JPS5822884B2 - Input weighting method of charge transfer type transversal filter - Google Patents

Input weighting method of charge transfer type transversal filter

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JPS5822884B2
JPS5822884B2 JP10041478A JP10041478A JPS5822884B2 JP S5822884 B2 JPS5822884 B2 JP S5822884B2 JP 10041478 A JP10041478 A JP 10041478A JP 10041478 A JP10041478 A JP 10041478A JP S5822884 B2 JPS5822884 B2 JP S5822884B2
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gate electrode
signal
charge transfer
electrode
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坂上建郎
飯田哲也
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Toshiba Corp
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H15/00Transversal filters
    • H03H15/02Transversal filters using analogue shift registers
    • H03H15/023Transversal filters using analogue shift registers with parallel-input configuration

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は外部電気信号によって信号電荷の各重み係数
がプログラム可能な電荷転送形トランスバーサルフィル
タの入力加重方式に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an input weighting method for a charge transfer type transversal filter in which each weighting coefficient of a signal charge can be programmed by an external electric signal.

周知の如く、電荷結合素子(以下CCDと略称する)や
バケツリレー素子(以下BBDと略称する)のような電
荷転送素子(以下CTDと略称する)は、その遅延嵌能
を利用してトランスバーサルフィルタに応用することが
できる。
As is well known, charge transfer devices (hereinafter referred to as CTD) such as charge-coupled devices (hereinafter referred to as CCD) and bucket brigade devices (hereinafter referred to as BBD) utilize their delay fitting ability to perform transversal transfer. It can be applied to filters.

最近、複数に分岐された入力信号を予じめ定められた係
数で重みけけを行ない、CTDで加算、遅延を順次行な
うことにより、集積度が高く、周波数%注の優れたトラ
ンスバーサルフィルタが開発されている。
Recently, a transversal filter with high integration and excellent frequency percentage has been developed by weighting multiple branched input signals using predetermined coefficients, and sequentially adding and delaying them using CTD. has been done.

これは入力加重方式電荷転送形トランスバーサルフィル
タと称され、入力信号の加重回路としてMOSFET
のような可変インピーダンス素子を用いることにより各
重み係数がプログラム可能なトランスバーサルフィルタ
が容易に構成できる。
This is called an input weighted charge transfer type transversal filter, and MOSFET is used as the input signal weighting circuit.
By using a variable impedance element such as the above, a transversal filter in which each weighting coefficient can be programmed can be easily constructed.

しかしMOSFETのような可変インピーダンス素子を
用いた入力加重回路は、その構造上、電荷転送素子で構
成される遅延、加算両部に比較して数倍乃至10倍程度
の大きな面積を必要とし、集積回路としての集積度を著
しく低下させている。
However, due to its structure, input weighting circuits using variable impedance elements such as MOSFETs require an area several to ten times larger than the delay and addition sections made up of charge transfer elements, and are difficult to integrate. This significantly reduces the degree of integration as a circuit.

第1図は入力加重方式電荷転送形トランスバーサルフィ
ルターの一般的なブロック構成図である。
FIG. 1 is a general block diagram of an input weighted charge transfer type transversal filter.

人力信号は端子1atlb、’Ic、ldより入力加重
回路2a、2b、2c、2d各々に入力され、この信号
は端子3a、3b、3c、3d各々から与えられる電気
信号によって利得制御され信号電荷として電荷転送素子
4の各段に入力される。
The human input signal is inputted to the input weighting circuits 2a, 2b, 2c, and 2d from the terminals 1atlb, 'Ic, and ld, respectively, and the gain of this signal is controlled by the electric signal given from each of the terminals 3a, 3b, 3c, and 3d, and the signal charge is converted into a signal charge. The signal is input to each stage of the charge transfer element 4.

電荷転送素子4の各段に入力した信号電荷は遅延と加算
とが順次繰返されながら出力端に到達し、出力検出回路
5により端子6から出力信号として取出される。
The signal charge input to each stage of the charge transfer element 4 reaches the output terminal while being delayed and added in sequence, and is taken out by the output detection circuit 5 from the terminal 6 as an output signal.

このような構成とすることにより出力加重方式のトラン
スバーサルフィルタで必要な出力信号の加算回路が不要
となるので、回路素子数が著しく低減することになる。
With such a configuration, the output signal addition circuit required in the output weighting type transversal filter is not required, so the number of circuit elements is significantly reduced.

さらにまた電荷転送素子はそれ自身極めて集積度の高い
素子であるので第1図に示す入力加重方式電荷転送形ト
ランスバーサルフィルタは集積回路化するのに極めて適
した回路構成であるといえる。
Furthermore, since the charge transfer device itself is an extremely highly integrated device, the input weighted charge transfer type transversal filter shown in FIG. 1 can be said to have a circuit configuration extremely suitable for integration into an integrated circuit.

しかしながら入力信号の加重回路としてMOSFETの
ような可変インピーダンス素子を用いるとこれが電荷転
送素子に比較して集積度が低いため、遅延段数が多い場
合には全体として相当程度大きなチツプザイズ集積回路
となってしまうといった欠点がある。
However, when a variable impedance element such as a MOSFET is used as an input signal weighting circuit, its integration density is lower than that of a charge transfer element, so if the number of delay stages is large, the chip size integrated circuit as a whole becomes quite large. There are drawbacks such as:

この発明は上記点に鑑みなされたもので各段に設けられ
ている信号電荷注入手段の中に信号電荷の利得制御を電
気的に行なう電極を設けることにより電荷転送素子の高
い集積度を維持しつつ、各段の重み係数が任意に設定可
能な電荷転送形トランスバーサルフィルタの入力加重方
式を提供することを目的とするものである。
This invention was developed in view of the above points, and maintains a high degree of integration of charge transfer elements by providing electrodes for electrically controlling the gain of signal charges in the signal charge injection means provided at each stage. Another object of the present invention is to provide an input weighting method for a charge transfer type transversal filter in which the weighting coefficient of each stage can be arbitrarily set.

さらには各段に入力信号を反転入力信号各々に対応する
独立の2組の入力加重手段を設けどちらか一方を選択し
て使用することにより正、負の重み係数が任意Oこ設定
可能な電荷転送形トランスバーサルフィルタの入力加重
方式を提供することを目的とする。
Furthermore, by providing two independent sets of input weighting means corresponding to each inverted input signal at each stage and selecting and using one of them, positive and negative weighting coefficients can be set arbitrarily. The purpose of this paper is to provide an input weighting method for a transfer type transversal filter.

以下図面を参照してこの発明の一実施例を説通ずる。An embodiment of the present invention will be explained below with reference to the drawings.

第2図はこの発明の原理的な回路構成図である。FIG. 2 is a diagram showing the basic circuit configuration of the present invention.

入力信号Vineこはバイアス電圧VBが重畳されて端
子11より各段の一方の信号電荷注入手段120こ与え
、反転入力信号Vinも同じバイアス電圧VBが重畳さ
れて端子11′より各段の他方の信号電荷注入手段12
′に与えられる。
The input signal Vin is superimposed with the bias voltage VB and is applied from the terminal 11 to the signal charge injection means 120 of each stage, and the inverted input signal Vin is also superimposed with the same bias voltage VB and is applied to the other signal charge injection means 120 of each stage from the terminal 11'. Signal charge injection means 12
′ is given.

この各々の信号はスイッチに相当する電極13.13’
によっていずれか一方が選択され、この後サンプラに相
当する電極14.14’を経て可変容量15.15’に
へ入力される。
Each of these signals corresponds to an electrode 13, 13' that corresponds to a switch.
Either one is selected by , and is then inputted to a variable capacitor 15.15' via an electrode 14.14' corresponding to a sampler.

可変容量15.15’に入力した信号電荷は各々サンプ
ラに相当する電極16.16’をへて電荷転送素子へ出
力される。
The signal charges input to the variable capacitors 15 and 15' are output to the charge transfer element through electrodes 16 and 16' each corresponding to a sampler.

前記可変容量15.15’は端子1γ、11′を介して
与えられる制御電圧Vhk 、 Vhk’によってその
容量が変化し、容量15.15’各々に蓄積される電荷
Qs i gは次式で表わされる。
The capacitance of the variable capacitor 15.15' changes depending on the control voltages Vhk and Vhk' applied through the terminals 1γ and 11', and the charge Qs i g stored in each capacitor 15.15' is expressed by the following equation. It will be done.

Q s i g (+;二C〔■hk〕・(Vc (
v1n+VB)) −(])又は Qsig H−C(
Vhkす・(vo (vin+VB))−(2)ココ
テC〔■hk〕およヒC〔■hk′〕ハ■hkノvhk
′の値によって定まる定量、Voは容量15.15’の
充電電圧を表わす。
Q s i g (+; 2C [■hk]・(Vc (
v1n+VB)) -(]) or Qsig HC(
Vhksu・(vo (vin+VB))-(2) Kokote C [■hk] Oyohi C [■hk'] Ha■hk no vhk
The quantity determined by the value of 'Vo represents the charging voltage of the capacitance 15.15'.

(1)式で表わされる電荷Qsig(−1−1はスイッ
チに相当する電極13が閉じている場合の入力信号Vi
nに対する蓄積電荷でさり、(2)式で表わされる電荷
QsigHはスイッチに相当する電極13′が閉じてい
る場合の反転入力信号vinに対する蓄積電荷である。
Charge Qsig (-1-1 is the input signal Vi when the electrode 13 corresponding to the switch is closed) expressed by the formula (1)
The charge QsigH expressed by equation (2), which is the accumulated charge for n, is the accumulated charge for the inverted input signal vin when the electrode 13' corresponding to the switch is closed.

従って電荷転送素子へ送られる電荷゛は電極13.13
’により入力信号の極性が選択され、制御電圧Vhk
、Vhk’によって利得制御されたものとなる。
Therefore, the charge sent to the charge transfer element is
' selects the polarity of the input signal, and the control voltage Vhk
, Vhk'.

従って第2図に示した構成の信号電荷注入手段12.1
2’を電荷転送素子の各段に設けることにより集積度が
高く、正負の任意の係数の重み付けが可能な電荷転送形
トランスバーサルフィルタの入力加重方式を実現できる
Therefore, the signal charge injection means 12.1 having the configuration shown in FIG.
By providing 2' in each stage of the charge transfer element, it is possible to realize an input weighting system of a charge transfer type transversal filter that has a high degree of integration and can weight arbitrary positive and negative coefficients.

第3図はこの発明の一実施例の構成を示す平面図である
FIG. 3 is a plan view showing the configuration of an embodiment of the present invention.

図において12a〜12dは各々信号電荷注入手段、1
8は電荷転送素子、19は出力検出回路である。
In the figure, 12a to 12d are signal charge injection means, 1
8 is a charge transfer element, and 19 is an output detection circuit.

1段目の信号電荷注入手段12aは各々1組のソース領
域20a、20a’、第1ゲート電極21a、21a’
、第2ゲート電極22a。
The first stage signal charge injection means 12a each include a set of source regions 20a, 20a' and first gate electrodes 21a, 21a'.
, second gate electrode 22a.

22a′と、第3ゲート電極23a、第4ゲート電極2
4aとから構成されている。
22a', third gate electrode 23a, and fourth gate electrode 2
4a.

同様に2段目ないし4設目の信号電荷注入手段12b〜
12dは′ノース領域20b、20b’、20c、20
c’、20d、20d’、第1ゲート電極21b、21
b’21c、2’lc’、21d、21d’、第2ゲー
ト電極22b、22b’、22c、22c’、22d。
Similarly, the second to fourth stage signal charge injection means 12b~
12d are 'north regions 20b, 20b', 20c, 20
c', 20d, 20d', first gate electrodes 21b, 21
b'21c, 2'lc', 21d, 21d', second gate electrodes 22b, 22b', 22c, 22c', 22d.

22d′、第3ゲート電極23b〜23d、第4ゲート
電極24b〜24d各々によって構成されている。
22d', third gate electrodes 23b to 23d, and fourth gate electrodes 24b to 24d, respectively.

上記第1ゲート電極21a 〜21d、21a’〜21
d′には、各段の2組の信号電荷注入手段のどちらか一
方を選択するための選択信号VS4〜■80、■′s4
〜V′81が与えられる。
The first gate electrodes 21a to 21d, 21a' to 21
d' includes selection signals VS4 to ■80, ■'s4 for selecting one of the two sets of signal charge injection means in each stage.
~V'81 is given.

この信号は直流電圧■8と接地との間を切換スイッチ2
5a〜25d各々を切換えることによって作られる。
This signal is used by switch 2 to switch between DC voltage ■8 and ground.
It is made by switching each of 5a to 25d.

第2ゲート電極22 a 〜22 d 、 22 a’
〜22d’には直流電圧vBによってバイアスされた人
力信号■inか又は反転入力信号戸が印加される。
Second gate electrodes 22a to 22d, 22a'
~22d' is applied with a human input signal ``in'' biased by a DC voltage vB or an inverted input signal door.

また第3ゲート電極23a〜23旧こはこの電極下の容
量を所望の値にするための制御電圧■h4.■h3゜V
h 21 Vh tが印加される。
In addition, a control voltage ■h4. is used to set the capacitance under the third gate electrodes 23a to 23a to a desired value. ■h3゜V
h 21 Vh t is applied.

第3ゲート電極23a23d下の容量C(Vhk)は制
御電圧Vhkjこよって変わり、Vhkのある範囲内で
はほぼC〔■hk〕二K・Vhk・・・・・・・・・(
3)の関係にある。
The capacitance C (Vhk) under the third gate electrode 23a23d varies depending on the control voltage Vhkj, and within a certain range of Vhk, it is approximately C[■hk]2K·Vhk...
3).

ここでKは定数である。従って第3ゲート電極下に蓄積
される信号電荷は入力信号の極性と制御電圧によって第
4図に示すように変化する。
Here K is a constant. Therefore, the signal charge accumulated under the third gate electrode changes as shown in FIG. 4 depending on the polarity of the input signal and the control voltage.

すなわち、第4図において実線で示す特注曲線はQsi
g(士の変化を、また破線で示す特性曲線はQsigH
の変化を各々表わす。
In other words, the custom-made curve shown by the solid line in Fig. 4 is Qsi
The characteristic curve that shows the change in
Each represents a change in .

ソース領域20a〜20d 、20a’〜20a’には
並列的にパルスφ、が印加され、第4ゲート電極24a
〜24dには並列的にパルスφ。
A pulse φ is applied in parallel to the source regions 20a to 20d and 20a' to 20a', and the fourth gate electrode 24a
~24d, pulse φ is applied in parallel.

−3が印加されており、ソース領域20a〜20d 、
20a’〜20d′各々から各第2ゲート電極22a〜
22d22a′〜22d′下を通って各第3ゲート電極
23a〜23d下へ電荷が注入されている間は各第4ゲ
ート電極24a〜24dは閉じており、ソース領域20
a〜20d、20a′〜20d′各々から電荷の注入が
停止されている期間に第4ゲート電極24a〜24d各
々を開いて各第3ゲート電極23a〜23d下に蓄積さ
れた電荷を転送電極26a〜26dに注入転送する。
-3 is applied to the source regions 20a to 20d,
From each of 20a' to 20d' to each second gate electrode 22a to
While charges are being injected under each of the third gate electrodes 23a to 23d through 22d22a' to 22d', each of the fourth gate electrodes 24a to 24d is closed, and the source region 20
During the period when charge injection from each of a to 20d and 20a' to 20d' is stopped, each of the fourth gate electrodes 24a to 24d is opened and the charges accumulated under each third gate electrode 23a to 23d are transferred to the transfer electrode 26a. Transfer injection to ~26d.

転送電極26a〜26d各々に注入された信号電荷は引
続く転送電極2γa〜2γd、28a〜28dで遅延、
加算された後フローティング拡散領域29に入り、これ
に接続されるMO8FET30と抵抗31からなる゛ノ
ースフォロアアンプの出力端子32からトランスバ−サ
ルフィルタ出力として取り出される。
The signal charges injected into each of the transfer electrodes 26a to 26d are delayed by the subsequent transfer electrodes 2γa to 2γd and 28a to 28d,
After being added, the signal enters the floating diffusion region 29 and is taken out as a transversal filter output from the output terminal 32 of a north follower amplifier consisting of an MO8FET 30 and a resistor 31 connected thereto.

またフローティング拡散領域29に入力した電荷はリセ
ットゲート電極33とドレイン領域34とによって、リ
セットゲート電極33に与えられるパルスφRに同期し
て1クロツク毎にリセットされる。
Further, the charge input to the floating diffusion region 29 is reset every clock by the reset gate electrode 33 and the drain region 34 in synchronization with the pulse φR applied to the reset gate electrode 33.

以上述べたように、入力信号に対する信号電荷注入手段
と反転入力信号に対する信号電荷注入手段を各段設け、
どちらか一方を選択し、この信号電荷注入手段に注入さ
れる電荷を制御電圧により利得制御することにより、正
、負の任意の重み係数をもった電荷転送形トランスバー
サルフィルタの入力加重方式を実現できる。
As described above, each stage is provided with a signal charge injection means for an input signal and a signal charge injection means for an inverted input signal.
By selecting either one and controlling the gain of the charge injected into the signal charge injection means using a control voltage, an input weighting method for a charge transfer type transversal filter with arbitrary positive or negative weighting coefficients is realized. can.

ところで第3図に示したトランスバーサルフィルタの入
力加重方式は、第2ゲート電極下のポテンシャルと第3
ゲート電極下のポテンシャルが接近してくるカットオフ
電圧近傍で、入力信号対信号電荷の直線関係が悪くなる
ことがある。
By the way, the input weighting method of the transversal filter shown in Fig. 3 is based on the potential under the second gate electrode and the third gate electrode.
Near the cutoff voltage, where the potential under the gate electrode approaches, the linear relationship between the input signal and the signal charge may deteriorate.

第5図および第6図は各々この発明の他の実施例を示す
回路構成図で、上記直線関係を改善するための一つの方
法を示すものである。
FIGS. 5 and 6 are circuit configuration diagrams showing other embodiments of the present invention, respectively, and show one method for improving the above-mentioned linear relationship.

第3ゲート電極23aに印加される制御電圧に、第2ゲ
ート電極22a、22a’に印加されているのと同じ入
力信号Vin、Vinを一部重畳しであるものである。
The same input signals Vin and Vin applied to the second gate electrodes 22a and 22a' are partially superimposed on the control voltage applied to the third gate electrode 23a.

これによりカットオフ近傍で第2ゲート電極22a22
a′の入力信号が変化すると、第3ゲート電極23aの
電圧が比例して変化するので入力信号対信号電荷の直線
関係が改善される。
As a result, the second gate electrode 22a22 near the cutoff
When the input signal a' changes, the voltage at the third gate electrode 23a changes proportionally, improving the linear relationship between the input signal and the signal charge.

以上詳述した如く本発明の電荷転送形トランスバーサル
フィルタの信号電荷加重方式を用いれば集積度が高く重
み係数がプログラム可能なトランスバーサルフィルタを
容易に得ることができる。
As described in detail above, by using the signal charge weighting method of the charge transfer type transversal filter of the present invention, it is possible to easily obtain a transversal filter with a high degree of integration and a programmable weighting coefficient.

なお、この発明は上記した実施例に限定されるものでは
なく、例えば電荷転送素子は3相駆動形CCDを用いて
説明したが、これは単相、2相および4相1駆動形CC
Dでもよく、さらにはBBDでもよい。
Note that the present invention is not limited to the embodiments described above; for example, although the charge transfer element has been described using a three-phase drive type CCD, this invention can be applied to single-phase, two-phase, and four-phase one-drive type CCCDs.
It may be D or even BBD.

また電極構造は単一金属電極でなくともよい。Further, the electrode structure does not have to be a single metal electrode.

重ね合せ電極構造でもよいことは言うまでもない。Needless to say, a stacked electrode structure may also be used.

以上説明したようにこの発明によれば累積度を高くする
ことができるとともに、重み係数がプログラム可能な電
荷転送形トランスバーサルフィルタの入力加重方式を提
供することができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to increase the degree of accumulation and to provide an input weighting method for a charge transfer type transversal filter in which the weighting coefficient is programmable.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は入力加重方式電荷転送形トランスバーサルフィ
ルタのブロック構成図、第2図はこの発明の一実施例の
原理的な回路構成図、第3図はこの発明の一実施例の構
成を示す平面図、第4図は上記実施例を説明するための
特性図、第5図および第6図は各々この発明の他の実施
例を示す回路構成図である。 2a〜2d・・・・・・入力加重回路、4,18・・・
・・・電荷転送素子、5,19・・・・・・出力検出回
路、12゜12′、12a〜12d・・・・・・信号電
荷注入手段、13.13’、14.14’、16.16
’・・・・・・電極、15.15′・・・・・・可変容
量、20 a 〜20 d、20a’〜20d′・・・
・・・ソース領域、21a〜21b、21a’〜21d
′・・・・・・第1ゲート電極、22a〜22d。 22 a′〜22 d’−”第2ゲート電極、23a〜
23d・・・・・・第3ゲート電極、24a〜24a・
・・・・・第4ゲート電極、25a〜25d・・・・・
・切換スイッチ、26a〜26d、2γa〜2γd、2
8a〜28d・・・・・・転送電極、29・・・・・・
フローティング拡散領域、30・・・・・・MOSFE
T、31・・・・・・抵抗、33・・・・・・リセット
ゲート電極、34・・・・・・ドレイン領域。
FIG. 1 is a block diagram of an input weighted charge transfer type transversal filter, FIG. 2 is a basic circuit diagram of an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a diagram of the configuration of an embodiment of the invention. A plan view and FIG. 4 are characteristic diagrams for explaining the above embodiment, and FIGS. 5 and 6 are circuit configuration diagrams showing other embodiments of the present invention. 2a to 2d... Input weighting circuit, 4, 18...
...Charge transfer element, 5, 19...Output detection circuit, 12°12', 12a-12d...Signal charge injection means, 13.13', 14.14', 16 .16
'... Electrode, 15.15'... Variable capacitance, 20 a to 20 d, 20 a' to 20 d'...
...source region, 21a-21b, 21a'-21d
'...First gate electrode, 22a to 22d. 22 a′ to 22 d′-” second gate electrode, 23 a to
23d...Third gate electrode, 24a to 24a.
...Fourth gate electrode, 25a to 25d...
・Selector switch, 26a to 26d, 2γa to 2γd, 2
8a-28d...Transfer electrode, 29...
Floating diffusion region, 30...MOSFE
T, 31...Resistor, 33...Reset gate electrode, 34...Drain region.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 信号を遅延および加算する電荷転送手段、この電荷
転送手段の各段に対応して入力信号を所望の係数で重み
付けして入力する入力手段、前記遅延および加算された
信号を検知する手段を具備してなる入力加重方式電荷転
送形トランスバーサルフィルタにおいて、上記入力手段
は入力信号に比例した電荷を一時蓄積させるための電極
を含み、この電極下に形成されるポテンシャル井戸の容
量を外部電気信号によって所望の値に可変するようにし
、この入力手段は前記電荷転送手段の各段に対して2組
設けられており、各2組の入力手段のうちのどららか一
方を選択して使用するようにしたことを特徴とする電荷
転送形トランスバーサルフィルタの入力加重方式。 2 前記電荷転送手段の各段に対して設けられた2組の
入力手段はその各々がソース領域とこれに順次隣接して
接けられる第1ゲート電極と第2電極ト電極と第3ゲー
ト電極と第4ゲート電極とを含み、一方の入力手段の第
1ゲート電極には入力手段のどちらかを選択するための
選択信号を印加し、第2ゲート電極には直流信号によっ
てバイアスされた入力信号を印加し、他方の入力手段の
第1ゲート電極には前記選択信号の反転信号を印加し、
第2ゲート電極には直流信号によってバイアスされた反
転入力信号を印加し、各第3ゲート電極にはこの電極下
に形成されるポテンシャル井戸の容量を所望の値にする
ための電気信号を印加し、選択された各第1ゲート電極
下および第2ゲート電極下を通って各第3ゲート電極下
に各ソース領域から電荷が注入されている間は各第4ゲ
ートを閉じ、各ソース領域から電荷の注入が停止されて
いる期間に各第4ゲートを開いて各転送電極下へ電荷を
転送するようにした特許請求の範囲第1項記載の電荷転
送形トランスバーサルフィルタの入力加重方式。 32前記第3ゲート電極に印加される電気信号に第2ゲ
ートに印加される入力信号の一部又は全部を重畳するよ
うにした特許請求の範囲第2項記載の電荷転送形トラン
スバーサルフィルタの入力加重方式。
[Claims] 1. Charge transfer means for delaying and adding signals, input means for weighting input signals with desired coefficients and inputting them corresponding to each stage of the charge transfer means, and the delayed and added signals. In the input weighted charge transfer type transversal filter, the input means includes an electrode for temporarily accumulating a charge proportional to the input signal, and the input means includes an electrode for temporarily accumulating a charge proportional to the input signal. The capacitance is varied to a desired value by an external electric signal, and two sets of input means are provided for each stage of the charge transfer means, and either one of the two sets of input means is connected to the input means. An input weighting method for a charge transfer type transversal filter, characterized in that it is selectively used. 2. The two sets of input means provided for each stage of the charge transfer means each include a source region, a first gate electrode, a second electrode, and a third gate electrode connected adjacently to the source region in sequence. and a fourth gate electrode, a selection signal for selecting one of the input means is applied to the first gate electrode of one input means, and an input signal biased by a DC signal is applied to the second gate electrode. and applying an inverted signal of the selection signal to the first gate electrode of the other input means,
An inverted input signal biased by a DC signal is applied to the second gate electrode, and an electric signal is applied to each third gate electrode to set the capacitance of the potential well formed under this electrode to a desired value. , each fourth gate is closed while charges are injected from each source region under each selected third gate electrode through under each selected first gate electrode and second gate electrode, and charges are injected from each source region. 2. An input weighting system for a charge transfer type transversal filter according to claim 1, wherein each fourth gate is opened during a period when injection of the charge is stopped to transfer charges to the bottom of each transfer electrode. 32. The input of the charge transfer type transversal filter according to claim 2, wherein part or all of the input signal applied to the second gate is superimposed on the electric signal applied to the third gate electrode. Weighted method.
JP10041478A 1978-08-17 1978-08-17 Input weighting method of charge transfer type transversal filter Expired JPS5822884B2 (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS645345A (en) * 1987-06-26 1989-01-10 Hitachi Ltd Permanent magnet brushless motor

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