JPS582549A - 電気湯沸器 - Google Patents
電気湯沸器Info
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- JPS582549A JPS582549A JP10204881A JP10204881A JPS582549A JP S582549 A JPS582549 A JP S582549A JP 10204881 A JP10204881 A JP 10204881A JP 10204881 A JP10204881 A JP 10204881A JP S582549 A JPS582549 A JP S582549A
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- coil
- heating
- water heater
- heater
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
- F24H—FLUID HEATERS, e.g. WATER OR AIR HEATERS, HAVING HEAT-GENERATING MEANS, e.g. HEAT PUMPS, IN GENERAL
- F24H1/00—Water heaters, e.g. boilers, continuous-flow heaters or water-storage heaters
- F24H1/10—Continuous-flow heaters, i.e. heaters in which heat is generated only while the water is flowing, e.g. with direct contact of the water with the heating medium
- F24H1/101—Continuous-flow heaters, i.e. heaters in which heat is generated only while the water is flowing, e.g. with direct contact of the water with the heating medium using electric energy supply
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明の目的は、ガス加熱によらずに流水をあたためる
電気加熱方式の瞬間湯沸器に関する。
電気加熱方式の瞬間湯沸器に関する。
まず、高周波誘導加熱による湯沸器について説明する。
高周波磁界により、材料が加熱される理由にヒステリシ
ス損によるものと、うず電流損によるものとが存在する
ことは良く知られている。
ス損によるものと、うず電流損によるものとが存在する
ことは良く知られている。
効率よく高周波電力により加熱するには、うず電流損に
よる方式が優れている。うず電流横加熱方式でも、材料
の表皮深さと導電材料の半径ａとの関係で、加熱され方
が変化する。ただし。
よる方式が優れている。うず電流横加熱方式でも、材料
の表皮深さと導電材料の半径ａとの関係で、加熱され方
が変化する。ただし。
式（１）で、ｆは周波数、μは透磁率、へは導電率であ
る。簡単のために９円筒型コイル中に、半径ａの円筒導
電材料が挿入されたときのことを考える。半径ａが２表
皮深さｄ８より小さいときの１円筒状導電体１ｍ当りに
発生する電力は。
る。簡単のために９円筒型コイル中に、半径ａの円筒導
電材料が挿入されたときのことを考える。半径ａが２表
皮深さｄ８より小さいときの１円筒状導電体１ｍ当りに
発生する電力は。
Ｐ ” ｔｈ” ａ’ｏ−ｆ” ／ｙがＩ”ＸＩＯ″’
（Ｗ／ｍ ） （２）である。一方、半径ａが表皮
深さくＬｓにくらべて十分短くなったときには（たとえ
ば１／１０以下）。
（Ｗ／ｍ ） （２）である。一方、半径ａが表皮
深さくＬｓにくらべて十分短くなったときには（たとえ
ば１／１０以下）。
ア＝４３・−μ）％ｏ・。・８、。−・。Ｗ／ｍ）
（３）とな不。ただし、ｆは周波数、μｒは導電体の比
透磁率、ｎはコイルの１ｍ当りの巻数、工はコイルを流
れる電流である。
（３）とな不。ただし、ｆは周波数、μｒは導電体の比
透磁率、ｎはコイルの１ｍ当りの巻数、工はコイルを流
れる電流である。
式（２）の場合には９円筒導体に入る電力は、〜。
μｒ４． ｎ”、 工１に比例する。この２つの特性
を分ける臨界周波数ｆｃは。
を分ける臨界周波数ｆｃは。
１．２８５Ｘ１０’
ｆｃ＝７品７ （Ｈり （４）で見られる。
導電体のμｒ、 ｏ−及びａが決まれば。
ｆｃは決定する。ｆｃは、μｒ、ａ、ｏ−が大きい程低
くなる。ａ＝ ３ ｍｍのとき、銅、及びｒ鉄のｆｃは
、それぞれ＋ ２．３ＫＨｚ及び３３０ＫＨ２となる。
くなる。ａ＝ ３ ｍｍのとき、銅、及びｒ鉄のｆｃは
、それぞれ＋ ２．３ＫＨｚ及び３３０ＫＨ２となる。
周波数変化に対して鈍めなこと、及び周波数が高い程、
導体の発生電力が大きいことから、臨界周波数以上のと
ころで加熱する方が有利なことが多い。
導体の発生電力が大きいことから、臨界周波数以上のと
ころで加熱する方が有利なことが多い。
内筒型コイル沖に挿入される導電体が／Ｚイブ（内径２
ａｔ外径２ｂ）の時の電力は。
ａｔ外径２ｂ）の時の電力は。
となる。
ところで９通常各家庭で水道・とじて使う水の量は＊
５０ ＣＣ／ｓｅｃから１００ ＣＧ／８＠Ｃ穆度であ
る。
５０ ＣＣ／ｓｅｃから１００ ＣＧ／８＠Ｃ穆度であ
る。
単位時間当りの水量Ｖ１ｙ （ＣＣ／Ｂ＠Ｑ ）を１Δ
Ｔ（’Ｃ）昇温するに要する電力Ｐｗは。
Ｔ（’Ｃ）昇温するに要する電力Ｐｗは。
ｐ、 ＝ ４．１ ｇｖ、ΔＴ（Ｗ）、 （６）
流水を瞬時的にあたためるためＫは、相当の電力が必要
になる。通常、各家庭の最大許容電力は、’３〜２５ｉ
ｃｗ程度であるから＋ Ｖｙ＝＝５９ ＣＣ／ｓｅａの
流水をｌθ℃程度昇温できる程度である。したがって、
比較的高い水温を使用する要求があるときに社、夜間電
力を使りである程度の温度に上げた水を貯水しておいて
、使用時に１０〜２０℃穆度昇温して使う方式が適して
いる。水量を減少すれば昇一温度は高くなる。もちろん
、大型共同住宅や、大型ピル、地下街などの各ユニット
の最大許容電力を大きくしてお叶ば９本発明の高周波誘
導加熱方式の瞬間湯沸器によるＩｌ変ヒ昇を高（シ、水
量を名らに多くすることかで舞る。
流水を瞬時的にあたためるためＫは、相当の電力が必要
になる。通常、各家庭の最大許容電力は、’３〜２５ｉ
ｃｗ程度であるから＋ Ｖｙ＝＝５９ ＣＣ／ｓｅａの
流水をｌθ℃程度昇温できる程度である。したがって、
比較的高い水温を使用する要求があるときに社、夜間電
力を使りである程度の温度に上げた水を貯水しておいて
、使用時に１０〜２０℃穆度昇温して使う方式が適して
いる。水量を減少すれば昇一温度は高くなる。もちろん
、大型共同住宅や、大型ピル、地下街などの各ユニット
の最大許容電力を大きくしてお叶ば９本発明の高周波誘
導加熱方式の瞬間湯沸器によるＩｌ変ヒ昇を高（シ、水
量を名らに多くすることかで舞る。
鉄パイプで内径６ｍｍ、外径８ｍｍのちのに、３ｍｍφ
の電肯をコイルとして巻きつけた状轢で周波数ｆを１０
０ＫＨ２とすると式（句よりＰ ＜＝ ４０ Ｘ Ｉ
’ Ｗ ／ ｍ −（ηとな抄、電流工をＩＯ
Ａとすれば４ｘｗの加熱が行える。ｆ ＝ ５０ＬＨ，
とすると Ｐ中１０ＸＩ” Ｗ／ｍ Ｋとなり、工＝
２ＯＡで４ＫＷの加熱が行える。工＝３ＯＡとすればｇ
ｘｗと吟うことになる。
の電肯をコイルとして巻きつけた状轢で周波数ｆを１０
０ＫＨ２とすると式（句よりＰ ＜＝ ４０ Ｘ Ｉ
’ Ｗ ／ ｍ −（ηとな抄、電流工をＩＯ
Ａとすれば４ｘｗの加熱が行える。ｆ ＝ ５０ＬＨ，
とすると Ｐ中１０ＸＩ” Ｗ／ｍ Ｋとなり、工＝
２ＯＡで４ＫＷの加熱が行える。工＝３ＯＡとすればｇ
ｘｗと吟うことになる。
通常、各家庭などに引かれている電力源昧。
１００ Ｖ テＩ ル。１００Ｖｔｅｌｌ整流すれば。
２＠ＯＶの直流電源が得られるから、たとえば。
電源２１０ Ｖで、電流２０ムというように動作させれ
ばよいことになる。
ばよいことになる。
以上で議論した値は、１ｍ長さの出力である。
したがって、全長をもっと長くすればもっと出力は取れ
るわけである。３ｍｍφの太さの線を外径’１ｍｍのパ
イプに巻いた場合の１ｍ当りのインダクタンスは２通常
の円筒コイルのインダクタンスの式 より求められる。Ｋは長岡係数である。略々１１μ≠
となる。
るわけである。３ｍｍφの太さの線を外径’１ｍｍのパ
イプに巻いた場合の１ｍ当りのインダクタンスは２通常
の円筒コイルのインダクタンスの式 より求められる。Ｋは長岡係数である。略々１１μ≠
となる。
本発明の高周波誘導加熱方式の瞬間湯沸器の加熱部の実
施例を第３図に示す。パイプ１２．コイル１３．に水１
１が流れ込み、！！導加熱であたためられて流れ出てく
る。第３図では、１７〜１８ｃｍ程度の長さにパイプを
折りまげて構成されてお秒、略々全長１ｍになっている
。平面的な大きさで、１５Ｘ２０ｃｄ程度にすることが
できる。
施例を第３図に示す。パイプ１２．コイル１３．に水１
１が流れ込み、！！導加熱であたためられて流れ出てく
る。第３図では、１７〜１８ｃｍ程度の長さにパイプを
折りまげて構成されてお秒、略々全長１ｍになっている
。平面的な大きさで、１５Ｘ２０ｃｄ程度にすることが
できる。
成すればよい。すなわち、水の流れの入口と出口を第４
図のように接近させて構成する。磁束１４は殆んど外部
に漏れずに、すべての磁束が有効に加熱に使われること
になる。
図のように接近させて構成する。磁束１４は殆んど外部
に漏れずに、すべての磁束が有効に加熱に使われること
になる。
家庭で使うことを考えると、１００Ｖの直接整流あるい
は倍電圧整流の１４０ Ｖ 、あるいは２８０Ｖの電源
を使い数１ＯＡの電流高周波電流を流して加熱すること
になるから、高周波発振を行う半導体デバイスから見る
ときわめて低インピーダンスの駆動になる。パイプ加熱
部を一つのコイルで駆動するのでは、インダクタンスが
大きくなりすぎて、高−波電流を十分流せないという場
合には、コイルを複数個に分けて並列に接続すればよい
。コイルをｎ個に分けて、並列接続にすれば２．全部を
１つのコイルにした場合のとが重要でおる。第５図の例
では２分離されたコイル２１． ２２がそれぞれ同じ向
きに巻かれているから、並列接続する時には、２３と２
５．２４と２６をそれぞれ接続する。各コイルの端子が
離れていて接続しにくいという時には、コイル２にと２
２の巻く向きを逆にすればよＭｏその時には、２４と２
５’、２３°と２６を接続することになる。
は倍電圧整流の１４０ Ｖ 、あるいは２８０Ｖの電源
を使い数１ＯＡの電流高周波電流を流して加熱すること
になるから、高周波発振を行う半導体デバイスから見る
ときわめて低インピーダンスの駆動になる。パイプ加熱
部を一つのコイルで駆動するのでは、インダクタンスが
大きくなりすぎて、高−波電流を十分流せないという場
合には、コイルを複数個に分けて並列に接続すればよい
。コイルをｎ個に分けて、並列接続にすれば２．全部を
１つのコイルにした場合のとが重要でおる。第５図の例
では２分離されたコイル２１． ２２がそれぞれ同じ向
きに巻かれているから、並列接続する時には、２３と２
５．２４と２６をそれぞれ接続する。各コイルの端子が
離れていて接続しにくいという時には、コイル２にと２
２の巻く向きを逆にすればよＭｏその時には、２４と２
５’、２３°と２６を接続することになる。
これまで、水を流す鉄、銅、ステンレス等の導電性のパ
イプに直接コイルを巻きつける例について述べたが、コ
イル自身があたたまることが不都合な場合、。には、導
電体パイプとコイルの間に断熱性の膜を巻けばよいし、
耐熱性の断熱塗料をパイプにｆｌｌ−ｚておいてもよい
。
イプに直接コイルを巻きつける例について述べたが、コ
イル自身があたたまることが不都合な場合、。には、導
電体パイプとコイルの間に断熱性の膜を巻けばよいし、
耐熱性の断熱塗料をパイプにｆｌｌ−ｚておいてもよい
。
第３図乃□至′第５図の例では、水の流れているパイプ
の外周に沿って、連続的にコイルを巻いて高周波皐加熱
する装道について述べたが、平板型コイルによる加熱も
行える。すなわち、中心から外側に向って電球を平板上
に同心円状にぐるぐる巻いたコイルである。第６図で２
周囲ろん、こうした高周波で加熱するようなコイルに使
う電線は２表皮効果のことを考えて１表皮深さと略々同
程度かもしくは、それより細い銅線のより合わせたもの
を使用する。磁束φは矢印の向きにできる。このような
平板状コイルの上下に水の流れている導電体で作られた
容器を設ければ、加熱が行える。第７図にその例を示す
。同心円状に巻かれた平板コイル４１．４２の上下に、
この平板コイルよりやや大きい円板状の水の流れる鉄、
銅、ステンレス等導電体で作られた容器４３．４４．４
５を設け、水が連続的に流れるようにパイプ４６．４７
で接続されている。
の外周に沿って、連続的にコイルを巻いて高周波皐加熱
する装道について述べたが、平板型コイルによる加熱も
行える。すなわち、中心から外側に向って電球を平板上
に同心円状にぐるぐる巻いたコイルである。第６図で２
周囲ろん、こうした高周波で加熱するようなコイルに使
う電線は２表皮効果のことを考えて１表皮深さと略々同
程度かもしくは、それより細い銅線のより合わせたもの
を使用する。磁束φは矢印の向きにできる。このような
平板状コイルの上下に水の流れている導電体で作られた
容器を設ければ、加熱が行える。第７図にその例を示す
。同心円状に巻かれた平板コイル４１．４２の上下に、
この平板コイルよりやや大きい円板状の水の流れる鉄、
銅、ステンレス等導電体で作られた容器４３．４４．４
５を設け、水が連続的に流れるようにパイプ４６．４７
で接続されている。
容器４３．４４．４５の導電体の厚さ紘、略々表皮深さ
と同程度か、それよ抄厚く表されている。
と同程度か、それよ抄厚く表されている。
こうなされていれば、平板コイルで作られた磁束は、こ
の導電体内部を円の中心から外側に向って放射状に向っ
て分布することになる。平板コイルの外園に漏れる磁束
が外部に影響して不都傘な場合には平板容器の間で、平
板コイルの外側に７−ライトなどの磁性体を設ければ上
い。
の導電体内部を円の中心から外側に向って放射状に向っ
て分布することになる。平板コイルの外園に漏れる磁束
が外部に影響して不都傘な場合には平板容器の間で、平
板コイルの外側に７−ライトなどの磁性体を設ければ上
い。
フェライトは、外周全部に設けてもよいし、外周の所定
の個所に略々対称の位置に、複数個設けてもよい。
の個所に略々対称の位置に、複数個設けてもよい。
第７図の例では、平板コイルを２個設けた例を示したが
、１段でもまた３段以上のつ段でもよいことはいうまで
もない。必要とする水量と。
、１段でもまた３段以上のつ段でもよいことはいうまで
もない。必要とする水量と。
温度に応じて決めればよい。当然のことながら。
上昇温度が高く、かつ水量が多い場合には１段数を多く
する。第７図の場合でもコイル自身があたたまることを
防ぐには、コイルと容器の間に断熱材を設ければよい。
する。第７図の場合でもコイル自身があたたまることを
防ぐには、コイルと容器の間に断熱材を設ければよい。
これまで、水の加熱部について述べてきたか−。
高周波電力発生部を次に述べることにする。使用する半
導体デバイスは、大電力用に適している静電誘導トラン
ジスタ（Ｓ工Ｔ）あるいは静電誘導サイリスタ（Ｓエサ
イリスタ）が好適でえる。とくに−１高速゛スイツチン
グが行え、導通−時の順方向降下電圧の小さいＳ：エサ
イリ、スタが適している。もちろん、他のサイリスタ、
バイポーラトランジスタ（絶縁ゲート型）電界効果トラ
ンジスタでも目的によっては使用することができる。
導体デバイスは、大電力用に適している静電誘導トラン
ジスタ（Ｓ工Ｔ）あるいは静電誘導サイリスタ（Ｓエサ
イリスタ）が好適でえる。とくに−１高速゛スイツチン
グが行え、導通−時の順方向降下電圧の小さいＳ：エサ
イリ、スタが適している。もちろん、他のサイリスタ、
バイポーラトランジスタ（絶縁ゲート型）電界効果トラ
ンジスタでも目的によっては使用することができる。
Ｓエサイリスタを用いた高周波発生回路の一例を第８図
に示す。ＡＣ電源、たとえば１００ｖ入力電源がスイッ
チＳを通して、ダイオード病。
に示す。ＡＣ電源、たとえば１００ｖ入力電源がスイッ
チＳを通して、ダイオード病。
Ｄ、、Ｄ暑、ＤＩを用いた整流回路に導かれ、 Ｃ１，
Ｌｌｌダグ行う場合には、シ璽、トキダイオードにする
。Ｃｊｐｉ Ｒ３はサージ電圧吸収用である。インダク
タンスＬが、水を加熱するコイルであり。
Ｌｌｌダグ行う場合には、シ璽、トキダイオードにする
。Ｃｊｐｉ Ｒ３はサージ電圧吸収用である。インダク
タンスＬが、水を加熱するコイルであり。
コンデンサＣは、共振用の容量である。Ｌがたとえば１
０μＨであれば、共振周波数を１ＯＯＫＨ２ある。５１
は水の流れているパイプである。トランスＴから電圧を
取って所望の電圧を発生させ、ＳエサイリスタＱ＋のゲ
ートに加える励起用パルス発生回路を作成゛する。Ｃ１
は高周波接地用コンデンサである。加熱温度設定や起動
回路等はすべてゲートパルス発生回路に接続して設ける
ことになる。 ″ 方ソード、アノード間距離４０μｍ、チップ面積５”Ｘ
２０ ｒｒＬｍ’、埋込みゲート型′Ｓエサイリス’
Ｒで１′順方向阻止電圧４’ＯＯＦ、平均アノード電流
５゜Ａ＋５０Ａめアンード電流のター゛ンオフ時間０・
１〜０・２μｓｄｃの８エサイリスタで１００ ＫＨ，
の発生回路を構成し、パイプ外径８ ｍｍ 、内径６ｍ
ｍのパイプに３ｍｍφのより線を１ｍに亘って巻いた加
熱装置で、高周波発生回路に入っている電力Ｐと５０．
ＣＣ；／５ｃｉｃの水′の上昇温度ΔＴの関係を第９図
に示す。５ＫＷ入力で１７℃、６ＫＷ入力で２０℃の温
度上昇が認められる。
０μＨであれば、共振周波数を１ＯＯＫＨ２ある。５１
は水の流れているパイプである。トランスＴから電圧を
取って所望の電圧を発生させ、ＳエサイリスタＱ＋のゲ
ートに加える励起用パルス発生回路を作成゛する。Ｃ１
は高周波接地用コンデンサである。加熱温度設定や起動
回路等はすべてゲートパルス発生回路に接続して設ける
ことになる。 ″ 方ソード、アノード間距離４０μｍ、チップ面積５”Ｘ
２０ ｒｒＬｍ’、埋込みゲート型′Ｓエサイリス’
Ｒで１′順方向阻止電圧４’ＯＯＦ、平均アノード電流
５゜Ａ＋５０Ａめアンード電流のター゛ンオフ時間０・
１〜０・２μｓｄｃの８エサイリスタで１００ ＫＨ，
の発生回路を構成し、パイプ外径８ ｍｍ 、内径６ｍ
ｍのパイプに３ｍｍφのより線を１ｍに亘って巻いた加
熱装置で、高周波発生回路に入っている電力Ｐと５０．
ＣＣ；／５ｃｉｃの水′の上昇温度ΔＴの関係を第９図
に示す。５ＫＷ入力で１７℃、６ＫＷ入力で２０℃の温
度上昇が認められる。
こうした、大電力の発生を行う場合には、Ｓエサイリス
タ、８工Ｔ等の半導体デバイス内部にも、内部損失があ
って、半導体デバイス自身の温度も上昇する。本発明の
よ”うに、水の温度を上げるために大電力発生器が使わ
れている場合には、半導体デバイスを水の上流側に接着
して、未だ温度が高くなっていない水で、半導体デバイ
スを冷却すれば、半導体デバイス自身は効率よく冷却さ
れ、その熱は水に伝えられて。
タ、８工Ｔ等の半導体デバイス内部にも、内部損失があ
って、半導体デバイス自身の温度も上昇する。本発明の
よ”うに、水の温度を上げるために大電力発生器が使わ
れている場合には、半導体デバイスを水の上流側に接着
して、未だ温度が高くなっていない水で、半導体デバイ
スを冷却すれば、半導体デバイス自身は効率よく冷却さ
れ、その熱は水に伝えられて。
きわめて効率のよい水の加熱が行える。−例を第１０図
に示す。Ａ１やＣｕのブロック６１に水、を流すバイブ
ロ２が設けられ、その上に絶縁物Ｇスペーサ６５を介し
て、たとえばＴＯ−３ジヤンボのパッケージにおさめら
れた半導体デバイスが設けられている。６４は、Ｔｏ−
３ジヤ／自身はある程度あたためられることになる。
に示す。Ａ１やＣｕのブロック６１に水、を流すバイブ
ロ２が設けられ、その上に絶縁物Ｇスペーサ６５を介し
て、たとえばＴＯ−３ジヤンボのパッケージにおさめら
れた半導体デバイスが設けられている。６４は、Ｔｏ−
３ジヤ／自身はある程度あたためられることになる。
これまで、高周波誘導・加熱で水をあたためる例につい
て述べてきたが、電力によ抄本をあたためるためには、
必ずしも高周波誘導加熱による必要はない。いずれにし
ても、水の流れている管壁をなんらかの手段であたため
ればよいのである。
て述べてきたが、電力によ抄本をあたためるためには、
必ずしも高周波誘導加熱による必要はない。いずれにし
ても、水の流れている管壁をなんらかの手段であたため
ればよいのである。
加熱用によく使用されるニクロム線の抵抗率は、 Ｎｉ
、 Ｃｒ、 Ｆ’ｓ、 Ｍｎ等の含有率にもよるが、略
々１０″Ω二命程度である。外径８ｍｍ程度の銅パイプ
の外周を絶縁被覆したものに、３Ｘ１ｍｍ断面積のニク
ロムリボンを４ｍｍピッチで１ｍに亘って巻けば、抵抗
２．３５Ω程度になり、１００Ｖ高用電源の駆動で４Ｋ
Ｗ程度の電力入力となる。ニクロム線からの熱が外部に
洩れないようにニクロム線の周囲を絶縁性の断熱材で囲
んでおくことが有効である。ここでリボン状のニクロム
線ヲ用いたの社、水の流れているパイプの外壁に熱がよ
く伝わるようにするためである。もちろん円形の線でも
よい。
、 Ｃｒ、 Ｆ’ｓ、 Ｍｎ等の含有率にもよるが、略
々１０″Ω二命程度である。外径８ｍｍ程度の銅パイプ
の外周を絶縁被覆したものに、３Ｘ１ｍｍ断面積のニク
ロムリボンを４ｍｍピッチで１ｍに亘って巻けば、抵抗
２．３５Ω程度になり、１００Ｖ高用電源の駆動で４Ｋ
Ｗ程度の電力入力となる。ニクロム線からの熱が外部に
洩れないようにニクロム線の周囲を絶縁性の断熱材で囲
んでおくことが有効である。ここでリボン状のニクロム
線ヲ用いたの社、水の流れているパイプの外壁に熱がよ
く伝わるようにするためである。もちろん円形の線でも
よい。
ここでは、ニクロム線のリボンや線を用いたヒータの例
について述べたが、水を加熱するのであるから、ヒータ
自体の温度もそれ程高くは渠 ならない。たかだか高くなって数１０℃から数１００℃
である。したがって、必ずしもニクロム線を使う必要杜
ない。抵抗率が高い他の合金でもよいし、耐熱性のある
合成ゴムや樹析中に金属粉やカーボン粉をまぜた抵抗体
でもよい。流れている水との絶縁が保たれ゛るようにし
て、水を流すパイプ自身をこうした抵抗性材料で作って
、直接パイプに電流を流して加熱することもできる。
について述べたが、水を加熱するのであるから、ヒータ
自体の温度もそれ程高くは渠 ならない。たかだか高くなって数１０℃から数１００℃
である。したがって、必ずしもニクロム線を使う必要杜
ない。抵抗率が高い他の合金でもよいし、耐熱性のある
合成ゴムや樹析中に金属粉やカーボン粉をまぜた抵抗体
でもよい。流れている水との絶縁が保たれ゛るようにし
て、水を流すパイプ自身をこうした抵抗性材料で作って
、直接パイプに電流を流して加熱することもできる。
また、第１１図のように水７３を流すパイプ７１中にニ
クロム線などの抵抗体によるヒータ７２を外側を絶縁被
覆して挿入することも有効である。この例では、′ヒー
タ７３の周囲は殆んど完全に水によっておおわれること
になって。
クロム線などの抵抗体によるヒータ７２を外側を絶縁被
覆して挿入することも有効である。この例では、′ヒー
タ７３の周囲は殆んど完全に水によっておおわれること
になって。
ヒータと水との熱交換効率がきわめてよいことになる。
水の流れＬ管壁より中心はど速いから。
ヒｉりは水の流速の速くなる部分に有効に配置する。パ
イプの全長は、たとえば、１ｍとか所定の長さにする。
イプの全長は、たとえば、１ｍとか所定の長さにする。
中に入れるヒータの太さ及び長さも電源に合わせてもめ
る。
る。
水の昇温速度を速くするためには、スイッチ投入後のわ
ずかな時間だけ入る電力が大きいことが望ましい。商用
電源で直接加熱する場合であれば、１ｍ長さのパイプに
連続的に巻いていたニクロム線を中央で２つに分けてお
いて、最初短時間だけ並列接続にして電流を流せばよい
。
ずかな時間だけ入る電力が大きいことが望ましい。商用
電源で直接加熱する場合であれば、１ｍ長さのパイプに
連続的に巻いていたニクロム線を中央で２つに分けてお
いて、最初短時間だけ並列接続にして電流を流せばよい
。
こうすると、抵抗値が０．５９ΩになるからＺｏｏ Ｖ
電源で１７ ＫＷの電流が入ることになる。しばらくし
て、接続をもとの直列接続に戻せばよい。
電源で１７ ＫＷの電流が入ることになる。しばらくし
て、接続をもとの直列接続に戻せばよい。
あるいは、商用電源にサイリスタの制御部を設けて、実
効的に加わる電圧を制御してもよい。
効的に加わる電圧を制御してもよい。
その時には、ニクロム線の抵抗をあらかじめ小さくして
おく。たとえば１Ωにしておけば。
おく。たとえば１Ωにしておけば。
１００ Ｖ ｆ ｌＱ’Ｋ”ｌＦ 、 ８゛ＯＶ テロ
、４ ＫＷということになる。
、４ ＫＷということになる。
高周波誘導加熱の場合には、ゲートパルスの位相を、ス
イッチ投入後は十分に電流が流れるように設定しておい
て、しばらくしてからゲートパルスの位相を遅らせて流
れる電流を減少さイイ、い。゛ て、゛使用開呻当初からあたたかい水を得るためには、
最初は水量を少なく、シておく方が誓い。
イッチ投入後は十分に電流が流れるように設定しておい
て、しばらくしてからゲートパルスの位相を遅らせて流
れる電流を減少さイイ、い。゛ て、゛使用開呻当初からあたたかい水を得るためには、
最初は水量を少なく、シておく方が誓い。
また、使用頻度が多い所では、水を使用していない時に
、水を循環させておいて、加熱電力を低下させておいで
ある程度の温度に予備加熱しておく。水を使用し始める
ときに社、加熱電力を正規の電力に上昇すればよい。
、水を循環させておいて、加熱電力を低下させておいで
ある程度の温度に予備加熱しておく。水を使用し始める
ときに社、加熱電力を正規の電力に上昇すればよい。
配がまったくな≦１．大型共同住宅や、大型ビル。
地下街などで使、用するのに、最適であ、る。高周波１
−４′ 加熱用のコイルと被加熱導電体１ｍ１Ｋ：、、導電体が
存在しなければ、非導電性材料で作られた容器の中に設
けられた。導電体部分だけ２を加熱できるこ□とになる
。たとえば、高圧がｊｔ＋中の所定の個所だけを加熱す
ることができる。あ□る゛いは。
−４′ 加熱用のコイルと被加熱導電体１ｍ１Ｋ：、、導電体が
存在しなければ、非導電性材料で作られた容器の中に設
けられた。導電体部分だけ２を加熱できるこ□とになる
。たとえば、高圧がｊｔ＋中の所定の個所だけを加熱す
ることができる。あ□る゛いは。
減圧状態に：なされた容器中の所定の個所だ−は加熱す
ること□もできる。もちろん、加熱され゛るものは水だ
けに限られ・るわけではな゛い。、薬：品プも′ぐ このように９本発、明の湯沸器は、その用途が広く、工
業的価値は高′い。
ること□もできる。もちろん、加熱され゛るものは水だ
けに限られ・るわけではな゛い。、薬：品プも′ぐ このように９本発、明の湯沸器は、その用途が広く、工
業的価値は高′い。
第１図は円筒導体に消貴される電力Ｐの周波数ｆ依存・
性、第２図は水の昇温に必要な所要電力Ｐｗの水量Ｖｗ
依存性、第３図及び第４図は高周波誘導加熱部、第５図
はμイルを複数個に分けた場合の高周波誘導加熱部、第
６図は平板状コイル、第７図は高周波銹導加熱部、第８
図は（ ８エサイリスタを用いた高周波発生回路、第９図は入力
電力と上昇温度の関係、第１０図は半導体デバイスマウ
ント部″ｔ’ （ａ）は平１図、（ｂ）は断面図、第１
１図は直熱方式加熱部である。 −７図 露１ｖｔｒ ＊４ｇ ｚ、９ ２４２ｆ 。 畷５− 舘〆図 手 続 補 正 書 昭和５６年 ９月２６日 １、事件の表示 昭和５６年特許願第１０２０４８号２
発明の名称 電気湯沸器 ３ 補正をする者 特許出願人 ４ 補正の対象 ［明細書の特許請求の範囲の欄」。 ′ 「明細書の発明の詳細な説明の欄」
「明細嘗め図面の簡単な説明の欄」 「図面１ｕｒ図乃至第１２図、第 （υ ） Ｃｂ ） 〃 喀〃図 する。 （３）図面第１３図及び第１４図を添付図面の如（追加
する。 ６、添付書類の１鎌 （１）図 面 １通 □ １発明の名称 電気湯沸器 ２特許請求の範囲 （１）水の流れる容器に薄い絶縁体を介して、抵抗体よ
りなるビー２夕もしくは導電体よりなるコイルからなる
電気加熱部を備え前記電気加熱部に半導体デバイスを含
むことを特徴とする電気湯沸器。 （２）前記水の流れ′４ｒ−容器の少なくとも一部が導
電体より形成されており、前記導電体より形成される水
の流れている容器に絶縁層を介して、円筒型もしくは平
板型コイルが密着して設けられており、前記コイルが半
導体デバイスにより構成される高周波発振器の出方端子
に接続されていることを特徴とする特許 の範囲第１項記載の電気湯沸器。 （３）前記高周波発振器を構≠する半導体デバイスが、
前記水の流れの上流側の所定の個所に薄い絶縁体を介し
て密接して設けられたことを特徴とする前記特許請求の
範囲第１項乃至第２項記載の電気湯沸器。 （４）前記ヒータが水ｉｉ容器の内部に設けられており
、直接水と熱女換するべく配置したことを．特徴とする
前記特許請求の範囲第ｌ項記載の電気湯沸器。
゛ ３、発明の詳細な説明 本発明は、電気加熱による瞬間湯沸器に関する。
゛・′ ガス加熱方式瞬間湯沸器は、水を流し始めて、すなわち
ガス点火後比較的短い時間で、たとえば２０℃〜５０″
０程度に流゛れ出′る水の温度が上り、大変！利な装置
と（て、醜に多くの家庭や営業用に使われている。
一しかし、最近のように大型の共□同住宅やビ
ルまた地下街等が多くなって，こうしたビルや地下街の
あらゆる場所：ｃ−努ス□力；使ゎれると、ガス洩れが
あったときに非常に大きな事．故を′起すこ瞬間湯沸器
のように多量のガスを使う機器がｊいと、ガス洩れ、不
完全燃焼時の事故の被害が太き《なる。瞬間湯沸器が有
用であることはすでに実証ずみである。したがって、ガ
スによらない瞬間湯沸器の出現が望まれることになる。 ガスによらない加熱方法としては電気的な加熱手段を採
るのが最も妥当である。しかも、安全性や効率を考慮す
れば、固体素子を用いた温度制御回路付の電気加熱方式
が適している。 本発明の目的は、ガス加熱によらずに流水をあたためる
固体素子を用□いた電気，加熱方式の瞬間湯沸器に関す
る。瞬間湯沸器で問題となるのは応答性゛と効率である
。特に電気的加熱方式の場合、発熱部分と被加熱体との
構造及び発熱部分の効率の２点が重要である。 応答性を良くするなめには発熱部分が被加熱体と直かに
もしく！マ薄い絶縁物を介して接して 。 いることが好ましいし、効率よい加熱手段としては、固
体素子を温度制御装置付加熱電源として用いるのが適し
ている。固体素子も効率、安全性等を考えあわせると最
近開発された静電誘導サイリスタが最適である。 以下に１発熱部分と被加熱体との構造及び固体素子を用
いた加熱電源を中心として本願発明について具体的忙説
明する。 まず、高周波誘導加熱による湯沸器忙ついて説明する。 高周波磁界により、材料が加熱される理由にヒステリシ
ス損によるものと、５ず電流積によるものとが存在する
ことは良く知られている。 効率よく高周波電力により加熱するには、うず電流積に
よる方式が優れている。うず電流横加熱方式でも、材料
の表皮深さｄ８と導電材料の半径ａとの関係で、加熱さ
れ方が変化する。ただし、式（１１で、ｆは周波数、μ
は透磁率、σは導電率である。簡単のために、円筒型コ
イル中に、半径ａの円筒導電材料が挿入されたときのこ
とを考える。半径ａが、表皮深さｄ より小さいときの
、円筒状導電体１ｍ当りに発生する電力は、 ｐ ＝８＋ｒ’ａ’ｅ／”ａ”ｒｎＪ”Ｘ１０−” （
ｗ／ｍ）（２）である。一方、半径ａが表皮深さｄ に
くらべて十分短くなったときには（たとえば１／１０以
下）、 ｐ ＝４ π２ａ （−’Ｊ’） Ｍ ｎ” Ｉ”Ｘ１
Ｏ−’ （Ｗ／ｍ） （３）とＩろ、Ｔで１Ｃ″し−ｆ
ＬＺＩＷＩｉ９Ｋ、）’ｒｌｌ導電体の比透磁率、ｎは
コイルの１ｍ当りの巻数、■はフィルを流れる電流であ
る。 式（２）の場合には、円筒導体に入る電力は、σ、Ｉ２
、μｒ′、Ｉ２、Ｉ２に比例し、式（１）では、σ−ｉ
。 ｊ Ｌ ｈ２ 、 、２ に比例する。この２つ
の特ｆ２、μ、２・ 性を分ける臨界周波数ｆｃは。 でえられる。導電体のＩ４、σ及びａが決まれば、ｆｃ
は決定する。ｆｏは、Ｉ４、ａ、σが大きい程低くなる
。ａ＝３１１ＩＩＩＩのとき、銅、及びｒ鉄のｆｃは、
それぞれ、２．３に’Ｈ及び３３０ＫＨ，となる。 周波′数置化に対して鈍感なこと、及び周波数が高い程
、導体の発生電力が大−きいことから、臨界周波数以上
のところで加熱する方が有利なことが多い。 円筒型コイル中に挿入される導電体がパイプ（内径２ｍ
、外径２ｂ）の時の電力は、（５） となる。 ところで、通常各家庭で水道として使う水の量は、５０
ｃ ｅ ／ ｓ ａ ｅから１００ｃｃ／ｓｅｅ程度
である。単位時間当りの水量Ｖ （ｃｃ／５ｅｅ）を
。 △ｒ（’Ｃ）昇温するに！’する電力ＰＷは、ＰＷ＝４
．１８Ｖ、△Ｔ （Ｗ） （６）で与えら
れる（＊２図）。たとえば、Ｖ、＝５０Ｃｅ／ｓｅｅで
、ΔＴ＝２０℃とするとＰ−＝４゜１８ＫＷとなる。Ｖ
Ｗ＝５（１ｃ ｃ／’ｓ ｅ ｃ 、 ΔＴ＝−１０”
０でＰ、＝２．０９ＫＷである。流水を瞬時的にあたた
め＾は、相当の電力が必要になる。通常、各家庭の最大
許容電力は、３〜５ＫＷ程度であるから。 Ｖ、＋＋＋−５Ｏｃｅ／ｎ・Ｃの流水をｌＯ℃程度昇温
できる程度、ある。ＬｔＳが。薔、Ｊｔｗｅ高い水、ｌ
ヶ使蒲する要求があるときには、夜間電力を使つ”であ
る程度の温度に上げた水を貯水しておいて使用時に１０
〜２０℃程度昇温して使う方式が適している。水量を減
少すれば昇温温度は高くなる。もちろん、大型共同住宅
や、大型ビル、地下街などの各ユニットの最大許容電力
を大きくしておけば、本発明の高周波誘導加熱方式の瞬
間湯沸器による温度１昇を高（し、水量をさらに多（す
ることができる。 鉄パイプで内径６龍、外径８龍のものに、３ＭＩＩＩｉ
の電線をフィルとして巻きつけた状態で周波数ｆを１０
０ＫＨ，とすると式（５）よりＰキ４０ Ｘ Ｉ２（Ｗ
／ｍ） ＋７）となり、電流ＩをＩＯＡとすれば４
ＫＷの加熱が行える。 ｆ＝５０ＫＨ２とすると Ｐキ１０ ｘ Ｉ” （Ｗ／ｍ） （８）となり
、Ｉ＝２ＯＡで４ＫＷの加熱が行える。■＝３０Ａとす
れば９ＫＷということになる。 通−業、名家廁などに引かれている電力源は、１００Ｖ
である。１００Ｖを倍電圧整流すれば、２８０Ｖの直流
電源が得られるから、高周波発生部はたとえば、電源２
８０■で、電流２０Ａとい 、λ うように動作させればよいことになる。 以上で議論した値は、■°ｍ長さの出力である。 したがって、全長をもつと長（すればもつと出゛力は取
れ゛るわけである。３ｍｌの太さの線を外径８１ｍのパ
イプに巻いた場合の１ｍ当りのインダクタンスは１通常
の円筒コイルのインダクタンスの式 より求められる。Ｋｔｔ長岡係数である。略々１１、μ
Ｈ／ ｍとなる。 。 本発明の高周波群”４加熱方式の瞬間湯沸器のコイル１
．３、Ｋ水１１が流れ込み、誘導加熱であたためられ゛
て流、れ出て（る。第３図では、１７〜１８ｃＩＩＬ、
４度の長さにパ°イブを折りまげて構成されており、略
々全長１ｍになりている。平面的な大きさで、１５’Ｘ
１０が程度にする°ことが。 第３図で、コイルの終端から漏れる磁束が無駄になるこ
とを防ぐためには、第４図のように構成すればよい。す
なわち、水の流れの入口と出口を第４図のように接近さ
せて構成する。磁束１４は殆んど外部に漏れずに、すべ
ての磁束。 が有効に加熱に使われることになる。 ４
゛家庭で使うことを考え−ると、１００ｖの直接整流あ
るいは倍電圧整流の１４０Ｖ、あるいは２８０Ｖの電源
ぎ使い数１ＯＡの高周波電流を流し′て加熱することに
なるから、高周波発振を行う半導 、 。 体デバイスから見るときわめて呼インピーダンスの駆動
でなる。パイプ加熱部を一つのコイルで駆動するのでは
、インダクタンスが太き（なりすぎて、高周波電流を士
０分流せないとい−う場合には、コイルを、複数個艷分
けて並列に接続すればよい。コイルをｎ（ｌｊＫ分けて
、並列接続にすれば、全部を１つのジイルにした場合の
インダクタンスＬに（らべてＬ／ｎ”にインダクタンス
は減少する。各コイルの終端部での磁束のリ一りがな艶
ように各コイルの作る磁束が同じ向。 きになるようにフィルを並列接続することが重要である
。第５図の例では、分離されたフィル２１．２２がそれ
ぞれ同じ向きに巻かれているから、並列接続する時には
、２３と２５．２４と２６をそれぞれ接続する。各コイ
ルの端子が離れていて接続しにくいという時には、コイ
ル２１と２２の巻く向きを逆にすればよい。その時には
、２４と２５．２３と２６を接続するととＫなる。 これまで、水を流す鉄、鋼、ステンレス等の導電性のパ
、イブに直接コイルを巻きつげる例について述べたが、
コイル自、身があたたまることが不都合な場合には、導
電体パイプとコイルの間に断熱性の膜を巻けばよいし、
耐熱性の断熱塗料をパイプに塗っておいてもよい。 第３図乃至第５図の例では、水の流れているパイプの外
周に沿って、連続的にコイルを巻い−て高周波加熱する
装置について述べたが、平板型コイルによる籐熱も行え
る。す゛なわち、中心から外側に向−て電線を平板上に
同心ｉ状にぐる・ｒぐる倦いたコイルである。第６ 旨
蝉−−転吐は【 周囲をエナメルやホルマール等の比較的高温に耐える絶
縁塗料で被覆した銅線３１を平板状に巻いたコイルであ
る′。もちろん、こうした高周波で加熱するようなコイ
ルに使う電線は、表皮１％ 効果のことを考えて、表皮深さと略々同程度かもしくは
、それより細い一線のより合わせ素ものを使用する４゜
磁束２は矢印゛の向きにできる。 このような平板状コイルの上下に水の流、れている導電
体で作られた容器を設゛ければ、加熱が行 ゛える。第
７図にその例を・示す。同心円状忙巻か・へた平板コイ
ル、４１．４２の上下に、この平板コイルよりやや大き
い一円板状の水の流れる鉄。 、銅、ステンレス等導電体で作られた容器４３．４４．
４５を設け、水が連続、的に流れるようにパイプ４６，
４７で接続されている。容器４３，４４．４５の導電体
の厚さは、略々表皮深さと同２程度か、それ、より厚く
なされている。こうなぎれていれば、平板コイルで作ら
れた磁束は、この導電体内部を円の中心から外側に向っ
て放射状に向って分布することになる。平板フィルの外
周。 に漏れる磁束が外部に影響して不都合な場合には平板容
器の間で、平板コイルの外側にフェライトなどの磁性体
を設ければよい。フェライトは、外周全部に設けてもよ
いし、外周の所定の個所に略々対称の位置に、複数個設
けてもよい。 第７図の例では、平板コイルを２個設けた例を示したが
、１段でもまた３段以上の多段でもよいことはいうまで
もない。必要とする水量と、温度に応じて決めればよい
。当然のことながら、上昇温度が高く、かつ水量が多い
場合には、段数を多くする。第７図の場合でもコイル自
身があたたまることを防ぐには、コイルと容器の間に断
熱材を設ければよい。 これまで、水の加熱部について述べてきたが、高周波電
力発生部を次に述べることにする。使用する半導体デバ
イスは、大電力用に適している静電誘導トランジスタ（
ＳＩＴ）あるいは静電誘導サイリスタ（Ｓｌサイリスタ
）が好適である。ＳＩＴは、Ｓｌサイリスタと比較して
内れる電力に対するトランジスタ内部で消費される電力
の割合が十分にとれないので、とくに、高速スイッチン
グが行え、導通時の順方向降下電圧の小さいＳｌサイリ
スタが適している。Ｓｌサイリスタは、設計によってゲ
ートに電圧がかかつていない時導通状態となるノーマリ
オン型でも、非導通状態となるノーマリオフ型でも自由
に得ることができる。すなわち、チャ１ルの不純物密度
とも関係するが、比較的ゲート間隔をせまくとればノー
マリオフ型ができ、逆に広くとればノーマリオン型がで
きる。安全性を考えるとノーマリオフ型の方が有利であ
るが、もちろん１．適当な安全装置、゛例えばヒユーズ
などを７ノ一ド回路に挿入することを考えれば、ノーマ
リオン型のＳｌサイリスタでも十分使用できる。ノーマ
リオフ型でも、ノーマリオン型でもＳｌサイリスタは非
常に高速動作でありながら、内部での消費電力はそれほ
ど大きくなく、例えば既に耐圧が１２００Ｖ程度のＳｌ
サイリスタで、電流遮断時間が０．１μｓｅｃ程度、電
流密度Ｉ Ｑ Ｑ Ａ／ｆｆｉ”時のオン電圧が０．８
ｖ程度という値が得られている。また、Ｓｌサイリスタ
は温度係数が負で熱暴走をおこさず、これも安全度の向
上に役立つ。したがってＳｌサイリスタを高周波電力発
生部に用いれば非常に効率の良い、しかも安全な加熱装
置となる。また、非常に応答速度が速（かつ電子的な制
御もかけやすいので流量のゝ゛かんにかかわらず７定０
温湯な得ることも簡単である。 もちろん、他のサイリスタ、バイポーラトランジスタ（
絶縁ゲート型）電界効果トランジスタでも目的によって
は使用することができる。 通常のサイリスタは温度係数が正なので熱暴走を起こし
易く、また周波数特性もＳｌサイリスタには劣るが、素
子の温度上昇に対する保護回路を付けるなどして、湯沸
器用の高周波電源には十分に使用できる。バイポーラ・
トランジスタも、温度係数が正なので適当な保護回路を
必要とする。また、（絶縁ゲート型）電界効果トランジ
スタは、オン電圧が大きいという欠点はｌあるが、温度
係数が負であるため安全度が高いのに加え、入力インピ
ーダンスが大きく、駆動回路が簡単になるという利点を
持つ。要はそれぞれの固体素子の特徴をよ（つかんだ上
で、その利点を生かす様な使い方をすればよいのである
。 Ｓｌサイリスタを用いた高周波発生回路の一例を第８図
に示す。ＡＣ電源、たとえば１００ｖ入力電源がスイッ
チＳを通して、ダイオードＤ８、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４を用
いた整流回路に導かれ、Ｃ１、Ｌ、平滑回路で直流に整
流される。Ｑ工は、ｎチャンネルのＳｌサイリスタであ
る。Ｄ、は逆方向導通用ダイオードである。高速のスイ
ッチングを行う場合には、ショットキダイオードにする
。、Ｃ２、Ｒ２はサージ電圧吸収用である。インダクタ
ンスＬが、水を加熱するコイルであり、コンデンサＣは
、共振用の容量である。Ｌがたとえば１０μＨであれば
、共振周波数を１００ＫＨｚにる。５１は水の流れてい
る一バイブである。トラ。 ンスＴから電圧を取って所望の電圧を発生させ、Ｓ！サ
イリスタＱＩのゲートに加える励起用パルス発生回路を
作成する。Ｃ１は高周波接地用コンデンサである。加熱
温度設定や起動回路等はすべてゲートパルス発生回路に
接続して設けること忙なる。 第９図には、励起用パルス発生回路を用いない場合の回
路例を示す。第８図と違う点はＳｌサイリスタＱ、のゲ
ートに励起用パルス発生回路を接続す−るかわりに直列
に可変抵抗Ｒ８が用いられている点にある。８１サイリ
スタは、素子自体のゲート直列抵抗が非常に小さくなる
よう忙設計されているために、ブレイクオーバーをおこ
さないとい５１！＃徴を持っている。逆にこの性質を利
用してゲートの外部に適当な抵抗を接続することによっ
て、任意の電圧でブレイクオーバーさせることもできる
。したがって第９図のとと＜ＳＩサイリスタのゲートに
直列に可変抵抗Ｒ１を接続することによって任意の７ノ
ーＦ電なわち任意に出力の制御のできる非常に簡単な回
路構成の自励発振器を得られる。もちろん温度制御を行
なう場合には、可変抵抗のかわりに電界効果トランジス
タ等の固体素子を接続し、温度によって抵抗値が変化す
るような回路構成にすればよいわけである。 カソード、７ノ一ド間距離４０μｍ１チップ面積５Ｘ２
０１１２、埋入みゲート型ＳＩサイリスタで、順方向阻
止電圧４００ Ｖ、 平均７ノード電流５０Ａ、５０
Ａ のＹノード電流のターンオフ時間０．１〜０．２
ａ ｔｒ ｅ ｃのＳＩサイリスタで１００ＫＨ。 の発生回路を構成し、パイプ外径８鴎、内径６鶴のパイ
プに３１１５１のより線を１ｍＫ亘って巻いた加熱装着
で、高周波発生回路に入っている電力Ｐと５０ｃｃ／ｓ
ｅｅ の水の上昇温度ΔＴの関係を第１０図に示す。 ５ＫＷ入力で１７℃、６ＫＷ入力で２０℃の温度上昇が
認められる。 たとえば、高周波誘導加熱によらない方法としてニクロ
ム線を用いて、商用電源によって直接加熱する方法があ
る。゛ こうした、大電力の発生を行う場合には、Ｓ■サイリス
タ、ＳＩＴ等の半導体デバイス内部にも、内部損失があ
って、半導体デバイス自身の温度も上昇する。本発明の
ように、水の温度を上げるために大電力発生器が使われ
ている場合には、半導体デバイスを水の上流側に接着し
て、未だ温度が高くなっていない水で、半導体デバイス
を冷却すれば、半導体デバイス肩身は効率よく冷却され
、その熱は水に伝えられて、きわめで効率のよい水の加
熱が行える。−例を第１１図に示す。ＡｔやＣｕのブロ
ック６１に水を流すバイブロ２が設けられ、その上に絶
縁物のスペーサ６５を介して、たとえばＴＯ−３ジヤ／
ポのパフケージにおさめられた半導体デバイスが設けら
れている。６４は、ＴＯ−３ジヤンボパツケージの堆り
損し電極である。パイプの中を水６６が流れて、半導体
デバイスを冷却し、自身はある１１度あたためられると
と忙なる。 これまで、高周波誘導加熱で水をあたためる例について
述べてきた示、電力により水をあたためるためには、必
ずしも高周波誘導加熱による必要はない。いずれにして
も、水の流れている管壁をなんらかの手段であたためれ
ばよいのである。 加熱用によ（使用されるニクロム線の抵抗率は、Ｎｉ、
Ｃｒ、 Ｆａ％Ｍｎ等の含有率にもよるが、略々１Ｏ
−４０−儂程度である。外径８顛程度の鋼パイプの外周
を絶縁被覆したものに、３Ｘ、１Ｘ断面積のニクロムリ
ボンを４ Ｉ１１ピッチで１ｍに亘って巻けば、抵抗２
３５０程度になり、ｔｏｏｖ商用電源の駆動で４Ｋｗ４
ｉ度の電力入力となる。ニクロム線からの熱が外部に洩
れないようｌｃ＝クロム線の周囲を絶縁性の断熱材で囲
んでおくことが有効である。ここで６ボン状のニクＩ＝
人線を用いたのは、水の流れぞいるパイプの外壁に熱が
よく伝わるようＫするためである。もちろん書影の線で
もよい。 ここでは、ニクロム着のリボンや線を用いたヒータの例
について述べたが、水を加熱するのであるから、ヒータ
自一体の温度もそれ程高くは・ならない。たかだか高く
なっても数１０℃から数１００°Ｃである。したがって
、必ずしもニクロム線を使う必要はない。抵抗率が高い
他の゛合金でもよいし、耐熱性のある合成ゴムや樹脂中
に金属粉やカーボン粉をまぜた抵抗体でもよい。流れて
いる水との絶縁が保たれるようにして、水を流すパイプ
自身をこうした抵抗性材料で作って、直接パイプに電流
を流して加熱することもできる。 また、第１２図のように水７３を流すパイプ７１中にニ
クロム線などの抵抗体によるヒータ７２を外側な絶障被
覆して挿入することも有効である。この例では、ヒータ
７３の周囲は殆んど完全に水によっておおわれることに
なって、ヒータと水との熱交換効率がきわめてよいこと
になる。水の流れは管壁より中心はど速いから、ヒータ
は水の流速の速くなる部分に有効に配置する。パイプの
全長は、たとえば、１ｍとか所長さも電源に合わせてき
ある。 水の昇温速度を速くするためには、スイッチ投入後のわ
ずかな時間だけ入る電力が大きいことが望ましい。商用
電源で直接加熱する場合であれば、１ｆ１１長さのパイ
プに連続的に巻いていたニクロム線を中央で２つに分け
ておいて、最初短時間だけ並列接続にして電流を流せば
よい。 こうすると、抵抗値が０．５９Ωになるから１００Ｖ電
源で１７ＫＷの電流が入ることになる。しばら（して、
接続をもとの直列接続に戻せばよい。 あるいは、商用電源にサイリスタの制豐部を設けて、実
効的に加わる電圧を制御してもよい。 その時には、ニクロム線の抵抗をあらかじめ小さくして
おく。たとえば１Ωにしておけば、１００Ｖで１ＯＫＷ
、８０Ｖで６．４ＫＷということになる。。 このようにニクロム−等の抵抗体ヒータを用い直接商用
電源で加熱する方法においても固体素子による制御回路
は有効である。固体素子による制御回路を用いることに
よって非常に効率よく温度の制−が行なえ、たとえば流
量のいかんＫかかわらず一定の温度の温湯な供給するこ
とも簡単にできる。 使用する固体素子は、効率及び安全性を考慮すれば、高
周波誘導加熱の場合と同様にノーマリオフ型のＳＩサイ
リスタが最適である。交流を直接制御する方式であるか
ら、ノーマリオフ型のＳＩサイリスタであれば、よしん
ば何らかの原因でゲート制御回路が破゛壊したとしても
その次のサイクルから電流が流れなくなり危険を防止で
きる。効率については高周波誘導加熱のところで述べた
とおりである。もちろん使用する固体素子はノーマリオ
フ型８１サイリスタに限られるわけではない。適当な安
全装置をつけることによってノーマリオンｍＳ■サイリ
スタを使用することもできるし、通常のサイリスタやバ
イポーラトランジスタあるいは電界効果トランジスタも
、目的によっては使用できる。 第１３図に、ニクｃＩ＾纏等の抵抗体ヒータを用い、直
接商用電源を固体素子によって制御して加熱する場合の
回路構成例を示す。８２がニ□クロム線等の抵抗体ヒー
タｋ・よる発熱部分で、商用電源８１より加えられる電
力を、ＳＩサイリスタ等の固体素子による制御回路８４
で制御している、。β５が制御パルス発生回路、８３が
安全リレ゛−である。 第１４図に制御回路の１例を示す。Ｑｌ及びＱ２はＳＩ
サイリスタ、Ｒ，％Ｃ８はサージ吸収用の抵抗及びコン
デンサである。９１にニクＩ：ｌＡ線−等の抵抗体ヒー
タが接続され、このヒータのもう一方の端と７−ス９４
との間に商用電源が接続される。モして９２及び９３に
適当なパルスを加えるととＫよって、所望の温度の温湯
が得られるように、入力電力が制御されるようＫなって
いる。 高周波誘導加熱の場合には、ゲートパルスの位相を、ス
イッチ投入後は十分に電流が流れるように設定しておい
て、しばらくしてからゲートパルスの位相を遅らせて流
れる電流を減少させればよい。 本発明の湯沸器を各家庭などで使うことを考えると、最
大許容量電力は決っている。したがって、使用開始当初
からあたたかい水を得るためには、最初は水量を少な（
しておく方がよい。 また、使用頻度が多い所では、水を使用していない時に
、水を循環させておいて、加熱電力を低下させておいで
ある程度の温度に予備加熱しておく。水を使用し始める
ときには、加熱電力を正規の電力に上昇すればよい。 本発明の電気加熱による瞬間湯沸器は、ガス加熱湯沸器
に（らべて、ガス漏れ事故などの心配がまったくなく、
大型共同住宅や、大型ビル、地下街などで使用するのに
最適である。高周波誘導加熱部よる湯沸器の場合には、
ヒータに直接電流を流して加熱するのではなＪｌから、
誘導加熱用のコイルと被加熱導電体の間に、導電体が存
在しなければ、非導電性材料で作られた容器の中に設け
られた、導電体−分だけを加熱できることになる。たと
えば、高圧がま中の所′定の個所だけを加熱することが
できる。あるいは、減圧状態になされた容器中の所定の
個所だけ加熱することもできる。もちろん、加熱される
ものは水だけに限られるわけではない。薬品でもなんで
もよい。 このように、本発明の湯沸器は、その用途が広く、工業
的価値は高い。 ４、図面の簡単な説明 第１図は円筒導体に消ｌされる電力Ｐの周波数ｆ依存性
、第２図は水の昇温に必要な所要電力ｐｙの水ｌ：７ｗ
依存性、第３図及び第４図は高周波誘導加熱部、第５図
はコイルを複数個に分けた場合の高周波誘導加熱部、第
６図は平板状コイル、第７図は高周波誘導加熱部、第８
図はＳＩサイリスタを用いた高周波発生回路、第９図は
８１サイリスタを用いた高周波発生回路の別の例、第１
０図は入力電力と上昇温度の関係、１１Ｅ１’１図は半
導体デバイスマウント部で（、）は平面図、（ｂ）は断
面図、第１２図は直熱方式加熱部、第１３図は抵抗体ヒ
ータを用い、直接商用電源 ゛を固体素子罠よって制
御する場合の回路構成例、第１４図はＳＩサイリス門を
用いた商用電源制御回路例である、 １／ｓ５図 ＩＩ（？図 第１Ｑｓ （久 ） （ｂ ） ” ８１２゜
性、第２図は水の昇温に必要な所要電力Ｐｗの水量Ｖｗ
依存性、第３図及び第４図は高周波誘導加熱部、第５図
はμイルを複数個に分けた場合の高周波誘導加熱部、第
６図は平板状コイル、第７図は高周波銹導加熱部、第８
図は（ ８エサイリスタを用いた高周波発生回路、第９図は入力
電力と上昇温度の関係、第１０図は半導体デバイスマウ
ント部″ｔ’ （ａ）は平１図、（ｂ）は断面図、第１
１図は直熱方式加熱部である。 −７図 露１ｖｔｒ ＊４ｇ ｚ、９ ２４２ｆ 。 畷５− 舘〆図 手 続 補 正 書 昭和５６年 ９月２６日 １、事件の表示 昭和５６年特許願第１０２０４８号２
発明の名称 電気湯沸器 ３ 補正をする者 特許出願人 ４ 補正の対象 ［明細書の特許請求の範囲の欄」。 ′ 「明細書の発明の詳細な説明の欄」
「明細嘗め図面の簡単な説明の欄」 「図面１ｕｒ図乃至第１２図、第 （υ ） Ｃｂ ） 〃 喀〃図 する。 （３）図面第１３図及び第１４図を添付図面の如（追加
する。 ６、添付書類の１鎌 （１）図 面 １通 □ １発明の名称 電気湯沸器 ２特許請求の範囲 （１）水の流れる容器に薄い絶縁体を介して、抵抗体よ
りなるビー２夕もしくは導電体よりなるコイルからなる
電気加熱部を備え前記電気加熱部に半導体デバイスを含
むことを特徴とする電気湯沸器。 （２）前記水の流れ′４ｒ−容器の少なくとも一部が導
電体より形成されており、前記導電体より形成される水
の流れている容器に絶縁層を介して、円筒型もしくは平
板型コイルが密着して設けられており、前記コイルが半
導体デバイスにより構成される高周波発振器の出方端子
に接続されていることを特徴とする特許 の範囲第１項記載の電気湯沸器。 （３）前記高周波発振器を構≠する半導体デバイスが、
前記水の流れの上流側の所定の個所に薄い絶縁体を介し
て密接して設けられたことを特徴とする前記特許請求の
範囲第１項乃至第２項記載の電気湯沸器。 （４）前記ヒータが水ｉｉ容器の内部に設けられており
、直接水と熱女換するべく配置したことを．特徴とする
前記特許請求の範囲第ｌ項記載の電気湯沸器。
゛ ３、発明の詳細な説明 本発明は、電気加熱による瞬間湯沸器に関する。
゛・′ ガス加熱方式瞬間湯沸器は、水を流し始めて、すなわち
ガス点火後比較的短い時間で、たとえば２０℃〜５０″
０程度に流゛れ出′る水の温度が上り、大変！利な装置
と（て、醜に多くの家庭や営業用に使われている。
一しかし、最近のように大型の共□同住宅やビ
ルまた地下街等が多くなって，こうしたビルや地下街の
あらゆる場所：ｃ−努ス□力；使ゎれると、ガス洩れが
あったときに非常に大きな事．故を′起すこ瞬間湯沸器
のように多量のガスを使う機器がｊいと、ガス洩れ、不
完全燃焼時の事故の被害が太き《なる。瞬間湯沸器が有
用であることはすでに実証ずみである。したがって、ガ
スによらない瞬間湯沸器の出現が望まれることになる。 ガスによらない加熱方法としては電気的な加熱手段を採
るのが最も妥当である。しかも、安全性や効率を考慮す
れば、固体素子を用いた温度制御回路付の電気加熱方式
が適している。 本発明の目的は、ガス加熱によらずに流水をあたためる
固体素子を用□いた電気，加熱方式の瞬間湯沸器に関す
る。瞬間湯沸器で問題となるのは応答性゛と効率である
。特に電気的加熱方式の場合、発熱部分と被加熱体との
構造及び発熱部分の効率の２点が重要である。 応答性を良くするなめには発熱部分が被加熱体と直かに
もしく！マ薄い絶縁物を介して接して 。 いることが好ましいし、効率よい加熱手段としては、固
体素子を温度制御装置付加熱電源として用いるのが適し
ている。固体素子も効率、安全性等を考えあわせると最
近開発された静電誘導サイリスタが最適である。 以下に１発熱部分と被加熱体との構造及び固体素子を用
いた加熱電源を中心として本願発明について具体的忙説
明する。 まず、高周波誘導加熱による湯沸器忙ついて説明する。 高周波磁界により、材料が加熱される理由にヒステリシ
ス損によるものと、５ず電流積によるものとが存在する
ことは良く知られている。 効率よく高周波電力により加熱するには、うず電流積に
よる方式が優れている。うず電流横加熱方式でも、材料
の表皮深さｄ８と導電材料の半径ａとの関係で、加熱さ
れ方が変化する。ただし、式（１１で、ｆは周波数、μ
は透磁率、σは導電率である。簡単のために、円筒型コ
イル中に、半径ａの円筒導電材料が挿入されたときのこ
とを考える。半径ａが、表皮深さｄ より小さいときの
、円筒状導電体１ｍ当りに発生する電力は、 ｐ ＝８＋ｒ’ａ’ｅ／”ａ”ｒｎＪ”Ｘ１０−” （
ｗ／ｍ）（２）である。一方、半径ａが表皮深さｄ に
くらべて十分短くなったときには（たとえば１／１０以
下）、 ｐ ＝４ π２ａ （−’Ｊ’） Ｍ ｎ” Ｉ”Ｘ１
Ｏ−’ （Ｗ／ｍ） （３）とＩろ、Ｔで１Ｃ″し−ｆ
ＬＺＩＷＩｉ９Ｋ、）’ｒｌｌ導電体の比透磁率、ｎは
コイルの１ｍ当りの巻数、■はフィルを流れる電流であ
る。 式（２）の場合には、円筒導体に入る電力は、σ、Ｉ２
、μｒ′、Ｉ２、Ｉ２に比例し、式（１）では、σ−ｉ
。 ｊ Ｌ ｈ２ 、 、２ に比例する。この２つ
の特ｆ２、μ、２・ 性を分ける臨界周波数ｆｃは。 でえられる。導電体のＩ４、σ及びａが決まれば、ｆｃ
は決定する。ｆｏは、Ｉ４、ａ、σが大きい程低くなる
。ａ＝３１１ＩＩＩＩのとき、銅、及びｒ鉄のｆｃは、
それぞれ、２．３に’Ｈ及び３３０ＫＨ，となる。 周波′数置化に対して鈍感なこと、及び周波数が高い程
、導体の発生電力が大−きいことから、臨界周波数以上
のところで加熱する方が有利なことが多い。 円筒型コイル中に挿入される導電体がパイプ（内径２ｍ
、外径２ｂ）の時の電力は、（５） となる。 ところで、通常各家庭で水道として使う水の量は、５０
ｃ ｅ ／ ｓ ａ ｅから１００ｃｃ／ｓｅｅ程度
である。単位時間当りの水量Ｖ （ｃｃ／５ｅｅ）を
。 △ｒ（’Ｃ）昇温するに！’する電力ＰＷは、ＰＷ＝４
．１８Ｖ、△Ｔ （Ｗ） （６）で与えら
れる（＊２図）。たとえば、Ｖ、＝５０Ｃｅ／ｓｅｅで
、ΔＴ＝２０℃とするとＰ−＝４゜１８ＫＷとなる。Ｖ
Ｗ＝５（１ｃ ｃ／’ｓ ｅ ｃ 、 ΔＴ＝−１０”
０でＰ、＝２．０９ＫＷである。流水を瞬時的にあたた
め＾は、相当の電力が必要になる。通常、各家庭の最大
許容電力は、３〜５ＫＷ程度であるから。 Ｖ、＋＋＋−５Ｏｃｅ／ｎ・Ｃの流水をｌＯ℃程度昇温
できる程度、ある。ＬｔＳが。薔、Ｊｔｗｅ高い水、ｌ
ヶ使蒲する要求があるときには、夜間電力を使つ”であ
る程度の温度に上げた水を貯水しておいて使用時に１０
〜２０℃程度昇温して使う方式が適している。水量を減
少すれば昇温温度は高くなる。もちろん、大型共同住宅
や、大型ビル、地下街などの各ユニットの最大許容電力
を大きくしておけば、本発明の高周波誘導加熱方式の瞬
間湯沸器による温度１昇を高（し、水量をさらに多（す
ることができる。 鉄パイプで内径６龍、外径８龍のものに、３ＭＩＩＩｉ
の電線をフィルとして巻きつけた状態で周波数ｆを１０
０ＫＨ，とすると式（５）よりＰキ４０ Ｘ Ｉ２（Ｗ
／ｍ） ＋７）となり、電流ＩをＩＯＡとすれば４
ＫＷの加熱が行える。 ｆ＝５０ＫＨ２とすると Ｐキ１０ ｘ Ｉ” （Ｗ／ｍ） （８）となり
、Ｉ＝２ＯＡで４ＫＷの加熱が行える。■＝３０Ａとす
れば９ＫＷということになる。 通−業、名家廁などに引かれている電力源は、１００Ｖ
である。１００Ｖを倍電圧整流すれば、２８０Ｖの直流
電源が得られるから、高周波発生部はたとえば、電源２
８０■で、電流２０Ａとい 、λ うように動作させればよいことになる。 以上で議論した値は、■°ｍ長さの出力である。 したがって、全長をもつと長（すればもつと出゛力は取
れ゛るわけである。３ｍｌの太さの線を外径８１ｍのパ
イプに巻いた場合の１ｍ当りのインダクタンスは１通常
の円筒コイルのインダクタンスの式 より求められる。Ｋｔｔ長岡係数である。略々１１、μ
Ｈ／ ｍとなる。 。 本発明の高周波群”４加熱方式の瞬間湯沸器のコイル１
．３、Ｋ水１１が流れ込み、誘導加熱であたためられ゛
て流、れ出て（る。第３図では、１７〜１８ｃＩＩＬ、
４度の長さにパ°イブを折りまげて構成されており、略
々全長１ｍになりている。平面的な大きさで、１５’Ｘ
１０が程度にする°ことが。 第３図で、コイルの終端から漏れる磁束が無駄になるこ
とを防ぐためには、第４図のように構成すればよい。す
なわち、水の流れの入口と出口を第４図のように接近さ
せて構成する。磁束１４は殆んど外部に漏れずに、すべ
ての磁束。 が有効に加熱に使われることになる。 ４
゛家庭で使うことを考え−ると、１００ｖの直接整流あ
るいは倍電圧整流の１４０Ｖ、あるいは２８０Ｖの電源
ぎ使い数１ＯＡの高周波電流を流し′て加熱することに
なるから、高周波発振を行う半導 、 。 体デバイスから見るときわめて呼インピーダンスの駆動
でなる。パイプ加熱部を一つのコイルで駆動するのでは
、インダクタンスが太き（なりすぎて、高周波電流を士
０分流せないとい−う場合には、コイルを、複数個艷分
けて並列に接続すればよい。コイルをｎ（ｌｊＫ分けて
、並列接続にすれば、全部を１つのジイルにした場合の
インダクタンスＬに（らべてＬ／ｎ”にインダクタンス
は減少する。各コイルの終端部での磁束のリ一りがな艶
ように各コイルの作る磁束が同じ向。 きになるようにフィルを並列接続することが重要である
。第５図の例では、分離されたフィル２１．２２がそれ
ぞれ同じ向きに巻かれているから、並列接続する時には
、２３と２５．２４と２６をそれぞれ接続する。各コイ
ルの端子が離れていて接続しにくいという時には、コイ
ル２１と２２の巻く向きを逆にすればよい。その時には
、２４と２５．２３と２６を接続するととＫなる。 これまで、水を流す鉄、鋼、ステンレス等の導電性のパ
、イブに直接コイルを巻きつげる例について述べたが、
コイル自、身があたたまることが不都合な場合には、導
電体パイプとコイルの間に断熱性の膜を巻けばよいし、
耐熱性の断熱塗料をパイプに塗っておいてもよい。 第３図乃至第５図の例では、水の流れているパイプの外
周に沿って、連続的にコイルを巻い−て高周波加熱する
装置について述べたが、平板型コイルによる籐熱も行え
る。す゛なわち、中心から外側に向−て電線を平板上に
同心ｉ状にぐる・ｒぐる倦いたコイルである。第６ 旨
蝉−−転吐は【 周囲をエナメルやホルマール等の比較的高温に耐える絶
縁塗料で被覆した銅線３１を平板状に巻いたコイルであ
る′。もちろん、こうした高周波で加熱するようなコイ
ルに使う電線は、表皮１％ 効果のことを考えて、表皮深さと略々同程度かもしくは
、それより細い一線のより合わせ素ものを使用する４゜
磁束２は矢印゛の向きにできる。 このような平板状コイルの上下に水の流、れている導電
体で作られた容器を設゛ければ、加熱が行 ゛える。第
７図にその例を・示す。同心円状忙巻か・へた平板コイ
ル、４１．４２の上下に、この平板コイルよりやや大き
い一円板状の水の流れる鉄。 、銅、ステンレス等導電体で作られた容器４３．４４．
４５を設け、水が連続、的に流れるようにパイプ４６，
４７で接続されている。容器４３，４４．４５の導電体
の厚さは、略々表皮深さと同２程度か、それ、より厚く
なされている。こうなぎれていれば、平板コイルで作ら
れた磁束は、この導電体内部を円の中心から外側に向っ
て放射状に向って分布することになる。平板フィルの外
周。 に漏れる磁束が外部に影響して不都合な場合には平板容
器の間で、平板コイルの外側にフェライトなどの磁性体
を設ければよい。フェライトは、外周全部に設けてもよ
いし、外周の所定の個所に略々対称の位置に、複数個設
けてもよい。 第７図の例では、平板コイルを２個設けた例を示したが
、１段でもまた３段以上の多段でもよいことはいうまで
もない。必要とする水量と、温度に応じて決めればよい
。当然のことながら、上昇温度が高く、かつ水量が多い
場合には、段数を多くする。第７図の場合でもコイル自
身があたたまることを防ぐには、コイルと容器の間に断
熱材を設ければよい。 これまで、水の加熱部について述べてきたが、高周波電
力発生部を次に述べることにする。使用する半導体デバ
イスは、大電力用に適している静電誘導トランジスタ（
ＳＩＴ）あるいは静電誘導サイリスタ（Ｓｌサイリスタ
）が好適である。ＳＩＴは、Ｓｌサイリスタと比較して
内れる電力に対するトランジスタ内部で消費される電力
の割合が十分にとれないので、とくに、高速スイッチン
グが行え、導通時の順方向降下電圧の小さいＳｌサイリ
スタが適している。Ｓｌサイリスタは、設計によってゲ
ートに電圧がかかつていない時導通状態となるノーマリ
オン型でも、非導通状態となるノーマリオフ型でも自由
に得ることができる。すなわち、チャ１ルの不純物密度
とも関係するが、比較的ゲート間隔をせまくとればノー
マリオフ型ができ、逆に広くとればノーマリオン型がで
きる。安全性を考えるとノーマリオフ型の方が有利であ
るが、もちろん１．適当な安全装置、゛例えばヒユーズ
などを７ノ一ド回路に挿入することを考えれば、ノーマ
リオン型のＳｌサイリスタでも十分使用できる。ノーマ
リオフ型でも、ノーマリオン型でもＳｌサイリスタは非
常に高速動作でありながら、内部での消費電力はそれほ
ど大きくなく、例えば既に耐圧が１２００Ｖ程度のＳｌ
サイリスタで、電流遮断時間が０．１μｓｅｃ程度、電
流密度Ｉ Ｑ Ｑ Ａ／ｆｆｉ”時のオン電圧が０．８
ｖ程度という値が得られている。また、Ｓｌサイリスタ
は温度係数が負で熱暴走をおこさず、これも安全度の向
上に役立つ。したがってＳｌサイリスタを高周波電力発
生部に用いれば非常に効率の良い、しかも安全な加熱装
置となる。また、非常に応答速度が速（かつ電子的な制
御もかけやすいので流量のゝ゛かんにかかわらず７定０
温湯な得ることも簡単である。 もちろん、他のサイリスタ、バイポーラトランジスタ（
絶縁ゲート型）電界効果トランジスタでも目的によって
は使用することができる。 通常のサイリスタは温度係数が正なので熱暴走を起こし
易く、また周波数特性もＳｌサイリスタには劣るが、素
子の温度上昇に対する保護回路を付けるなどして、湯沸
器用の高周波電源には十分に使用できる。バイポーラ・
トランジスタも、温度係数が正なので適当な保護回路を
必要とする。また、（絶縁ゲート型）電界効果トランジ
スタは、オン電圧が大きいという欠点はｌあるが、温度
係数が負であるため安全度が高いのに加え、入力インピ
ーダンスが大きく、駆動回路が簡単になるという利点を
持つ。要はそれぞれの固体素子の特徴をよ（つかんだ上
で、その利点を生かす様な使い方をすればよいのである
。 Ｓｌサイリスタを用いた高周波発生回路の一例を第８図
に示す。ＡＣ電源、たとえば１００ｖ入力電源がスイッ
チＳを通して、ダイオードＤ８、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４を用
いた整流回路に導かれ、Ｃ１、Ｌ、平滑回路で直流に整
流される。Ｑ工は、ｎチャンネルのＳｌサイリスタであ
る。Ｄ、は逆方向導通用ダイオードである。高速のスイ
ッチングを行う場合には、ショットキダイオードにする
。、Ｃ２、Ｒ２はサージ電圧吸収用である。インダクタ
ンスＬが、水を加熱するコイルであり、コンデンサＣは
、共振用の容量である。Ｌがたとえば１０μＨであれば
、共振周波数を１００ＫＨｚにる。５１は水の流れてい
る一バイブである。トラ。 ンスＴから電圧を取って所望の電圧を発生させ、Ｓ！サ
イリスタＱＩのゲートに加える励起用パルス発生回路を
作成する。Ｃ１は高周波接地用コンデンサである。加熱
温度設定や起動回路等はすべてゲートパルス発生回路に
接続して設けること忙なる。 第９図には、励起用パルス発生回路を用いない場合の回
路例を示す。第８図と違う点はＳｌサイリスタＱ、のゲ
ートに励起用パルス発生回路を接続す−るかわりに直列
に可変抵抗Ｒ８が用いられている点にある。８１サイリ
スタは、素子自体のゲート直列抵抗が非常に小さくなる
よう忙設計されているために、ブレイクオーバーをおこ
さないとい５１！＃徴を持っている。逆にこの性質を利
用してゲートの外部に適当な抵抗を接続することによっ
て、任意の電圧でブレイクオーバーさせることもできる
。したがって第９図のとと＜ＳＩサイリスタのゲートに
直列に可変抵抗Ｒ１を接続することによって任意の７ノ
ーＦ電なわち任意に出力の制御のできる非常に簡単な回
路構成の自励発振器を得られる。もちろん温度制御を行
なう場合には、可変抵抗のかわりに電界効果トランジス
タ等の固体素子を接続し、温度によって抵抗値が変化す
るような回路構成にすればよいわけである。 カソード、７ノ一ド間距離４０μｍ１チップ面積５Ｘ２
０１１２、埋入みゲート型ＳＩサイリスタで、順方向阻
止電圧４００ Ｖ、 平均７ノード電流５０Ａ、５０
Ａ のＹノード電流のターンオフ時間０．１〜０．２
ａ ｔｒ ｅ ｃのＳＩサイリスタで１００ＫＨ。 の発生回路を構成し、パイプ外径８鴎、内径６鶴のパイ
プに３１１５１のより線を１ｍＫ亘って巻いた加熱装着
で、高周波発生回路に入っている電力Ｐと５０ｃｃ／ｓ
ｅｅ の水の上昇温度ΔＴの関係を第１０図に示す。 ５ＫＷ入力で１７℃、６ＫＷ入力で２０℃の温度上昇が
認められる。 たとえば、高周波誘導加熱によらない方法としてニクロ
ム線を用いて、商用電源によって直接加熱する方法があ
る。゛ こうした、大電力の発生を行う場合には、Ｓ■サイリス
タ、ＳＩＴ等の半導体デバイス内部にも、内部損失があ
って、半導体デバイス自身の温度も上昇する。本発明の
ように、水の温度を上げるために大電力発生器が使われ
ている場合には、半導体デバイスを水の上流側に接着し
て、未だ温度が高くなっていない水で、半導体デバイス
を冷却すれば、半導体デバイス肩身は効率よく冷却され
、その熱は水に伝えられて、きわめで効率のよい水の加
熱が行える。−例を第１１図に示す。ＡｔやＣｕのブロ
ック６１に水を流すバイブロ２が設けられ、その上に絶
縁物のスペーサ６５を介して、たとえばＴＯ−３ジヤ／
ポのパフケージにおさめられた半導体デバイスが設けら
れている。６４は、ＴＯ−３ジヤンボパツケージの堆り
損し電極である。パイプの中を水６６が流れて、半導体
デバイスを冷却し、自身はある１１度あたためられると
と忙なる。 これまで、高周波誘導加熱で水をあたためる例について
述べてきた示、電力により水をあたためるためには、必
ずしも高周波誘導加熱による必要はない。いずれにして
も、水の流れている管壁をなんらかの手段であたためれ
ばよいのである。 加熱用によ（使用されるニクロム線の抵抗率は、Ｎｉ、
Ｃｒ、 Ｆａ％Ｍｎ等の含有率にもよるが、略々１Ｏ
−４０−儂程度である。外径８顛程度の鋼パイプの外周
を絶縁被覆したものに、３Ｘ、１Ｘ断面積のニクロムリ
ボンを４ Ｉ１１ピッチで１ｍに亘って巻けば、抵抗２
３５０程度になり、ｔｏｏｖ商用電源の駆動で４Ｋｗ４
ｉ度の電力入力となる。ニクロム線からの熱が外部に洩
れないようｌｃ＝クロム線の周囲を絶縁性の断熱材で囲
んでおくことが有効である。ここで６ボン状のニクＩ＝
人線を用いたのは、水の流れぞいるパイプの外壁に熱が
よく伝わるようＫするためである。もちろん書影の線で
もよい。 ここでは、ニクロム着のリボンや線を用いたヒータの例
について述べたが、水を加熱するのであるから、ヒータ
自一体の温度もそれ程高くは・ならない。たかだか高く
なっても数１０℃から数１００°Ｃである。したがって
、必ずしもニクロム線を使う必要はない。抵抗率が高い
他の゛合金でもよいし、耐熱性のある合成ゴムや樹脂中
に金属粉やカーボン粉をまぜた抵抗体でもよい。流れて
いる水との絶縁が保たれるようにして、水を流すパイプ
自身をこうした抵抗性材料で作って、直接パイプに電流
を流して加熱することもできる。 また、第１２図のように水７３を流すパイプ７１中にニ
クロム線などの抵抗体によるヒータ７２を外側な絶障被
覆して挿入することも有効である。この例では、ヒータ
７３の周囲は殆んど完全に水によっておおわれることに
なって、ヒータと水との熱交換効率がきわめてよいこと
になる。水の流れは管壁より中心はど速いから、ヒータ
は水の流速の速くなる部分に有効に配置する。パイプの
全長は、たとえば、１ｍとか所長さも電源に合わせてき
ある。 水の昇温速度を速くするためには、スイッチ投入後のわ
ずかな時間だけ入る電力が大きいことが望ましい。商用
電源で直接加熱する場合であれば、１ｆ１１長さのパイ
プに連続的に巻いていたニクロム線を中央で２つに分け
ておいて、最初短時間だけ並列接続にして電流を流せば
よい。 こうすると、抵抗値が０．５９Ωになるから１００Ｖ電
源で１７ＫＷの電流が入ることになる。しばら（して、
接続をもとの直列接続に戻せばよい。 あるいは、商用電源にサイリスタの制豐部を設けて、実
効的に加わる電圧を制御してもよい。 その時には、ニクロム線の抵抗をあらかじめ小さくして
おく。たとえば１Ωにしておけば、１００Ｖで１ＯＫＷ
、８０Ｖで６．４ＫＷということになる。。 このようにニクロム−等の抵抗体ヒータを用い直接商用
電源で加熱する方法においても固体素子による制御回路
は有効である。固体素子による制御回路を用いることに
よって非常に効率よく温度の制−が行なえ、たとえば流
量のいかんＫかかわらず一定の温度の温湯な供給するこ
とも簡単にできる。 使用する固体素子は、効率及び安全性を考慮すれば、高
周波誘導加熱の場合と同様にノーマリオフ型のＳＩサイ
リスタが最適である。交流を直接制御する方式であるか
ら、ノーマリオフ型のＳＩサイリスタであれば、よしん
ば何らかの原因でゲート制御回路が破゛壊したとしても
その次のサイクルから電流が流れなくなり危険を防止で
きる。効率については高周波誘導加熱のところで述べた
とおりである。もちろん使用する固体素子はノーマリオ
フ型８１サイリスタに限られるわけではない。適当な安
全装置をつけることによってノーマリオンｍＳ■サイリ
スタを使用することもできるし、通常のサイリスタやバ
イポーラトランジスタあるいは電界効果トランジスタも
、目的によっては使用できる。 第１３図に、ニクｃＩ＾纏等の抵抗体ヒータを用い、直
接商用電源を固体素子によって制御して加熱する場合の
回路構成例を示す。８２がニ□クロム線等の抵抗体ヒー
タｋ・よる発熱部分で、商用電源８１より加えられる電
力を、ＳＩサイリスタ等の固体素子による制御回路８４
で制御している、。β５が制御パルス発生回路、８３が
安全リレ゛−である。 第１４図に制御回路の１例を示す。Ｑｌ及びＱ２はＳＩ
サイリスタ、Ｒ，％Ｃ８はサージ吸収用の抵抗及びコン
デンサである。９１にニクＩ：ｌＡ線−等の抵抗体ヒー
タが接続され、このヒータのもう一方の端と７−ス９４
との間に商用電源が接続される。モして９２及び９３に
適当なパルスを加えるととＫよって、所望の温度の温湯
が得られるように、入力電力が制御されるようＫなって
いる。 高周波誘導加熱の場合には、ゲートパルスの位相を、ス
イッチ投入後は十分に電流が流れるように設定しておい
て、しばらくしてからゲートパルスの位相を遅らせて流
れる電流を減少させればよい。 本発明の湯沸器を各家庭などで使うことを考えると、最
大許容量電力は決っている。したがって、使用開始当初
からあたたかい水を得るためには、最初は水量を少な（
しておく方がよい。 また、使用頻度が多い所では、水を使用していない時に
、水を循環させておいて、加熱電力を低下させておいで
ある程度の温度に予備加熱しておく。水を使用し始める
ときには、加熱電力を正規の電力に上昇すればよい。 本発明の電気加熱による瞬間湯沸器は、ガス加熱湯沸器
に（らべて、ガス漏れ事故などの心配がまったくなく、
大型共同住宅や、大型ビル、地下街などで使用するのに
最適である。高周波誘導加熱部よる湯沸器の場合には、
ヒータに直接電流を流して加熱するのではなＪｌから、
誘導加熱用のコイルと被加熱導電体の間に、導電体が存
在しなければ、非導電性材料で作られた容器の中に設け
られた、導電体−分だけを加熱できることになる。たと
えば、高圧がま中の所′定の個所だけを加熱することが
できる。あるいは、減圧状態になされた容器中の所定の
個所だけ加熱することもできる。もちろん、加熱される
ものは水だけに限られるわけではない。薬品でもなんで
もよい。 このように、本発明の湯沸器は、その用途が広く、工業
的価値は高い。 ４、図面の簡単な説明 第１図は円筒導体に消ｌされる電力Ｐの周波数ｆ依存性
、第２図は水の昇温に必要な所要電力ｐｙの水ｌ：７ｗ
依存性、第３図及び第４図は高周波誘導加熱部、第５図
はコイルを複数個に分けた場合の高周波誘導加熱部、第
６図は平板状コイル、第７図は高周波誘導加熱部、第８
図はＳＩサイリスタを用いた高周波発生回路、第９図は
８１サイリスタを用いた高周波発生回路の別の例、第１
０図は入力電力と上昇温度の関係、１１Ｅ１’１図は半
導体デバイスマウント部で（、）は平面図、（ｂ）は断
面図、第１２図は直熱方式加熱部、第１３図は抵抗体ヒ
ータを用い、直接商用電源 ゛を固体素子罠よって制
御する場合の回路構成例、第１４図はＳＩサイリス門を
用いた商用電源制御回路例である、 １／ｓ５図 ＩＩ（？図 第１Ｑｓ （久 ） （ｂ ） ” ８１２゜
Claims (4)
- （１）７に′メｆｉ、７．８４よ、い、１ケ、オアー５
１区１、体よ抄−なるヒータ゛も“しくは導電体よ抄な
□パるコ゛イルからなる電気加熱部を備えたことを特許
とする電気湯沸器。 - （２）前記水の流れる容器の少なくとも一部が導電体よ
抄形成されており、前記導電体より形成される水の流れ
ている容器に絶縁層を介して１．円筒型もしくは平板型
コイルが密着して設けられており、前記コイルが高周波
発振器の出力端子に接続されていることを特徴とする特
許求の範囲第１項記載の電気湯沸器。 - （３）前記高周波発振器を構成する半導体デバイスが，
前記水の流れの上流側の所定の個所に薄い絶縁体を介し
て密接して設けられたことを特徴とする前記特許請求の
範囲第１項乃至第２項記載の電気湯沸器。 - （４）前記ヒータが水の流れる容器の内部に設けられて
おり，直接水と熱交換するべく配置したことをｓ′徴と
．す；る、前記特許請求の範囲第１項記載の電気湯沸器
。・ ７ 、 、る。 ガース加熱方式瞬閘湯沸器紘．水を流し始めて。 すなわちガス点火後比較的短い時間で，たとえ。 ば２０℃〜５０℃程度に流れ出る水の温．度が上り，大
変便利な装置として，既に多くの家庭や営業用に使われ
ている。 しかし、最近のように大型の共同住宅やビルまた地下街
等が多くな゛って，゛こうしたビルや地下街のあらゆる
場所でガスが使われると，ガス洩れがあったときに非常
に大きな事故を起すことになり，滉して望ましいことで
はない。特に。 瞬間湯沸器のように多量のガスを使う機器が多いと，ガ
ス洩れ，不完全燃焼時の事故の被害が大きくなる。瞬間
湯沸器が有用であることはすでに実証ずみである。した
がって、ガスによ−らない瞬間湯沸器の出現が望まれる
ことになる。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10204881A JPS582549A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 電気湯沸器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10204881A JPS582549A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 電気湯沸器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS582549A true JPS582549A (ja) | 1983-01-08 |
Family
ID=14316877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10204881A Pending JPS582549A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 電気湯沸器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS582549A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009050631A1 (en) * | 2007-10-18 | 2009-04-23 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Flow-through induction heater |
| JP2011238449A (ja) * | 2010-05-10 | 2011-11-24 | Kame Takeharu | 電磁誘導加熱装置及びそれを用いた暖房・給湯装置 |
| CN107255362A (zh) * | 2012-02-09 | 2017-10-17 | 特电株式会社 | 流体加热装置 |
| CN110207365A (zh) * | 2019-06-12 | 2019-09-06 | 哈尔滨理工大学 | 一种电磁加热水箱 |
-
1981
- 1981-06-30 JP JP10204881A patent/JPS582549A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009050631A1 (en) * | 2007-10-18 | 2009-04-23 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Flow-through induction heater |
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| CN107255362A (zh) * | 2012-02-09 | 2017-10-17 | 特电株式会社 | 流体加热装置 |
| CN107255362B (zh) * | 2012-02-09 | 2019-12-17 | 特电株式会社 | 流体加热装置 |
| CN110207365A (zh) * | 2019-06-12 | 2019-09-06 | 哈尔滨理工大学 | 一种电磁加热水箱 |
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