JPS58219776A - 電源装置 - Google Patents
電源装置Info
- Publication number
- JPS58219776A JPS58219776A JP57103161A JP10316182A JPS58219776A JP S58219776 A JPS58219776 A JP S58219776A JP 57103161 A JP57103161 A JP 57103161A JP 10316182 A JP10316182 A JP 10316182A JP S58219776 A JPS58219776 A JP S58219776A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- photovoltaic
- amount
- photovoltaic elements
- detecting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N diboron Chemical compound B#B ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
大発明は電子機器への電力供給を光起電力により行なわ
しめる電の装置に関Ｔる。
しめる電の装置に関Ｔる。
近年石油などの工法ルギー資源の枯渇が間頭となる中で
、非枯渇、クリーンエネルギー源である太陽光から直接
＠気を得る光起電力装置、所謂太陽電池の開発が盛んに
行なわれており、従来電力用に限定されていた用途が電
子式卓上計算機・腕時計・ラジオ・充電器等の民生機器
の電源ｆ二まで用いられるに至ってきた。
、非枯渇、クリーンエネルギー源である太陽光から直接
＠気を得る光起電力装置、所謂太陽電池の開発が盛んに
行なわれており、従来電力用に限定されていた用途が電
子式卓上計算機・腕時計・ラジオ・充電器等の民生機器
の電源ｆ二まで用いられるに至ってきた。
特にアモルファスシリコンに代表されるアモルファス半
導体は従来の単結晶半導体から構成されるものに較べ充
電変換効率の点では劣るものの。
導体は従来の単結晶半導体から構成されるものに較べ充
電変換効率の点では劣るものの。
単位発電量に対Ｔるコストの面で勝ると共に、室内光下
に於いては些程遜色のない光電変換効率を得ることがで
きる。その結果室内で殆ど使用される電子式卓上計算機
には上記アモルファス半導体を主体とする太陽電池の利
用が専用のＬＳＩの開発と相俟って急速に進んでいる。
に於いては些程遜色のない光電変換効率を得ることがで
きる。その結果室内で殆ど使用される電子式卓上計算機
には上記アモルファス半導体を主体とする太陽電池の利
用が専用のＬＳＩの開発と相俟って急速に進んでいる。
然し乍ら６上記アモルファス半導体のみならず如何なる
太陽電池であっても先順ｔｔ＊が減少すると１発電電力
は低下し電子式卓上計算機等の民生機器が正常に機能を
果Ｔに足りる十分な電力を得るに至らず、駆動作を招く
危惧を有していた。
太陽電池であっても先順ｔｔ＊が減少すると１発電電力
は低下し電子式卓上計算機等の民生機器が正常に機能を
果Ｔに足りる十分な電力を得るに至らず、駆動作を招く
危惧を有していた。
本発明は断る危惧に鑑みて為されたものであって、以下
に図面を参照して本発明の一実施例につき詳述する。
に図面を参照して本発明の一実施例につき詳述する。
第１図（Ａ）及び（Ｂ））−Ｊ本発明の正面図並び（＝
断面図を示し、（ｌ；は絶縁性乱つ透光性を有よるガラ
ス・耐熱プラスチックなどから成る基板、（２ａ）（２
ｂ ）−（２ｎ ）は該基板（１１の一生面に並置され
光照射により光起電力を発生ＴるＮ個の光起電力素子で
、各光起電力素子（２ａ）（２ｂ）・・・（２ｎ）は基
板＋１１側から透明電極＠（３ａ）（！ｌ ｂ ） −
−−（５ｎ ）、半導体層（４１及び金＋ｉｇｎ極層（
５ａ）（５ｂ）・・・（５ｎ）を順次積層せしめた積層
構造を侍っている。そして、各光起電力素子（２ａ ）
（２ｂ ） −（２ｎ ）は透明電極層（５ａ） （
５ｂ ） ・（５ｎ ）及び金属電極層（５ａ）（５ｂ
）・・・（５ｎ）が半導体５（４）から延在した延長部
（６ａ）（６ｂ）、−（６ｎ）、（７ａ）（７ｂ）・・
・（７ｎ）の互いに隣接したもの同士を結合せしめるこ
とによって電気的に直列関係になるべく接続されている
。＋ｓ＋ｔｊ＞は上記透明電極Ｊ（５ａ ）及び金属電
極層（５ｎ）の両端延長部Ｃ６ａ）Ｃ７ｎ）に結線され
た出力リード線で１例えば超音波半田により取着される
。
断面図を示し、（ｌ；は絶縁性乱つ透光性を有よるガラ
ス・耐熱プラスチックなどから成る基板、（２ａ）（２
ｂ ）−（２ｎ ）は該基板（１１の一生面に並置され
光照射により光起電力を発生ＴるＮ個の光起電力素子で
、各光起電力素子（２ａ）（２ｂ）・・・（２ｎ）は基
板＋１１側から透明電極＠（３ａ）（！ｌ ｂ ） −
−−（５ｎ ）、半導体層（４１及び金＋ｉｇｎ極層（
５ａ）（５ｂ）・・・（５ｎ）を順次積層せしめた積層
構造を侍っている。そして、各光起電力素子（２ａ ）
（２ｂ ） −（２ｎ ）は透明電極層（５ａ） （
５ｂ ） ・（５ｎ ）及び金属電極層（５ａ）（５ｂ
）・・・（５ｎ）が半導体５（４）から延在した延長部
（６ａ）（６ｂ）、−（６ｎ）、（７ａ）（７ｂ）・・
・（７ｎ）の互いに隣接したもの同士を結合せしめるこ
とによって電気的に直列関係になるべく接続されている
。＋ｓ＋ｔｊ＞は上記透明電極Ｊ（５ａ ）及び金属電
極層（５ｎ）の両端延長部Ｃ６ａ）Ｃ７ｎ）に結線され
た出力リード線で１例えば超音波半田により取着される
。
上記半導体層（４１は膜厚サブミクロンから数１０ミク
ロン程度の薄膜状で光起電力効果を生じるアモルファス
半導体、該アモルファス半導体を微結晶化したもの或い
は多結晶半導体等の製造が比較的容易な非単結晶半導体
から成り１本発明の具体的実施例に於いてはＰＩＮ接合
型アモルファスシリコンが適用されている。このアモル
ファスシリコンは周知の如くシラン（ｓ’、ｉ）ｌ ４
）ガス等のシリコン化合物ガス雰囲気中で、のプラズマ
反応により薄膜状に形成することができ、その雰囲気中
にジボラン（Ｂ２Ｈ６）を添加することによりＰ型アモ
ルファスシリコンが得られ、ホスフィン（ＰＨ５） ヨ
’） ” 型アモルファスシリコンを得ることができる
。そして２ 上記透明電極＠ （５ａ ） （５ｂ）・
・・（６ｎ）としては酸化スズ、酸化インジウム、若シ
くは酸化インジウム・スズが、また金属電極層（５ａ）
（５ｂ）・・・（５ｎ）としてはオーミフク性のあるア
ルミニウム、金等が夫々適宜選択使用される。
ロン程度の薄膜状で光起電力効果を生じるアモルファス
半導体、該アモルファス半導体を微結晶化したもの或い
は多結晶半導体等の製造が比較的容易な非単結晶半導体
から成り１本発明の具体的実施例に於いてはＰＩＮ接合
型アモルファスシリコンが適用されている。このアモル
ファスシリコンは周知の如くシラン（ｓ’、ｉ）ｌ ４
）ガス等のシリコン化合物ガス雰囲気中で、のプラズマ
反応により薄膜状に形成することができ、その雰囲気中
にジボラン（Ｂ２Ｈ６）を添加することによりＰ型アモ
ルファスシリコンが得られ、ホスフィン（ＰＨ５） ヨ
’） ” 型アモルファスシリコンを得ることができる
。そして２ 上記透明電極＠ （５ａ ） （５ｂ）・
・・（６ｎ）としては酸化スズ、酸化インジウム、若シ
くは酸化インジウム・スズが、また金属電極層（５ａ）
（５ｂ）・・・（５ｎ）としてはオーミフク性のあるア
ルミニウム、金等が夫々適宜選択使用される。
斯るＮ個の光起電力素子（２ａ）（２ｂ）・・・（２ｎ
）を直列関係に接続せしめた光起電力装置を電子式卓上
計算機等の民生機器の電源装置として既に実用に供せら
れている。
）を直列関係に接続せしめた光起電力装置を電子式卓上
計算機等の民生機器の電源装置として既に実用に供せら
れている。
即ち１本発明の特徴は上記Ｎ個の光起電力素子（２ｍ）
（２ｂ）・・・（２ｎ）と同構造を持ち該光起電力素子
（２ｍ）（２ｂ）・・・（２ｎ）を照射する先順？ｔＩ
ｌｉｌを検出Ｔる光検出素子を設け、この先検串素子の
光検出量に応じて上記光起電力素子（２ａ）（２ｂ）・
・・（２ｎ）の出力伏態を制御したところ督二ある。本
実施例に於ける上記光検出素子はＮ個の光起電力素子（
２ｍ）（２ｂ）・・・（２ｎ）の１つを具体的には左端
部に位置する第１の光起電力素子（２Ｍ）を兼用すしめ
ている。そして上記光検出素子と兼用せる第１の光起電
力素子（２ｍ）には光照射量に応じた光検出量を得るべ
く検出抵抗（１（ｌが接続されている。
（２ｂ）・・・（２ｎ）と同構造を持ち該光起電力素子
（２ｍ）（２ｂ）・・・（２ｎ）を照射する先順？ｔＩ
ｌｉｌを検出Ｔる光検出素子を設け、この先検串素子の
光検出量に応じて上記光起電力素子（２ａ）（２ｂ）・
・・（２ｎ）の出力伏態を制御したところ督二ある。本
実施例に於ける上記光検出素子はＮ個の光起電力素子（
２ｍ）（２ｂ）・・・（２ｎ）の１つを具体的には左端
部に位置する第１の光起電力素子（２Ｍ）を兼用すしめ
ている。そして上記光検出素子と兼用せる第１の光起電
力素子（２ｍ）には光照射量に応じた光検出量を得るべ
く検出抵抗（１（ｌが接続されている。
−喝２図は上記検出抵抗１１ｅの抵抗値を種々変化せし
めた場合の光照射量ｉ照度）に対下る出力特性図である
。この特性図から明らかな如く対数目盛りに於いて照賓
に対して直線的な出力電圧が得られることがわかる。
めた場合の光照射量ｉ照度）に対下る出力特性図である
。この特性図から明らかな如く対数目盛りに於いて照賓
に対して直線的な出力電圧が得られることがわかる。
この様な検出抵抗Ｇ（Ｉの抵抗値を出力リード線（８）
１９）により給電される民生機器の負荷回路の抵抗値等
を考慮して設計すると、上記出力リードｆｉｌｆ８７１
９１間に所望の光起電力を得ることができ、また検出抵
抗（１（１間に光照射量に応じた出力電圧が得られる。
１９）により給電される民生機器の負荷回路の抵抗値等
を考慮して設計すると、上記出力リードｆｉｌｆ８７１
９１間に所望の光起電力を得ることができ、また検出抵
抗（１（１間に光照射量に応じた出力電圧が得られる。
従って、斯る検出抵抗ａＯ間の出力電圧により光起電力
素子（２ｍ）（２ｂ）・・・（２ｎ）に照射されている
先順・耐量を検出し、その光照射量が負荷回路が正常に
動作するに足りる電力を発電することができない量であ
れば上記負荷回路への光起電力の出力を遮断下べく制御
する。
素子（２ｍ）（２ｂ）・・・（２ｎ）に照射されている
先順・耐量を検出し、その光照射量が負荷回路が正常に
動作するに足りる電力を発電することができない量であ
れば上記負荷回路への光起電力の出力を遮断下べく制御
する。
尚 上記実施例ｇ二於いては光検出素子と光起電力素子
とを兼用し、その出力端子間に検出抵抗を接続下ると共
に光起電力素子をアモルファスシリコンによって形成せ
しめていたがこの実施例に限定されることなく例えば光
起電力素子を電気的に並列関係に接続したり下る本発明
の主旨を損なわない範囲での変形は言うに及ばず可能で
ある。
とを兼用し、その出力端子間に検出抵抗を接続下ると共
に光起電力素子をアモルファスシリコンによって形成せ
しめていたがこの実施例に限定されることなく例えば光
起電力素子を電気的に並列関係に接続したり下る本発明
の主旨を損なわない範囲での変形は言うに及ばず可能で
ある。
本発明は以上の説明から明らかな如く、光照射量を検出
下る光検出素子は光起電力素子と同構造を持つために、
同一の製造工程で製造することができると共に両者の感
光波長特性は合致下るので。
下る光検出素子は光起電力素子と同構造を持つために、
同一の製造工程で製造することができると共に両者の感
光波長特性は合致下るので。
斯る光検出素子の光検出量に応じて上記光起電力素子の
出力状態を制御せしめることにより、該光起電力素子の
発電電力が負荷回路の誤動作領域となった際正確に出力
電力の供給を遮断下ることができる。更に、上記光起電
力素子並びに光検出素子を非単結晶半導体、就中アモル
ファス半導体を主体として構成Ｔればその製造が容易と
なるばかりか、その使用が殆ど室内に限定される電子式
卓上計算機等に適用することにより単結晶半導体と些程
遜色のない光電変換効率を得ることができる。
出力状態を制御せしめることにより、該光起電力素子の
発電電力が負荷回路の誤動作領域となった際正確に出力
電力の供給を遮断下ることができる。更に、上記光起電
力素子並びに光検出素子を非単結晶半導体、就中アモル
ファス半導体を主体として構成Ｔればその製造が容易と
なるばかりか、その使用が殆ど室内に限定される電子式
卓上計算機等に適用することにより単結晶半導体と些程
遜色のない光電変換効率を得ることができる。
しかも、複数個電気的に直列関係になるべく接続された
光起電力素子の内の１つをｔ配光検出素子として兼用せ
しめることによって、格別の光検出素子を必要とせず装
置の小型化並びに低コスト化をより一層図ることができ
る。
光起電力素子の内の１つをｔ配光検出素子として兼用せ
しめることによって、格別の光検出素子を必要とせず装
置の小型化並びに低コスト化をより一層図ることができ
る。
第１図（Ａ）は本発明一実施例の正面図、同図（Ｂ）は
（Ａ）に於けるＢ −Ｂ’線断面図、第２図は光検出素
子の出力特性図で、（１）は基板、（２ａ）（２ｂ）・
・・（２ｎ）光起電力素子、ｕＯは検出抵抗、を夫々示
している。
（Ａ）に於けるＢ −Ｂ’線断面図、第２図は光検出素
子の出力特性図で、（１）は基板、（２ａ）（２ｂ）・
・・（２ｎ）光起電力素子、ｕＯは検出抵抗、を夫々示
している。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ［１１光照射により光起電力を発生Ｔる光起電力素子と
、該光起庫７カ素子と同構造を持ち上記光照射量を検出
する光検出素子と、から成り、上記光検出素子の光検出
量に応じて上記光起電力素子の出力状顛を開梱したこと
を特徴とする電源装置。 （２ｒ 上記光起電力素子並びに光検出素子Ｆ才非単
結晶半導体から成ることを特徴とする特許請求の範囲％
１項１戦の電源装置。 （３１上記非単結晶半導体から成る光起電力素子並びに
光検出素子は同一基板に形成されたアモルファス半導体
を主体とＴることを特徴とする特許請求の範囲１ｆ！２
項記載の電源装置。 （４） 上記光起電力素子は複数個電気的に直列関係
になるべく接続され、その直列関係に接続された複数個
の光起電力素子の１らを上記光検出素子として兼用した
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至１１！３項
何れか紀載り電源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57103161A JPS58219776A (ja) | 1982-06-15 | 1982-06-15 | 電源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57103161A JPS58219776A (ja) | 1982-06-15 | 1982-06-15 | 電源装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58219776A true JPS58219776A (ja) | 1983-12-21 |
| JPH0470789B2 JPH0470789B2 (ja) | 1992-11-11 |
Family
ID=14346775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57103161A Granted JPS58219776A (ja) | 1982-06-15 | 1982-06-15 | 電源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58219776A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9215504B2 (en) | 2006-10-06 | 2015-12-15 | Rovi Guides, Inc. | Systems and methods for acquiring, categorizing and delivering media in interactive media guidance applications |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56124062A (en) * | 1980-03-05 | 1981-09-29 | Hitachi Ltd | Voltage detection method for solar battery |
-
1982
- 1982-06-15 JP JP57103161A patent/JPS58219776A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56124062A (en) * | 1980-03-05 | 1981-09-29 | Hitachi Ltd | Voltage detection method for solar battery |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9215504B2 (en) | 2006-10-06 | 2015-12-15 | Rovi Guides, Inc. | Systems and methods for acquiring, categorizing and delivering media in interactive media guidance applications |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0470789B2 (ja) | 1992-11-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6703555B2 (en) | Solar cell string, solar cell array and solar photovoltaic power system | |
| US9882076B2 (en) | Optical tandem photovoltaic cell panels | |
| US20110017263A1 (en) | Method and device for fabricating a solar cell using an interface pattern for a packaged design | |
| US20070199588A1 (en) | High voltage solar cell and solar cell module | |
| US20110186107A1 (en) | System and module for solar module with integrated glass concentrator | |
| US4638109A (en) | Sun light electricity generator | |
| WO2001020686A1 (en) | Two-terminal cell-interconnected-circuits using mechanically-stacked photovoltaic cells for line-focus concentrator arrays | |
| US20120139349A1 (en) | Method and apparatus for applying an electric field to a photovoltaic element | |
| US9379265B2 (en) | Integrated circuit combination of a target integrated circuit, photovoltaic cells and light sensitive diodes connected to enable a self-sufficient light detector device | |
| JP2005277113A (ja) | 積層型太陽電池モジュール | |
| US5015838A (en) | Color sensor having laminated semiconductor layers | |
| JPH05508267A (ja) | 先進的な太陽電池 | |
| Sinton et al. | Large-area 21% efficient Si solar cells | |
| JPS58219776A (ja) | 電源装置 | |
| US4140545A (en) | Plural solar cell arrangement including transparent interconnectors | |
| JPS5922360A (ja) | 光入力モス型トランジスタ | |
| JPS5825283A (ja) | 光検知装置 | |
| JPS58219777A (ja) | 太陽電池電源装置 | |
| KR20200043734A (ko) | 바이패스 경로를 가지는 태양전지셀 | |
| JPS58219778A (ja) | 電源装置 | |
| JPS6035554A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| JP2884171B2 (ja) | アモルファス太陽電池 | |
| JPH0444433B2 (ja) | ||
| JPS61218176A (ja) | 光起電力装置 | |
| JPH03132080A (ja) | 光起電力装置 |