JPS58180534U - 光偏向素子 - Google Patents

光偏向素子

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Publication number
JPS58180534U
JPS58180534U JP7738182U JP7738182U JPS58180534U JP S58180534 U JPS58180534 U JP S58180534U JP 7738182 U JP7738182 U JP 7738182U JP 7738182 U JP7738182 U JP 7738182U JP S58180534 U JPS58180534 U JP S58180534U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
deflection element
light deflection
electric field
distance
electrodes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7738182U
Other languages
English (en)
Inventor
和夫 三上
小出　正信
Original Assignee
オムロン株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by オムロン株式会社 filed Critical オムロン株式会社
Priority to JP7738182U priority Critical patent/JPS58180534U/ja
Publication of JPS58180534U publication Critical patent/JPS58180534U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図はこの考案の実施例を示す斜視図、第２図は断面
図、第３図は結晶内における巾方向の電界の強さの分布
を示す図、第４図は結晶内における厚さ方向の電界の強
さの分布を示す図である。 １・・・電気光学誘電体、２・・・線状電極、Ａ・・・
入射光ビーム、Ｂ・・・出射光ビーム、Ｄ・・・左右最
外側の電極の間隔。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 厚さ方向に強さが変化する電界を発生するための複数対
    の電極が、電気光学誘電体の一表面上にストライプ状に
    設けられ、最外側の電極間の間隔が、偏向させるべき光
    ビームのビーム径よりも大きく設定されているミ光偏向
    素子。
JP7738182U 1982-05-25 1982-05-25 光偏向素子 Pending JPS58180534U (ja)

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JP7738182U JPS58180534U (ja) 1982-05-25 1982-05-25 光偏向素子

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JP7738182U JPS58180534U (ja) 1982-05-25 1982-05-25 光偏向素子

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JPS58180534U true JPS58180534U (ja) 1983-12-02

Family

ID=30086644

Family Applications (1)

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JP7738182U Pending JPS58180534U (ja) 1982-05-25 1982-05-25 光偏向素子

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