JPS5823478A - 電荷結合素子 - Google Patents
電荷結合素子Info
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- JPS5823478A JPS5823478A JP12265081A JP12265081A JPS5823478A JP S5823478 A JPS5823478 A JP S5823478A JP 12265081 A JP12265081 A JP 12265081A JP 12265081 A JP12265081 A JP 12265081A JP S5823478 A JPS5823478 A JP S5823478A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/762—Charge transfer devices
- H01L29/765—Charge-coupled devices
- H01L29/768—Charge-coupled devices with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/76833—Buried channel CCD
- H01L29/7685—Three-Phase CCD
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は電荷結合素子（Ｃ！ｈａｒｇｅ （！ｏｕｐ
ｌｓｄＤｅｖｉｃｅ ： ０ＯＤ）の改良に関するもの
である。
ｌｓｄＤｅｖｉｃｅ ： ０ＯＤ）の改良に関するもの
である。
第１図は従来のＣＣＤの構成を示す断面図で、（１）は
ｐ形シリコン基板、（２）はその上に形成された厚さ１
０００ Ａ程度の二酸化シリコシ（ｓｉｏ２）からなる
絶縁層、（３ａ）、 （３ｂ）、 （３（りは絶縁層（
２１の上に順次並べて形成された信号電荷移送ゲートｗ
ｔ極で、この順序に繰返して形成されている。（４１Ｆ
ｉ侶号電荷移送ゲート電極（ｓａ）、 （ｓｂ）、 （
３Ｃ） ＋７）列（７） 入口側に設けられ信号電荷の
移送ゲート電極（３ａ）への注入を制御するサンプリン
グゲート、（５）はサンプ１フングゲート（４）に接し
て基板（１１内に形成され毎号電荷（少数キャリヤ）を
つくり出すｎ影領域、（６ａ）、 （６ｂ）、 （６ａ
）はそれぞれ移送グー） ｔ＆ （３ａ）、 （３ｂ）
。
ｐ形シリコン基板、（２）はその上に形成された厚さ１
０００ Ａ程度の二酸化シリコシ（ｓｉｏ２）からなる
絶縁層、（３ａ）、 （３ｂ）、 （３（りは絶縁層（
２１の上に順次並べて形成された信号電荷移送ゲートｗ
ｔ極で、この順序に繰返して形成されている。（４１Ｆ
ｉ侶号電荷移送ゲート電極（ｓａ）、 （ｓｂ）、 （
３Ｃ） ＋７）列（７） 入口側に設けられ信号電荷の
移送ゲート電極（３ａ）への注入を制御するサンプリン
グゲート、（５）はサンプ１フングゲート（４）に接し
て基板（１１内に形成され毎号電荷（少数キャリヤ）を
つくり出すｎ影領域、（６ａ）、 （６ｂ）、 （６ａ
）はそれぞれ移送グー） ｔ＆ （３ａ）、 （３ｂ）
。
（３Ｃ）に接続され三相クロックパルスの６Ｎパルスを
それぞれの移送ゲート電極（３ａ）、 （３ｂ）、 （
３ｃ） Ｋ供給するクロック信号線路、（７）はサンプ
リングゲート（４）にサンプリングパルスを供給するサ
ンプリング信号線路、（８）はその信号源、（９）は移
送ゲート電極（３ａ）、 （３ｂ）、 Ｃ３Ｃ）に供給
される三相クロックパルスに応じて順次各移送ゲート電
極〔図では（３ａ）の時点を示す。〕の下に生じるポテ
ンシャル井戸、ｅはそれにトラップされた信号電荷であ
る０次に動作について説明する。信号線路の一本（６ａ
Ｙ正のパルスを加えると転送ゲート電極（３ａ）の下の
シリコン基板ｉｌｌに空乏層が形成される。正電位が長
時間持続すると熱励起された少数キャリヤが蓄積し、電
極（５ａ）下に反転層が形成される。反転層が形成され
る時間はシリコン基板（１）の比抵抗、表面再結合速度
、バルク中の発生・再結合中心のに％によるが、通常の
半導体基板の場合１秒〜数秒である。したがって、これ
より十分短いパルス幅を用いれば、電極下にはポテンシ
ャル井戸（９）が形成されることになる。信号線路（６
ａ）、 （ａｂ）、 （６ｃ）に三相クロックパルスを
印加すると、ポテンシャルの井戸（９）は順次右方に移
動する０このポテンシャル井戸（９）中ＩＣ！ｔンプリ
ングゲート（４）を通して信号電荷ｅを注入するとこの
信号電荷ｅは一つの塊としてポテンシャル井戸（９）の
動きに従って右方へ移動する。この信号電荷ｅの有無を
信号のｌ ｌ／、、 ｔｔｏｊＫ対応させれば、このデ
バイスは、走査機能と記憶機能を備えた機能デバイスと
して動作する。また信号電荷ｅの量はアナログ量である
から、アナログ信号処理にも適している。
それぞれの移送ゲート電極（３ａ）、 （３ｂ）、 （
３ｃ） Ｋ供給するクロック信号線路、（７）はサンプ
リングゲート（４）にサンプリングパルスを供給するサ
ンプリング信号線路、（８）はその信号源、（９）は移
送ゲート電極（３ａ）、 （３ｂ）、 Ｃ３Ｃ）に供給
される三相クロックパルスに応じて順次各移送ゲート電
極〔図では（３ａ）の時点を示す。〕の下に生じるポテ
ンシャル井戸、ｅはそれにトラップされた信号電荷であ
る０次に動作について説明する。信号線路の一本（６ａ
Ｙ正のパルスを加えると転送ゲート電極（３ａ）の下の
シリコン基板ｉｌｌに空乏層が形成される。正電位が長
時間持続すると熱励起された少数キャリヤが蓄積し、電
極（５ａ）下に反転層が形成される。反転層が形成され
る時間はシリコン基板（１）の比抵抗、表面再結合速度
、バルク中の発生・再結合中心のに％によるが、通常の
半導体基板の場合１秒〜数秒である。したがって、これ
より十分短いパルス幅を用いれば、電極下にはポテンシ
ャル井戸（９）が形成されることになる。信号線路（６
ａ）、 （ａｂ）、 （６ｃ）に三相クロックパルスを
印加すると、ポテンシャルの井戸（９）は順次右方に移
動する０このポテンシャル井戸（９）中ＩＣ！ｔンプリ
ングゲート（４）を通して信号電荷ｅを注入するとこの
信号電荷ｅは一つの塊としてポテンシャル井戸（９）の
動きに従って右方へ移動する。この信号電荷ｅの有無を
信号のｌ ｌ／、、 ｔｔｏｊＫ対応させれば、このデ
バイスは、走査機能と記憶機能を備えた機能デバイスと
して動作する。また信号電荷ｅの量はアナログ量である
から、アナログ信号処理にも適している。
しかし、上記従来のＣＯＤにおいては電荷転送用チャネ
ルを構成するシリコン基板の部分は不純物がドープされ
ており、電荷移動度が大きくなく、その動作特性に不十
分な点があった。
ルを構成するシリコン基板の部分は不純物がドープされ
ており、電荷移動度が大きくなく、その動作特性に不十
分な点があった。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、電
荷転送用チャネルを構成する半導体層の電荷移動度が大
きくなるような構成とすることによって、動作特性のす
ぐれたＣＯＤを提供することを目的としている。
荷転送用チャネルを構成する半導体層の電荷移動度が大
きくなるような構成とすることによって、動作特性のす
ぐれたＣＯＤを提供することを目的としている。
第２図はこの発明の・一実施例を示す断面図で、第２図
において、（１１）は高比抵抗のガリウム・ヒ素（Ｇａ
Ａａ）基板、（１２１はＧａＡａ基板（１１）の上にエ
ピタキシャル成長で形成されたガリウム・アルミニウム
・ヒ素（ＧａＡＩＡｓ）層、ｏ：ｉｔｉこのＧａＡＩＡ
ｓ層（１２１の上に形成されたＧａＡｓ層、０４） Ｉ
ｄ ＧａＡｓ層ａＳの上に更にエピタキシャル成長で形
成されたＧａＡＩＡｓ層である０次に、本実施例素子の
基本原理について説明する。第２図に示した３つのエピ
タキシャル層αり。
において、（１１）は高比抵抗のガリウム・ヒ素（Ｇａ
Ａａ）基板、（１２１はＧａＡａ基板（１１）の上にエ
ピタキシャル成長で形成されたガリウム・アルミニウム
・ヒ素（ＧａＡＩＡｓ）層、ｏ：ｉｔｉこのＧａＡＩＡ
ｓ層（１２１の上に形成されたＧａＡｓ層、０４） Ｉ
ｄ ＧａＡｓ層ａＳの上に更にエピタキシャル成長で形
成されたＧａＡＩＡｓ層である０次に、本実施例素子の
基本原理について説明する。第２図に示した３つのエピ
タキシャル層αり。
＋１３１ 、 （１４）の各層の不純物ドーピング量と
電子移動度の関係および伝導体のバンドエツジエネルギ
ーの変化を第３図に示す。第３図（Ａ）に示すように、
ＧａＡ／Ａθ層０２＋ ＋ ０４）へのみ不純物ドーピ
ングを行い、ｏａＡｓ ４ ＋１３１へはドーピングを
行わないようにすると、電子親和力のためＧａＡｌＡｓ
ｆ＠ Ｑ２． 、 （１４）のドナーによって生じた
電子（キャリヤー）は第３図（Ｃ）に示すようにエネル
ギーの低いＧａＡｓ層（１３，にトラップされる。この
ＧａＡａ ｌ＠ Ｑ３１にはドーピングによる不純物の
散乱中心が無いので、この層の電子の移動度は第３図Ｃ
Ｂ）に示すように非常に大金くなる。
電子移動度の関係および伝導体のバンドエツジエネルギ
ーの変化を第３図に示す。第３図（Ａ）に示すように、
ＧａＡ／Ａθ層０２＋ ＋ ０４）へのみ不純物ドーピ
ングを行い、ｏａＡｓ ４ ＋１３１へはドーピングを
行わないようにすると、電子親和力のためＧａＡｌＡｓ
ｆ＠ Ｑ２． 、 （１４）のドナーによって生じた
電子（キャリヤー）は第３図（Ｃ）に示すようにエネル
ギーの低いＧａＡｓ層（１３，にトラップされる。この
ＧａＡａ ｌ＠ Ｑ３１にはドーピングによる不純物の
散乱中心が無いので、この層の電子の移動度は第３図Ｃ
Ｂ）に示すように非常に大金くなる。
従って、この高速移動度効果を用いれは、従来の電荷結
合素子に較べ、応答速度が非常に高速で、しかも高効率
の電荷転送率を有する新しい形の電荷結合素子が実現可
能となる。
合素子に較べ、応答速度が非常に高速で、しかも高効率
の電荷転送率を有する新しい形の電荷結合素子が実現可
能となる。
また、少数キャリヤ（信号電荷）をつくシ′出すための
手段として上記実施例では電流注入による方法を用いた
が、このかわりにＧａＡｓ −ＧａＡＩＡｅ境界で光検
知用ｐｎ接合を形成させればこの部分に図示矢印りで示
すように入射する光の強度に比例した信号電荷が発生す
るので、このように構成したＣＯＤは高速の固体撮像デ
バイスとして用い得も第４図はこの原理に基づくこの発
明の他の実施例である固体撮像デバイスを示す断面図で
、図において、ガラス基板（１５）側から入射する光は
バンドギャップの広いｐ形ＧａＡ／ＡＢ層θ６）を透過
した後、バンドギャップの小さいｐ形ＧａＡｅ ％ （
１７＋で吸収され、ここで光電子が発生する。この光電
子は第２図に示したと同様のｎ形Ｇａｊｋ！Ａｓ （１
２１ヴンドープのＧａＡ８（＋３１− ｎ形ＧａＡｊ？
Ａｓ Ｑ＜のサンドイッチ栴造に拡散し、バンドギャッ
プの小さいノンドープの高８動度ＧａＡｓｍ０３１に捕
獲される。従ってこの構成によれば第２図に示した実施
例と同様な効果、すなわちノンドープＧａＡｓ層の高移
動度を利用した、高速かつ電荷転送効率の冒いという特
徴をもつ固体撮儂素子が可能となる。
手段として上記実施例では電流注入による方法を用いた
が、このかわりにＧａＡｓ −ＧａＡＩＡｅ境界で光検
知用ｐｎ接合を形成させればこの部分に図示矢印りで示
すように入射する光の強度に比例した信号電荷が発生す
るので、このように構成したＣＯＤは高速の固体撮像デ
バイスとして用い得も第４図はこの原理に基づくこの発
明の他の実施例である固体撮像デバイスを示す断面図で
、図において、ガラス基板（１５）側から入射する光は
バンドギャップの広いｐ形ＧａＡ／ＡＢ層θ６）を透過
した後、バンドギャップの小さいｐ形ＧａＡｅ ％ （
１７＋で吸収され、ここで光電子が発生する。この光電
子は第２図に示したと同様のｎ形Ｇａｊｋ！Ａｓ （１
２１ヴンドープのＧａＡ８（＋３１− ｎ形ＧａＡｊ？
Ａｓ Ｑ＜のサンドイッチ栴造に拡散し、バンドギャッ
プの小さいノンドープの高８動度ＧａＡｓｍ０３１に捕
獲される。従ってこの構成によれば第２図に示した実施
例と同様な効果、すなわちノンドープＧａＡｓ層の高移
動度を利用した、高速かつ電荷転送効率の冒いという特
徴をもつ固体撮儂素子が可能となる。
以上のように、この発明によれば電荷転送チャンネルと
して、高移動度をもつエピタキシャル層を利用するので
高速応答が可能で、しかも電荷転送効率が高い電荷結合
菓子が実現可能となる。
して、高移動度をもつエピタキシャル層を利用するので
高速応答が可能で、しかも電荷転送効率が高い電荷結合
菓子が実現可能となる。
第１図は従来のＣＯＤの構成を示す断面図、第２画はこ
の発明の一実施例を示す断面図、第３図（Ａ）〜（０）
はこの発明の原理の説明図、第４図はこの発明の他の実
施例を示す断面図である。 図において、Ｈ＋、Ｑ４はＧａＡ／Ａｓ層（バンドエツ
ジエネルギーの高い化合物半導体＃ ） 、ｔ＋３１は
ＧａＡｓ Ｎ（バンドエツジエネルギーの低い化合物半
導体層）である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示すＱ 代理人 葛 野 信 −（外１名）第１図 ａ 第２図 第３図 第４図
の発明の一実施例を示す断面図、第３図（Ａ）〜（０）
はこの発明の原理の説明図、第４図はこの発明の他の実
施例を示す断面図である。 図において、Ｈ＋、Ｑ４はＧａＡ／Ａｓ層（バンドエツ
ジエネルギーの高い化合物半導体＃ ） 、ｔ＋３１は
ＧａＡｓ Ｎ（バンドエツジエネルギーの低い化合物半
導体層）である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示すＱ 代理人 葛 野 信 −（外１名）第１図 ａ 第２図 第３図 第４図
Claims (2)
- （１）伝導帯のバンドエツジエネルギーの異る同種また
は異種の化合物半導体の多層構造を順次エピタキシャル
成長で形成し、上記バンドエツジエネルギーの高い化合
物半導体層には不純物のドーピングを行い、これに接す
る上記バンドエツジエネルギーの低い化合物半導体層に
は不純物のドーピングが行わないようにして構成してな
り、上記バンドエツジエネルギーの低い化合物半導体層
を電荷転送用チャネルとして利用するようにしたことを
特徴とする電荷結合素子。 - （２） バンドエツジエネルギーの低い化合物半導体
層としてガリウム・ヒ素（Ｇａｈａ ） 層’ｋ 用い
、バンドエツジエネルギーの高い化合物半導体層として
上記ガリウム・ヒ素層を両側から挾むガリウム・アルミ
ニウム・ヒ素（ＧａＡ／Ａθ）層を用いたことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の電荷結合素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12265081A JPS5823478A (ja) | 1981-08-04 | 1981-08-04 | 電荷結合素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12265081A JPS5823478A (ja) | 1981-08-04 | 1981-08-04 | 電荷結合素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5823478A true JPS5823478A (ja) | 1983-02-12 |
Family
ID=14841218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12265081A Pending JPS5823478A (ja) | 1981-08-04 | 1981-08-04 | 電荷結合素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5823478A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01290788A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-22 | Nippon Mining Co Ltd | 低応カロジウムめっき液及びその製造方法 |
| JPH05267667A (ja) * | 1991-08-23 | 1993-10-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置とその作製方法 |
| JPH05283694A (ja) * | 1991-08-23 | 1993-10-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置とその作製方法 |
| US5962870A (en) * | 1991-08-26 | 1999-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Insulated gate field effect semiconductor devices |
| US6013928A (en) * | 1991-08-23 | 2000-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having interlayer insulating film and method for forming the same |
| US6147375A (en) * | 1992-02-05 | 2000-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display device |
| US7943968B1 (en) | 1996-12-24 | 2011-05-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Charge transfer semiconductor device and manufacturing method thereof |
-
1981
- 1981-08-04 JP JP12265081A patent/JPS5823478A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01290788A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-22 | Nippon Mining Co Ltd | 低応カロジウムめっき液及びその製造方法 |
| JPH05267667A (ja) * | 1991-08-23 | 1993-10-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置とその作製方法 |
| JPH05283694A (ja) * | 1991-08-23 | 1993-10-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置とその作製方法 |
| US6013928A (en) * | 1991-08-23 | 2000-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having interlayer insulating film and method for forming the same |
| US5962870A (en) * | 1991-08-26 | 1999-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Insulated gate field effect semiconductor devices |
| US6331723B1 (en) | 1991-08-26 | 2001-12-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display device having at least two transistors having LDD region in one pixel |
| US6803600B2 (en) | 1991-08-26 | 2004-10-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Insulated gate field effect semiconductor devices and method of manufacturing the same |
| US7456427B2 (en) | 1991-08-26 | 2008-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Insulated gate field effect semiconductor devices and method of manufacturing the same |
| US7821011B2 (en) | 1991-08-26 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Insulated gate field effect semiconductor devices and method of manufacturing the same |
| US6147375A (en) * | 1992-02-05 | 2000-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display device |
| US6476447B1 (en) | 1992-02-05 | 2002-11-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display device including a transistor |
| US7943968B1 (en) | 1996-12-24 | 2011-05-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Charge transfer semiconductor device and manufacturing method thereof |
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