JPS58208326A - プラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理方法Info
- Publication number
- JPS58208326A JPS58208326A JP9230482A JP9230482A JPS58208326A JP S58208326 A JPS58208326 A JP S58208326A JP 9230482 A JP9230482 A JP 9230482A JP 9230482 A JP9230482 A JP 9230482A JP S58208326 A JPS58208326 A JP S58208326A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- synthetic resin
- resin molded
- chamber
- plastic moldings
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、合成樹脂・成形品の塗膜密着性を向上するべ
く表面改質をすもプラズマ処理方法ｉ；関するものであ
る。
く表面改質をすもプラズマ処理方法ｉ；関するものであ
る。
一般に、ポリプロピレン１傭脂全どを主成分とする合成
樹脂成形品では、その性買が結晶性。
樹脂成形品では、その性買が結晶性。
熱燻性であるところ小ら直、妾塗装、印刷或いは他物品
の接涜を行っても剥離してしまうため、マイクロ波でガ
ス体を励起し次プラズマを合成樹脂成形品（＝照射する
ことＣ二より予め表面改良をすることが行なわれている
。
の接涜を行っても剥離してしまうため、マイクロ波でガ
ス体を励起し次プラズマを合成樹脂成形品（＝照射する
ことＣ二より予め表面改良をすることが行なわれている
。
従来、そのプラズマ処理は、第１図示の如きプラズマ処
理装置のチャンバｌに被処理物Ａを収容することにより
行なわれている。チャンバｌの内部にはハンガー等で被
処理物を掛止め定置させて収容し、そのチャンバ１の内
部をポンプ２で減圧して真空にすると共（二、ガスボン
ベ３から配ｆ４を通してプラズマ発生器５に送る空気、
酸素、アルゴン、ヘリウム等のガス体をマイクロ発生器
６からのマイクロ波でプラズマ状態（二して吐出ロアか
らチャンバ内（二放散することにより、被処理物Ａにプ
ラズマを照射するようにされている。然し、この処理方
法では、被処理物Ａを多数ｆｌｌｌｉ或いは一個収容し
てプラズマ照射する場合でも被処理物を定置したままで
行うため、プラズマ吐出ロアとの配瀘位Ｔ１を関係から
１内々の４石理物でも各面毎にプラズマ照射蝋が異なり
、−ｉまたぷ２図示の如く球状或いは円筒状のチャンバ
ー内部で下位（＝収容された被処理物Ａ（二はプラズマ
照射ができずに、夫々表面改質の程度にバラ付きが生ず
る欠点がある。
理装置のチャンバｌに被処理物Ａを収容することにより
行なわれている。チャンバｌの内部にはハンガー等で被
処理物を掛止め定置させて収容し、そのチャンバ１の内
部をポンプ２で減圧して真空にすると共（二、ガスボン
ベ３から配ｆ４を通してプラズマ発生器５に送る空気、
酸素、アルゴン、ヘリウム等のガス体をマイクロ発生器
６からのマイクロ波でプラズマ状態（二して吐出ロアか
らチャンバ内（二放散することにより、被処理物Ａにプ
ラズマを照射するようにされている。然し、この処理方
法では、被処理物Ａを多数ｆｌｌｌｉ或いは一個収容し
てプラズマ照射する場合でも被処理物を定置したままで
行うため、プラズマ吐出ロアとの配瀘位Ｔ１を関係から
１内々の４石理物でも各面毎にプラズマ照射蝋が異なり
、−ｉまたぷ２図示の如く球状或いは円筒状のチャンバ
ー内部で下位（＝収容された被処理物Ａ（二はプラズマ
照射ができずに、夫々表面改質の程度にバラ付きが生ず
る欠点がある。
本発明は、チャンバ内のどの位攪に収容しても各表面に
均等にプラズマ照射を行い侵るプラズマ処理方法を提供
することを目的とする。
均等にプラズマ照射を行い侵るプラズマ処理方法を提供
することを目的とする。
即ち、本発明Ｌ：係るプラズマ処理方法においては、真
空チャンバのプラズマ吐出ロ！二対して合成樹脂成形品
を公転及びまたは自転させて回転することにより、プラ
ズマを合成樹脂成形品の表面に均等に照射で専るよう（
二されている。
空チャンバのプラズマ吐出ロ！二対して合成樹脂成形品
を公転及びまたは自転させて回転することにより、プラ
ズマを合成樹脂成形品の表面に均等に照射で専るよう（
二されている。
以下、これを第３．４図示の実施例（＝基づいて説明す
れば、次の通りである。
れば、次の通りである。
図示のチャンバ１は球状或いは円筒状Ｃ二形成されて＞
す１．ｇ １図示の如きプラズマ処理装置と同様（：空
気、酸素、アルゴン、ヘリウム等のガス体をマイクロ波
でプラズマ状態Ｃ二する横溝を備えるものである。その
チャンツク目二は内部を真空≦二するポツプ２とプラズ
マを噴射する吐出ロアとが設げられ、ま念内部（二は合
成樹脂成形品Ａ 、 Ａ’を収容支持するノ・ン刀−等
の条苗（図示せず）が設けられている。その架台は、被
処理物Ａ、Ａ’をチャンバｌの内部で矢印Ｘの如く全体
的に公転させまた矢印Ｙの如く個々的（＝自転させ得る
よう回転駆動可能に構成されている。
す１．ｇ １図示の如きプラズマ処理装置と同様（：空
気、酸素、アルゴン、ヘリウム等のガス体をマイクロ波
でプラズマ状態Ｃ二する横溝を備えるものである。その
チャンツク目二は内部を真空≦二するポツプ２とプラズ
マを噴射する吐出ロアとが設げられ、ま念内部（二は合
成樹脂成形品Ａ 、 Ａ’を収容支持するノ・ン刀−等
の条苗（図示せず）が設けられている。その架台は、被
処理物Ａ、Ａ’をチャンバｌの内部で矢印Ｘの如く全体
的に公転させまた矢印Ｙの如く個々的（＝自転させ得る
よう回転駆動可能に構成されている。
架台でチャンバ内に収容支持された被処理物Ａ 、 Ａ
’は、その形状に応じて公転のみ或いは公転、自転共に
または自転のみで回転させながら吐出口から噴射するプ
ラズマ（＝照射させるようにする。例えば平板状に形成
された樹脂成形品で片面のみに改質処理を加える場合に
は被処理物を吐出ロアとの対向面を変えることなく矢印
Ｘ方向（二公転すればよく、ま７１２：４３図のように
円柱状のものにプラズマ処理を加える場合（：は全体を
公転させると共に１面々的にも矢印Ｙ方向Ｃ二自モさせ
、ａ４４図示如く大形でみそ形状の種処理＊ Ａ’に表
面改質を加える場合には自伝させるよう回転すればよい
。
’は、その形状に応じて公転のみ或いは公転、自転共に
または自転のみで回転させながら吐出口から噴射するプ
ラズマ（＝照射させるようにする。例えば平板状に形成
された樹脂成形品で片面のみに改質処理を加える場合に
は被処理物を吐出ロアとの対向面を変えることなく矢印
Ｘ方向（二公転すればよく、ま７１２：４３図のように
円柱状のものにプラズマ処理を加える場合（：は全体を
公転させると共に１面々的にも矢印Ｙ方向Ｃ二自モさせ
、ａ４４図示如く大形でみそ形状の種処理＊ Ａ’に表
面改質を加える場合には自伝させるよう回転すればよい
。
このように被処理物ｔチャ／゛バ内で回転させつつプラ
ズマ処理するときには、いかなる位産に収容支持した被
処理物に対してもすべての必要表面に均等なプラズマ処
理を加えられるようになり、プラズマ出力や流１に？：
変えることなく効果的な表面改質を行うことができる。
ズマ処理するときには、いかなる位産に収容支持した被
処理物に対してもすべての必要表面に均等なプラズマ処
理を加えられるようになり、プラズマ出力や流１に？：
変えることなく効果的な表面改質を行うことができる。
因みＣ二、ホモポリプレンで作成したテストピース（二
次の条件下でプラズマ処理し、それにウレタン系室料（
Ｒ−２６３日本ビーケミカル■ａ）を塗装し、８０℃−
ＬＨで焼付は処理しに後、１、５ Ｘ １．５ ｍｓの
マス目１００４１をナイフで塗膜Ｃ：カッティング付形
してニチバンセロテープ２５鴫巾により塗膜密着テスト
を行った。
次の条件下でプラズマ処理し、それにウレタン系室料（
Ｒ−２６３日本ビーケミカル■ａ）を塗装し、８０℃−
ＬＨで焼付は処理しに後、１、５ Ｘ １．５ ｍｓの
マス目１００４１をナイフで塗膜Ｃ：カッティング付形
してニチバンセロテープ２５鴫巾により塗膜密着テスト
を行った。
プラズマ処理条件
真空チャンバ内圧カニ Ｑ、５ ｔｏｒｒガス体：空気
ガス流ｔ： ５００ ｃｃ／ｍｉｎ
マイクａ波発生出カニ０．６４ＫＷ
処理時間： ６０ ｓｃｃ
ピース回転条件は第３１Ａ示のダロく収容したど−スを
毎分３回転のスピードで公転させつつ、また第４図示の
ようなピースを毎分６回転のスピードで自転させながら
プラズマ処理（７たこれらの遊膜密着度テストの結果、
各ピースのいずれの面でも産膜剥離は一切生じなルつｆ
ｃｅ以上の如く、本発明に係るプラズマ処理方法（二依
れば、通常のプラズマ出力、吐出量で合成樹脂成形品の
必要面に均等なプラズマ照射処理を加えることができ、
全体的（二塗膜密着性の良好な製品を製造できるように
なる。
毎分３回転のスピードで公転させつつ、また第４図示の
ようなピースを毎分６回転のスピードで自転させながら
プラズマ処理（７たこれらの遊膜密着度テストの結果、
各ピースのいずれの面でも産膜剥離は一切生じなルつｆ
ｃｅ以上の如く、本発明に係るプラズマ処理方法（二依
れば、通常のプラズマ出力、吐出量で合成樹脂成形品の
必要面に均等なプラズマ照射処理を加えることができ、
全体的（二塗膜密着性の良好な製品を製造できるように
なる。
第１図はプラズマ処理装置の全体説明図、第２図は従来
のプラズマ処理方法の説明図、第３及び４図は本発明に
係るプラズマ処理方法の説明図である。 １：チャンバ％ ２：真をポンプ、３：ガスボンベ、４
：配管、５：プラズマ発生部、６：マイクロ波発生器、
７：プラズマ吐出口。 第１図 第２図 第３記
のプラズマ処理方法の説明図、第３及び４図は本発明に
係るプラズマ処理方法の説明図である。 １：チャンバ％ ２：真をポンプ、３：ガスボンベ、４
：配管、５：プラズマ発生部、６：マイクロ波発生器、
７：プラズマ吐出口。 第１図 第２図 第３記
Claims (1)
- マイクα波でガス体を励起したプラズマを真空チャンバ
内Ｃ二収容する合成樹脂成形品に照射することにより塗
膜の密着性を向上するべく合成樹脂成形品の表面を改質
するプラズマ処理方法であって、真空チャンバのプラズ
マ吐出ロ鴫二対して合成樹脂成形品を公転及びまたは自
転させて回転することにより合成樹脂成形品にプラズマ
を照射するようにしたことを時機とするプラズマ処理方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9230482A JPS58208326A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | プラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9230482A JPS58208326A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | プラズマ処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58208326A true JPS58208326A (ja) | 1983-12-05 |
Family
ID=14050666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9230482A Pending JPS58208326A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | プラズマ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58208326A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0117541A2 (en) * | 1983-02-25 | 1984-09-05 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Apparatus for plasma treatment of resin material |
| EP0120307A2 (en) * | 1983-02-25 | 1984-10-03 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for plasma treatment of resin material |
| JPS61120835A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-07 | Ulvac Corp | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| EP0326191A2 (en) * | 1983-02-25 | 1989-08-02 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for plasma treatment of resin material |
| US4994298A (en) * | 1988-06-07 | 1991-02-19 | Biogold Inc. | Method of making a biocompatible prosthesis |
| US5378284A (en) * | 1990-04-03 | 1995-01-03 | Leybold Aktiengesellschaft | Apparatus for coating substrates using a microwave ECR plasma source |
| WO1998058731A3 (en) * | 1997-06-20 | 1999-05-27 | Flowgenix Corp | Apparatus for exposing substrates to gas-phase radicals |
-
1982
- 1982-05-31 JP JP9230482A patent/JPS58208326A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0117541A2 (en) * | 1983-02-25 | 1984-09-05 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Apparatus for plasma treatment of resin material |
| EP0120307A2 (en) * | 1983-02-25 | 1984-10-03 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for plasma treatment of resin material |
| EP0120307A3 (en) * | 1983-02-25 | 1989-05-03 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for plasma treatment of resin material |
| EP0326191A2 (en) * | 1983-02-25 | 1989-08-02 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for plasma treatment of resin material |
| US4874453A (en) * | 1983-02-25 | 1989-10-17 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for plasma treatment of resin material |
| US4919745A (en) * | 1983-02-25 | 1990-04-24 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for plasma treatment of resin material |
| EP0326191A3 (en) * | 1983-02-25 | 1991-12-27 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for plasma treatment of resin material |
| JPS61120835A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-07 | Ulvac Corp | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| US4994298A (en) * | 1988-06-07 | 1991-02-19 | Biogold Inc. | Method of making a biocompatible prosthesis |
| US5378284A (en) * | 1990-04-03 | 1995-01-03 | Leybold Aktiengesellschaft | Apparatus for coating substrates using a microwave ECR plasma source |
| WO1998058731A3 (en) * | 1997-06-20 | 1999-05-27 | Flowgenix Corp | Apparatus for exposing substrates to gas-phase radicals |
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