JPS5818617B2 - シヤシンサツエイヨウソツコウカイロ - Google Patents

シヤシンサツエイヨウソツコウカイロ

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JPS5818617B2
JPS5818617B2 JP49131343A JP13134374A JPS5818617B2 JP S5818617 B2 JPS5818617 B2 JP S5818617B2 JP 49131343 A JP49131343 A JP 49131343A JP 13134374 A JP13134374 A JP 13134374A JP S5818617 B2 JPS5818617 B2 JP S5818617B2
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JP
Japan
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circuit
resistor
differential amplifier
exposure
determining element
Prior art date
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JP49131343A
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English (en)
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JPS5156629A (ja
Inventor
宮川精男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Pentax Corp
Original Assignee
Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd filed Critical Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd
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Priority to US05/627,915 priority patent/US3992714A/en
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Publication of JPS5818617B2 publication Critical patent/JPS5818617B2/ja
Expired legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B7/00Control of exposure by setting shutters, diaphragms or filters, separately or conjointly
    • G03B7/08Control effected solely on the basis of the response, to the intensity of the light received by the camera, of a built-in light-sensitive device
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B7/00Control of exposure by setting shutters, diaphragms or filters, separately or conjointly
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    • G03B7/081Analogue circuits

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Exposure Control For Cameras (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、単独露出計またはカメラに組み込まれる露出
計に使用する写真撮影用測光回路に関するものであって
、特にこの測光回路が外界温度の変動ならびに供給電圧
の変化による影響を受けないで常に安定且つ正確な測光
結果を与えるようにする為の補償回路に関するものであ
る。
半導体素子を用いて構成した測光回路は小型・軽量であ
り、電池を電源として動作させるに好都合であるといっ
た種々の利点を有する反面、半導体素子は必ずしも理想
的な素子ではなく、外界温度の変動の影響を受は易い上
電源電圧が変化するとその動作点が狂ってしまい正常な
機能を果たさなくなるという欠点を有している。
カメラあるいは単独露出計の使用環境を考えてみると、
夏の直射日光下の高温状況から真冬の山岳における極低
温状況まで、ひとつひとつのカメラに対して周囲温度が
特定されない上に、それは+50°C〜−30℃程度の
広い範囲に亘る。
また電池で動作させるのが普通であるから、使用に伴う
電池の消耗から電源電圧がかなり変動する。
従って、これら温度の変動ならびに電源電圧の変化に対
する測光値の変化を何らかの手段により補償しなければ
、正確な測光がなし得ないし、その結果望み通りの適正
露出を以ってする撮影が極めて困難なものとなっていた
従来、これらの電源変動あるいは温度変化を補償する方
法として、定電圧ダイオードを使用する方法、又は第2
図に示した如く、バイアス抵抗18と直列接続した温度
補償素子19をもって、フォト・ダイオード等の受光素
子1への温度変動の影響を補償する方法等が提案された
しかし定電圧ダイオードを使用する方法では、低い電圧
で充分な特性を有する定電圧ダイオードを入手すること
が困難であり、更には回路設計上の自由度が拘束される
等の新たな問題点が生ずる。
また第2図に示した方法では、組込むべき温度補償素子
の選別に多大の労力と時間が必要で、更に充分な補償を
得るにはバイアス抵抗18の抵抗値を調整しなければな
らなかった。
その他の方法も、回路構成の複雑さ、得られる効果、製
造工程の増加の問題等の点で大同小異であり、決定的な
ものとはなり得なかった。
この点に鑑み、本発明は一般的には、外界温度や電源電
圧等の変化に無関係に常に安定且つ正確な測光表示をな
す写真撮影用測光回路を提供することを目的としている
この目的を達成するため本発明では、温度変動の影響を
事実上無視できるように受光素子ならびにメータ用増幅
器のバイアス回路の温度補償をひとつの素子でなしてあ
り、また、フィルム感度値情報設定抵抗と絞り値情報設
定抵抗とを直列接続して素子数を減らすと共に、更にこ
れらの抵抗への給電回路を本質的に安定な定電流回路で
構成しである。
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第1図において符号1および2で示しであるのは、並列
接続されたフ第1・・ダイオード等の受光素子であって
、例えば一眼レフレックスカメラにおいては、ペンタプ
リズムとアイピース光学系との間で視野外の光路中に配
置されるものである。
ここでは、2個の受光素子を並列にして示したが1個で
あっても又は3個以上であってもよい。
これら受光素子1および同2からの光入力情報は、高入
力インピーダンスのFET3のゲ゛−トに導かれ、この
FET3は、FET4と共に差動増幅器を構成している
FET3および同4のソースにはそれぞれトランジスタ
5および同6のコレクタを接続してあり、前記差動増幅
器が電源電圧の変化の影響を受けないようにして安定度
が増すようにしである。
この二つのトランジスタのベースは互いに直結され、更
に、ダイオードとして作用する温度補償用トランジスタ
9のコレクタに接続される。
FET3のソースとFET4のソースとの間には、表示
用メータ7とメータ感度調整用抵抗8の直列回路を接続
してあり、該表示用メーク7は、測光値を表示する。
コレクタとベースを直結しダイオードと等価にしたトラ
ンジスタ9のコレクタには、既に述べた二つのトランジ
スタ5および同6のベースの他に受光素子1,2の一方
の端子を接続してあり、更にバイアス電流調整用抵抗1
7並びに電源スィッチ11を介して電源10を接続しで
ある。
この電源10は電源スィッチ11を介して、差動増幅器
を構成するFET3によび同4のドレインに給電する一
方、FET4のゲート回路に設けであるフィルム感度値
情報設定抵抗14と絞り値情報設定抵抗15とこれら二
つの等性を調整する為の抵抗16とからなる露出決定要
素設定回路に対し、FET12および定電流調整抵抗1
3により構成した定電流回路を介して電流を供給するよ
うにしである。
以上の如く構成した本発明実施例の測光回路により測光
を行なうには、予め抵抗14によりフィルム感度情報を
与えておき、カメラの場合には、絞り操作リングの回動
により抵抗15の値を設定して、受光素子1および同2
を被写体に向ければ、シャッタ速度がメータ7に表示さ
れる。
単独露出計の場合には、絞り操作リングではすく、例え
ば絞り値設定ダイアルの回動により抵抗15の値を設定
すればよく、その他の手順はカメラの場合と全て同じで
ある。
尚ここでは抵抗15を絞り値情報設定用として述べたけ
れども、これをシャック速度ダイアルと連動させシャッ
ク速度を設定することにすれば、逆に適正絞り値がメー
タ7に表示されることは明らかである。
如上の構成および作動態様を有する本発明の測光回路で
は、差動増幅器並びに定電流回路に高入力インピーダン
スのFETを用い、電源10と電源スィッチ11からな
る電源回路又はメータ7とメータ感度調整用抵抗8から
なるメータ回路が、受光素子1,2又は抵抗14,15
.16からなる露出決定要素設定回路に影響を与えない
よらにしである。
また、第1図において点線で囲んだAの回路部分では、
トランジスタ5および同6を使用して所謂ロング・ティ
リング(long tailing)手法により上記差
動増幅器の電源電圧の変動に対する安定陳を増しである
他、本発明においては特に、ダイオード接続したトラン
ジスタ9を設けて受光素子および差動増幅器の温度補償
を同時に行ない、しかも1個のバイアス電流調整用抵抗
17をもって調整すれば足りるようにしであるから、部
品の数を従来の方法に比して減らすことができ、従って
、調整工程も極めて簡単になり、製品の信頼性を増すこ
とができる。
その結果、本発明に係る測光回路をカメラに組込んでも
カメラが高張ることがなく、近時軽量でコンバクトナカ
メラを求める需要者の要望にも合致するものとなる。
更に図面において点線で囲んだBの回路部分では、露出
決定要素設定用の抵抗14と同15とを直列にしたこと
により、従来各々を別々に設けた並列接続の場合に少f
、K くとも2個必要であった調整抵抗16を1個にす
ることができ、この露出決定要素設定回路への電流は、
FET12と定電流調整抵抗13からなり電源電圧の変
化および温度変動に関係なく本質的に安定な定電流回路
により供給するようにしであるので、ここでも極めて少
数の素子をもって、温度変動及び電圧変化に対処できる
ものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図は従来
の温度補償方式の一例を示す回路図である。 1.2・・・・・・受光素子、3,4・・・・・・差動
増幅器を構成するFET、5.5・・・・・・トランジ
スタ、9・・・・・・温度補償用トランジスタ、12・
・・・・・定電流回路用FET、14・・・・・・フィ
ルム感度値情報設定抵抗、15・・・・・・絞り値情報
設定抵抗。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 調整用抵抗17及び順方向のダイオード等価回路9
    の直列回路を含む温度補償回路と、2つのFET3.4
    及び、そのソースにコレクタを接続し且つ共通接続のベ
    ースを当該ダイオード等価回路9のアノードに接続した
    トランジスタ5.6を含み、2つの入力が当該FET3
    ,4のゲートに印加される差動増幅器と、 一方の端子を当該差動増幅器の一方の入力に接続すると
    共に、他方の端子を当該ダイオード等価回路9のアノー
    ドに接続した受光素子1,2と、当該差動増幅器の他方
    の入力に露出決定要素に基づく電圧を供給する露出決定
    要素設定回路と、差動増幅器のFET3,4の両ソース
    間に接続した露出情報表示部材7 とからなり、当該露出決定要素設定回路が、フィルム感
    度値情報設定抵抗と、絞り値又はシャック速度のいずれ
    か一方の情報を設定する抵抗とからなる直列回路、及び
    当該直列回路に一定電流を供給する定電流回路を含み、
    当該直列回路の端子電圧を露出決定要素電圧として前記
    差動増幅器に供給することを特徴とする写真撮影用測光
    回路。
JP49131343A 1974-11-14 1974-11-14 シヤシンサツエイヨウソツコウカイロ Expired JPS5818617B2 (ja)

Priority Applications (2)

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JP49131343A JPS5818617B2 (ja) 1974-11-14 1974-11-14 シヤシンサツエイヨウソツコウカイロ
US05/627,915 US3992714A (en) 1974-11-14 1975-10-31 Photographic film exposure determining system compensated for temperature and voltage fluctuations

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JP49131343A JPS5818617B2 (ja) 1974-11-14 1974-11-14 シヤシンサツエイヨウソツコウカイロ

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JPS5156629A JPS5156629A (ja) 1976-05-18
JPS5818617B2 true JPS5818617B2 (ja) 1983-04-14

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS5156629A (ja) 1976-05-18
US3992714A (en) 1976-11-16

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