JPS58197611A - 化合物超電導線の製造方法 - Google Patents
化合物超電導線の製造方法Info
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- JPS58197611A JPS58197611A JP57079441A JP7944182A JPS58197611A JP S58197611 A JPS58197611 A JP S58197611A JP 57079441 A JP57079441 A JP 57079441A JP 7944182 A JP7944182 A JP 7944182A JP S58197611 A JPS58197611 A JP S58197611A
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は化合物超電導線の製造方法に関するものであ
る。
る。
核融合炉や加速器尋の超電導マグネットに対して化合物
超電導線が広く利用されているが、この超電導線は熱的
および磁気的な線材外部からの微少な擾乱によって線材
内部での量子磁束線の運動を引起こし、これによる発熱
がさらに磁束線の運動を誘起して線材の一部に常電導領
域を発生させ、やがてコイル全体に波及して常電導転移
を生じる現象がある。このような超電導線の不安定な現
象に対して実用の超電導線材ではたとえば銅のような低
抵抗常電導物質を化合物超電導線の周辺に配置して線材
の一部に局所的に発生して高抵抗となる部分の電流を上
記低抵抗常電導部分に分流させると同時に、局所的に発
生する熱を冷却媒体である液体ヘリウムに速やかに伝達
させる構成、いわゆる安定化超電導線として使用されて
いる。
超電導線が広く利用されているが、この超電導線は熱的
および磁気的な線材外部からの微少な擾乱によって線材
内部での量子磁束線の運動を引起こし、これによる発熱
がさらに磁束線の運動を誘起して線材の一部に常電導領
域を発生させ、やがてコイル全体に波及して常電導転移
を生じる現象がある。このような超電導線の不安定な現
象に対して実用の超電導線材ではたとえば銅のような低
抵抗常電導物質を化合物超電導線の周辺に配置して線材
の一部に局所的に発生して高抵抗となる部分の電流を上
記低抵抗常電導部分に分流させると同時に、局所的に発
生する熱を冷却媒体である液体ヘリウムに速やかに伝達
させる構成、いわゆる安定化超電導線として使用されて
いる。
ところで上記の化合物超電導線は、ＮｂｍＳｎ化合物超
電導線を例にとれば第１図に示すようにｃｕ−Ｓｎ合金
（ブロンズ）３中にＮｂフィラメント４を多数埋設して
減面加工を施こして所定の形状において熱処理を施こし
、歯フィラメントの周内にＮｂ５Ｓｎを生成するいわゆ
るブロンズ法や、第２図に示すように多数のＮｂフィラ
メント４０周辺にＣｕ ５とＳｎもしくはＳり−Ｃ１１
合金６を配設し減面加工管層こしたのち、所定の形状に
おいて熱処理を施こしてＮｂフィラメントの局面にＮｂ
５Ｓｎを生成するいわゆる内部拡散法等によって製作さ
れる。これらの方法により製造された化合物超電導線＠
に安定化のための熱的、電気的良導体であるＣｕなどの
安定化金属ｌを付設させるためには、Ｎｂ５Ｓｎ生成熱
処理時においてＳｎが安定化のＣｕべ拡散して安定化銅
の熱的、を気的特性の低下させることを防止するために
は拡散障壁２を設ける必要がある。
電導線を例にとれば第１図に示すようにｃｕ−Ｓｎ合金
（ブロンズ）３中にＮｂフィラメント４を多数埋設して
減面加工を施こして所定の形状において熱処理を施こし
、歯フィラメントの周内にＮｂ５Ｓｎを生成するいわゆ
るブロンズ法や、第２図に示すように多数のＮｂフィラ
メント４０周辺にＣｕ ５とＳｎもしくはＳり−Ｃ１１
合金６を配設し減面加工管層こしたのち、所定の形状に
おいて熱処理を施こしてＮｂフィラメントの局面にＮｂ
５Ｓｎを生成するいわゆる内部拡散法等によって製作さ
れる。これらの方法により製造された化合物超電導線＠
に安定化のための熱的、電気的良導体であるＣｕなどの
安定化金属ｌを付設させるためには、Ｎｂ５Ｓｎ生成熱
処理時においてＳｎが安定化のＣｕべ拡散して安定化銅
の熱的、を気的特性の低下させることを防止するために
は拡散障壁２を設ける必要がある。
このように通常の実用の化合物超電導線材では化合物超
電導素線の周囲Ｋ Ｎｂ ＋ Ｔａなどの隔壁金輌を介
して安定化銅１を並設しＮｂ、Ｓｎ生成熱処理時の安定
化銅へのＳｎの拡散を防止した構成で使用される。
電導素線の周囲Ｋ Ｎｂ ＋ Ｔａなどの隔壁金輌を介
して安定化銅１を並設しＮｂ、Ｓｎ生成熱処理時の安定
化銅へのＳｎの拡散を防止した構成で使用される。
上記拡散陣１！２に使用する陽やＴａなどの金属は、上
記説明のＷｂ畠Ｓｎ ＆材の製造工程において、鶏やＴ
＆の肉厚が厚いはど加工工程において破断する確率が少
なく、Ｎｂ５Ｓｎ生成熱処理時にブロンズ中のＳｎが安
定化銅１へ拡散する恐れがないために信頼性Ｋ〈すれる
が、一方線材の断面積当りのＮｂ、Ｓｎ面積が拡散障壁
２の断面積の増加のために相対的に低）して線材の単位
助面積当りの臨界電流密度が低下する傾向があり、また
高価な金属であるＮｂやＴａを多量に使用するために線
材製造コストを増力口させる欠点があった。さらにＮｂ
−？ Ｔａなどの拡散Ｓ壁２の肉厚が薄い場合は、上
鉤と社逆に＠材単位面積当りの臨界電流密度を増力わし
、かつ線材製造コストを低下させる特徴がある反面、ｆ
ｊｋ向力Ｏ工工程における拡散障像２の破断に対する信
頼性が低下する欠潰があった。
記説明のＷｂ畠Ｓｎ ＆材の製造工程において、鶏やＴ
＆の肉厚が厚いはど加工工程において破断する確率が少
なく、Ｎｂ５Ｓｎ生成熱処理時にブロンズ中のＳｎが安
定化銅１へ拡散する恐れがないために信頼性Ｋ〈すれる
が、一方線材の断面積当りのＮｂ、Ｓｎ面積が拡散障壁
２の断面積の増加のために相対的に低）して線材の単位
助面積当りの臨界電流密度が低下する傾向があり、また
高価な金属であるＮｂやＴａを多量に使用するために線
材製造コストを増力口させる欠点があった。さらにＮｂ
−？ Ｔａなどの拡散Ｓ壁２の肉厚が薄い場合は、上
鉤と社逆に＠材単位面積当りの臨界電流密度を増力わし
、かつ線材製造コストを低下させる特徴がある反面、ｆ
ｊｋ向力Ｏ工工程における拡散障像２の破断に対する信
頼性が低下する欠潰があった。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、安定化化合物超電導線の製造にお
いて、必賛な拡散障壁を従来のＮｂ ＋ＴＪＬなどの高
価な金属に代えて安価な非金属物質により形成された化
合物超電導線の製造方法を提供することを目的としてい
る。
めになされたもので、安定化化合物超電導線の製造にお
いて、必賛な拡散障壁を従来のＮｂ ＋ＴＪＬなどの高
価な金属に代えて安価な非金属物質により形成された化
合物超電導線の製造方法を提供することを目的としてい
る。
以下この発明の実施例を図について説明する。
第３．４図は化合物超電導線の断面を示している。
すなわちこの発明においてはｓ ｈＪｌ）ｓｓｎ生成熱
処理における安定化銅１へのＳｎの拡散を防止する拡散
障壁として従来のＮｂ−？Ｔａの金属障壁に代って非金
属物質を拡散障Ｉ＆７として使用するものである。
処理における安定化銅１へのＳｎの拡散を防止する拡散
障壁として従来のＮｂ−？Ｔａの金属障壁に代って非金
属物質を拡散障Ｉ＆７として使用するものである。
この拡散障壁の形成方法としてはたとえば公知の方法で
あるＣｕもしくはＣｕ基合金よりなる基材の陽極酸化が
ある。すなわち適当な濃度の苛性ソーダもしくは苛性ソ
ーダと亜塩素酸ソーダの混合溶液に対して直流または交
流を印加してＣｕまたはＣｕ合金基材の表面Ｋ ＣｕＯ
およびＣｕｔＯよりなる陽極酸化皮膜を形成することが
できる。またＭもしくはＡｔ合金よりなる基材に対して
は蓚ａｌｌ〜３チ水溶液、クロム酸３チ溶液、硫酸１５
〜２０％水溶液・もしくは燐酸などのいずれかの液中で
ＡｔもしくはＡｔ合金基材に対して直流または交流１０
〜２００ｖを印加することにより２〜２００μ禦のｋｉ
ｔ Ｏｓ酸化皮膜を容易に形成することができる。
あるＣｕもしくはＣｕ基合金よりなる基材の陽極酸化が
ある。すなわち適当な濃度の苛性ソーダもしくは苛性ソ
ーダと亜塩素酸ソーダの混合溶液に対して直流または交
流を印加してＣｕまたはＣｕ合金基材の表面Ｋ ＣｕＯ
およびＣｕｔＯよりなる陽極酸化皮膜を形成することが
できる。またＭもしくはＡｔ合金よりなる基材に対して
は蓚ａｌｌ〜３チ水溶液、クロム酸３チ溶液、硫酸１５
〜２０％水溶液・もしくは燐酸などのいずれかの液中で
ＡｔもしくはＡｔ合金基材に対して直流または交流１０
〜２００ｖを印加することにより２〜２００μ禦のｋｉ
ｔ Ｏｓ酸化皮膜を容易に形成することができる。
次Ｋ Ａ４０ｓ ＋ ５ｉｆｔ 、リチウムシリケート
などの酸化物皮膜をＣｕ、μまたはＡｇもしくはその合
金の基材上に形成するためには上記酸化物の一極もしく
は二種以上のゾルを使用することができる。
などの酸化物皮膜をＣｕ、μまたはＡｇもしくはその合
金の基材上に形成するためには上記酸化物の一極もしく
は二種以上のゾルを使用することができる。
具体的な実施例の一例としては、
シリカゾル２０％溶液１部、８５慢燐酸１部。
水１０部、
アルミナゾル１部、８５ｓ燐酸１部、メタノール３部、
水１５部、 リチウムシリケート２０１／ｌ、ｆｌリアウリル酸ｘｏ
ｔ７ｔ シリカゾル（ａｏ＊）２部２重クロム酸マグネシウム１
部、第１リン酸カルシウム３部、水４０部、 の公知のいずれかの溶液を上記Ｃｕ ｒ ＡＡ・Ａｆも
しくはその合金基材上に塗布し、乾燥または線材の特性
を害さない範囲の加熱条件で例えば６００℃で５分程度
の焼付処理によって強固な酸化物よりなる拡散障壁を形
成することができる。しかもこれらの溶液に雲母粉、亜
鉛華、酸化クロム粉末などのいずれかを上記溶液に混合
塗布することにより強固な酸化皮膜を形成することがで
きる。また酸化物による皮膜の形成手段としてマグネシ
ウムメチレートなどの金属錯化合物を上記Ｃｕ ＋ ｈ
ｔ ＊ ｈｇおよびその合金よりなる基材に塗布乾燥す
ることによっても酸化物皮膜よりなる拡散障壁を形成で
きる。さらにアルミナ、マグネシア、シリカ、ジルコニ
ア、ベリリア、ドリア、ムライト、クロマイトもしくは
これらの混合粉末をＣｕ ＊ ｈｔ ＊ Ａｇまたはそ
の合金よりなる基材上に形成させる他の手段としては、
これらの酸化物の微粉末（粒径０．０１〜１０μｍ）を
１〜５体積価のポリビニルアルコール水溶液中に塗布に
適した粘性の懸濁液となし、基材上に塗布乾燥するなど
の方法も利用できる。
水１５部、 リチウムシリケート２０１／ｌ、ｆｌリアウリル酸ｘｏ
ｔ７ｔ シリカゾル（ａｏ＊）２部２重クロム酸マグネシウム１
部、第１リン酸カルシウム３部、水４０部、 の公知のいずれかの溶液を上記Ｃｕ ｒ ＡＡ・Ａｆも
しくはその合金基材上に塗布し、乾燥または線材の特性
を害さない範囲の加熱条件で例えば６００℃で５分程度
の焼付処理によって強固な酸化物よりなる拡散障壁を形
成することができる。しかもこれらの溶液に雲母粉、亜
鉛華、酸化クロム粉末などのいずれかを上記溶液に混合
塗布することにより強固な酸化皮膜を形成することがで
きる。また酸化物による皮膜の形成手段としてマグネシ
ウムメチレートなどの金属錯化合物を上記Ｃｕ ＋ ｈ
ｔ ＊ ｈｇおよびその合金よりなる基材に塗布乾燥す
ることによっても酸化物皮膜よりなる拡散障壁を形成で
きる。さらにアルミナ、マグネシア、シリカ、ジルコニ
ア、ベリリア、ドリア、ムライト、クロマイトもしくは
これらの混合粉末をＣｕ ＊ ｈｔ ＊ Ａｇまたはそ
の合金よりなる基材上に形成させる他の手段としては、
これらの酸化物の微粉末（粒径０．０１〜１０μｍ）を
１〜５体積価のポリビニルアルコール水溶液中に塗布に
適した粘性の懸濁液となし、基材上に塗布乾燥するなど
の方法も利用できる。
またこの方法は酸化物以外のＢ Ｎ ＋ ＭＯｂｔやＣ
などの粉末よりなる拡散障壁の形成に対して適用できる
。
などの粉末よりなる拡散障壁の形成に対して適用できる
。
なお拡散障壁として上記に説明した酸化物以外にもリン
酸塩、クロム酸塩などの化成皮膜も利用できる。例えば
ＡｔおよびＡｔ合金基材上に第１リン酸亜鉛と硝酸亜鉛
の適当な比を含む水溶液を塗布し、２００℃に加熱して
形成したＺｎ５（Ｐへ）、の趨なども利用できる。
酸塩、クロム酸塩などの化成皮膜も利用できる。例えば
ＡｔおよびＡｔ合金基材上に第１リン酸亜鉛と硝酸亜鉛
の適当な比を含む水溶液を塗布し、２００℃に加熱して
形成したＺｎ５（Ｐへ）、の趨なども利用できる。
次に上記説明におけるいずれの方法により非金属物質よ
りなる拡散障壁が付設された化合物超電導素線の表面に
安定化金属を並設する方法について説明する。安定化金
属としてＣｕをメッキする方法としては、例えば硫酸銅
２９ ｆ／ｌ 、炭酸ナトリウム２５９／ｌ、ロッセル
塩１４０１／ｌ。
りなる拡散障壁が付設された化合物超電導素線の表面に
安定化金属を並設する方法について説明する。安定化金
属としてＣｕをメッキする方法としては、例えば硫酸銅
２９ ｆ／ｌ 、炭酸ナトリウム２５９／ｌ、ロッセル
塩１４０１／ｌ。
ＥＤＴＡとトリエタノールアミン１７９／ｌ、水酸化ナ
トリウム４０ ｔ／ｌ 、ホルマリン（３７％）１６６
９／ｌの浴中に上記拡散障壁を備えた化合物超電導素線
を浸漬し、室温で３分浸漬することにより１〜１．３μ
ｍ厚さのＣｕを無電解メッキにより付着する。次いで例
えばビロリン酸銅ｓ ｏ ｖｔ 。
トリウム４０ ｔ／ｌ 、ホルマリン（３７％）１６６
９／ｌの浴中に上記拡散障壁を備えた化合物超電導素線
を浸漬し、室温で３分浸漬することにより１〜１．３μ
ｍ厚さのＣｕを無電解メッキにより付着する。次いで例
えばビロリン酸銅ｓ ｏ ｖｔ 。
金属銅２８ ｆ／ｌ 、ピロリン酸カリウム２５９ｔ／
ｌ。
ｌ。
アンモニア水２ｃｔ、／ｌ、硝酸カリウム２０ｔ／ｌの
メッキ浴（浴温５５℃）に上記無電解メッキ処理を尻こ
した化合物超電導素線を浸漬し、陽極電流密度２ Ａ／
ｄｉでメッキし、素線の構成に必黴な厚さ電着する。上
記の無電解銅メッキおよび電気銅メッキは化合物超電導
素線を連続的に供給し水洗乾燥の装置に連結して巻取っ
ていくことで工業的に多量の生産が可能となる。なお、
上記実り例における無電解銅メッキおよび電気銅メッキ
の浴組成は上記使用例に限らず、公知技術や市販のメッ
キ浴組成が広く利用できるり、また安定化銅の付設方法
は、実施例における電気メッキによる他に真空蒸着やス
・セックなどの物理的な蒸着によって形成することもで
きる。その他この発明により形成した拡散障壁を持つ化
合物超電導素線に対してロールフオーミングカロエによ
り銅板を巻付け、必要ならば銅板の接合部を溶接する方
法によって安定化銅を配設することが可能であり、この
方法は特に本発明により拡散障壁を配設した化合物超電
導素線を複数本集束し、しかる後安定化銅板で周辺を取
囲むように構成した大容量導体の製作に適合する。さら
に上記の実施例では安定化金属としてＣｕｔ使用した例
について述べたが、その他Ｍや紹なども同様の方法によ
って化合物超電導素線の周辺に配設することも可能であ
る。
メッキ浴（浴温５５℃）に上記無電解メッキ処理を尻こ
した化合物超電導素線を浸漬し、陽極電流密度２ Ａ／
ｄｉでメッキし、素線の構成に必黴な厚さ電着する。上
記の無電解銅メッキおよび電気銅メッキは化合物超電導
素線を連続的に供給し水洗乾燥の装置に連結して巻取っ
ていくことで工業的に多量の生産が可能となる。なお、
上記実り例における無電解銅メッキおよび電気銅メッキ
の浴組成は上記使用例に限らず、公知技術や市販のメッ
キ浴組成が広く利用できるり、また安定化銅の付設方法
は、実施例における電気メッキによる他に真空蒸着やス
・セックなどの物理的な蒸着によって形成することもで
きる。その他この発明により形成した拡散障壁を持つ化
合物超電導素線に対してロールフオーミングカロエによ
り銅板を巻付け、必要ならば銅板の接合部を溶接する方
法によって安定化銅を配設することが可能であり、この
方法は特に本発明により拡散障壁を配設した化合物超電
導素線を複数本集束し、しかる後安定化銅板で周辺を取
囲むように構成した大容量導体の製作に適合する。さら
に上記の実施例では安定化金属としてＣｕｔ使用した例
について述べたが、その他Ｍや紹なども同様の方法によ
って化合物超電導素線の周辺に配設することも可能であ
る。
上記に説明してきたこの発明の方法により製作した安定
化銅が並設されたＮｂｓ Ｓｎ化合物超電導線は６５０
℃〜９００℃で数十分から数百時間のＮｂ、ｓｎ生成熱
処理を施こすことによって上記実施例のように配設した
拡散障壁によってブロンズから安定化銅へのＳｎの拡散
が防止され４．２Ｋにおける優れた臨界電流密度が達成
されると共に、超電導マグネットに使用したときの安定
性も良好であり、化合物超電導線として広く利用できる
。またこの発明における化合物超電導線はＮｂｍＳｎの
他にＶｓＧａ 、ＶＢＧｅ ＊ ＶｓＳｔ 、Ｎｂ５Ａ
１ などの超電導化合物を構成するＩｋａの金＾もし
くは合金を集束して製作される化合物超電°導線に適用
できる。
化銅が並設されたＮｂｓ Ｓｎ化合物超電導線は６５０
℃〜９００℃で数十分から数百時間のＮｂ、ｓｎ生成熱
処理を施こすことによって上記実施例のように配設した
拡散障壁によってブロンズから安定化銅へのＳｎの拡散
が防止され４．２Ｋにおける優れた臨界電流密度が達成
されると共に、超電導マグネットに使用したときの安定
性も良好であり、化合物超電導線として広く利用できる
。またこの発明における化合物超電導線はＮｂｍＳｎの
他にＶｓＧａ 、ＶＢＧｅ ＊ ＶｓＳｔ 、Ｎｂ５Ａ
１ などの超電導化合物を構成するＩｋａの金＾もし
くは合金を集束して製作される化合物超電°導線に適用
できる。
この発明にお轄る他の利用例として第５図に示すように
ステンレスなどの管材８の中の複数の化合物超電導線材
９の線間もしくは周辺に液体ヘリウムを強制的に流動さ
せて化合物超電導線材を冷却するバンドル導体において
、磁界変動に関連する電磁力変化などＫより、各超電導
線材９の移動に基く線相関の摩擦により発生した熱が線
材内部へ伝達して超電導線の特性を不安定な状１ｊｌｔ
Ｋ導く現象がある。この現象を防止もしくは抑制する一
つの方式として線材間に発生した拳擦熱の線材内部への
熱伝達を抑制する熱浸入防止の障壁と線材内部において
磁束線の移動などにより発生した熱を液体ヘリウムへ速
やかに放散させるための清秋のヘリウム流路を設けた断
面構成の線材が提案されているが、この発明による拡散
障壁を熱浸入防止障壁に適用することでＮｂ −？ Ｔ
ａなどの金楓からなる熱浸入防止障壁を備えた従来の線
材に対して線材間に発生した摩擦熱の線材内部への熱浸
入が著しく抑制されるために、このよりなｍ＊の線材に
この発明の方法を適用すれば顕著な安定性が錐保される
など工業的に広く利用できる。
ステンレスなどの管材８の中の複数の化合物超電導線材
９の線間もしくは周辺に液体ヘリウムを強制的に流動さ
せて化合物超電導線材を冷却するバンドル導体において
、磁界変動に関連する電磁力変化などＫより、各超電導
線材９の移動に基く線相関の摩擦により発生した熱が線
材内部へ伝達して超電導線の特性を不安定な状１ｊｌｔ
Ｋ導く現象がある。この現象を防止もしくは抑制する一
つの方式として線材間に発生した拳擦熱の線材内部への
熱伝達を抑制する熱浸入防止の障壁と線材内部において
磁束線の移動などにより発生した熱を液体ヘリウムへ速
やかに放散させるための清秋のヘリウム流路を設けた断
面構成の線材が提案されているが、この発明による拡散
障壁を熱浸入防止障壁に適用することでＮｂ −？ Ｔ
ａなどの金楓からなる熱浸入防止障壁を備えた従来の線
材に対して線材間に発生した摩擦熱の線材内部への熱浸
入が著しく抑制されるために、このよりなｍ＊の線材に
この発明の方法を適用すれば顕著な安定性が錐保される
など工業的に広く利用できる。
第１図は従来のブロンズ法により製作したＮｂｍＳｎ化
合物超電導線の断面図、第２図は内部拡散法による第１
図と同様の断面図、第３図はこの発明による拡散障壁を
ブロンズ法に適用して製作したＮｂｚ Ｓｎ化合物超電
導線の断面図、第４図は拡散障壁を内部拡散法に適用し
た第２図と同様の断面図、第５図は強制冷却方式の断佃
図である。 ｌ・・・安定化銅、３・・・ブロンズ、４・・・陽フィ
ラメント、５・・・銅、６・・・ＳｎまたはＳｎ合金、
７・・・拡散障壁、８・・・ステンレス管、９・・・化
合物超電導＠。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 − 第１図 第；３図 第５図 第２図 第４図
合物超電導線の断面図、第２図は内部拡散法による第１
図と同様の断面図、第３図はこの発明による拡散障壁を
ブロンズ法に適用して製作したＮｂｚ Ｓｎ化合物超電
導線の断面図、第４図は拡散障壁を内部拡散法に適用し
た第２図と同様の断面図、第５図は強制冷却方式の断佃
図である。 ｌ・・・安定化銅、３・・・ブロンズ、４・・・陽フィ
ラメント、５・・・銅、６・・・ＳｎまたはＳｎ合金、
７・・・拡散障壁、８・・・ステンレス管、９・・・化
合物超電導＠。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 − 第１図 第；３図 第５図 第２図 第４図
Claims (9)
- （１）化合物超電導体を構成する高融点金属元素もしく
はその合金からなる素線の周辺に、化合物起電体を構成
する低融点金属を含む合金もしくは銅。 銀、アルミニウムなどのいずれか一種と低融点金属もし
くはその合金を配置し、さらＩ／Ｃその周辺に低融点金
属の安定化金属への拡散障壁ｔｉｒして熱的１％気的に
良導体である安定化金属を並接して一体化し、断面縮小
加工を行なって製作した化合物超電導線の製造方法にお
いて、上記拡散障壁が酸化物、硫化物＋ Ｂ Ｎ ｔ
Ｃ＊ ！ｊン酸塩、クロム酸塩等の非金槁物質であるこ
とを特徴とする化合物超電導線の製造方法。 - （２）拡散障壁が化合物超電導素線を構成する銅。 銀、アルミニウムもしくはこれらの金ｍを含む合金を陽
極酸化して形成される酸化物であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の化合物超電導線の製造方法。 - （３）拡散障壁がアルミナゾル、シリカゾル、リチウム
シリケート等の酸化物ゾルであ抄、これを化合物超電導
素線の表面Ｋｍ布焼付妙したことを特徴とする特許請求
の範１１ａ１１項記載の化合物超電導線の製造方法。 - （４）拡散障壁が金属キレート化合物からなり、これを
化合物超電導素線の表面に塗布焼付けしたことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の化合物超電導線の製造
方法。 - （５）拡散障壁がアルミナ、マグネシア、シリカ。 トリア、ベリリア、ジルコニア、ムライト、クロマイト
等の粉末のいずれか一種もしくはこれらの酸化物粉末の
混合物からなり、この混合物を微量のポリビニルアルコ
ールを含む水に懸濁させた混合溶液を化合物超電導素１
１表面に塗布焼付けたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の化合物超電導線の製造方法。 - （６）拡散障壁がＢＮ＋Ｃ等の微粉末もしくはこれらの
混合粉末からなり、この粉末を微量の４リビニルアルコ
ールを含む水に懸濁させた混合溶液を化合物超電導素線
表面に塗布焼付けしたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の化合物超電導線の製造方法。 - （７）拡散障壁としてリン酸塩、クロム酸塩等の化成皮
膜を化合物超電導素線の表面に形成したことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の化合物超電導線の製造方
法。 - （８）特許請求の範囲＃Ｉ２〜６項記載の化合物超電導
素線の表面に非金属物質よりなる拡散障壁を付着し、そ
の後拡散障壁上に無電解メッキにより安定化金属を付着
し続いて電気メッキ、物理蒸着で安定化金属を形成する
仁とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の化合物超
電導線の製造方法。 - （９）特許請求の範囲第２〜６項記載の化合物超電導素
線の表面に非金属物質よりなる拡散障壁を付着し、その
後ロールフォーミング勢の手段によって安定化金属を超
電導素線の周辺に配設したことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の化合物超電導線の製造方法。 （至）化合物超電導素線がＮｂｓ Ｓｎ ｒ ＶｓＧ＆
ｒ Ｖ＠ Ｇｅ ｔ ＶｓＳ １−ＮｂｌＡｊからな
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の化合物
超電導線の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57079441A JPS58197611A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | 化合物超電導線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57079441A JPS58197611A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | 化合物超電導線の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58197611A true JPS58197611A (ja) | 1983-11-17 |
| JPS6312331B2 JPS6312331B2 (ja) | 1988-03-18 |
Family
ID=13689959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57079441A Granted JPS58197611A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | 化合物超電導線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58197611A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02119013A (ja) * | 1988-08-12 | 1990-05-07 | Westinghouse Electric Corp <We> | 複合極低温導電体 |
-
1982
- 1982-05-12 JP JP57079441A patent/JPS58197611A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02119013A (ja) * | 1988-08-12 | 1990-05-07 | Westinghouse Electric Corp <We> | 複合極低温導電体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6312331B2 (ja) | 1988-03-18 |
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