JPS5822390A - アルミニウムの腐蝕方法 - Google Patents
アルミニウムの腐蝕方法Info
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- JPS5822390A JPS5822390A JP12130581A JP12130581A JPS5822390A JP S5822390 A JPS5822390 A JP S5822390A JP 12130581 A JP12130581 A JP 12130581A JP 12130581 A JP12130581 A JP 12130581A JP S5822390 A JPS5822390 A JP S5822390A
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- current
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- aluminum
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- Preventing Corrosion Or Incrustation Of Metals (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、アルミニウム、特にアルミニウム箔の電解腐
蝕に関する４ｏである。畜らに詳しくは、本発明は塩酸
を含有すゐ電解液と接触しているアル（ニウムに交流を
かけることによるアルミニウムの腐蝕方法について開示
し、こむで交流は電流がゼロから最大値まで急速に上昇
し、次いで第一段階において最大値の約り〜約号である
中間値まで急速に低下し、その後第二段階においてゼロ
までよ）緩徐に低下するような対称液形を有する。その
後、電流は同じ波形をもって反対方向に上昇および降下
すゐ。波形における第二段階の時間対第一段階の時間の
比は１〜６０範囲内である。この方法により、従来の方
法と比較して、腐蝕アルンエウムのより高いキャパシタ
ンス値が得られる。
蝕に関する４ｏである。畜らに詳しくは、本発明は塩酸
を含有すゐ電解液と接触しているアル（ニウムに交流を
かけることによるアルミニウムの腐蝕方法について開示
し、こむで交流は電流がゼロから最大値まで急速に上昇
し、次いで第一段階において最大値の約り〜約号である
中間値まで急速に低下し、その後第二段階においてゼロ
までよ）緩徐に低下するような対称液形を有する。その
後、電流は同じ波形をもって反対方向に上昇および降下
すゐ。波形における第二段階の時間対第一段階の時間の
比は１〜６０範囲内である。この方法により、従来の方
法と比較して、腐蝕アルンエウムのより高いキャパシタ
ンス値が得られる。
かか為特徴を有する本発明は要するに特殊波形の５！流
によるアル電ニウムＯ電解腐蝕方法に関すＴｏ４のであ
る。
によるアル電ニウムＯ電解腐蝕方法に関すＴｏ４のであ
る。
アル建具ラム箔を電気化学的に腐蝕して、コｙデンナ電
極用にその表面積を増大させることが一般的慣行てあ為
。米国および欧州において通常ヒれは直流によって行表
われるが、日本国においては一般に交流によ）行表われ
る。脈動直流またはりプル直流と呼ばれる変型の直流も
使用されている。この臘の電流によれば、特定線法が定
常直流上に重ねられる。アル建ニウムＯ交流電気化学腐
蝕に関する米国におけ為先行特許の殆んどは電流の波形
または周液数を特定せず、したがって５０もしくは６０
ヘルツにおけ為通常の線電流の使用が適していることを
暗示してい為が、最近３〜３０ヘルツの低周液数交流を
用いる日本の方法が報告されている。
極用にその表面積を増大させることが一般的慣行てあ為
。米国および欧州において通常ヒれは直流によって行表
われるが、日本国においては一般に交流によ）行表われ
る。脈動直流またはりプル直流と呼ばれる変型の直流も
使用されている。この臘の電流によれば、特定線法が定
常直流上に重ねられる。アル建ニウムＯ交流電気化学腐
蝕に関する米国におけ為先行特許の殆んどは電流の波形
または周液数を特定せず、したがって５０もしくは６０
ヘルツにおけ為通常の線電流の使用が適していることを
暗示してい為が、最近３〜３０ヘルツの低周液数交流を
用いる日本の方法が報告されている。
高橋等に係る特許第４，０８７，３４１号は、陰極電圧
よシも高い陽極電圧にて電圧を印加するような非対称の
正弦波電圧波形を示している。
よシも高い陽極電圧にて電圧を印加するような非対称の
正弦波電圧波形を示している。
陰極り一四ン入力対陽極り一四ン入方の比は、０・３〜
０・８の範囲である。
０・８の範囲である。
ビンセントに係る特許第３，１９３，４８５号は、正動
作部よりも著しく小さい振幅を有する短い負動作部によ
）分離され九正動作部を持った電圧波形を示している。
作部よりも著しく小さい振幅を有する短い負動作部によ
）分離され九正動作部を持った電圧波形を示している。
ポスト等に係る特許第３，２９４，５２３−号明細書は
、５０−よシ低いが少なくとも５嚢の脈動度による直流
腐蝕法を記載している。
、５０−よシ低いが少なくとも５嚢の脈動度による直流
腐蝕法を記載している。
ペーエルに係る特許第３１，５２０，７８８号は、腐蝕
電流を主要パルスの間の短時間にわたシ効果的に値断す
る腐蝕法ＤＣ電圧パルスに関するものであみ。
電流を主要パルスの間の短時間にわたシ効果的に値断す
る腐蝕法ＤＣ電圧パルスに関するものであみ。
弁上に係る３つの特許（第３，６１６，３４３号、第８
，６１６，８４８号、第８．ＩＩ ｓ４，１１６号）は
、電気化学的加工に対す為多くの波形を示している。こ
れら特許の一般的方法は、間隔によ〕離間させて１つの
極性の急勾配液前線パルスをかけ、前記間隔Ｏ除灰対極
性のパルスをかけることである。反対極性のパルスは短
い持続時間であるが、最初の極性パルスの際形成された
不倫化薄膜を電気化学的に破壊するのに充分危持続と振
幅とを有する。正動作パルス間の間隔におけ為負動作パ
ルスの特定位置は設計上Ｏ問題である。４１１許第８，
６１６，３４６号明細書の第５図は、方形波上に重ねら
れて第４図に示された不倫化効果を補完する各種のラン
プを示している。
，６１６，８４８号、第８．ＩＩ ｓ４，１１６号）は
、電気化学的加工に対す為多くの波形を示している。こ
れら特許の一般的方法は、間隔によ〕離間させて１つの
極性の急勾配液前線パルスをかけ、前記間隔Ｏ除灰対極
性のパルスをかけることである。反対極性のパルスは短
い持続時間であるが、最初の極性パルスの際形成された
不倫化薄膜を電気化学的に破壊するのに充分危持続と振
幅とを有する。正動作パルス間の間隔におけ為負動作パ
ルスの特定位置は設計上Ｏ問題である。４１１許第８，
６１６，３４６号明細書の第５図は、方形波上に重ねら
れて第４図に示された不倫化効果を補完する各種のラン
プを示している。
ウイールスマに係為特許第３，２９４．ＩＩ ６６号明
細書は、第３図において、交番間にゼロ部を持った交番
ＤＣパルスを有する波形を示している。モストビツチ等
に係る特許第２，９０１．４１２４＃および金円等に係
る特許第３，８９２，６３６号は、アル１＝ウム表面Ｏ
ＩＩ極処理壕九は着色化に向けられた特殊波形を示して
いる。プルガーＩＩＩＩＫ係る特許第２，９３０，７４
１号明細書は、適！１な脈動変の脈動直流を用い九電解
腐蝕を記載している。
細書は、第３図において、交番間にゼロ部を持った交番
ＤＣパルスを有する波形を示している。モストビツチ等
に係る特許第２，９０１．４１２４＃および金円等に係
る特許第３，８９２，６３６号は、アル１＝ウム表面Ｏ
ＩＩ極処理壕九は着色化に向けられた特殊波形を示して
いる。プルガーＩＩＩＩＫ係る特許第２，９３０，７４
１号明細書は、適！１な脈動変の脈動直流を用い九電解
腐蝕を記載している。
「周期電流を用いた電解腐蝕によるディスロケーシ冒ン
構造の発現」と厘すゐ論文〔インダストリアル・ラボラ
トリ−１第４１巻、第７号、第１０５４〜１ｏ５６頁（
１９７５年７月）〕は第１図に電解腐蝕用の発電機を示
してお夛、これは第１Ｂ図における脈動率−極性半サイ
タル波形と第１Ｃ［ｌＫおける第１１ＷＡ□波形の１部
と第１０！Ｉ！ＩＫおける周期波形とを使用し、この開
示で考慮される逆パルス、ナ々ゎちサイクルの陽極部分
は曲ｌＩの正部分すなわち陰極部分よ〕も小さい面積を
曲線下に有する。
構造の発現」と厘すゐ論文〔インダストリアル・ラボラ
トリ−１第４１巻、第７号、第１０５４〜１ｏ５６頁（
１９７５年７月）〕は第１図に電解腐蝕用の発電機を示
してお夛、これは第１Ｂ図における脈動率−極性半サイ
タル波形と第１Ｃ［ｌＫおける第１１ＷＡ□波形の１部
と第１０！Ｉ！ＩＫおける周期波形とを使用し、この開
示で考慮される逆パルス、ナ々ゎちサイクルの陽極部分
は曲ｌＩの正部分すなわち陰極部分よ〕も小さい面積を
曲線下に有する。
以下、本発明を添付図ｍｔｃよ〕説明する。会図におい
てゼロ線より上方の波は陽極電流を示し、ゼロ線よ〕下
方の波は陰極電流を示し、ζζで両者は時間に対してプ
四ットし九ものである。
てゼロ線より上方の波は陽極電流を示し、ゼロ線よ〕下
方の波は陰極電流を示し、ζζで両者は時間に対してプ
四ットし九ものである。
本発明は、特殊かつ異常な波形の交流を使用す為ヒとＫ
よるアルｉｘウム箔Ｏ電解腐蝕に関するものである。こ
の２うに腐蝕されたアルミニウム１１１０キヤパシタン
スは、腐蝕前のアルイ墨つム箔Ｏキャパシタンスよりず
つと大であシ、官らに従来法で腐蝕されたアルオニウム
箔のキャパシタンスよルも優秀である。電解腐蝕操作Ｋ
ｊｉＰけゐ交ＩＩの特定波形は、酸塩化物含有の電解液
で従来技術によ〕使用された正弦波、方形波または三角
形波の波形よシも高いキャパシタンスを与えることが判
明した。
よるアルｉｘウム箔Ｏ電解腐蝕に関するものである。こ
の２うに腐蝕されたアルミニウム１１１０キヤパシタン
スは、腐蝕前のアルイ墨つム箔Ｏキャパシタンスよりず
つと大であシ、官らに従来法で腐蝕されたアルオニウム
箔のキャパシタンスよルも優秀である。電解腐蝕操作Ｋ
ｊｉＰけゐ交ＩＩの特定波形は、酸塩化物含有の電解液
で従来技術によ〕使用された正弦波、方形波または三角
形波の波形よシも高いキャパシタンスを与えることが判
明した。
本発明に使用される代表的な交流波形を第１図に示す、
完全波は等しい時間とピーク高さとを有する２つの半サ
イクルからなル、各曲線下の面積は等しい。この波にお
いて、各陽極または陰極半サイクルは２段階に分割声れ
た％のと見ゐことができる０段階１はｔｌによシ示され
る時間にわたって延在する上昇し次いで低下する電流か
らなシ、続いて段階２において電流は段階ＩＫおけるよ
シも遅い速度で低下し、これはｔｔＫよって示されｂ時
間にわたル延在する。第Ｂ、５．６および７図は、方形
波および正弦波に基づく同様な波形を示している。
完全波は等しい時間とピーク高さとを有する２つの半サ
イクルからなル、各曲線下の面積は等しい。この波にお
いて、各陽極または陰極半サイクルは２段階に分割声れ
た％のと見ゐことができる０段階１はｔｌによシ示され
る時間にわたって延在する上昇し次いで低下する電流か
らなシ、続いて段階２において電流は段階ＩＫおけるよ
シも遅い速度で低下し、これはｔｔＫよって示されｂ時
間にわたル延在する。第Ｂ、５．６および７図は、方形
波および正弦波に基づく同様な波形を示している。
上記波形の交流を使用することによ）アルミニラム箔の
キャパシタンスは、同じ全陽極クーロン電荷にり自同じ
電解液で使用された如何なる方形波、正弦波または鋸歯
波電流で得られるキャパシタンスよ〕も高くなる。本明
細書において＼鋸歯とは各半サイクルに２つのみの電流
変化の傾斜す表わち勾配を有する波形を意味する。
キャパシタンスは、同じ全陽極クーロン電荷にり自同じ
電解液で使用された如何なる方形波、正弦波または鋸歯
波電流で得られるキャパシタンスよ〕も高くなる。本明
細書において＼鋸歯とは各半サイクルに２つのみの電流
変化の傾斜す表わち勾配を有する波形を意味する。
本発明以前には誰もζζに記載したＭＯ特殊波形により
電層腐蝕を行表っていない。本発明に使用される波は対
称形状を有しかつ等しい陽極および陰極の電荷を有する
。これらの波は、波の最初の部分が電流の急速な上昇お
よび次いで急速な低下と、続いてゼロまで緩徐に低下す
る電流の尾部により証明される低下電流の急激な変化と
、それに絖〈反対方向の同じ電流波形とを特徴とするよ
うな明確１ｋｙ／Ｉｉ状を有する。
電層腐蝕を行表っていない。本発明に使用される波は対
称形状を有しかつ等しい陽極および陰極の電荷を有する
。これらの波は、波の最初の部分が電流の急速な上昇お
よび次いで急速な低下と、続いてゼロまで緩徐に低下す
る電流の尾部により証明される低下電流の急激な変化と
、それに絖〈反対方向の同じ電流波形とを特徴とするよ
うな明確１ｋｙ／Ｉｉ状を有する。
波形の好適な形態を第１図に例示し、ここで陽極電流は
ゼロから最大値壕で急速に上昇し次いで時間尺度で点ｔ
１ｔで急速に降下し、この時点において電流は実質的か
つ顕著な速度低下を示し、−七の結果電流は時間尺度で
ｔｌによシ示される長時間にわた〕ゼロまで低下する。
ゼロから最大値壕で急速に上昇し次いで時間尺度で点ｔ
１ｔで急速に降下し、この時点において電流は実質的か
つ顕著な速度低下を示し、−七の結果電流は時間尺度で
ｔｌによシ示される長時間にわた〕ゼロまで低下する。
第一段階（ｔ＋ Ｋ Ｘ Ｄ示される時間内）Ｋおけゐ
最大値からｔ１時時点）＠に至る電流の低下は、波高値
の約１〜￥でああ、よ）緩徐に電流が低下すゐ第二段階
（１＜から開始する）において、電流がゼロまで低下す
るのに要する時間はｔｌで示され為。第二段階Ｏ時間対
第一段階の時間Ｏ比、すなわち麺４．の比は１〜６、好
ましくは１〜３であゐ。
最大値からｔ１時時点）＠に至る電流の低下は、波高値
の約１〜￥でああ、よ）緩徐に電流が低下すゐ第二段階
（１＜から開始する）において、電流がゼロまで低下す
るのに要する時間はｔｌで示され為。第二段階Ｏ時間対
第一段階の時間Ｏ比、すなわち麺４．の比は１〜６、好
ましくは１〜３であゐ。
そＯ弛の図は、他の適する波形を示している。
菖２図は、第一段ＦＩにおいて電流が波高値まで急速に
上昇し、次いで魁時点までや中速度を落して急速に降下
するような波を示している。そＯ後、よ〉緩徐に降下す
る電流の第二段階が起ζ為。
上昇し、次いで魁時点までや中速度を落して急速に降下
するような波を示している。そＯ後、よ〉緩徐に降下す
る電流の第二段階が起ζ為。
第３図は、第一段階における方形波とそれに絖くゼａｔ
で規則的に俵下す為電流の第二段階とを示している。
で規則的に俵下す為電流の第二段階とを示している。
第４図は第２図と同様な波形を示しているが、主要な相
違点は第二段階に要する時間が第２ＷＡにおけるよ）も
第４図においてずつと長いことであシ、さらに第４図の
第一段階にお叶る電流低下の速度は第２図におけるよル
も小さい。
違点は第二段階に要する時間が第２ＷＡにおけるよ）も
第４図においてずつと長いことであシ、さらに第４図の
第一段階にお叶る電流低下の速度は第２図におけるよル
も小さい。
第５図は、第一段階における正弦波の波形を示し、第二
段階における規則的に低下する電流を有す為。
段階における規則的に低下する電流を有す為。
第６図は、第一段１１１にお妙る方形波と、魁から始壕
ってゼロに達する曲線で示された不均一速度で低下する
電流の第二段階とを示している。
ってゼロに達する曲線で示された不均一速度で低下する
電流の第二段階とを示している。
第７図は、第一段階に′ｓＰけゐ正弦波の波形と、ｔ、
〜髄間の時間にわ九〕不均−速度で低下す為電流の第二
段階とを示している。
〜髄間の時間にわ九〕不均−速度で低下す為電流の第二
段階とを示している。
２つの電流低下速度を有する特定波形は、同じアルミニ
ウムと同じ腐蝕剤とによｐ同じ温度と時間とＯ条件にて
使用される他の交流波形よシも少なくと４１０−大息い
効率を有するような、アルミニウムの腐蝕用すなわち電
気グレイニング用の交流系を与える。
ウムと同じ腐蝕剤とによｐ同じ温度と時間とＯ条件にて
使用される他の交流波形よシも少なくと４１０−大息い
効率を有するような、アルミニウムの腐蝕用すなわち電
気グレイニング用の交流系を与える。
腋が最高値に達するＯＫＷする時間は、電流供給の設計
と波形とに応じて、ははゼｐから魁の約６０−まで変化
することができる。初期の方形波パルスについては、最
高値に達するＯＮ要する時間ははぼゼｐであ為（第３図
および第６図参照）Ｏに対し、三角形波についてはこの
時間をｔｌｏ ２０−〜６０１１に増大させることがで
きる（第１．２および４図参照〕。三角形波Ｏ鳩舎、電
Ｉｉが最高値に達す為時間は通常魁０ＩｓＮＳＯ１であ
為。
と波形とに応じて、ははゼｐから魁の約６０−まで変化
することができる。初期の方形波パルスについては、最
高値に達するＯＮ要する時間ははぼゼｐであ為（第３図
および第６図参照）Ｏに対し、三角形波についてはこの
時間をｔｌｏ ２０−〜６０１１に増大させることがで
きる（第１．２および４図参照〕。三角形波Ｏ鳩舎、電
Ｉｉが最高値に達す為時間は通常魁０ＩｓＮＳＯ１であ
為。
第二段階の健下電流は第１図におけ為ように直線的に示
すことができ或いは第７図におけるように１纏とするこ
ともｔ’ｓ、とれも電力供給設計に依存する。重要表特
常は、低下液が２つＯ段階を有し、蕗−の段階は比較的
急速であルセして第二〇ＪＲ階は比較的緩徐であってゼ
ロ壕で低下するヒとである。
すことができ或いは第７図におけるように１纏とするこ
ともｔ’ｓ、とれも電力供給設計に依存する。重要表特
常は、低下液が２つＯ段階を有し、蕗−の段階は比較的
急速であルセして第二〇ＪＲ階は比較的緩徐であってゼ
ロ壕で低下するヒとである。
電気分解を行なう腐蝕剤は塩＊＊＊であシ、好ましくは
たとえば硝酸、蓚酸、燐酸および硫酸のような他の酸を
も含有す為。好適な腐蝕剤は規定度で０．５〜２．５Ｎ
Ｏ塩酸と、０．０５〜０゜２５ＮＯ硝酸と、規定度で０
．０５〜０．２５Ｎの燐酸と、１〜３×１０″″”ＮＯ
硫酸とを含有する。
たとえば硝酸、蓚酸、燐酸および硫酸のような他の酸を
も含有す為。好適な腐蝕剤は規定度で０．５〜２．５Ｎ
Ｏ塩酸と、０．０５〜０゜２５ＮＯ硝酸と、規定度で０
．０５〜０．２５Ｎの燐酸と、１〜３×１０″″”ＮＯ
硫酸とを含有する。
腐蝕操作が進行するにつれて」、アル建ニウムは酸腐蝕
剤中に急速に溶解してアル（ニウムイオンを与える。腐
蝕剤中における塩化アル１＝ウム淡度は好ましくは規定
度で約０．５〜１．ＯＮであ夛、最高約３Ｎであゐ。腐
蝕操作に対する実際的表操作パラメータは８８〜５０℃
のａｔ、１５〜２６ヘルツの筒波数および１傷鵞当〉１
００〜ｓｏｏ ｔリアンペア（ｒｍｍ ） ０電流密度
である。
剤中に急速に溶解してアル（ニウムイオンを与える。腐
蝕剤中における塩化アル１＝ウム淡度は好ましくは規定
度で約０．５〜１．ＯＮであ夛、最高約３Ｎであゐ。腐
蝕操作に対する実際的表操作パラメータは８８〜５０℃
のａｔ、１５〜２６ヘルツの筒波数および１傷鵞当〉１
００〜ｓｏｏ ｔリアンペア（ｒｍｍ ） ０電流密度
である。
２秋、腐蝕に対する一般的実験室手ｌ［左／７ｈど東し
アル之具つム箔試料を遭轟＆本ルグーに取付ける。腐蝕
にかける面積は１．５１えは１０傷！とすることができ
る。小さい嶽素棒または白金箔を対抗電極として使用す
る。箔試料と対抗電極とに対し電気接続を行なう。適轟
容量Ｏ濃厚試薬級の酸類と塩化アル１−ラムと蒸留水と
を混合して腐蝕剤を調製する。典型的な操作において、
腐蝕剤は１．０ Ｎ ＯＨＣＪと０．１ＯＮのＨＮＯｉ
とＯ０雪ＯＮＯＨ暴ＰＯ４と０．００１５ Ｎ ＯＲ１
８０４と０．８Ｎ （） ｊＪｃＪｘとを蒸留水中に含
有した。温度制御畜れ九油浴を通して腐蝕剤をポンプ輸
送するととｋより或いは磁気攪拌機と制御浸漬ヒータを
使用するととＫよ）、腐蝕剤の温変調節と循環とを行な
い、との試験における温１を４０〜５０℃０ｆｌｌＮＫ
維持する。
アル之具つム箔試料を遭轟＆本ルグーに取付ける。腐蝕
にかける面積は１．５１えは１０傷！とすることができ
る。小さい嶽素棒または白金箔を対抗電極として使用す
る。箔試料と対抗電極とに対し電気接続を行なう。適轟
容量Ｏ濃厚試薬級の酸類と塩化アル１−ラムと蒸留水と
を混合して腐蝕剤を調製する。典型的な操作において、
腐蝕剤は１．０ Ｎ ＯＨＣＪと０．１ＯＮのＨＮＯｉ
とＯ０雪ＯＮＯＨ暴ＰＯ４と０．００１５ Ｎ ＯＲ１
８０４と０．８Ｎ （） ｊＪｃＪｘとを蒸留水中に含
有した。温度制御畜れ九油浴を通して腐蝕剤をポンプ輸
送するととｋより或いは磁気攪拌機と制御浸漬ヒータを
使用するととＫよ）、腐蝕剤の温変調節と循環とを行な
い、との試験における温１を４０〜５０℃０ｆｌｌＮＫ
維持する。
電流は二方向電流源として配紳したポテンシオスタット
から得た。デジタル波形発生器からポテンシオスタット
への外部入力信号は、所望の波形を有する電流出力を形
成する。試験を開始すゐ前に、腐蝕槽への接続を短絡さ
せ、波形発生−〇電圧レベルを調整することＫよル所要
め摺電流を設定する。この操作をオシ四スコープで監視
す′為。次いで電流を線断し、槽に対し接続を行ない、
試料を腐蝕剤中に浸漬しそして所望の腐蝕電荷を与える
よう計算した時間にわ九）電流を流す。試料をホルダー
かＩＯ外し、水中で充分にゆすぎ、次いで酸化物誘電薄
膜を壱分野て公知の幾つかの電気分解浴のいずれかにお
いて形成させる。これは、硼酸イオンま九は燐酸イオン
を含有する非反応性電解液中で腐蝕ア・ル１＝ウム箔を
陽極となしそして直流をかける仁とによル便利に行表わ
れる。とれは、箔上に高い誘電率を有する＊＊な酸化ア
ルミニウム薄膜をもたらす。
から得た。デジタル波形発生器からポテンシオスタット
への外部入力信号は、所望の波形を有する電流出力を形
成する。試験を開始すゐ前に、腐蝕槽への接続を短絡さ
せ、波形発生−〇電圧レベルを調整することＫよル所要
め摺電流を設定する。この操作をオシ四スコープで監視
す′為。次いで電流を線断し、槽に対し接続を行ない、
試料を腐蝕剤中に浸漬しそして所望の腐蝕電荷を与える
よう計算した時間にわ九）電流を流す。試料をホルダー
かＩＯ外し、水中で充分にゆすぎ、次いで酸化物誘電薄
膜を壱分野て公知の幾つかの電気分解浴のいずれかにお
いて形成させる。これは、硼酸イオンま九は燐酸イオン
を含有する非反応性電解液中で腐蝕ア・ル１＝ウム箔を
陽極となしそして直流をかける仁とによル便利に行表わ
れる。とれは、箔上に高い誘電率を有する＊＊な酸化ア
ルミニウム薄膜をもたらす。
幾つかの工業的ＡＣ腐蝕操作において、および幾つかの
小規模腐蝕操作においては、腐蝕させゐべきアルミニウ
ム箔に対し直接的電気接続が存在しない。そＯ代夛、箔
が２つの電極室Ｏ間Ｏ分離材として作用し、これらの室
における炭素電極に対し電気接続を行なう。電気は室間
の箔を通過する際、アル１＝ウムＯ各側に対し交互に陽
極反応と陰極反応とをひ１１起こす。この無接触腐蝕法
および上記し九接触腐蝕操作は電気的に均勢であシ、こ
れら両者を本発明に使用することができる。
小規模腐蝕操作においては、腐蝕させゐべきアルミニウ
ム箔に対し直接的電気接続が存在しない。そＯ代夛、箔
が２つの電極室Ｏ間Ｏ分離材として作用し、これらの室
における炭素電極に対し電気接続を行なう。電気は室間
の箔を通過する際、アル１＝ウムＯ各側に対し交互に陽
極反応と陰極反応とをひ１１起こす。この無接触腐蝕法
および上記し九接触腐蝕操作は電気的に均勢であシ、こ
れら両者を本発明に使用することができる。
実施例１
アルさニウム箔（ＡＪ９９．９９’１ｌｓＳ Ｏ−チン
バー、１９ ｍ’、厚１１１００ｐＨ） を、下記組
成の電解液において上記の一般的手１［Ｋよシ腐蝕させ
え。
バー、１９ ｍ’、厚１１１００ｐＨ） を、下記組
成の電解液において上記の一般的手１［Ｋよシ腐蝕させ
え。
成 分 規定度
ＨＣＪ Ｏ，８７
ＨＮＯｉ ０
．１！ＨｓＰＯａ ０．２ｊ！ Ｈ黛ＢＣｈ Ｏ，００１５ＡＪＣＪｓ
０．９０ 電荷！１ｆは！＄４ Ｃ／ｌｘａ”であった。キャパシ
タンスは、陽極バリヤ酸化物薄膜を２０Ｖおよび６４Ｖ
で形成し九後にｌｚＯヘルツにて測定した。温度と電流
密度と周波数とを最適化させた後、正弦波および方形波
により得られた最高のキャパシタンスは次の通シであっ
た。
．１！ＨｓＰＯａ ０．２ｊ！ Ｈ黛ＢＣｈ Ｏ，００１５ＡＪＣＪｓ
０．９０ 電荷！１ｆは！＄４ Ｃ／ｌｘａ”であった。キャパシ
タンスは、陽極バリヤ酸化物薄膜を２０Ｖおよび６４Ｖ
で形成し九後にｌｚＯヘルツにて測定した。温度と電流
密度と周波数とを最適化させた後、正弦波および方形波
により得られた最高のキャパシタンスは次の通シであっ
た。
正弦＊ ４１ １９ １７８ １１６ ４．４方
形＠ ＩＩＩ ２２ １６９ １８．３ ４、
Ｏ実施例冨 この実施例拡、第１図および第３図に一致する波形を使
用しかつ実施例ＩＫ記載し九と同じ材料を使用した腐蝕
手順を説明する。％−２，。
形＠ ＩＩＩ ２２ １６９ １８．３ ４、
Ｏ実施例冨 この実施例拡、第１図および第３図に一致する波形を使
用しかつ実施例ＩＫ記載し九と同じ材料を使用した腐蝕
手順を説明する。％−２，。
にて４０℃で試験し、電荷”％！ ％周波数１６．７〜
１ｇ、８Ｈ篤かつピーク電流１！Ｆ＊５００鮎４２にて
ｌ ｔｘ２の箔に対して行かった第１図の波形は２０Ｖ
にて２１１μ脇！および６４ＶＫて４．７μ秋−〇キャ
パシタンスを与えた。との波形は、正弦波よ）も１５−
高いキャパシタンスを２０Ｖにて与えると共に７チ高い
キャパシタンスを６４Ｖｋて与え、ただし他の条件線全
て同一とする。
１ｇ、８Ｈ篤かつピーク電流１！Ｆ＊５００鮎４２にて
ｌ ｔｘ２の箔に対して行かった第１図の波形は２０Ｖ
にて２１１μ脇！および６４ＶＫて４．７μ秋−〇キャ
パシタンスを与えた。との波形は、正弦波よ）も１５−
高いキャパシタンスを２０Ｖにて与えると共に７チ高い
キャパシタンスを６４Ｖｋて与え、ただし他の条件線全
て同一とする。
１１ｇ３図の波形はｚｏｖにて２０５μＦ／ａＩＩ重
および６４ Ｖ Ｋ テ５４ ＰＦ／ａｎｔ ｏ
＋ ’ｒ Ａ シｆｉ ｙ Ｘ ｔ 与、ｔた。６４Ｖ
にてζＯ波形は同じ条件下ＫｊＰける正弦波に対するよ
ルも２０９Ｇ高いキャパシタンスをもたらした。
および６４ Ｖ Ｋ テ５４ ＰＦ／ａｎｔ ｏ
＋ ’ｒ Ａ シｆｉ ｙ Ｘ ｔ 与、ｔた。６４Ｖ
にてζＯ波形は同じ条件下ＫｊＰける正弦波に対するよ
ルも２０９Ｇ高いキャパシタンスをもたらした。
実施例３
この実施例においては、実施例２０第２パラダツ７にお
ける同じ腐蝕剤、温度、全電荷、周波数を使用しかつ第
３図の波形を使用した。１１０間における電′ｆＩＬ書
度を変化させて１１０間の電荷を一定に保つと共に、実
施例２の第１バラグツ７におけ為１１０間の電荷と等し
く保った。次の結果が得られた。
ける同じ腐蝕剤、温度、全電荷、周波数を使用しかつ第
３図の波形を使用した。１１０間における電′ｆＩＬ書
度を変化させて１１０間の電荷を一定に保つと共に、実
施例２の第１バラグツ７におけ為１１０間の電荷と等し
く保った。次の結果が得られた。
ＳＯＳ ＬＯ２０，５Ｂ、３
５１５ ４．０ ２０！ ４．５遣１１１
実施例２０第２パツグラツにおけると同じ腐蝕剤、温度
および全電荷を使用したが、−４と周波数とピーク電流
密度とを変化させて、第１図の波形を使用しえ。
および全電荷を使用したが、−４と周波数とピーク電流
密度とを変化させて、第１図の波形を使用しえ。
１．４ １１８ ５００ １９．８ ４４３．１
１１１．１ ５００ １７．＠ ４．７３
．８ １６．８ ６００ １９．０ Ｌ８各条件Ｋ
Ｔｈいて、正弦波よ）も改良された結果がｚｏｖｔたは
６４Ｖのいずれかで得られた。
１１１．１ ５００ １７．＠ ４．７３
．８ １６．８ ６００ １９．０ Ｌ８各条件Ｋ
Ｔｈいて、正弦波よ）も改良された結果がｚｏｖｔたは
６４Ｖのいずれかで得られた。
第１〜７図は本発明に使用する各種の波形を示すグラフ
である。 特許出願人 ユナイテッド・ケ建コン インコー≠レイテッド
である。 特許出願人 ユナイテッド・ケ建コン インコー≠レイテッド
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ａ） 塩酸を含有する電解液と接触しているアル１＝ウ
ムに交流をかけることによりアルミニウムを腐蝕する方
法において、交流は電流が急速にゼロから最大値まで上
昇し、次いで第一段階にて最大値の約匈〜約軸である中
間値壕で急速に低下し、そＯ後第二段階においてよ）緩
徐にゼロｔで低下するような波形を有し、第二段階の時
間対第一段階の時間の比は１〜６であ夛、それによ〕腐
蝕アルギエウムのよ）高いキャパシタンス値を得ること
を特徴とすゐアル１＝ウムＯ腐蝕方法。 （意） 第二段階対第一段階の比が１〜３であ、ＩＩ
特許請求の範ｌ！Ｉ第１項記載の方法。 伽） 電ＩＩの第一段階の波形が三角形波である警許請
求の範囲第１項を九は第２項記載の方法。 （４） 電ＩＩＯ第一段階の液形が正弦波である特許
請求の範囲第１項または第２項記載の方法。 （５） 電流の第一段階の波形が方形波である特許請
求ｏａｒｓ第１項または第２項記載の方法。 （６） 電流密度がアルミニウムの１ｍｌ”！１１０
０〜３００ｔリアンペア（ｒｍｍ ）の範囲でああ特許
請求の範囲第１項または第２項記載の方法。 （７）交流の周波数が１５〜２５ヘルツの範囲であゐ特
許請求の範囲第１項または第２項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12130581A JPS5822390A (ja) | 1981-08-02 | 1981-08-02 | アルミニウムの腐蝕方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12130581A JPS5822390A (ja) | 1981-08-02 | 1981-08-02 | アルミニウムの腐蝕方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5822390A true JPS5822390A (ja) | 1983-02-09 |
| JPS6221079B2 JPS6221079B2 (ja) | 1987-05-11 |
Family
ID=14807958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12130581A Granted JPS5822390A (ja) | 1981-08-02 | 1981-08-02 | アルミニウムの腐蝕方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5822390A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6083000A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-11 | 株式会社日立製作所 | 放射性汚染金属の除染方法 |
| JPS61209400A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-17 | 上村工業株式会社 | 放射能汚染金属廃棄物の除染方法 |
| US4681672A (en) * | 1984-12-28 | 1987-07-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for etching electrode foils for an aluminium electrolytic capacitor |
| JPH01154797A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平版印刷版用アルミニウム支持体の電解粗面化処理方法 |
| JP2002198265A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電解コンデンサ用電極箔の製造方法およびこれを用いた電解コンデンサ |
| JP2013214727A (ja) * | 2012-03-07 | 2013-10-17 | Panasonic Corp | 電極箔およびこれを用いたコンデンサ |
-
1981
- 1981-08-02 JP JP12130581A patent/JPS5822390A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6083000A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-11 | 株式会社日立製作所 | 放射性汚染金属の除染方法 |
| US4681672A (en) * | 1984-12-28 | 1987-07-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for etching electrode foils for an aluminium electrolytic capacitor |
| JPS61209400A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-17 | 上村工業株式会社 | 放射能汚染金属廃棄物の除染方法 |
| JPH01154797A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平版印刷版用アルミニウム支持体の電解粗面化処理方法 |
| JP2002198265A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電解コンデンサ用電極箔の製造方法およびこれを用いた電解コンデンサ |
| JP2013214727A (ja) * | 2012-03-07 | 2013-10-17 | Panasonic Corp | 電極箔およびこれを用いたコンデンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6221079B2 (ja) | 1987-05-11 |
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