JPS5825289A - Ｔｅ型高出力レ−ザ− - Google Patents
Ｔｅ型高出力レ−ザ−Info
- Publication number
- JPS5825289A JPS5825289A JP57116091A JP11609182A JPS5825289A JP S5825289 A JPS5825289 A JP S5825289A JP 57116091 A JP57116091 A JP 57116091A JP 11609182 A JP11609182 A JP 11609182A JP S5825289 A JPS5825289 A JP S5825289A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- laser
- chamber
- side wall
- current return
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/097—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
- H01S3/0971—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser transversely excited
- H01S3/09713—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser transversely excited with auxiliary ionisation, e.g. double discharge excitation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/038—Electrodes, e.g. special shape, configuration or composition
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明はレーザー室内にあってレーザー元軸に平行に
拡がり間隔を保って対向する少くとも二つの電極の間に
発生するできるだけ一様な無アーク・コンデンチ放電に
よっ石励起されるＴＥ型の高出力レーザー（二関する。 この種の高出力レーザーは例えば西独国特許出願公開第
２９３２７８１号明細書に記載されている。このレーザ
ーに使用される予備イオン化装置も既に提案されている
（西独国特許出願公開第３０３５７０２号、第３０３５
７３０号明細書）。 ＴＩレーザー（横励起レーザー］ば廉価であり平均出力
が高く光化学特に光化学工業の分野において要求される
。このレーザーの動作にはできるだけ高い電流上昇速度
が必要であるが、これは励起回路のインダクタンスを最
小にすることによって達成される。この要求からできる
だけコンパクトなレーザー容器が必要となり、その結果
容器壁に沿って沿面放電が発生する危険が著しく増大す
る。沿面放電の原因は接線方向の電界成分であるが、所
望される体積放電からエネルギーを引き出す外壁面で起
る表面反応によりレーザー・ガスの品質！悪化させる。 これらの効果シ：よりレーザー放出が妨害され場合によ
っては阻止されることもある。 この発明の目的は上記の高出力レーザーを改良してコン
パクトな構成Ｃ＝も拘らず内壁面６二沿う寄生的の沿面
放電が少くとも実際上防止されるようにすることである
。 この目的は特許請求の範囲第１項に特徴として挙げた構
造を採用することに１って達成される。 この発明の展開による構成は特許請求の範囲第２項以下
Ｃ二足され、又以下の説明によって明らかＣ二される。 この発明によって達成きれる利点は特にインダクタンス
が低くコンパクトな高出力レーザーが得られ、動作に際
して沿面放電が全熱あるいは殆んど発生せず、損失が極
めて低く、レーザー・ガスの良好な品質が長く維持され
ることである。 この発明の４種類の実施例を示す図面Ｅ二ついてこの発
明を更に詳細Ｃ二説明する。図面にはこの発明を理解す
るために必ずしも必要としない部分を除いて簡略（ニし
た構造が示されている。 第′１図にＴＥ型嵩高出力レーザー断面を示Ｔ０レーザ
ー室ｌはレーザー・ガスを満たされてガス室となり、電
極Ｅ１とＥ２に発生するできるだけ一様な無アーク・コ
ンデｙす放電（；よつでＶ−デ−光放射が励起される。 両レーザー電極Ｅ１とＥ２はレーザー元軸ａ。に平行に
拡がり、間隔を保って対向する。その間の最短距離Ｓが
放電間隙となる。レーザー容器２は細長い矩形断面のも
のと想定されるが、楕円形又は円形断面のものでもよい
。 容器２は高純ＡＩ、０．セラミック又は適当な絶縁性合
成樹脂製が有利である。容器２の外側部分は電極Ｅ２に
対する電流返還部ｅ２ （ｅ２１．ｅ２２）とすること
ができる。第一電極Ｅｌはパルス発生回路ＰＦＮの一方
の極に接続され、第二電極Ｅ２の電流返還部ｅ２はその
他方の糧に接続される。 パルス発生回路はプルニームライン回路又は電荷転送回
路として動作しレーザーに必要な高電圧パルスを供給す
る。回路ＰＦＮには更に予備イオンｆヒ棒ｖ１とＶ２が
接続される。Ｖｌは電極Ｅ１の近くにレーザー元軸ａ０
に平行して設けられ、ｖ２は電極Ｅ２の近くに光軸に平
行して設けられる。 この種の予備イオン化棒の構成と接続は既に発表さ几て
いる（西独国特許出願公開第３０３５７３い。電極Ｅ
１＊ Ｅ ２は電流情導用の軸部ｅｌｏ。 ６２０と電流分散用の頭部ｅｌｏｌ 、ｅ２０１から構
成され容器２の壁（二作られた孔を通してガス密にレー
ザー室１内に突き出している。電流返還部ｅ２は金属壁
ｅ２１ （底板）とｅ２２
拡がり間隔を保って対向する少くとも二つの電極の間に
発生するできるだけ一様な無アーク・コンデンチ放電に
よっ石励起されるＴＥ型の高出力レーザー（二関する。 この種の高出力レーザーは例えば西独国特許出願公開第
２９３２７８１号明細書に記載されている。このレーザ
ーに使用される予備イオン化装置も既に提案されている
（西独国特許出願公開第３０３５７０２号、第３０３５
７３０号明細書）。 ＴＩレーザー（横励起レーザー］ば廉価であり平均出力
が高く光化学特に光化学工業の分野において要求される
。このレーザーの動作にはできるだけ高い電流上昇速度
が必要であるが、これは励起回路のインダクタンスを最
小にすることによって達成される。この要求からできる
だけコンパクトなレーザー容器が必要となり、その結果
容器壁に沿って沿面放電が発生する危険が著しく増大す
る。沿面放電の原因は接線方向の電界成分であるが、所
望される体積放電からエネルギーを引き出す外壁面で起
る表面反応によりレーザー・ガスの品質！悪化させる。 これらの効果シ：よりレーザー放出が妨害され場合によ
っては阻止されることもある。 この発明の目的は上記の高出力レーザーを改良してコン
パクトな構成Ｃ＝も拘らず内壁面６二沿う寄生的の沿面
放電が少くとも実際上防止されるようにすることである
。 この目的は特許請求の範囲第１項に特徴として挙げた構
造を採用することに１って達成される。 この発明の展開による構成は特許請求の範囲第２項以下
Ｃ二足され、又以下の説明によって明らかＣ二される。 この発明によって達成きれる利点は特にインダクタンス
が低くコンパクトな高出力レーザーが得られ、動作に際
して沿面放電が全熱あるいは殆んど発生せず、損失が極
めて低く、レーザー・ガスの良好な品質が長く維持され
ることである。 この発明の４種類の実施例を示す図面Ｅ二ついてこの発
明を更に詳細Ｃ二説明する。図面にはこの発明を理解す
るために必ずしも必要としない部分を除いて簡略（ニし
た構造が示されている。 第′１図にＴＥ型嵩高出力レーザー断面を示Ｔ０レーザ
ー室ｌはレーザー・ガスを満たされてガス室となり、電
極Ｅ１とＥ２に発生するできるだけ一様な無アーク・コ
ンデｙす放電（；よつでＶ−デ−光放射が励起される。 両レーザー電極Ｅ１とＥ２はレーザー元軸ａ。に平行に
拡がり、間隔を保って対向する。その間の最短距離Ｓが
放電間隙となる。レーザー容器２は細長い矩形断面のも
のと想定されるが、楕円形又は円形断面のものでもよい
。 容器２は高純ＡＩ、０．セラミック又は適当な絶縁性合
成樹脂製が有利である。容器２の外側部分は電極Ｅ２に
対する電流返還部ｅ２ （ｅ２１．ｅ２２）とすること
ができる。第一電極Ｅｌはパルス発生回路ＰＦＮの一方
の極に接続され、第二電極Ｅ２の電流返還部ｅ２はその
他方の糧に接続される。 パルス発生回路はプルニームライン回路又は電荷転送回
路として動作しレーザーに必要な高電圧パルスを供給す
る。回路ＰＦＮには更に予備イオンｆヒ棒ｖ１とＶ２が
接続される。Ｖｌは電極Ｅ１の近くにレーザー元軸ａ０
に平行して設けられ、ｖ２は電極Ｅ２の近くに光軸に平
行して設けられる。 この種の予備イオン化棒の構成と接続は既に発表さ几て
いる（西独国特許出願公開第３０３５７３い。電極Ｅ
１＊ Ｅ ２は電流情導用の軸部ｅｌｏ。 ６２０と電流分散用の頭部ｅｌｏｌ 、ｅ２０１から構
成され容器２の壁（二作られた孔を通してガス密にレー
ザー室１内に突き出している。電流返還部ｅ２は金属壁
ｅ２１ （底板）とｅ２２
【両側機】から成り第二電極
Ｅ２が容器２の側壁に沿って少くとも第一電場を包囲す
る容器壁部分の近くまで伸びている。Ｍはｅ２およびＥ
２の接地導線であ−る。 ガス室内の放電点火の直前（＝電ａｉＥ２と電流返還部
ｅ２は等電位Ｃあり、電極Ｅ１はそれと異った電位にあ
る。それによって電極Ｅ１とＥ２の間には電極間の電位
差と電極の形状ｇ二よって決まる電界ＦＬが形成される
。同時に電極Ｅ１と電流返還部ｅ２特にその側壁部ｅ２
２の間にも、同じ電位差と間隔ａの昇給縁材料の誘電率
（＝よって決まる電界が形成される。これらの電界成分
が電極Ｅ１の周りの電界を決定する。間隔Ｓとａが同程
度の大きさであれば、電気力線の大部分は容器２の絶；
還材料内に侵入して絶縁材料への放電！誘起でる。 従って次に述べる放電防止手段がとられていないと絶縁
体表面に沿面放電が起る。この放電防止手段として間隔
Ｓを固定して間隔ａを広げるとレーザー容器のインダク
タンスが増大するという有害な作用があるので、この発
明においてはその代りに電流導入部に接続された第一電
極Ｅｌの両側において（レーザー元軸ａ０の方向に見て
）電極Ｅ１と電流返還部ｅ２の側壁ｅ２２との間に光軸
ａ。 に平行に拡がる空室３を容器２の絶縁材料内に作り、こ
の空室に遮蔽電極４を挿入する。遮蔽電極４は電極Ｅ１
に導線４１によって導電結合するかあるいは容量結合す
る。これによって電流返１部ｅ２が電極Ｅ１の周囲の電
界分布に及ぼす作用が軽減され、レーザー容器内の電界
は主として電極Ｅ１とＥ２によって決定され、ガス空間
の外側で電極４と電流導体ｅ２の間に外側電界Ｆ８が作
られる。空室３は電極Ｅ１を包囲Ｔる容器壁部分から始
まって第二電極Ｅ２を包囲する容器壁部分に向って遮蔽
電極４のこの方向の長さ１４よりも深い所まで達してい
る。これによって遮蔽電極４が電極Ｅ２付近の電界に及
ぼ丁反作用を充分避けることができる。この場合図に示
′ｆようｇ二空室３ｖ第−電極Ｅ１の脚ｅｌｏのレベル
から始まって第二電極Ｅ２の脚ｅ２０レベルまで伸ばし
ておくと特に有利である。この構造（二より一絶縁材料
表面の沿面放電に対する波動抵抗が高くなり沿面放電の
発生に対して逆作用を及ぼす。 沿面放電に対する波動抵抗の増大は電流返還部ｅ２の側
壁部ｅ２２のレーザー室ｌに向った内面に盆状の凹み５
を作り、これを遮蔽電極４の自由端４０の重なり部分４
１５から始まって少ぐとも空室３の底面３．０の近くま
で拡げることに裏ってインダクタンスを僅か増大させる
だけで達成される。 この場合電流返還部ｅ２と容器２の絶縁材料部分の間に
誘電率がほぼ１であるガス空間５Ｉが作られる。遮蔽電
極４は第２図に詳細に示したように多数の電気的に結合
された金属ビン４１Ｎ又は４＞？から構成され、これら
の金属ピンは例えばフライス削りによって作られた溝３
ａ、３ｂ内に収められる。フライス削り溝３ａ 、３ｂ
の代りに多数の平行して作られたポーリング孔を使用し
この孔に金属ピンを収容してもよい。 第５図に金網４０から成る遮蔽電極４が絶縁材、料製の
容器２のスリット状の空室３０に挿入された構造の一部
の透視図を示す。空室３０の底面は３００として示され
、この底面と遮蔽電極の下の縁端との間の間隔が遮蔽電
極無しの空間３０ａとなる。この空間が第１図の３ａＣ
対応する。金網４０の代蚤月二金属板を使用することも
可能である。 第６図には同じく部分透視図によって遮蔽電極４として
レーザー軸又は電極軸に平行に張られた針金４００が容
器側壁３の長手方向の溝３００に収められている構造を
示Ｔ０電極Ｅ１の電位接続は端面の結合片４ｏｏ、１
を通して行われる。この結合片は細長い金属板であり縦
溝３００に続く横溝３００１内に置かれる。４００．１
と４００の間の電気接続は針金４００の裸の端部を突
出縁を持つ金属板４００１の孔に挿入し突出縁を押しっ
ぷ丁ことにＬっそ作られる。遮蔽電極無しの空室は３０
０ａと公示され、＠５ｏｏｃｔ）下に作られｆ−スリッ
トシニよって構成される。 第３図、第４図に示した別の実施例では、レーザー室１
の容器３がレーザー・ガスをレーザーの元軸ａ。（二垂
直にａｌの方向に流丁ため窓状の孔６を備える。特に第
４図に示すように残された容器壁部分７の中心に置かれ
た電流返還部・０２′は絶縁材料の第一層８で覆われて
いる。この絶縁層は遮蔽電極４′によって包まれ、遮蔽
電極４１は第二襖縁層９で包まれている。第１図に示さ
れている空室３ａと凹み５はこの実施例においても設け
られるが図Ｃ：は示されていない。 第７図（＝は上記の実施例の遮蔽電極４．４／と共同し
て電位分布を更に改善するための電極断面形状を示す。 図にＥとして示されている電極では破線で示したチャン
又はロゴウスキ包絡面である凸面部分１０の長手方向に
二複数の溝１２が例えばフライス削り１ニよって作られ
、これらの溝の間に長く伸びた突出部が残されている。 このように変形されたチャン・ロゴウスキ断面の作用で
半径方向の電界成分が切線方向成分を犠牲にして増強さ
れ、それによって遮蔽電極４の遮蔽作用と空室５の沿面
放電（二対する波動抵抗の増大作用が補強される。 特に耐ハロゲン性の合金例えば合金鋼又はアルミニウム
で作られた電極Ｅの軸部はｅ３０ として。 頭部はｅ３０１として示されている。ここでチャン・ロ
ゴウスキ断面は一例として挙げたものでそれ以外の断面
形状にも適当なものがある。
Ｅ２が容器２の側壁に沿って少くとも第一電場を包囲す
る容器壁部分の近くまで伸びている。Ｍはｅ２およびＥ
２の接地導線であ−る。 ガス室内の放電点火の直前（＝電ａｉＥ２と電流返還部
ｅ２は等電位Ｃあり、電極Ｅ１はそれと異った電位にあ
る。それによって電極Ｅ１とＥ２の間には電極間の電位
差と電極の形状ｇ二よって決まる電界ＦＬが形成される
。同時に電極Ｅ１と電流返還部ｅ２特にその側壁部ｅ２
２の間にも、同じ電位差と間隔ａの昇給縁材料の誘電率
（＝よって決まる電界が形成される。これらの電界成分
が電極Ｅ１の周りの電界を決定する。間隔Ｓとａが同程
度の大きさであれば、電気力線の大部分は容器２の絶；
還材料内に侵入して絶縁材料への放電！誘起でる。 従って次に述べる放電防止手段がとられていないと絶縁
体表面に沿面放電が起る。この放電防止手段として間隔
Ｓを固定して間隔ａを広げるとレーザー容器のインダク
タンスが増大するという有害な作用があるので、この発
明においてはその代りに電流導入部に接続された第一電
極Ｅｌの両側において（レーザー元軸ａ０の方向に見て
）電極Ｅ１と電流返還部ｅ２の側壁ｅ２２との間に光軸
ａ。 に平行に拡がる空室３を容器２の絶縁材料内に作り、こ
の空室に遮蔽電極４を挿入する。遮蔽電極４は電極Ｅ１
に導線４１によって導電結合するかあるいは容量結合す
る。これによって電流返１部ｅ２が電極Ｅ１の周囲の電
界分布に及ぼす作用が軽減され、レーザー容器内の電界
は主として電極Ｅ１とＥ２によって決定され、ガス空間
の外側で電極４と電流導体ｅ２の間に外側電界Ｆ８が作
られる。空室３は電極Ｅ１を包囲Ｔる容器壁部分から始
まって第二電極Ｅ２を包囲する容器壁部分に向って遮蔽
電極４のこの方向の長さ１４よりも深い所まで達してい
る。これによって遮蔽電極４が電極Ｅ２付近の電界に及
ぼ丁反作用を充分避けることができる。この場合図に示
′ｆようｇ二空室３ｖ第−電極Ｅ１の脚ｅｌｏのレベル
から始まって第二電極Ｅ２の脚ｅ２０レベルまで伸ばし
ておくと特に有利である。この構造（二より一絶縁材料
表面の沿面放電に対する波動抵抗が高くなり沿面放電の
発生に対して逆作用を及ぼす。 沿面放電に対する波動抵抗の増大は電流返還部ｅ２の側
壁部ｅ２２のレーザー室ｌに向った内面に盆状の凹み５
を作り、これを遮蔽電極４の自由端４０の重なり部分４
１５から始まって少ぐとも空室３の底面３．０の近くま
で拡げることに裏ってインダクタンスを僅か増大させる
だけで達成される。 この場合電流返還部ｅ２と容器２の絶縁材料部分の間に
誘電率がほぼ１であるガス空間５Ｉが作られる。遮蔽電
極４は第２図に詳細に示したように多数の電気的に結合
された金属ビン４１Ｎ又は４＞？から構成され、これら
の金属ピンは例えばフライス削りによって作られた溝３
ａ、３ｂ内に収められる。フライス削り溝３ａ 、３ｂ
の代りに多数の平行して作られたポーリング孔を使用し
この孔に金属ピンを収容してもよい。 第５図に金網４０から成る遮蔽電極４が絶縁材、料製の
容器２のスリット状の空室３０に挿入された構造の一部
の透視図を示す。空室３０の底面は３００として示され
、この底面と遮蔽電極の下の縁端との間の間隔が遮蔽電
極無しの空間３０ａとなる。この空間が第１図の３ａＣ
対応する。金網４０の代蚤月二金属板を使用することも
可能である。 第６図には同じく部分透視図によって遮蔽電極４として
レーザー軸又は電極軸に平行に張られた針金４００が容
器側壁３の長手方向の溝３００に収められている構造を
示Ｔ０電極Ｅ１の電位接続は端面の結合片４ｏｏ、１
を通して行われる。この結合片は細長い金属板であり縦
溝３００に続く横溝３００１内に置かれる。４００．１
と４００の間の電気接続は針金４００の裸の端部を突
出縁を持つ金属板４００１の孔に挿入し突出縁を押しっ
ぷ丁ことにＬっそ作られる。遮蔽電極無しの空室は３０
０ａと公示され、＠５ｏｏｃｔ）下に作られｆ−スリッ
トシニよって構成される。 第３図、第４図に示した別の実施例では、レーザー室１
の容器３がレーザー・ガスをレーザーの元軸ａ。（二垂
直にａｌの方向に流丁ため窓状の孔６を備える。特に第
４図に示すように残された容器壁部分７の中心に置かれ
た電流返還部・０２′は絶縁材料の第一層８で覆われて
いる。この絶縁層は遮蔽電極４′によって包まれ、遮蔽
電極４１は第二襖縁層９で包まれている。第１図に示さ
れている空室３ａと凹み５はこの実施例においても設け
られるが図Ｃ：は示されていない。 第７図（＝は上記の実施例の遮蔽電極４．４／と共同し
て電位分布を更に改善するための電極断面形状を示す。 図にＥとして示されている電極では破線で示したチャン
又はロゴウスキ包絡面である凸面部分１０の長手方向に
二複数の溝１２が例えばフライス削り１ニよって作られ
、これらの溝の間に長く伸びた突出部が残されている。 このように変形されたチャン・ロゴウスキ断面の作用で
半径方向の電界成分が切線方向成分を犠牲にして増強さ
れ、それによって遮蔽電極４の遮蔽作用と空室５の沿面
放電（二対する波動抵抗の増大作用が補強される。 特に耐ハロゲン性の合金例えば合金鋼又はアルミニウム
で作られた電極Ｅの軸部はｅ３０ として。 頭部はｅ３０１として示されている。ここでチャン・ロ
ゴウスキ断面は一例として挙げたものでそれ以外の断面
形状にも適当なものがある。
第１図はこの発明の一つの実施例の断面図、第２図は第
１図の■−ｎ線に沿う断面図、第３図はレーザー室の構
成の一例を示す平面図、第４図は第３図のＩＶ−ＩＶ線
に沿う断面図、第５図と第６図は針金又は金網で作られ
た遮蔽電極の透視図であり、第７図は電位分布を改善す
る電極断面形状の一例を示″ｆ１ １・・・レーザー室、 ２・・・レーザー容器、３・・
・空室、 ４・・・遮蔽電極、 Ｅｌ・・・ 第一電極
、 Ｅ２・・・第二電極、 ｅ２・・・電流返還部。 ｅ２２・・・電流返還部の側壁、 ａｏ・・・レーザ
ー光軸。
１図の■−ｎ線に沿う断面図、第３図はレーザー室の構
成の一例を示す平面図、第４図は第３図のＩＶ−ＩＶ線
に沿う断面図、第５図と第６図は針金又は金網で作られ
た遮蔽電極の透視図であり、第７図は電位分布を改善す
る電極断面形状の一例を示″ｆ１ １・・・レーザー室、 ２・・・レーザー容器、３・・
・空室、 ４・・・遮蔽電極、 Ｅｌ・・・ 第一電極
、 Ｅ２・・・第二電極、 ｅ２・・・電流返還部。 ｅ２２・・・電流返還部の側壁、 ａｏ・・・レーザ
ー光軸。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １〕 電流導入部に接続された第一電極（Ｅ１〕の両側
に、この電極と電流返還部（ｅ２）の側壁（ｅ２２）の
間にあって電極軸に平行に伸びた空室（３〕が容器側壁
（２）の絶縁材料内に作られていること、この空室（３
）に第−電極の電位に置かれた遮蔽電極（４〕が挿入さ
れていること全特徴とするレーザー電極が適当な予備イ
オン化装置と共に部分的に高耐電圧絶縁材料から成るレ
ーザー室内に設けられ電流導入部又は電流返還部Ｃ接続
され、電流返還部は金属壁の形で第二電極からレーデ−
室側壁に沿って第一電極を包囲する容器壁近くまで拡が
っているレーザー室内でレーザー元軸Ｃ二平行に拡がり
間隔を保って対向する少くとも二つの電極の間に発生す
る無アーク・コンデンサ放電によって励起されるＴＥ型
嵩高出力レーザー ２） 空室（３）が第二電極（Ｅ２）ｇ包囲する容器壁
部分ｇ：向って遮蔽電極（４）よりも長く伸びているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の高出力レー
ザー。 ３）空室（３〕が第一電極（Ｅｌ）の脚部（ｅｌｏ）か
ら始まって第二電極（Ｅ２］の脚部（ｅ２０）のレベル
まで伸びていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
又は第２項記載の高出力レーザー。 ４〕 電流返還部（ｅ２）の側壁（ｅ２２）のレーザー
室［１）に向う側に盆状の凹み（５］が設けらｔ’Ｌ、
この凹みが遮蔽電極（４）の自由端との間に形成される
オーバーラツプ領域（４／ ５ ）から始まって少くと
も空室（３）の底面（３，０）近くまで拡がっているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項の一つ
に記載の高出力レーザー。 ５】！！蔽電電Ａｔ４が多数の電気的Ｃ二結合された金
属ピンから構成され、これらのピンはフライス削り又は
多数の並列穴あけによって作られた空所（３ａ）内に収
められていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の高出力レーザー。 ６） 金属板又は金網で作られた遮蔽電極（４ｏ）がス
リット状の空室（３０）に収められていることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の高出力レーザー。 フ） 遮蔽電極がレーザー軸又は電掻軸に平行に張られ
た針金（４００）から構成され、これらの針金はレーザ
ー室側壁の長手方向の溝（３００）に入れられ第一電極
（Ｅ１〕に結合されていることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の高出力レーザー。 ８） レーザー室側壁が電流返還部と共にレーザー媒質
ガス流のための貫通孔を備え、残された容器壁部分の中
心を通る金属電流返還部が絶縁材料層（８］で包まれて
いること、絶縁材料層（８）が遮蔽電極（４）で包まれ
、その上に第二の絶縁材料層（９）が設けられているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の高出力レー
ザー。 ９）電極がチャン又はロゴウスキ断面形状を持ち、電場
の表面部分（１０ンにはその長手方向に多数の縁が丸め
られた溝（１２］が作られ、その間に長手方向に伸びた
隆起（１３］が断面包絡面内に作られていることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の高出力レーザー。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3126375.5 | 1981-07-03 | ||
| DE3126375A DE3126375C2 (de) | 1981-07-03 | 1981-07-03 | Transversal angeregter Hochenergielaser |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5825289A true JPS5825289A (ja) | 1983-02-15 |
| JPS6322636B2 JPS6322636B2 (ja) | 1988-05-12 |
Family
ID=6136086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57116091A Granted JPS5825289A (ja) | 1981-07-03 | 1982-07-02 | Ｔｅ型高出力レ−ザ− |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4503542A (ja) |
| JP (1) | JPS5825289A (ja) |
| AU (1) | AU554956B2 (ja) |
| CA (1) | CA1159939A (ja) |
| DE (1) | DE3126375C2 (ja) |
| FR (1) | FR2509096B1 (ja) |
| GB (1) | GB2102191B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59502048A (ja) * | 1982-11-13 | 1984-12-06 | カ−ル ギユ−ルス | レ−ザ放射の発生装置 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3390286T1 (de) * | 1982-10-14 | 1985-01-24 | Macquarie University, North Ryde, New South Wales | Entladungsangeregter Hochdruck-Gaslaser |
| DE3313811A1 (de) * | 1983-04-15 | 1984-10-18 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Transversal angeregter gaslaser |
| US4817107A (en) * | 1983-05-19 | 1989-03-28 | Laser Science, Inc. | Laser plasma chamber |
| DE3403841A1 (de) * | 1984-02-03 | 1985-08-08 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Gaslaser, insbesondere te-laser |
| US4709373A (en) * | 1985-11-08 | 1987-11-24 | Summit Technology, Inc. | Laser excitation system |
| JPS636886A (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-12 | Nec Corp | 横方向励起型レ−ザ装置 |
| US4905250A (en) * | 1987-11-13 | 1990-02-27 | The European Atomic Energy Community | Pre-ionizing electrode arrangement for a gas discharge laser |
| US4882735A (en) * | 1988-12-01 | 1989-11-21 | United Technologies Corporation | Modular UV preionization package for a CO2 laser |
| GB2233814B (en) * | 1989-07-10 | 1994-06-22 | Toshiba Kk | Laser apparatus |
| US5220576A (en) * | 1990-09-26 | 1993-06-15 | Seimans Aktiengesellschaft | Slab or stripline laser |
| US5632432A (en) * | 1994-12-19 | 1997-05-27 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Surgical instrument |
| CN100449887C (zh) * | 2005-11-23 | 2009-01-07 | 中国科学院电子学研究所 | 电晕预电离脉冲气体激光器 |
| US20070297479A1 (en) * | 2006-06-22 | 2007-12-27 | Bio-Rad Laboratories | Triggered spark gap |
| CN105119131A (zh) * | 2015-09-23 | 2015-12-02 | 江苏卓远激光科技有限公司 | 一种激光器电极板的安装结构 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5756225B2 (ja) * | 1972-10-30 | 1982-11-29 | ||
| US4085386A (en) * | 1973-05-30 | 1978-04-18 | Westinghouse Electric Corporation | Independent initiation technique of glow discharge production in high-pressure gas laser cavities |
| US4064465A (en) * | 1973-05-30 | 1977-12-20 | Westinghouse Electric Corporation | Laser cavities with gas flow through the electrodes |
| DD136680A1 (de) * | 1978-02-07 | 1979-07-18 | Werner Schramm | Elektrodenanordnung zur erzeugung mehrerer geometrisch getrennter gaslaserimpulse |
| DE2932781C2 (de) * | 1979-08-13 | 1985-10-31 | Kraftwerk Union AG, 4330 Mülheim | Vorrichtung zur Erzeugung schneller gepulster Kondensatorentladungen in einem Laser |
| DE3035730A1 (de) * | 1980-09-22 | 1982-05-13 | Kraftwerk Union AG, 4330 Mülheim | Hochenergielaser des tea-typs mit laser-achsparrallel angeordneten vorionisierungsstaeben |
| DE3044023C2 (de) * | 1980-11-22 | 1984-11-22 | Eltro GmbH, Gesellschaft für Strahlungstechnik, 6900 Heidelberg | Transversal angeregter Gaslaser-Oszillator oder -Verstärker |
-
1981
- 1981-07-03 DE DE3126375A patent/DE3126375C2/de not_active Expired
-
1982
- 1982-05-25 GB GB08215184A patent/GB2102191B/en not_active Expired
- 1982-06-16 FR FR8210511A patent/FR2509096B1/fr not_active Expired
- 1982-07-02 AU AU85545/82A patent/AU554956B2/en not_active Ceased
- 1982-07-02 CA CA000406519A patent/CA1159939A/en not_active Expired
- 1982-07-02 US US06/394,682 patent/US4503542A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-07-02 JP JP57116091A patent/JPS5825289A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59502048A (ja) * | 1982-11-13 | 1984-12-06 | カ−ル ギユ−ルス | レ−ザ放射の発生装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU8554582A (en) | 1983-01-06 |
| CA1159939A (en) | 1984-01-03 |
| US4503542A (en) | 1985-03-05 |
| GB2102191A (en) | 1983-01-26 |
| DE3126375A1 (de) | 1983-01-27 |
| GB2102191B (en) | 1985-02-20 |
| DE3126375C2 (de) | 1986-11-13 |
| JPS6322636B2 (ja) | 1988-05-12 |
| FR2509096A1 (fr) | 1983-01-07 |
| FR2509096B1 (fr) | 1985-08-30 |
| AU554956B2 (en) | 1986-09-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5825289A (ja) | Ｔｅ型高出力レ−ザ− | |
| US5953360A (en) | All metal electrode sealed gas laser | |
| US5818865A (en) | Compact excimer laser insulator with integral pre-ionizer | |
| US4953174A (en) | Preionization electrode for pulsed gas laser | |
| JPS6015157B2 (ja) | 高速パルス放電励起装置 | |
| JPH10503057A (ja) | パルスガスレーザー用の放電装置 | |
| US3886479A (en) | Electrode systems for gas discharge devices particularly gas lasers | |
| US4613971A (en) | Transversely excited gas laser | |
| KR100505085B1 (ko) | 자외선을 방출하는 가스 레이저 장치 | |
| US4719640A (en) | Multiple parallel RF excited CO2 lasers | |
| GB2098389A (en) | Apparatus for producing laser radiation | |
| US5134641A (en) | Plasma x-ray tube, in particular for x-ray preionizing of gas lasers, and an electron gun using the plasma x-ray tube | |
| US4703489A (en) | Waveguide laser | |
| JPS5825291A (ja) | 条導体コンデンサ | |
| US4240043A (en) | Transverse-longitudinal sequential discharge excitation of high-pressure laser | |
| US4788691A (en) | Method for the operation of a gas laser and a gas laser operated in accord therewith | |
| JPS62502158A (ja) | 横方向放電励起に伴った高効率ｒｆ励起ガスレ−ザ | |
| US20080019411A1 (en) | Compact sealed-off excimer laser | |
| US4905251A (en) | Self-preionizing resistively ballasted semiconductor electrode | |
| US4035683A (en) | High voltage electric switch with trigger electrodes integral with main discharge electrodes | |
| US5293573A (en) | Stripline laser including electrically conducting mirror | |
| JP4049347B2 (ja) | 放電励起式レーザ装置 | |
| JP2001168433A (ja) | パルス放電励起ガスレーザ | |
| JP3779031B2 (ja) | コロナ予備電離電極 | |
| JP2996706B2 (ja) | パルスレーザ発振装置 |