JPS5825236A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
- Publication number
- JPS5825236A JPS5825236A JP12488681A JP12488681A JPS5825236A JP S5825236 A JPS5825236 A JP S5825236A JP 12488681 A JP12488681 A JP 12488681A JP 12488681 A JP12488681 A JP 12488681A JP S5825236 A JPS5825236 A JP S5825236A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- etching
- etched
- plasma
- magnetic poles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はドライエツチング装置、特に高周波プラズマ
を利用するドライエツチング装置に関するものである。
を利用するドライエツチング装置に関するものである。
従来のこの種のドライエツチング装置の概要構成をｌＩ
１図に示しである。この１１１図において、（１）、（
２）は密閉容器内に配置された平行平板電極、（３）は
一方の電極Ｑ）上に置かれた被エツチング試料である。
１図に示しである。この１１１図において、（１）、（
２）は密閉容器内に配置された平行平板電極、（３）は
一方の電極Ｑ）上に置かれた被エツチング試料である。
この構成で密閉容器内を排気した上で、稀ガスあるいは
反応性ガスを導入し、電極（１）を接地、電極（２）に
高周波電力を印加して放電させることにより、発生した
プラズマ中のイオンが電極０）の近傍で高周波電界のた
めに加速され、その衝突する―のスパッタリング作用で
試料（３）を加工（スパッタエツチング）シ、またプラ
ズマにより生じた極めて活性なラジカルイオンを利用し
そ同様に試料（３）を加工（プラズマエツチング）シ得
るのである。
反応性ガスを導入し、電極（１）を接地、電極（２）に
高周波電力を印加して放電させることにより、発生した
プラズマ中のイオンが電極０）の近傍で高周波電界のた
めに加速され、その衝突する―のスパッタリング作用で
試料（３）を加工（スパッタエツチング）シ、またプラ
ズマにより生じた極めて活性なラジカルイオンを利用し
そ同様に試料（３）を加工（プラズマエツチング）シ得
るのである。
しかしながらこの従来構成では、ガスの流れの不均一さ
とか、電極の微妙な構造、およびその端縁効果による影
響を著るしく受けて、広範囲で均一なエツチング加工を
行なえないという欠点があった。
とか、電極の微妙な構造、およびその端縁効果による影
響を著るしく受けて、広範囲で均一なエツチング加工を
行なえないという欠点があった。
この発明は従来装置のこのような欠点に鑑み、試料を置
く電極の近傍に電磁石を並列配設させ、これらの電磁石
に低い周波数の多相交流を印加して、プラズマ密度の高
い領域を同電極面内で走査させ、これにより広範囲にわ
たって均一なエツチング加工を行えるようにしたもので
ある。
く電極の近傍に電磁石を並列配設させ、これらの電磁石
に低い周波数の多相交流を印加して、プラズマ密度の高
い領域を同電極面内で走査させ、これにより広範囲にわ
たって均一なエツチング加工を行えるようにしたもので
ある。
以下この発明装置の一実施例につき、Ｉ２図ないし第５
図を参照して詳細に説明する。
図を参照して詳細に説明する。
９２図はこの実施例装置の概要構成を示しており・、前
記従来例と同様に密閉容器内に配置された平行平板電極
（５）、 （６）のうち電極（５）を接地させ、陰極と
なる電極（６）には高周波電力を印加させると共に、こ
の電極（６）の下方には複数個の電磁石（７）を第３図
に示すように配設しである。すなわち、主磁極＠）はそ
れぞれに等間隔に並列され、かつ各主磁極（８）、伽）
間の両端に補磁極（９）、 （９）および（１０）が配
されていて、これら各磁極間を相互に結線し、低い周波
数の３栢交流を印加し得るようにしたものである。
記従来例と同様に密閉容器内に配置された平行平板電極
（５）、 （６）のうち電極（５）を接地させ、陰極と
なる電極（６）には高周波電力を印加させると共に、こ
の電極（６）の下方には複数個の電磁石（７）を第３図
に示すように配設しである。すなわち、主磁極＠）はそ
れぞれに等間隔に並列され、かつ各主磁極（８）、伽）
間の両端に補磁極（９）、 （９）および（１０）が配
されていて、これら各磁極間を相互に結線し、低い周波
数の３栢交流を印加し得るようにしたものである。
従ってこの実施例構成の場合、各電磁石間に３相交流を
印加すると、陰極ｉ傍の水平方向での最大磁界は、Ｉ４
図（ａ）、 （ｂ）、 （ｃ）および椿５図に示すよう
に陰極面内を走査することになる。′＆を、細い矢印は
磁力線、太い矢印は磁界の水平成分を示す。す表わち、
水平方向最大の磁界がループを形成するようにすれば、
直交電磁界による閉じ込め作用により、プラズマ密度の
高い領域、換言するとエツチング速度の高い領域を形成
でき、かつこのループ状のエツチング速度の高い領域を
、低い周波数の３相交流で走査させることにより、広範
囲にわたって均一なエツチングを行なえるのである。
印加すると、陰極ｉ傍の水平方向での最大磁界は、Ｉ４
図（ａ）、 （ｂ）、 （ｃ）および椿５図に示すよう
に陰極面内を走査することになる。′＆を、細い矢印は
磁力線、太い矢印は磁界の水平成分を示す。す表わち、
水平方向最大の磁界がループを形成するようにすれば、
直交電磁界による閉じ込め作用により、プラズマ密度の
高い領域、換言するとエツチング速度の高い領域を形成
でき、かつこのループ状のエツチング速度の高い領域を
、低い周波数の３相交流で走査させることにより、広範
囲にわたって均一なエツチングを行なえるのである。
なお前記実施例はスパッタエツチングについて寸あるが
、プラズマエツチングにおいても、電磁石により陰極近
傍にプラズマ密度の高い部分を形成して、同部分のラジ
カル反応を促進させることによりエツチング量を増加さ
せ、これを同様に走査して広範囲にわたり均一なプラズ
マエツチングを行なわせ得るのである。
、プラズマエツチングにおいても、電磁石により陰極近
傍にプラズマ密度の高い部分を形成して、同部分のラジ
カル反応を促進させることによりエツチング量を増加さ
せ、これを同様に走査して広範囲にわたり均一なプラズ
マエツチングを行なわせ得るのである。
以上詳述したようにこの発明によれば、ドライエツチン
グ装置において、被エツチング試料の置かれる陰極近傍
に所定配置による複数個の電磁石を設け、かつ各電磁石
間に低い周波数の多相交流を与えて、陰極面でのプラズ
マ密度の高い部分を走査させるようにしたので、広範囲
にわたり均一なドライエツチングを行なえると共に、そ
のエツチング速度はプラズマ密度の高い部分に加えられ
ている高周波電力と磁界の強さにより決定されるために
、従来のようにガスの流れの不均一さとか、電極の微妙
な構造、端縁効果などの制御しにくい要因の影響を受け
ることがないなどの特長がある。
グ装置において、被エツチング試料の置かれる陰極近傍
に所定配置による複数個の電磁石を設け、かつ各電磁石
間に低い周波数の多相交流を与えて、陰極面でのプラズ
マ密度の高い部分を走査させるようにしたので、広範囲
にわたり均一なドライエツチングを行なえると共に、そ
のエツチング速度はプラズマ密度の高い部分に加えられ
ている高周波電力と磁界の強さにより決定されるために
、従来のようにガスの流れの不均一さとか、電極の微妙
な構造、端縁効果などの制御しにくい要因の影響を受け
ることがないなどの特長がある。
第１図は従来例によるドライエツチング装置の電極構成
の概要を示す模式図、第２図はこの発明の一実施例によ
るドライエツチング装置の電極構成の概要を示す模式図
、１１！３図は同上陰極下部での電磁石の配置を示す構
成図、９４図（ａ）、 （ｂ）、 （ｅ）およびＩ５図
は同上各電磁石間での磁界の様子を示す説明図である。 （５）、 （６）・・・・平行平板電極、ａ）ないしく
１０）・・・Φ電磁石。 代理人 葛 野 信 −（外１名） 第１図 第２図 第３図
の概要を示す模式図、第２図はこの発明の一実施例によ
るドライエツチング装置の電極構成の概要を示す模式図
、１１！３図は同上陰極下部での電磁石の配置を示す構
成図、９４図（ａ）、 （ｂ）、 （ｅ）およびＩ５図
は同上各電磁石間での磁界の様子を示す説明図である。 （５）、 （６）・・・・平行平板電極、ａ）ないしく
１０）・・・Φ電磁石。 代理人 葛 野 信 −（外１名） 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 高周波放電により形成されるプラズマを利用するエツチ
ング装置において、被エツチング試料の置かれる陰極近
傍に、ＩＩ＆個の電磁石を等間隔に配置させると共に、
各電磁石間に低い周波数の多相交流を与え、かつこれを
陰極面内で走査させるようにしたことを特徴とするドラ
イエツチング装置・・
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12488681A JPS5825236A (ja) | 1981-08-07 | 1981-08-07 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12488681A JPS5825236A (ja) | 1981-08-07 | 1981-08-07 | ドライエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5825236A true JPS5825236A (ja) | 1983-02-15 |
Family
ID=14896522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12488681A Pending JPS5825236A (ja) | 1981-08-07 | 1981-08-07 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5825236A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5851933A (ja) * | 1981-09-24 | 1983-03-26 | Hitachi Ltd | プレーナマグネトロン方式のドライエッチング装置及びその方法 |
| JPS611025A (ja) * | 1985-03-07 | 1986-01-07 | Toshiba Corp | プラズマ処理装置 |
| JPS62241335A (ja) * | 1985-12-30 | 1987-10-22 | アプライド マテリアルズ インコ−ポレ−テツド | マグネトロン増強型プラズマエツチング法 |
| US5308417A (en) * | 1991-09-12 | 1994-05-03 | Applied Materials, Inc. | Uniformity for magnetically enhanced plasma chambers |
| DE19509284B4 (de) * | 1994-03-17 | 2004-04-29 | Ogle, John S., Milpitas | Vorrichtung zur Erzeugung eines ebenen Plasmas unter Verwendung variierender Magnetpole |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS537586A (en) * | 1976-02-19 | 1978-01-24 | Sloan Technology Corp | Cathodic spattering apparatus |
| JPS5435172A (en) * | 1977-08-24 | 1979-03-15 | Anelva Corp | Chemical reactor using electric discharge |
-
1981
- 1981-08-07 JP JP12488681A patent/JPS5825236A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS537586A (en) * | 1976-02-19 | 1978-01-24 | Sloan Technology Corp | Cathodic spattering apparatus |
| JPS5435172A (en) * | 1977-08-24 | 1979-03-15 | Anelva Corp | Chemical reactor using electric discharge |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5851933A (ja) * | 1981-09-24 | 1983-03-26 | Hitachi Ltd | プレーナマグネトロン方式のドライエッチング装置及びその方法 |
| JPH0235453B2 (ja) * | 1981-09-24 | 1990-08-10 | Hitachi Ltd | |
| JPS611025A (ja) * | 1985-03-07 | 1986-01-07 | Toshiba Corp | プラズマ処理装置 |
| JPH0530301B2 (ja) * | 1985-03-07 | 1993-05-07 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPS62241335A (ja) * | 1985-12-30 | 1987-10-22 | アプライド マテリアルズ インコ−ポレ−テツド | マグネトロン増強型プラズマエツチング法 |
| US5308417A (en) * | 1991-09-12 | 1994-05-03 | Applied Materials, Inc. | Uniformity for magnetically enhanced plasma chambers |
| DE19509284B4 (de) * | 1994-03-17 | 2004-04-29 | Ogle, John S., Milpitas | Vorrichtung zur Erzeugung eines ebenen Plasmas unter Verwendung variierender Magnetpole |
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