JPS5818836A - 直進形クライストロン - Google Patents
直進形クライストロンInfo
- Publication number
- JPS5818836A JPS5818836A JP11607481A JP11607481A JPS5818836A JP S5818836 A JPS5818836 A JP S5818836A JP 11607481 A JP11607481 A JP 11607481A JP 11607481 A JP11607481 A JP 11607481A JP S5818836 A JPS5818836 A JP S5818836A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cavity
- frequency
- center
- electron beam
- cavities
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J25/00—Transit-time tubes, e.g. klystrons, travelling-wave tubes, magnetrons
- H01J25/02—Tubes with electron stream modulated in velocity or density in a modulator zone and thereafter giving up energy in an inducing zone, the zones being associated with one or more resonators
- H01J25/10—Klystrons, i.e. tubes having two or more resonators, without reflection of the electron stream, and in which the stream is modulated mainly by velocity in the zone of the input resonator
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は空胴の１つに高調波空胴を用いた高能率の直進
形クツイストロンに関するものでゎるＯ 従来から高能率の直進形り２イスト−ロンを得る丸めに
、いくりかの発明がなされている。例えば特開昭４６−
５７６５号公報によれば、基本波空胴のみの構成で、最
終中間空胴の間隙中心とそのすぐ上流の中間空胴の間隙
中心間のドリフト長を低減プ２Ｊｅマ波長（λｆ）の１
７４倍以上、５７１２倍以下、理想的には１７３倍とし
、この長いドリフト管において、電子ビーム中に発生す
る空関電荷力を有効に利用して電子ビームをよシ強く集
群させて、高能率化を図るようにしたものがある。ここ
で低減グッズマ波長（λｆ）は２πＶ・／ωｆで表わさ
れる。なお、 （Ｗ・）は′電子ビームの直流速蜜、
（ωｆ）は低減グツズ！角周波数である・小信号時にお
いて、速度変調を受けた電子ビームはドリフト長が１／
４Ｊ、の点で最大の書間変調を受け、それ以上ではビー
ム中の基本波を流成分は減少する・そして、信号が大き
くなれば、基本波電流成分の最大を生ずる点拡１／４λ
ｆよシかなシ小さくなる。そこで高能率化を図るためＫ
Ｎ ｌ、／３λｆ程蜜という異常に長いドリフト管を
１つ用いなければならない、従って、これは従来一般に
使用されて゛いるものに比較して、管球の全長が長くな
る。このことは、管の製造設備の大型化、取シ扱ｉの困
難さ、及び管も含めた装置全体の大型化を招き、高能率
化の利点よシも全体として見た場合には不都合なものと
なる。
形クツイストロンに関するものでゎるＯ 従来から高能率の直進形り２イスト−ロンを得る丸めに
、いくりかの発明がなされている。例えば特開昭４６−
５７６５号公報によれば、基本波空胴のみの構成で、最
終中間空胴の間隙中心とそのすぐ上流の中間空胴の間隙
中心間のドリフト長を低減プ２Ｊｅマ波長（λｆ）の１
７４倍以上、５７１２倍以下、理想的には１７３倍とし
、この長いドリフト管において、電子ビーム中に発生す
る空関電荷力を有効に利用して電子ビームをよシ強く集
群させて、高能率化を図るようにしたものがある。ここ
で低減グッズマ波長（λｆ）は２πＶ・／ωｆで表わさ
れる。なお、 （Ｗ・）は′電子ビームの直流速蜜、
（ωｆ）は低減グツズ！角周波数である・小信号時にお
いて、速度変調を受けた電子ビームはドリフト長が１／
４Ｊ、の点で最大の書間変調を受け、それ以上ではビー
ム中の基本波を流成分は減少する・そして、信号が大き
くなれば、基本波電流成分の最大を生ずる点拡１／４λ
ｆよシかなシ小さくなる。そこで高能率化を図るためＫ
Ｎ ｌ、／３λｆ程蜜という異常に長いドリフト管を
１つ用いなければならない、従って、これは従来一般に
使用されて゛いるものに比較して、管球の全長が長くな
る。このことは、管の製造設備の大型化、取シ扱ｉの困
難さ、及び管も含めた装置全体の大型化を招き、高能率
化の利点よシも全体として見た場合には不都合なものと
なる。
また、特公昭４７−３２３８６号公報に記載されている
ように、基本波空胴の他に絽２高調波空胴を用いて、こ
れによって電子ビームを強く集群させて、高能率化を図
る提案もある番ところが、この構成によれば、同公報に
記載され九爽施例のような空胴配置の場合に、基本波空
胴４個、高調波空胴１個の合計５個の空胴を用い、しか
もご〈狭帯埴としているＫも拘らず、利得が２０ ｄＢ
以下で非常に低い・従って、この構成で高能率、高利得
を得るためには、実際には、更に上流に１〜２個の空胴
を設けなければならないものと考えられる。そうすると
、空胴数の増加に伴−製造、調整上著しく困難となり、
マ九、管の全長も前述の長いドリフト管を用いるものと
大差がなくなシ、同様の不都合が生ずる・ 本＠明は、基本波空胴及び高調波空胴を適正に配置し、
その共振周波数を適正に選択することによｐ１管の全長
を従来のものに比べ非常に短くしうる高能率、高利得の
直進形り２イヌトロンを提供することを目的とするもの
である。
ように、基本波空胴の他に絽２高調波空胴を用いて、こ
れによって電子ビームを強く集群させて、高能率化を図
る提案もある番ところが、この構成によれば、同公報に
記載され九爽施例のような空胴配置の場合に、基本波空
胴４個、高調波空胴１個の合計５個の空胴を用い、しか
もご〈狭帯埴としているＫも拘らず、利得が２０ ｄＢ
以下で非常に低い・従って、この構成で高能率、高利得
を得るためには、実際には、更に上流に１〜２個の空胴
を設けなければならないものと考えられる。そうすると
、空胴数の増加に伴−製造、調整上著しく困難となり、
マ九、管の全長も前述の長いドリフト管を用いるものと
大差がなくなシ、同様の不都合が生ずる・ 本＠明は、基本波空胴及び高調波空胴を適正に配置し、
その共振周波数を適正に選択することによｐ１管の全長
を従来のものに比べ非常に短くしうる高能率、高利得の
直進形り２イヌトロンを提供することを目的とするもの
である。
以下、図面を参照して本発明の一実施例を評細に説明す
る０本発明の直進形タライストロンは、６．空胴直進形
クライストロンで、＠１１ｇＫ示すように構成され、電
子ビームを発生する電子銃齢１１、電子ビームの直眞エ
ネルギーを高周波エネルギーに変換する相互作用部１１
、及び用済後の電子ビームを捕集するコレクタ１１から
なシ、更に電子ビーム１４を集束する丸めに相互作用部
１２を囲んで集束磁界発生装置（図−示せず）が設けら
れる・相互作用部１２は、高周波電力が導入される入力
空胴２１と、電子ビームの流れにおいてそれのすぐ下流
の前置中間空胴ＪＪ＃ＪＪと、高周波電力が取シ出され
る出力空胴２６と、それのすぐ上流の２個の終段中間空
胴Ｊ・４．Ｊ５とがドリフト管２１〜３８によ〕連結さ
れて成っている。２個の前置中間空胴のうち２Ｓは第２
高調波空胴で、本発明のクライストａンの中心動作周波
数／＠に対応する＠２高調波周波数付近に同調され、他
Ｏ空胴は中心動作周波数ｆ・付近に同調されている・従
うて、これらを基本波？！胴と記すことにする・なお、
それぞれの空胴はその中にドリフト管間隙をもち、ｋｉ
ｖＡでそれら間隙中心を３７ａ−Ｊｍｉａで表わす。
る０本発明の直進形タライストロンは、６．空胴直進形
クライストロンで、＠１１ｇＫ示すように構成され、電
子ビームを発生する電子銃齢１１、電子ビームの直眞エ
ネルギーを高周波エネルギーに変換する相互作用部１１
、及び用済後の電子ビームを捕集するコレクタ１１から
なシ、更に電子ビーム１４を集束する丸めに相互作用部
１２を囲んで集束磁界発生装置（図−示せず）が設けら
れる・相互作用部１２は、高周波電力が導入される入力
空胴２１と、電子ビームの流れにおいてそれのすぐ下流
の前置中間空胴ＪＪ＃ＪＪと、高周波電力が取シ出され
る出力空胴２６と、それのすぐ上流の２個の終段中間空
胴Ｊ・４．Ｊ５とがドリフト管２１〜３８によ〕連結さ
れて成っている。２個の前置中間空胴のうち２Ｓは第２
高調波空胴で、本発明のクライストａンの中心動作周波
数／＠に対応する＠２高調波周波数付近に同調され、他
Ｏ空胴は中心動作周波数ｆ・付近に同調されている・従
うて、これらを基本波？！胴と記すことにする・なお、
それぞれの空胴はその中にドリフト管間隙をもち、ｋｉ
ｖＡでそれら間隙中心を３７ａ−Ｊｍｉａで表わす。
さて、本発明では各空胴の同調周波数は次のように設定
する・入力空胴２１の同調周波数ｆ１、及び出力空胴１
６のそれｆ・は狭帯域増幅の場合は中心動作周波数ｆ・
又はその付近、広帯域増幅の場合はｆ・かられずかに上
下にずらしてスタガ同調方式とする・帥置中関空胴のう
ち基本波空胴２２の同調周波数／ｓはｆ・よシわずかに
高く設定する。また第２高調波空胴２３の同調周波数ｆ
＄は第２高調周波数２ｆｏよシもわずかに低い周波数に
設定し、またそのすぐ下流の２個の基本波空胴２４ａｌ
ｌを中心動作周波数ｆ・よ〉もわずかに高い周波数に設
定する。
する・入力空胴２１の同調周波数ｆ１、及び出力空胴１
６のそれｆ・は狭帯域増幅の場合は中心動作周波数ｆ・
又はその付近、広帯域増幅の場合はｆ・かられずかに上
下にずらしてスタガ同調方式とする・帥置中関空胴のう
ち基本波空胴２２の同調周波数／ｓはｆ・よシわずかに
高く設定する。また第２高調波空胴２３の同調周波数ｆ
＄は第２高調周波数２ｆｏよシもわずかに低い周波数に
設定し、またそのすぐ下流の２個の基本波空胴２４ａｌ
ｌを中心動作周波数ｆ・よ〉もわずかに高い周波数に設
定する。
ζＯような配置における電子ビームの様子を、軸２図に
よって説明する。＃４２図は、第１図に示し九直進形ク
ツイストロンをディスクモデルを用いて、大信号動作を
コンビ、−ターシュミレーシーンしたものである。すな
わち、これは電子の位相とげ一ム路に沿った帥記低減ｆ
’）ｙｅマ波長（λＶ）によって正規化された距離とを
グロ。
よって説明する。＃４２図は、第１図に示し九直進形ク
ツイストロンをディスクモデルを用いて、大信号動作を
コンビ、−ターシュミレーシーンしたものである。すな
わち、これは電子の位相とげ一ム路に沿った帥記低減ｆ
’）ｙｅマ波長（λＶ）によって正規化された距離とを
グロ。
トしたもので、ア、ｆルｒイトダイアダツムと同等のも
のである。この場合鉱、基本周波数の１周期にわたって
一徐に分布している２４個の電子を追跡している。相互
作用部１２の各空胴のドリフト管間隙中心の位置紘、横
軸に記載している。普ず入力空胴２１に導入された高周
波電力に応じて空胴関ＭＥ高周波電界を生じ、この電界
に応じて電子Ｖ−五１４は速度変調される。ドリフト管
中には高周波電界が存在しないため、電子は空胴と空胴
との閣の区間すなわちドリフト管中を走るうちに入力空
胴で与えられた速ｆ肇調に応じて集群される。
のである。この場合鉱、基本周波数の１周期にわたって
一徐に分布している２４個の電子を追跡している。相互
作用部１２の各空胴のドリフト管間隙中心の位置紘、横
軸に記載している。普ず入力空胴２１に導入された高周
波電力に応じて空胴関ＭＥ高周波電界を生じ、この電界
に応じて電子Ｖ−五１４は速度変調される。ドリフト管
中には高周波電界が存在しないため、電子は空胴と空胴
との閣の区間すなわちドリフト管中を走るうちに入力空
胴で与えられた速ｆ肇調に応じて集群される。
その結果、集群された電子ビームが第２番目の空胴間Ｈ
ｊ ｊ ａ ｆ通過する際、ことへ高周波電界を発生せ
しめ、更に変調を受は集群される。
ｊ ｊ ａ ｆ通過する際、ことへ高周波電界を発生せ
しめ、更に変調を受は集群される。
この空胴ｊ２は前述のように、管の動作周波数よυわず
かに高い周波数に同調されているので、動作周波数に同
調されている場合に比べ、より効率的に業解される。°
従って、第１図において、入力’４！１１４２１、ＩＩ
Ｊ１置中関空胴２２、第２高調波空胴ｉｓ、終段中間空
胴２４の各ドリフト管間隙中心ｊｌ＊＊２１＊、２１ｍ
＋１４ｍ間の距離をそれぞれｔｌｌｌ ＃ ｔｌｌ
’ ｔ口とすれば、Ａｌｌ −Ｌｍｓ バ一般的Ｋ
ｔｉＯ，１５λ、ａｕｔｏ館が用いられるが、これよシ
ずつと短くてすみ、０．１λ。
かに高い周波数に同調されているので、動作周波数に同
調されている場合に比べ、より効率的に業解される。°
従って、第１図において、入力’４！１１４２１、ＩＩ
Ｊ１置中関空胴２２、第２高調波空胴ｉｓ、終段中間空
胴２４の各ドリフト管間隙中心ｊｌ＊＊２１＊、２１ｍ
＋１４ｍ間の距離をそれぞれｔｌｌｌ ＃ ｔｌｌ
’ ｔ口とすれば、Ａｌｌ −Ｌｍｓ バ一般的Ｋ
ｔｉＯ，１５λ、ａｕｔｏ館が用いられるが、これよシ
ずつと短くてすみ、０．１λ。
１％ｉｌ：でも充分である。仁のように集群された電子
ビームが上流から第３番目の空胴すなわち第２高調波空
胴２Ｊに達すると、この空胴ＦｉｌｌｌＪ述したように
管の動作周波数ｆ・゛の２倍よりわずかに低い周波数に
同調されているとともに、その位置が前後の中関空胴関
の中間あるいは中間よｐも下ｆＩｔＫ配置されているの
で、電子ビームはそれまではある位相のところに集群す
るように運動してきたのが、この＠２高調波空胴２Ｊの
間隙中心１８＆を通−する際十分大きな速１変調を受け
１通過後は２１ＦＦに分かれて各々が判別の位相に集群
するようＫなる。これは全体として見ると、むしろ離解
されるような速度変調を受けることになるが、この給２
高調波空胴２１は前後の空胴間の比較的下流に置かれて
いるので、この＄２高調波空胴２Ｓに達する迄にかなシ
集群しており、それまでｔｃｊＬ＜集群している位相に
ある電子は少し離解し、集群していない位相にある電子
は集群される速度変調を受ける。こうして結果的に社、
すぐ下流の基本波空胴１４に達する時に社、電子ビーム
轄非常に良く集群され、その速１も均一化する。この様
子は第２図において第４番目の空胴１４のドリフト管間
隙中心２４１で１周期の約２．２倍の範囲に約８３嘩の
電子がは埋一様に存在し、更にその速度がほぼ一橡であ
ることが、ダラフの傾斜がすべてはぼ軸に平行であると
いうことから明らかである。高能率を得るために社、出
力中Ｊｌｉｉ１２１へ入る電子ビームは良く集群されて
いて、且つできるだけ一様な速度を持つことが必要であ
るが、本発明において第４番目及び第５番目０空胴すな
わち絽２高調波空胴２３のすぐ下流の２個の空胴２４．
１１１Ｊはり２イストロンの動作周波数ｆ・よシ高い周
波数に同調されているので、電子ビームを更に強く集群
するように働く、このようにして出力空胴１６のドリフ
ト管間隙中心３ｇａにおける能率係数ＦＢ−Ｉｔ／Ｉ＠
は、亀３囚に示す通、９１．７以上という高い値が達成
される。ここで！１は電子ビーム中の基本波電流成分、
！ｅは直流ビーム電流である・扼３図は本発明のもＯＯ
蛯率係数をゾロｖト１．たもので、出力空胴１４の位置
で１．７となりていることがわかる。
ビームが上流から第３番目の空胴すなわち第２高調波空
胴２Ｊに達すると、この空胴ＦｉｌｌｌＪ述したように
管の動作周波数ｆ・゛の２倍よりわずかに低い周波数に
同調されているとともに、その位置が前後の中関空胴関
の中間あるいは中間よｐも下ｆＩｔＫ配置されているの
で、電子ビームはそれまではある位相のところに集群す
るように運動してきたのが、この＠２高調波空胴２Ｊの
間隙中心１８＆を通−する際十分大きな速１変調を受け
１通過後は２１ＦＦに分かれて各々が判別の位相に集群
するようＫなる。これは全体として見ると、むしろ離解
されるような速度変調を受けることになるが、この給２
高調波空胴２１は前後の空胴間の比較的下流に置かれて
いるので、この＄２高調波空胴２Ｓに達する迄にかなシ
集群しており、それまでｔｃｊＬ＜集群している位相に
ある電子は少し離解し、集群していない位相にある電子
は集群される速度変調を受ける。こうして結果的に社、
すぐ下流の基本波空胴１４に達する時に社、電子ビーム
轄非常に良く集群され、その速１も均一化する。この様
子は第２図において第４番目の空胴１４のドリフト管間
隙中心２４１で１周期の約２．２倍の範囲に約８３嘩の
電子がは埋一様に存在し、更にその速度がほぼ一橡であ
ることが、ダラフの傾斜がすべてはぼ軸に平行であると
いうことから明らかである。高能率を得るために社、出
力中Ｊｌｉｉ１２１へ入る電子ビームは良く集群されて
いて、且つできるだけ一様な速度を持つことが必要であ
るが、本発明において第４番目及び第５番目０空胴すな
わち絽２高調波空胴２３のすぐ下流の２個の空胴２４．
１１１Ｊはり２イストロンの動作周波数ｆ・よシ高い周
波数に同調されているので、電子ビームを更に強く集群
するように働く、このようにして出力空胴１６のドリフ
ト管間隙中心３ｇａにおける能率係数ＦＢ−Ｉｔ／Ｉ＠
は、亀３囚に示す通、９１．７以上という高い値が達成
される。ここで！１は電子ビーム中の基本波電流成分、
！ｅは直流ビーム電流である・扼３図は本発明のもＯＯ
蛯率係数をゾロｖト１．たもので、出力空胴１４の位置
で１．７となりていることがわかる。
ζこで前述の従来例（％公＠ ４７−３２３８６）の実
施例と比べると、その優位性紘明白である。
施例と比べると、その優位性紘明白である。
すなわち、この従来例では第２高調波に同調した空胴を
より上流に設けており、その場合、前述したように第２
高調波空胴は、そこに達する迄に電子Ｃ−ムがかな９集
群されていないと、有効に作用しない、従うて、この高
調波空胴の上ｒＩＩｔＫ設ける基本波中間空胴が１個の
場合は、１個だけで電子ビームをかなシ集群させなけれ
ばならないため、高周波入力電力が多く必要となり、従
って管の利得が低くなる・実用的に充分高い利得を得る
ために杜、諏２高調波空胴２ｊの上流に２個以上の基本
波空胴が必要となるわけでおる。そして、単に基本波空
胴をつけ加え九のみでは、実用的に充分高い利得効率が
得られるわゆではなく、そのドリフト管間ｌＩも前述の
ように０．１５λ、Ｓｔと長い、しかし、本発明では第
２高調波空胴２Ｊのすぐ上流Ｏ基本波空胴の共振周波数
が中心動作周波数よシわずかに高いため、集群が効率的
に行なわれ、その結果、この空胴の前装のドリフト管関
隙中心間の距離Ｌ１曾 ・ｔ■が各々０．１λｆ程変
と従来に０、１ ＋ ０．１ 比べ”３＠” （”Ｌ）、１６＋０．１５ ）の長さで
４０ｄＢ以上の高利得が達成できゐ。
より上流に設けており、その場合、前述したように第２
高調波空胴は、そこに達する迄に電子Ｃ−ムがかな９集
群されていないと、有効に作用しない、従うて、この高
調波空胴の上ｒＩＩｔＫ設ける基本波中間空胴が１個の
場合は、１個だけで電子ビームをかなシ集群させなけれ
ばならないため、高周波入力電力が多く必要となり、従
って管の利得が低くなる・実用的に充分高い利得を得る
ために杜、諏２高調波空胴２ｊの上流に２個以上の基本
波空胴が必要となるわけでおる。そして、単に基本波空
胴をつけ加え九のみでは、実用的に充分高い利得効率が
得られるわゆではなく、そのドリフト管間ｌＩも前述の
ように０．１５λ、Ｓｔと長い、しかし、本発明では第
２高調波空胴２Ｊのすぐ上流Ｏ基本波空胴の共振周波数
が中心動作周波数よシわずかに高いため、集群が効率的
に行なわれ、その結果、この空胴の前装のドリフト管関
隙中心間の距離Ｌ１曾 ・ｔ■が各々０．１λｆ程変
と従来に０、１ ＋ ０．１ 比べ”３＠” （”Ｌ）、１６＋０．１５ ）の長さで
４０ｄＢ以上の高利得が達成できゐ。
第１図は本発明の一実施例に係る直進形クツイストロン
を示す概略構成図、嬉２図は本発明における電子の位相
と正規化された距離とをグロ、トシたもので、電子がビ
ーム路に沿って集群する様子を示した図、第３図は本発
明の能率係数ｆ ｔ −ｉ ｓ ／ Ｉ・と、正規化さ
れた距離とをプロットした特性図でおる・ １１・・・電子銃齢、１２・・・相互作用部、ＩＪ・・
・コレクタ、１４・・・電子ビーム、１１・・・入力空
胴。 ２２・・・前置中間空胴、２３・・・第２高調波中関空
胴、３４．２６・・・基本波終段中間空胴、２ ｇ −
０゜出力空胴、２１〜３Ｓ・・・ドリフト管、２１ａ〜
２６瓢・・・各空胴のドリフト間隙中心。
を示す概略構成図、嬉２図は本発明における電子の位相
と正規化された距離とをグロ、トシたもので、電子がビ
ーム路に沿って集群する様子を示した図、第３図は本発
明の能率係数ｆ ｔ −ｉ ｓ ／ Ｉ・と、正規化さ
れた距離とをプロットした特性図でおる・ １１・・・電子銃齢、１２・・・相互作用部、ＩＪ・・
・コレクタ、１４・・・電子ビーム、１１・・・入力空
胴。 ２２・・・前置中間空胴、２３・・・第２高調波中関空
胴、３４．２６・・・基本波終段中間空胴、２ ｇ −
０゜出力空胴、２１〜３Ｓ・・・ドリフト管、２１ａ〜
２６瓢・・・各空胴のドリフト間隙中心。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 電子ビームを発生する電子銃部と、電子ビームの直流エ
ネルギーを高周波エネルギーに変換する相互作用部と、
用済後の電子ぜ一ムを傭集舜ｎ するとからなる直進形り２イヌトロンにおいて。 前記相互作用部は、入力空胴、前置中間空胴、第２高調
波空胴、第１終段中関空胴、＄２終段中関空胴及び出力
空胴をドリフト管で連結してな多、且つ各空胴の同調周
波数をそれぞれｆｓｚｆ禦・・・ｆ＠とし、中心動作周
波数をｆ・とすれば、 ｆＩ牛ｆ６中ｆ・ ｆａ＞ｆ・ ７ｇ＞７ｅ ／ｓ＜２ｆ＊ ｆ曾 〉ｌ・ に設定され、更に岐記紡置中関空胴のトリアド管間隙中
心と前記第２高周波空胴のドリフト管間隙中心との距離
゛を２口とし、前記第２高調波空胴のドリフト管間師中
心と前記第１終段中関空胴のドリフト管関隙中心との距
離をｔｓ、とすれば、 Ｌ＊＊＞１口 に設定されていることを特徴とする直進形り２イヌトロ
ン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11607481A JPS5818836A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 直進形クライストロン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11607481A JPS5818836A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 直進形クライストロン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5818836A true JPS5818836A (ja) | 1983-02-03 |
| JPH0126143B2 JPH0126143B2 (ja) | 1989-05-22 |
Family
ID=14678061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11607481A Granted JPS5818836A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 直進形クライストロン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5818836A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0785804A (ja) * | 1993-09-17 | 1995-03-31 | Nec Corp | 多空胴クライストロン |
-
1981
- 1981-07-24 JP JP11607481A patent/JPS5818836A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0785804A (ja) * | 1993-09-17 | 1995-03-31 | Nec Corp | 多空胴クライストロン |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0126143B2 (ja) | 1989-05-22 |
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