JPS5821303A - 薄膜抵抗器およびその製造方法 - Google Patents
薄膜抵抗器およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS5821303A JPS5821303A JP56118639A JP11863981A JPS5821303A JP S5821303 A JPS5821303 A JP S5821303A JP 56118639 A JP56118639 A JP 56118639A JP 11863981 A JP11863981 A JP 11863981A JP S5821303 A JPS5821303 A JP S5821303A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- film resistor
- resist
- producing same
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本実＠杜、低温（特に＠体ヘリウム温度）Ｋお・ いて
温度係数が小さく且つ安定な抵抗値を示す薄膜抵抗器Ｋ
ｌｌする。
温度係数が小さく且つ安定な抵抗値を示す薄膜抵抗器Ｋ
ｌｌする。
低温、４１１Ｋｉ１体ヘリウム温度（４，２１） Ｋシ
いて一度係数が小さく且つ安定ｔｋ抵抗値を示す抵抗器
としてはムｇ−Ｍｇ合会線を用いえものかあゐが、諌抵
抗器はそのｏｐ上、温度係数中ヒートサイクルによる抵
抗値変化が大きいという、欠点があった。また、ジ曹ゼ
フソン電圧標準装置においては、ジ曹ゼフソン電圧と標
準電池電圧を比較するため、室温で動作すゐ従来の巻線
抵抗器が分圧−として使用されているが、＃壱１１ＪＩ
Ｉ抗曇の温度係数は経時変化を示すと−う欠点がありた
・更に１高感度な！３ＱＵＩＤ磁束計をガルパメータと
して使用する場合には、上記分圧Ｓを室温に設置しなけ
ればならない九めに、装置が大部化したクノイズ対策が
難しくなるという欠点かあり九。
いて一度係数が小さく且つ安定ｔｋ抵抗値を示す抵抗器
としてはムｇ−Ｍｇ合会線を用いえものかあゐが、諌抵
抗器はそのｏｐ上、温度係数中ヒートサイクルによる抵
抗値変化が大きいという、欠点があった。また、ジ曹ゼ
フソン電圧標準装置においては、ジ曹ゼフソン電圧と標
準電池電圧を比較するため、室温で動作すゐ従来の巻線
抵抗器が分圧−として使用されているが、＃壱１１ＪＩ
Ｉ抗曇の温度係数は経時変化を示すと−う欠点がありた
・更に１高感度な！３ＱＵＩＤ磁束計をガルパメータと
して使用する場合には、上記分圧Ｓを室温に設置しなけ
ればならない九めに、装置が大部化したクノイズ対策が
難しくなるという欠点かあり九。
本発明は、かかる欠点に僑みてなされたものであシ、そ
の目的社、ジ■ゼフンン電圧標阜装置等に用いられ、液
体ヘリウム温度に≧いて温度係数が小さく且つ安定な抵
抗値を示す薄膜抵抗器を提供することにある。
の目的社、ジ■ゼフンン電圧標阜装置等に用いられ、液
体ヘリウム温度に≧いて温度係数が小さく且つ安定な抵
抗値を示す薄膜抵抗器を提供することにある。
以下、本実Ｗ４について図を用いて詳細Ｋｌ！明する。
篇１図は、本発明に係る薄膜抵抗器の製法を示す製法説
明図であシ、図中、１はサファイア等でなる基板、２，
２１ はＣｒ膜、３，３ＩはＰｔ膜、４゜４１はレジス
トである。第１図において、最初、ＲＦスパッタ法等を
用いて基板１上ＫＣｒをスパッタする。鋏スパッタは例
えば７１０１．１５ｓｅｏの条件で行なうと膜厚７０λ
のＣｒ膜２が得られる。次に、真空状態を保持したまま
でターゲットをＯｒからＰｔＫ代え、基板１を水冷しな
がらＣｒ膜２上ＫＰｔをスパッタする。このようＫして
、Ｃｒ膜２上に成膜され九ｐｔＪＩＩｓが得られ、例え
ばｊｌＥＩ図ピ）のようになる。
明図であシ、図中、１はサファイア等でなる基板、２，
２１ はＣｒ膜、３，３ＩはＰｔ膜、４゜４１はレジス
トである。第１図において、最初、ＲＦスパッタ法等を
用いて基板１上ＫＣｒをスパッタする。鋏スパッタは例
えば７１０１．１５ｓｅｏの条件で行なうと膜厚７０λ
のＣｒ膜２が得られる。次に、真空状態を保持したまま
でターゲットをＯｒからＰｔＫ代え、基板１を水冷しな
がらＣｒ膜２上ＫＰｔをスパッタする。このようＫして
、Ｃｒ膜２上に成膜され九ｐｔＪＩＩｓが得られ、例え
ばｊｌＥＩ図ピ）のようになる。
尚、ここでＣｒｌ［２をｐ、膜５の下に成膜したのは、
ｊｌｌ、１にＰｔ−Ｃｒの希薄合金が、いわゆる近藤効
果を示すことを利用するためであＪ）％＃Ｅ２にｐｔ膜
５を基板１へ付着させる強度を上げる丸めである０次に
、上記ＰｔＩＩＩ ｓ上にレジスト４が塗布等の方法に
よって着層され、例えばｊｌＥ１図（Ｃ４のようＫなる
。
ｊｌｌ、１にＰｔ−Ｃｒの希薄合金が、いわゆる近藤効
果を示すことを利用するためであＪ）％＃Ｅ２にｐｔ膜
５を基板１へ付着させる強度を上げる丸めである０次に
、上記ＰｔＩＩＩ ｓ上にレジスト４が塗布等の方法に
よって着層され、例えばｊｌＥ１図（Ｃ４のようＫなる
。
その後、フォトリングラフィ技術等によｐ上記レジスト
４が所望のパターンに＊μされ、例えば第１図（ハ）の
ようＫなる。次に、上記食刻され九レジスト４・に沿り
て、ｐｔ！ｓ３およびＣｒ１ｂ！がエツチングされ、そ
の後上記レジスト４１が除去され、例えば菖１図に）の
ようＫなる。次に第１図に）のような薄膜抵抗器を全体
的に高温で熱処理する。
４が所望のパターンに＊μされ、例えば第１図（ハ）の
ようＫなる。次に、上記食刻され九レジスト４・に沿り
て、ｐｔ！ｓ３およびＣｒ１ｂ！がエツチングされ、そ
の後上記レジスト４１が除去され、例えば菖１図に）の
ようＫなる。次に第１図に）のような薄膜抵抗器を全体
的に高温で熱処理する。
菖２図は、上述のようＫして製作され九薄膜抵抗器の一
例を示す構成説明図であシ、図中、菖１図と同一記号は
同一意味をもたせて使用しここでの説明は省略する。ま
た、４１Ｌ〜４ｄは四端子接続のための電流・電圧端子
となる端子である。上記構成からなる薄膜抵抗器は、実
験の結果、抵抗値の温度・係数（以下「ＴＣＲＪと略す
）が、いわゆる近藤効果を示すことが判明しえ、即ち、
πのときＴＣＲ”−０、７に以下のとＩ ＴＣＲ＜０．
７に以上のときＴＣｎ ＞ ｏとなシ、７に付近で抵抗
値が最小となった。
例を示す構成説明図であシ、図中、菖１図と同一記号は
同一意味をもたせて使用しここでの説明は省略する。ま
た、４１Ｌ〜４ｄは四端子接続のための電流・電圧端子
となる端子である。上記構成からなる薄膜抵抗器は、実
験の結果、抵抗値の温度・係数（以下「ＴＣＲＪと略す
）が、いわゆる近藤効果を示すことが判明しえ、即ち、
πのときＴＣＲ”−０、７に以下のとＩ ＴＣＲ＜０．
７に以上のときＴＣｎ ＞ ｏとなシ、７に付近で抵抗
値が最小となった。
また、菖１図に示されたような方法で製造される薄膜抵
抗器を、更に、高温て熱処理すると４．２にのときＫ
ＴＣＲが最小となる（例えばＴＣＲ−２ｐｐｍ／ ＠Ｃ
，ａｔ ４．２１以下）ことも判明し良。
抗器を、更に、高温て熱処理すると４．２にのときＫ
ＴＣＲが最小となる（例えばＴＣＲ−２ｐｐｍ／ ＠Ｃ
，ａｔ ４．２１以下）ことも判明し良。
以上詳しく説明したような本発明の実施例によれば、薄
熱処理を施すことＫより極めて温度係数の小さな薄膜抵
抗器が容易に得られるという利点を有する。また、ｐｔ
膜自体が化学的に安定であるため、諌ｐ膜を有する本発
明実施例ｔ１化学的に安定度の高い抵抗器となる利点を
有する。更に１本発明実施例は薄膜抵抗器で灸、るため
、前記従来例の巻線抵抗器等に比し玉小蓋化が容易に可
能であるという利点も有するＯ
熱処理を施すことＫより極めて温度係数の小さな薄膜抵
抗器が容易に得られるという利点を有する。また、ｐｔ
膜自体が化学的に安定であるため、諌ｐ膜を有する本発
明実施例ｔ１化学的に安定度の高い抵抗器となる利点を
有する。更に１本発明実施例は薄膜抵抗器で灸、るため
、前記従来例の巻線抵抗器等に比し玉小蓋化が容易に可
能であるという利点も有するＯ
第１図は、本発明に係る薄膜抵抗器の製法を示す製法説
明図、籐２図は、本発明実施例の構成説明図である。 １・・・基板、２，２Ｉ・・・Ｃｒ膜、３，３會・・・
Ｐｔ膜、４ａ〜４ｄ・・・端子◎ 第１図 （ロ） （ハ） （ニ）
明図、籐２図は、本発明実施例の構成説明図である。 １・・・基板、２，２Ｉ・・・Ｃｒ膜、３，３會・・・
Ｐｔ膜、４ａ〜４ｄ・・・端子◎ 第１図 （ロ） （ハ） （ニ）
Claims (1)
- （１）サファイアでなる基板上ｉＣＣｒ ｌ［Ｋ重ねて
ｐｔ膜を被着させるＪＩＥｌの手段と、鼓ｐｔ膜上にレ
ジストを被着させてのち該レジストを所望のパターンに
食刻するｌｌＨの手段と、皺レジストパターンに沿りて
前記ｐ、膜およびＣｒ膜をエツチングする菖３０手段と
、前記レジストパターン、を除去してのち全体を高温で
熱処理する属４の手段とからなることを４ＩＰ黴とする
薄膜抵抗器の製造方法・ 伐） サファイアでなる基板上に、所望の同一パターニ
ングが施され九Ｃｒ ＩＩ Ｋ重ねてＰ、膜が被着され
ていることｔ−特徴とする薄膜抵抗器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56118639A JPS5821303A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | 薄膜抵抗器およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56118639A JPS5821303A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | 薄膜抵抗器およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5821303A true JPS5821303A (ja) | 1983-02-08 |
| JPS6328482B2 JPS6328482B2 (ja) | 1988-06-08 |
Family
ID=14741513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56118639A Granted JPS5821303A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | 薄膜抵抗器およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821303A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS525999A (en) * | 1975-06-30 | 1977-01-18 | Draegerwerk Ag | Artificial respiration and narcotic moisture exchanger |
-
1981
- 1981-07-29 JP JP56118639A patent/JPS5821303A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS525999A (en) * | 1975-06-30 | 1977-01-18 | Draegerwerk Ag | Artificial respiration and narcotic moisture exchanger |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6328482B2 (ja) | 1988-06-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0715763B1 (en) | Process of manufacturing SiCr thin film resistors having improved temperature coefficient of resistance and sheet resistance | |
| KR940008883B1 (ko) | 박막저항의 제조방법 | |
| JP2000150204A (ja) | Ｎｔｃサーミスタ及びチップ型ｎｔｃサーミスタ | |
| US5585776A (en) | Thin film resistors comprising ruthenium oxide | |
| JPS5821303A (ja) | 薄膜抵抗器およびその製造方法 | |
| JPS6037886B2 (ja) | 抵抗温度計用の感温体の製法 | |
| JPS62291001A (ja) | 薄膜サ−ミスタとその製造方法 | |
| JPS59144162A (ja) | 薄膜回路の製造方法 | |
| US3585073A (en) | Electric film resistors | |
| JPS61181103A (ja) | 白金測温抵抗体 | |
| US5023589A (en) | Gold diffusion thin film resistors and process | |
| JP3229460B2 (ja) | 歪みゲージ | |
| JPH0423401B2 (ja) | ||
| US4385966A (en) | Fabrication of thin film resistors and capacitors | |
| US3311546A (en) | Fabrication of thin film resistors | |
| JP2890771B2 (ja) | 超伝導薄膜素子の製造方法 | |
| JPH06151124A (ja) | 薄膜抵抗体の製造方法 | |
| JPH07245303A (ja) | 金属薄膜抵抗体の製造方法 | |
| JPS63104301A (ja) | 感温抵抗器の製造方法 | |
| JPH03105901A (ja) | 薄膜抵抗体とその製造法 | |
| US2438250A (en) | Film-type resistor and method of manufacturing the same | |
| JPH06317482A (ja) | 薄膜サーミスタ | |
| JPH0234966A (ja) | アモルファス半導体薄膜上の金属電極のパターニング法 | |
| JPS58170001A (ja) | 感温装置 | |
| JPH08203707A (ja) | 過電流保護素子およびその製造方法 |