 91, 92, and 93 from each collector.

ここで、上記IILゲートG3.G4は所望の電流利得
を得をために設けられたものであり、本発明の所期の目
的達成のために必ず必要とされるものではない。
Here, the above IIL gate G3. G4 is provided to obtain a desired current gain, and is not necessarily required to achieve the intended purpose of the present invention.

また、第2図に示す発振回路において、上記可変抵抗R
aの抵抗値とコンデンサCaの容量値との積の発振時定
数と、上記可変抵抗Rbの抵抗値とコンデンサCbの容
量値との積の発振時定数とは夫々共に等しい。
Furthermore, in the oscillation circuit shown in FIG. 2, the variable resistor R
The oscillation time constant of the product of the resistance value of a and the capacitance value of the capacitor Ca is equal to the oscillation time constant of the product of the resistance value of the variable resistor Rb and the capacitance value of the capacitor Cb.

また更に、可変抵抗Ra及びRbの抵抗値を夫々互いに
等しい値としつつ可変することにより、出力矩形波の周
期を任意に可変しうる(但し、コンデンサC1,C2の
容量値は夫々等しいものとする)。
Furthermore, by varying the resistance values of the variable resistors Ra and Rb while keeping them equal to each other, the cycle of the output rectangular wave can be arbitrarily varied (provided that the capacitance values of the capacitors C1 and C2 are equal to each other). ).

上述の如く、本発明になる発振回路は、少なくとも、エ
ミッタを共通接続された第1及び第2のマルチコレクタ
トランジスタを有する第1及び第2のIILゲートと、
上記第1及び第2のマルチコレクタトランジスタのベー
スに夫々のコレクタが接続されエミッタが第1及び第2
のマルチコレクタトランジスタのエミッタと共通接続さ
れた第1及び第2のトランジスタと、この第1のトラン
ジスタのコレクタと上記第2のトランジスタのベースと
の間に接続された第1の容量素子と、該第2のトランジ
スタのコレクタと該第1のトランジスタのベースとの間
に接続された第2の容量素子と、上記第1及び第2のト
ランジスタのベースと電源との間に夫々接続された第1
及び第2の抵抗素子とより構成したため、低電力、低電
圧(約0.7ボルト程度)で動作でき、高集積度でIC
化でき、パルス発生回路、パルス変調回路等としても使
用できる等の特長を有するものである。
As described above, the oscillation circuit according to the present invention includes at least first and second IIL gates having first and second multi-collector transistors whose emitters are commonly connected;
The respective collectors are connected to the bases of the first and second multi-collector transistors, and the emitters are connected to the bases of the first and second multi-collector transistors.
first and second transistors commonly connected to the emitter of the multi-collector transistor; a first capacitive element connected between the collector of the first transistor and the base of the second transistor; a second capacitive element connected between the collector of the second transistor and the base of the first transistor; and a first capacitive element connected between the bases of the first and second transistors and the power supply, respectively.
and a second resistor element, it can operate with low power and voltage (approximately 0.7 volts), and is highly integrated.
It has the advantage that it can be used as a pulse generation circuit, a pulse modulation circuit, etc.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の発振回路の1例の具体的回路図、第2図
は本発明になる発振回路の1実施例の具体的回路図、第
3図は第2図に使用されるIILゲ゛−トの1例の基本
回路図である。 T4〜T4・・・NPNトランジスタ、Tj、Tj、〜
Tj4・・・PNP トランジスタ(インジェクタ)、
Tr。 Tr□〜Tr4・・・マルチコレクタNPNI−ランジ
スタ、T8゜Tb・・・NPNトランジスタ、01〜G
4・・・IILゲート。
FIG. 1 is a specific circuit diagram of an example of a conventional oscillation circuit, FIG. 2 is a specific circuit diagram of an embodiment of an oscillation circuit according to the present invention, and FIG. 3 is an IIL gate used in FIG. FIG. 1 is a basic circuit diagram of an example of a gate. T4~T4...NPN transistor, Tj, Tj, ~
Tj4...PNP transistor (injector),
Tr. Tr□~Tr4...Multi-collector NPNI-transistor, T8°Tb...NPN transistor, 01~G
4...IIL gate.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 少なくとも、エミッタを共通接続された第1及び第
2のマルチコレクタトランジスタを有する第1及び第2
のIILゲートと、該第1及び第2のマルチコレクタト
ランジスタのベースに夫々のコレクタが接続されエミッ
タが該第1及び第2のマルチコレクタトランジスタのエ
ミッタと共通接続された第1及び第2のトランジスタと
、該第1のトランジスタのコレクタと該第2のトランジ
スタのベースとの間に接続された第1の容量素子と、該
第2のトランジスタのコレクタと該第1のトランジスタ
のベースとの間に接続された第2の容量素子と、該第1
及び第2のトランジスタのベースと電源との間に夫々接
続された第1及び第2の抵抗素子とより構成したことを
特徴とする発振回路。
1 At least first and second multi-collector transistors having first and second multi-collector transistors whose emitters are commonly connected
and first and second transistors whose respective collectors are connected to the bases of the first and second multi-collector transistors and whose emitters are commonly connected to the emitters of the first and second multi-collector transistors. and a first capacitive element connected between the collector of the first transistor and the base of the second transistor, and the collector of the second transistor and the base of the first transistor. a connected second capacitive element;
and first and second resistance elements connected between the base of the second transistor and a power supply, respectively.
JP50131049A 1975-10-31 1975-10-31 Hatsushin Cairo Expired JPS5826694B2 (en)

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JPS5242051A JPS5242051A (en) 1977-04-01
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3226705A (en) * 1963-10-04 1965-12-28 Kaufman Paul Miniature alarm

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3226705A (en) * 1963-10-04 1965-12-28 Kaufman Paul Miniature alarm

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Publication number Publication date
JPS5242051A (en) 1977-04-01

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