JPS58188176A - イオンレ−ザ装置 - Google Patents
イオンレ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS58188176A JPS58188176A JP7087582A JP7087582A JPS58188176A JP S58188176 A JPS58188176 A JP S58188176A JP 7087582 A JP7087582 A JP 7087582A JP 7087582 A JP7087582 A JP 7087582A JP S58188176 A JPS58188176 A JP S58188176A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- cathode
- tube
- getters
- laser tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/036—Means for obtaining or maintaining the desired gas pressure within the tube, e.g. by gettering, replenishing; Means for circulating the gas, e.g. for equalising the pressure within the tube
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は熱陰極を有するイオンレーザ装置に関する。
従来のこの柚のイオンレーザ装置は第１図に示すように
レーザ管ｌは陽極５と＠極７との間にレーザ電源８を接
続し、陽極５と陰極７との間で放電し出力ミラー３と全
反射ミラー４とで構成される光共振器によりレーザ発振
し、レーザ光１０を出力する。
レーザ管ｌは陽極５と＠極７との間にレーザ電源８を接
続し、陽極５と陰極７との間で放電し出力ミラー３と全
反射ミラー４とで構成される光共振器によりレーザ発振
し、レーザ光１０を出力する。
イオンレーザは、イオン化された希ガスのエネルギーレ
ベル間の遷移によってレーザ発振を行なわせるものでお
り、可視線にお（・てワット台の大出力連続発振か得ら
れる唯一のガスレーザなのでラマン分光、ホログラフィ
−などに広く用いられている。しかし、希ガスのイオン
化エネルギーか高いため、レーザ細管内（ｃ数１０アン
ペアにおよぶ大電流アーク放電を行なわせる必要かあり
、このときレーザ細管では６〜９ＫＷＫ達する熱発生か
ある。したがって、イオンレーザの細管としては、イオ
ンの’Ｉｔ ＊ ＋ｔｃ耐えることかでき、熱分解しに
く（・材料を選ぶｌ要がある。そのたｔ、中央に穴の設
けら第１たグラファイトディスク机６をならべ中央穴の
９１１をもってレーザ細管とするものが用（・られて（
・る。さらに６〜９ Ｋ Ｗにおよぶ炉をレーザ細管外
部に放出させるため管外部に冷却水を通すなどして玲却
しているが長時間使用していると、グラファイトディス
ク郡６等から発生する不純ガス等とグラファイトディス
クが化学反応し７、グラファイトが分解し、グラファイ
ト粉末とｔ【ってくずれ、その粉末の１部は、光学窓２
，２′に付着し、レーザ光１０を減少させる。また前記
不純ガスにより陰極７も劣化し陽極５と陰極７間のアー
ク放電を維持できなくなり、寿命となる。
ベル間の遷移によってレーザ発振を行なわせるものでお
り、可視線にお（・てワット台の大出力連続発振か得ら
れる唯一のガスレーザなのでラマン分光、ホログラフィ
−などに広く用いられている。しかし、希ガスのイオン
化エネルギーか高いため、レーザ細管内（ｃ数１０アン
ペアにおよぶ大電流アーク放電を行なわせる必要かあり
、このときレーザ細管では６〜９ＫＷＫ達する熱発生か
ある。したがって、イオンレーザの細管としては、イオ
ンの’Ｉｔ ＊ ＋ｔｃ耐えることかでき、熱分解しに
く（・材料を選ぶｌ要がある。そのたｔ、中央に穴の設
けら第１たグラファイトディスク机６をならべ中央穴の
９１１をもってレーザ細管とするものが用（・られて（
・る。さらに６〜９ Ｋ Ｗにおよぶ炉をレーザ細管外
部に放出させるため管外部に冷却水を通すなどして玲却
しているが長時間使用していると、グラファイトディス
ク郡６等から発生する不純ガス等とグラファイトディス
クが化学反応し７、グラファイトが分解し、グラファイ
ト粉末とｔ【ってくずれ、その粉末の１部は、光学窓２
，２′に付着し、レーザ光１０を減少させる。また前記
不純ガスにより陰極７も劣化し陽極５と陰極７間のアー
ク放電を維持できなくなり、寿命となる。
本発明の目的は、前記欠点を除去し、長期間にわたって
レーザ出力の安定な、陰極劣化の少ない長寿命なイオン
レーザ装置を提供することにある。
レーザ出力の安定な、陰極劣化の少ない長寿命なイオン
レーザ装置を提供することにある。
本発明は、レーザ管とレーザ共振器ミラーとレーザ１！
源とを具備したイオンレーザ装置においてレーザ管の熱
陰極と並列に接続された加熱型ゲッタを具備したことを
特徴とする。
源とを具備したイオンレーザ装置においてレーザ管の熱
陰極と並列に接続された加熱型ゲッタを具備したことを
特徴とする。
以下第２図の一実施例について本発明の詳細な説明する
。
。
レーザ管１は陽極５と陰極７との間で放電し出力ミラー
３と全反射ミラー４とで構成される、光共振器によりレ
ーザ発振し、レーザ光１０を出力する。該陰極７と並列
に加熱型ゲッタ９ （Ｚｃ−ＡＩ。
３と全反射ミラー４とで構成される、光共振器によりレ
ーザ発振し、レーザ光１０を出力する。該陰極７と並列
に加熱型ゲッタ９ （Ｚｃ−ＡＩ。
Ｚｃ−Ｃ）を接続し、レーザ電源８により陰極７とゲ、
り９を同時に加熱して動作させることによりレーザ管１
内の不純ガスをゲッタ９に吸収させ、グラファイトティ
スフ郡６の劣化や陰極の劣化を防止１−ろ。
り９を同時に加熱して動作させることによりレーザ管１
内の不純ガスをゲッタ９に吸収させ、グラファイトティ
スフ郡６の劣化や陰極の劣化を防止１−ろ。
よって光学ｇ２，２’の汚れもなく、陰極の劣化も少な
く、長期間にわたって出力のパワーの安定なイオンレー
ザ装置を得ることかできろ。
く、長期間にわたって出力のパワーの安定なイオンレー
ザ装置を得ることかできろ。
第１図は従来のイオンレーザ装置を示すブロック図であ
り、第２図は本発明の一実施例を示す断面図である。 １・・・・・レーザ管、２，２′・・・・・・光字窓、
３・・・・・・出力ミラー、４・・・・・・全反射ミラ
ー、５・・・・・・陽極、６・・・・・・グラファイト
ティスフ都、７・・・・・・陰極、８・・・レーザ１！
源、９・・・・・・ゲッタ、１０・・・・・・レーザ光
。
り、第２図は本発明の一実施例を示す断面図である。 １・・・・・レーザ管、２，２′・・・・・・光字窓、
３・・・・・・出力ミラー、４・・・・・・全反射ミラ
ー、５・・・・・・陽極、６・・・・・・グラファイト
ティスフ都、７・・・・・・陰極、８・・・レーザ１！
源、９・・・・・・ゲッタ、１０・・・・・・レーザ光
。
Claims (1)
- レーザ管とレーザ共振器ミラーとレーザ電源とを具備し
たイオンレーザ装置において該レーザ管の熱陰極と並列
に接続された加熱型ゲッタを具備したことを％Ｉｌｋと
するイオンレーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7087582A JPS58188176A (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | イオンレ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7087582A JPS58188176A (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | イオンレ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58188176A true JPS58188176A (ja) | 1983-11-02 |
| JPS6342426B2 JPS6342426B2 (ja) | 1988-08-23 |
Family
ID=13444158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7087582A Granted JPS58188176A (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | イオンレ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58188176A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5585087A (en) * | 1978-12-21 | 1980-06-26 | Nec Corp | He-ne gas laser tube |
| JPH0524170U (ja) * | 1991-09-04 | 1993-03-30 | 日本電気株式会社 | ワーク保持機構付きヒータチツプ |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01152122A (ja) * | 1987-12-08 | 1989-06-14 | Nippon Ester Co Ltd | 改質ポリエステルの連続製造法 |
-
1982
- 1982-04-27 JP JP7087582A patent/JPS58188176A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5585087A (en) * | 1978-12-21 | 1980-06-26 | Nec Corp | He-ne gas laser tube |
| JPH0524170U (ja) * | 1991-09-04 | 1993-03-30 | 日本電気株式会社 | ワーク保持機構付きヒータチツプ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6342426B2 (ja) | 1988-08-23 |
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