JPS58219776A - 電源装置 - Google Patents
電源装置Info
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- JPS58219776A JPS58219776A JP57103161A JP10316182A JPS58219776A JP S58219776 A JPS58219776 A JP S58219776A JP 57103161 A JP57103161 A JP 57103161A JP 10316182 A JP10316182 A JP 10316182A JP S58219776 A JPS58219776 A JP S58219776A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
大発明は電子機器への電力供給を光起電力により行なわ
しめる電の装置に関Tる。
しめる電の装置に関Tる。
近年石油などの工法ルギー資源の枯渇が間頭となる中で
、非枯渇、クリーンエネルギー源である太陽光から直接
@気を得る光起電力装置、所謂太陽電池の開発が盛んに
行なわれており、従来電力用に限定されていた用途が電
子式卓上計算機・腕時計・ラジオ・充電器等の民生機器
の電源f二まで用いられるに至ってきた。
、非枯渇、クリーンエネルギー源である太陽光から直接
@気を得る光起電力装置、所謂太陽電池の開発が盛んに
行なわれており、従来電力用に限定されていた用途が電
子式卓上計算機・腕時計・ラジオ・充電器等の民生機器
の電源f二まで用いられるに至ってきた。
特にアモルファスシリコンに代表されるアモルファス半
導体は従来の単結晶半導体から構成されるものに較べ充
電変換効率の点では劣るものの。
導体は従来の単結晶半導体から構成されるものに較べ充
電変換効率の点では劣るものの。
単位発電量に対Tるコストの面で勝ると共に、室内光下
に於いては些程遜色のない光電変換効率を得ることがで
きる。その結果室内で殆ど使用される電子式卓上計算機
には上記アモルファス半導体を主体とする太陽電池の利
用が専用のLSIの開発と相俟って急速に進んでいる。
に於いては些程遜色のない光電変換効率を得ることがで
きる。その結果室内で殆ど使用される電子式卓上計算機
には上記アモルファス半導体を主体とする太陽電池の利
用が専用のLSIの開発と相俟って急速に進んでいる。
然し乍ら6上記アモルファス半導体のみならず如何なる
太陽電池であっても先順tt*が減少すると1発電電力
は低下し電子式卓上計算機等の民生機器が正常に機能を
果Tに足りる十分な電力を得るに至らず、駆動作を招く
危惧を有していた。
太陽電池であっても先順tt*が減少すると1発電電力
は低下し電子式卓上計算機等の民生機器が正常に機能を
果Tに足りる十分な電力を得るに至らず、駆動作を招く
危惧を有していた。
本発明は断る危惧に鑑みて為されたものであって、以下
に図面を参照して本発明の一実施例につき詳述する。
に図面を参照して本発明の一実施例につき詳述する。
第1図(A)及び(B))−J本発明の正面図並び(=
断面図を示し、(l;は絶縁性乱つ透光性を有よるガラ
ス・耐熱プラスチックなどから成る基板、(2a)(2
b )−(2n )は該基板(11の一生面に並置され
光照射により光起電力を発生TるN個の光起電力素子で
、各光起電力素子(2a)(2b)・・・(2n)は基
板+11側から透明電極@(3a)(!l b ) −
−−(5n )、半導体層(41及び金+ign極層(
5a)(5b)・・・(5n)を順次積層せしめた積層
構造を侍っている。そして、各光起電力素子(2a )
(2b ) −(2n )は透明電極層(5a) (
5b ) ・(5n )及び金属電極層(5a)(5b
)・・・(5n)が半導体5(4)から延在した延長部
(6a)(6b)、−(6n)、(7a)(7b)・・
・(7n)の互いに隣接したもの同士を結合せしめるこ
とによって電気的に直列関係になるべく接続されている
。+s+tj>は上記透明電極J(5a )及び金属電
極層(5n)の両端延長部C6a)C7n)に結線され
た出力リード線で1例えば超音波半田により取着される
。
断面図を示し、(l;は絶縁性乱つ透光性を有よるガラ
ス・耐熱プラスチックなどから成る基板、(2a)(2
b )−(2n )は該基板(11の一生面に並置され
光照射により光起電力を発生TるN個の光起電力素子で
、各光起電力素子(2a)(2b)・・・(2n)は基
板+11側から透明電極@(3a)(!l b ) −
−−(5n )、半導体層(41及び金+ign極層(
5a)(5b)・・・(5n)を順次積層せしめた積層
構造を侍っている。そして、各光起電力素子(2a )
(2b ) −(2n )は透明電極層(5a) (
5b ) ・(5n )及び金属電極層(5a)(5b
)・・・(5n)が半導体5(4)から延在した延長部
(6a)(6b)、−(6n)、(7a)(7b)・・
・(7n)の互いに隣接したもの同士を結合せしめるこ
とによって電気的に直列関係になるべく接続されている
。+s+tj>は上記透明電極J(5a )及び金属電
極層(5n)の両端延長部C6a)C7n)に結線され
た出力リード線で1例えば超音波半田により取着される
。
上記半導体層(41は膜厚サブミクロンから数10ミク
ロン程度の薄膜状で光起電力効果を生じるアモルファス
半導体、該アモルファス半導体を微結晶化したもの或い
は多結晶半導体等の製造が比較的容易な非単結晶半導体
から成り1本発明の具体的実施例に於いてはPIN接合
型アモルファスシリコンが適用されている。このアモル
ファスシリコンは周知の如くシラン(s’、i)l 4
)ガス等のシリコン化合物ガス雰囲気中で、のプラズマ
反応により薄膜状に形成することができ、その雰囲気中
にジボラン(B2H6)を添加することによりP型アモ
ルファスシリコンが得られ、ホスフィン(PH5) ヨ
’) ” 型アモルファスシリコンを得ることができる
。そして2 上記透明電極@ (5a ) (5b)・
・・(6n)としては酸化スズ、酸化インジウム、若シ
くは酸化インジウム・スズが、また金属電極層(5a)
(5b)・・・(5n)としてはオーミフク性のあるア
ルミニウム、金等が夫々適宜選択使用される。
ロン程度の薄膜状で光起電力効果を生じるアモルファス
半導体、該アモルファス半導体を微結晶化したもの或い
は多結晶半導体等の製造が比較的容易な非単結晶半導体
から成り1本発明の具体的実施例に於いてはPIN接合
型アモルファスシリコンが適用されている。このアモル
ファスシリコンは周知の如くシラン(s’、i)l 4
)ガス等のシリコン化合物ガス雰囲気中で、のプラズマ
反応により薄膜状に形成することができ、その雰囲気中
にジボラン(B2H6)を添加することによりP型アモ
ルファスシリコンが得られ、ホスフィン(PH5) ヨ
’) ” 型アモルファスシリコンを得ることができる
。そして2 上記透明電極@ (5a ) (5b)・
・・(6n)としては酸化スズ、酸化インジウム、若シ
くは酸化インジウム・スズが、また金属電極層(5a)
(5b)・・・(5n)としてはオーミフク性のあるア
ルミニウム、金等が夫々適宜選択使用される。
斯るN個の光起電力素子(2a)(2b)・・・(2n
)を直列関係に接続せしめた光起電力装置を電子式卓上
計算機等の民生機器の電源装置として既に実用に供せら
れている。
)を直列関係に接続せしめた光起電力装置を電子式卓上
計算機等の民生機器の電源装置として既に実用に供せら
れている。
即ち1本発明の特徴は上記N個の光起電力素子(2m)
(2b)・・・(2n)と同構造を持ち該光起電力素子
(2m)(2b)・・・(2n)を照射する先順?tI
lilを検出Tる光検出素子を設け、この先検串素子の
光検出量に応じて上記光起電力素子(2a)(2b)・
・・(2n)の出力伏態を制御したところ督二ある。本
実施例に於ける上記光検出素子はN個の光起電力素子(
2m)(2b)・・・(2n)の1つを具体的には左端
部に位置する第1の光起電力素子(2M)を兼用すしめ
ている。そして上記光検出素子と兼用せる第1の光起電
力素子(2m)には光照射量に応じた光検出量を得るべ
く検出抵抗(1(lが接続されている。
(2b)・・・(2n)と同構造を持ち該光起電力素子
(2m)(2b)・・・(2n)を照射する先順?tI
lilを検出Tる光検出素子を設け、この先検串素子の
光検出量に応じて上記光起電力素子(2a)(2b)・
・・(2n)の出力伏態を制御したところ督二ある。本
実施例に於ける上記光検出素子はN個の光起電力素子(
2m)(2b)・・・(2n)の1つを具体的には左端
部に位置する第1の光起電力素子(2M)を兼用すしめ
ている。そして上記光検出素子と兼用せる第1の光起電
力素子(2m)には光照射量に応じた光検出量を得るべ
く検出抵抗(1(lが接続されている。
−喝2図は上記検出抵抗11eの抵抗値を種々変化せし
めた場合の光照射量i照度)に対下る出力特性図である
。この特性図から明らかな如く対数目盛りに於いて照賓
に対して直線的な出力電圧が得られることがわかる。
めた場合の光照射量i照度)に対下る出力特性図である
。この特性図から明らかな如く対数目盛りに於いて照賓
に対して直線的な出力電圧が得られることがわかる。
この様な検出抵抗G(Iの抵抗値を出力リード線(8)
19)により給電される民生機器の負荷回路の抵抗値等
を考慮して設計すると、上記出力リードfilf871
91間に所望の光起電力を得ることができ、また検出抵
抗(1(1間に光照射量に応じた出力電圧が得られる。
19)により給電される民生機器の負荷回路の抵抗値等
を考慮して設計すると、上記出力リードfilf871
91間に所望の光起電力を得ることができ、また検出抵
抗(1(1間に光照射量に応じた出力電圧が得られる。
従って、斯る検出抵抗aO間の出力電圧により光起電力
素子(2m)(2b)・・・(2n)に照射されている
先順・耐量を検出し、その光照射量が負荷回路が正常に
動作するに足りる電力を発電することができない量であ
れば上記負荷回路への光起電力の出力を遮断下べく制御
する。
素子(2m)(2b)・・・(2n)に照射されている
先順・耐量を検出し、その光照射量が負荷回路が正常に
動作するに足りる電力を発電することができない量であ
れば上記負荷回路への光起電力の出力を遮断下べく制御
する。
尚 上記実施例g二於いては光検出素子と光起電力素子
とを兼用し、その出力端子間に検出抵抗を接続下ると共
に光起電力素子をアモルファスシリコンによって形成せ
しめていたがこの実施例に限定されることなく例えば光
起電力素子を電気的に並列関係に接続したり下る本発明
の主旨を損なわない範囲での変形は言うに及ばず可能で
ある。
とを兼用し、その出力端子間に検出抵抗を接続下ると共
に光起電力素子をアモルファスシリコンによって形成せ
しめていたがこの実施例に限定されることなく例えば光
起電力素子を電気的に並列関係に接続したり下る本発明
の主旨を損なわない範囲での変形は言うに及ばず可能で
ある。
本発明は以上の説明から明らかな如く、光照射量を検出
下る光検出素子は光起電力素子と同構造を持つために、
同一の製造工程で製造することができると共に両者の感
光波長特性は合致下るので。
下る光検出素子は光起電力素子と同構造を持つために、
同一の製造工程で製造することができると共に両者の感
光波長特性は合致下るので。
斯る光検出素子の光検出量に応じて上記光起電力素子の
出力状態を制御せしめることにより、該光起電力素子の
発電電力が負荷回路の誤動作領域となった際正確に出力
電力の供給を遮断下ることができる。更に、上記光起電
力素子並びに光検出素子を非単結晶半導体、就中アモル
ファス半導体を主体として構成Tればその製造が容易と
なるばかりか、その使用が殆ど室内に限定される電子式
卓上計算機等に適用することにより単結晶半導体と些程
遜色のない光電変換効率を得ることができる。
出力状態を制御せしめることにより、該光起電力素子の
発電電力が負荷回路の誤動作領域となった際正確に出力
電力の供給を遮断下ることができる。更に、上記光起電
力素子並びに光検出素子を非単結晶半導体、就中アモル
ファス半導体を主体として構成Tればその製造が容易と
なるばかりか、その使用が殆ど室内に限定される電子式
卓上計算機等に適用することにより単結晶半導体と些程
遜色のない光電変換効率を得ることができる。
しかも、複数個電気的に直列関係になるべく接続された
光起電力素子の内の1つをt配光検出素子として兼用せ
しめることによって、格別の光検出素子を必要とせず装
置の小型化並びに低コスト化をより一層図ることができ
る。
光起電力素子の内の1つをt配光検出素子として兼用せ
しめることによって、格別の光検出素子を必要とせず装
置の小型化並びに低コスト化をより一層図ることができ
る。
第1図(A)は本発明一実施例の正面図、同図(B)は
(A)に於けるB −B’線断面図、第2図は光検出素
子の出力特性図で、(1)は基板、(2a)(2b)・
・・(2n)光起電力素子、uOは検出抵抗、を夫々示
している。
(A)に於けるB −B’線断面図、第2図は光検出素
子の出力特性図で、(1)は基板、(2a)(2b)・
・・(2n)光起電力素子、uOは検出抵抗、を夫々示
している。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 [11光照射により光起電力を発生Tる光起電力素子と
、該光起庫7カ素子と同構造を持ち上記光照射量を検出
する光検出素子と、から成り、上記光検出素子の光検出
量に応じて上記光起電力素子の出力状顛を開梱したこと
を特徴とする電源装置。 (2r 上記光起電力素子並びに光検出素子F才非単
結晶半導体から成ることを特徴とする特許請求の範囲%
1項1戦の電源装置。 (31上記非単結晶半導体から成る光起電力素子並びに
光検出素子は同一基板に形成されたアモルファス半導体
を主体とTることを特徴とする特許請求の範囲1f!2
項記載の電源装置。 (4) 上記光起電力素子は複数個電気的に直列関係
になるべく接続され、その直列関係に接続された複数個
の光起電力素子の1らを上記光検出素子として兼用した
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至11!3項
何れか紀載り電源装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57103161A JPS58219776A (ja) | 1982-06-15 | 1982-06-15 | 電源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57103161A JPS58219776A (ja) | 1982-06-15 | 1982-06-15 | 電源装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58219776A true JPS58219776A (ja) | 1983-12-21 |
JPH0470789B2 JPH0470789B2 (ja) | 1992-11-11 |
Family
ID=14346775
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57103161A Granted JPS58219776A (ja) | 1982-06-15 | 1982-06-15 | 電源装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58219776A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9215504B2 (en) | 2006-10-06 | 2015-12-15 | Rovi Guides, Inc. | Systems and methods for acquiring, categorizing and delivering media in interactive media guidance applications |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56124062A (en) * | 1980-03-05 | 1981-09-29 | Hitachi Ltd | Voltage detection method for solar battery |
-
1982
- 1982-06-15 JP JP57103161A patent/JPS58219776A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56124062A (en) * | 1980-03-05 | 1981-09-29 | Hitachi Ltd | Voltage detection method for solar battery |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9215504B2 (en) | 2006-10-06 | 2015-12-15 | Rovi Guides, Inc. | Systems and methods for acquiring, categorizing and delivering media in interactive media guidance applications |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0470789B2 (ja) | 1992-11-11 |
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