JPS58180533U - 光偏向素子 - Google Patents

光偏向素子

Info

Publication number
JPS58180533U
JPS58180533U JP7726182U JP7726182U JPS58180533U JP S58180533 U JPS58180533 U JP S58180533U JP 7726182 U JP7726182 U JP 7726182U JP 7726182 U JP7726182 U JP 7726182U JP S58180533 U JPS58180533 U JP S58180533U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
deflection element
light deflection
electrodes
abstract
resistance layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7726182U
Other languages
English (en)
Inventor
和夫 三上
小出 正信
太郎 渡辺
Original Assignee
オムロン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by オムロン株式会社 filed Critical オムロン株式会社
Priority to JP7726182U priority Critical patent/JPS58180533U/ja
Publication of JPS58180533U publication Critical patent/JPS58180533U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の実施例を示す斜視図、第2図は断面
図、第3図は温度分布を示すグラフ、第4図は変形例を
示す断面図である。 1・・・光学材料、2・・・電極、3・・・低抵抗層、
4・・・電源、5・・・高抵抗層。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 温度によって屈折率が変化する絶縁性光学材料の一表面
    上に、少なくとも1対の電極が形成され、これらの電極
    間であって上記表面下に低抵抗層が形成されている、光
    偏向素子。
JP7726182U 1982-05-26 1982-05-26 光偏向素子 Pending JPS58180533U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7726182U JPS58180533U (ja) 1982-05-26 1982-05-26 光偏向素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7726182U JPS58180533U (ja) 1982-05-26 1982-05-26 光偏向素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58180533U true JPS58180533U (ja) 1983-12-02

Family

ID=30086531

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7726182U Pending JPS58180533U (ja) 1982-05-26 1982-05-26 光偏向素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58180533U (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5770489A (en) * 1980-10-22 1982-04-30 Tokyo Shibaura Electric Co Nuclear reactor

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5770489A (en) * 1980-10-22 1982-04-30 Tokyo Shibaura Electric Co Nuclear reactor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS58180533U (ja) 光偏向素子
JPS58153009U (ja) 熱成形装置
JPS5971595U (ja) 面状発熱体
JPS62157040U (ja)
JPS5973720U (ja) 光スイツチ
JPS6120003U (ja) 薄膜抵抗器
JPS5821995U (ja) 面状発熱体
JPS60185351U (ja) チツプ型発光ダイオ−ド
JPS58180535U (ja) 光偏向素子
JPS59112493U (ja) ヒ−タ−
JPS59168733U (ja) 熱光偏向素子
JPS58172915U (ja) 光偏向素子
JPS5916092U (ja) 面発熱体
JPS6073202U (ja) 抵抗体
JPS59292U (ja) 面状発熱体
JPS58135902U (ja) 厚膜抵抗素子
JPS59112494U (ja) ヒ−タ−
JPS59107101U (ja) チツプ抵抗体
JPS58182922U (ja) 光偏向素子
JPS59175294U (ja) 面状発熱体
JPS60172306U (ja) 可変抵抗器
JPS5850865U (ja) 書き込み装置
JPS585258U (ja) 温度ヒユ−ズ抵抗器
JPS6098291U (ja) 発熱体
JPS5830305U (ja) ストリツプライン共振器