JPS58177595A - Signal transmitting circuit - Google Patents

Signal transmitting circuit

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JPS58177595A
JPS58177595A JP57059169A JP5916982A JPS58177595A JP S58177595 A JPS58177595 A JP S58177595A JP 57059169 A JP57059169 A JP 57059169A JP 5916982 A JP5916982 A JP 5916982A JP S58177595 A JPS58177595 A JP S58177595A
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JP
Japan
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transistor
gate
source
signal
circuit
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Pending
Application number
JP57059169A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Mitsuo Soneda
曾根田 光生
Toshiichi Maekawa
敏一 前川
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/18Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages
    • G11C19/182Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages in combination with semiconductor elements, e.g. bipolar transistors, diodes
    • G11C19/184Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages in combination with semiconductor elements, e.g. bipolar transistors, diodes with field-effect transistors, e.g. MOS-FET
    • G11C19/186Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages in combination with semiconductor elements, e.g. bipolar transistors, diodes with field-effect transistors, e.g. MOS-FET using only one transistor per capacitor, e.g. bucket brigade shift register

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

PURPOSE:To facilitate designing and to decrease manufacturing processes, by driving source follower and transmission gates, stage by stage, alternately in different phase, and transmitting an input signal to stages, one after another, successively. CONSTITUTION:A transistor M41 turns on synchronously with a signal phi2 to store a pulse 22 at the gate 3 of a transistor (TR) M51. When the voltage V3 (figure F) of this gate 3 reaches VH, the TRM51 turns on and operates in the same way with a TRM21 to obtain a pulse 13 at the source 4 of the TRM51 (figure G). Similarly, pulses 23, 24- of signals phi1 and phi2 appear at the sources 6, 8- of TRs M22, M52- (figures I, K-). Therefore, an input signal phiIN is transmitted successively in this circuit to obtain the pulses at the sources of the TRs M21, M51, M22, M52- successively. Then, those pulses drive, for example, horizontal lines successively.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はCCD撮像素子、液晶ディスプレイ、メモリ装
置等を駆動するためのシフトレジスタに使用して好適な
信号伝送回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a signal transmission circuit suitable for use in a shift register for driving a CCD image sensor, a liquid crystal display, a memory device, etc.

例えばCCD撮像素子の水平走査層を1ラインづつ順次
電動するためのシフトレジスタとして、従来第1図に示
すような回路が用られていた。
For example, a circuit as shown in FIG. 1 has conventionally been used as a shift register for sequentially driving the horizontal scanning layer of a CCD image sensor line by line.

図において、入力端子(1)がエンハンスメントmのM
OS )ランジスタTIのゲートに接続され、このトラ
ンジスタTIのソースが接地ライン(2)にW!硫され
、ドレインがディプレジョン渥のMO8トランジスタT
2のソースとゲートに接続され、このトランジスタT2
のドレインが電源ライン(3)K接続される。
In the figure, the input terminal (1) is M for enhancement m.
OS) is connected to the gate of transistor TI, and the source of this transistor TI is connected to the ground line (2) W! MO8 transistor T whose drain is depletion
This transistor T2 is connected to the source and gate of T2.
The drain of is connected to the power supply line (3)K.

このトランジスタTI、T!のドレインソースの接続点
カトランスミツシ盲ンゲートを構成すルエンハンスメン
ト渥のM08トツンジスメT31のソースドレインを通
じてトランジスタTI、T!と同様KII絖されたトラ
ンジスタT41.TSI K接続され、このトランジス
タT41.T51の接続点がトランスミッションゲート
を構成する工ンノ・ンスメント型のMO8トランジスメ
Tssのノースドレインを通じてトランジスタT1.T
11と同様に接続されたトランジスタTyr、TsIK
接続される。
This transistor TI, T! Transistor TI, T! The transistor T41., which is also KII-wired. TSI K is connected to this transistor T41. The connection point of T51 is connected to the transistor T1. T
Transistors Tyr and TsIK connected in the same way as 11
Connected.

このトランジスタTs1〜TIIF)fi路が順次繰り
返し接続される。なお図中符漫のすフィックスの上位を
共通、下位を順次変更して示す。
The transistors Ts1 to TIIF)fi are sequentially and repeatedly connected. In addition, the upper fixes in the figures are shown in common, and the lower ones are changed sequentially.

さらに亙いに位相の異なるり胃ツク信号φ1.φ工の供
給されるり胃りタ端子(4)、(5)がそれぞれトラン
ジスタTll、Tll・・・・・及びトランジスタTs
t、Ta2・・・・・のゲートに接続される。
Furthermore, if the phase is further different, the gastric upset signal φ1. The terminals (4) and (5) supplied with the φ work are the transistors Tll, Tll... and the transistor Ts, respectively.
It is connected to the gates of t, Ta2, and so on.

この回路K>いて、り諺ツタ端子(4) 、 (5) 
Kは第2図A、BK示すようなりロック信号φ1.φ2
が供給される。之れに対して入力端子(1)Kは例えば
第2図CK示すような信号φINが供給される。
This circuit K> has the proverbial ivy terminals (4), (5)
K is the lock signal φ1.K as shown in FIGS. 2A and 2B. φ2
is supplied. On the other hand, the input terminal (1) K is supplied with a signal φIN as shown in FIG. 2 CK, for example.

これ忙よってまずトランジスタTs、Tzの接続点■に
は第2図DK示すような反転電圧Vlが現れる。
As a result of this, an inverted voltage Vl as shown in FIG. 2 DK appears first at the connection point (2) between the transistors Ts and Tz.

ココテVtp−p = VDD (MDDハIHII 
5 イy(3)ノミ圧)である。
KokoteVtp-p = VDD (MDDHaIHII
5 y (3) chisel pressure).

次にVlが信号φlでサンプリングされ、トランジスタ
’l”41のゲート■にホールドされ、第2図Eに示す
ような電圧v2が現れる。これKよってトランジスタT
41.T51の接続点■には飢2図FK示すような反転
電圧v3が現れる。この電圧Vs Kて例えば第1の水
平走査層が駆動される。
Next, Vl is sampled by the signal φl and held at the gate of the transistor 'l' 41, and a voltage v2 as shown in FIG. 2E appears.
41. At the connection point (2) of T51, an inverted voltage v3 as shown in Figure 2 FK appears. For example, the first horizontal scanning layer is driven by this voltage VsK.

さらに■3が信号φ2でサンプリングされ、トランジス
タ1゛71のゲート■にホールドされ、第2図GK示す
ような電圧v4が現れる。これKよってトランジスタT
71.T81の接続点■、トランジスタT420ゲート
■、トランジスタT42.T5Zの接続点■にはそれぞ
れgza)i、I 、Jに示すような電圧V5.V6.
V7が現われ、この電圧v7にて第2の水平走fdが駆
動される。以下上述の動作が順次行われる。
Furthermore, the signal 3 is sampled by the signal φ2 and held at the gate 2 of the transistor 171, and a voltage v4 as shown in FIG. 2 GK appears. This K means that the transistor T
71. Connection point of T81 ■, transistor T420 gate ■, transistor T42. At the connection point (3) of T5Z, voltages V5. V6.
V7 appears, and the second horizontal scanning fd is driven by this voltage v7. The above-described operations are then performed sequentially.

ここで、トランスミッションゲートを構成するトランジ
スタTss、Tst・・・・・のしきい値なりthとし
て ■(φt 、1lz)p−p ≧VDD + vthの
条件が満されれば、トランスミッションゲートを通して
信号が伝送される。
Here, if the condition of ■(φt, 1lz)pp ≧VDD + vth is satisfied as the threshold value th of the transistors Tss, Tst, etc. that constitute the transmission gate, then the signal is transmitted through the transmission gate. transmitted.

こりよ5Kして入力信号−1Nが順次伝送され、各水平
j1!査縁が順次駆動される。
After 5K, the input signal -1N is transmitted sequentially, and each horizontal j1! The margins are driven sequentially.

ところが仁の回路において、信号を伝送し次の信号を得
るまでの1段の構成にトランジスタを6素子必要とする
。このため回路規模が大きくなり、特KIC化した場合
にチップ面積が大ぎくなって、ICf):2ストが上が
るなどの問題があった。すなわち上述の回路においてト
ランジスタT41.T51及びT71.Ti1l Kて
それぞれ信号が反転されており、同相の信号を得るため
に2倍の素子が必l!になっている。
However, Jin's circuit requires six transistors in one stage from transmitting a signal to obtaining the next signal. For this reason, the circuit scale becomes large, and when a special KIC is used, the chip area becomes too large, leading to problems such as an increase in ICf):2 stroke. That is, in the circuit described above, transistor T41. T51 and T71. Each signal is inverted, so twice as many elements are required to obtain the same phase signal! It has become.

また上述の回路において、出力側に容量性の負荷を接続
した場合に、第2図F、JK示す出力信号の波形が破着
で示すよ5に鈍ってしまう・この場合に隣接の出力信号
の間でオーパーツツブが発生し、例えば撮像素子に用い
た場合には解儂度が劣化したり、混色によって画倫が劣
化してしまう。
In addition, in the above circuit, when a capacitive load is connected to the output side, the waveforms of the output signals shown in Fig. 2 F and JK become dull to 5 as shown by the breakage. When used in an image sensor, for example, the degree of decomposition deteriorates, and the quality of the image deteriorates due to color mixing.

さらに上述の回路の場合、トランジスタTt。Furthermore, in the case of the circuit described above, the transistor Tt.

T51.T81・・・・・は常にオン状IEIKあり、
このためトランジスタTl、T41.Tフ1・・・・・
がオンになった状態で貫通電流が流れ、極めて大きな電
力が消費されてしまう。
T51. T81... always has IEIK on,
For this reason, transistors Tl, T41. Tf1...
When the switch is turned on, a through current flows, consuming an extremely large amount of power.

また各トランジスタが包和領域で駆動されているので、
%に回路を高這で駆動する場合に大きな消費電力を必要
とする。
Also, since each transistor is driven in the encompassing region,
%, a large amount of power is required to drive the circuit at high speed.

また出力信号のローレベルがトランジスタT41及びT
s+・・・・・の分圧によって定まるので、これらの素
子のばらつきKよってローレベルが変動し、設計が困l
IKなる。
Also, the low level of the output signal is the transistor T41 and T
Since it is determined by the partial voltage of s+..., the low level will fluctuate due to the variation K of these elements, making it difficult to design.
IK becomes.

サラにエンハンスメント型とディブレジョン塩の異なる
素子を用いるので、例えばIC化した場合に製造のプロ
セスが多く必要となってしまう。
Since different elements are used for the enhancement type and derejection salt, for example, when integrated circuits are used, many manufacturing processes are required.

本発明はこのような点Kかんがみ、簡単な構成で上述の
従来の欠点を一掃できるようにしたものである。ll下
に図面を参照しながら本発明の−実施例について説明し
よう。
In view of the above point K, the present invention is designed to eliminate the above-mentioned conventional drawbacks with a simple configuration. ll Below, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

第5IIIにおいて、入力端子(1)がトランス建ツシ
ョンゲートを構成するエンハンスメント瀝のMO8O8
トランジスMlを通じてエンハンスメント麿のMo1)
ツンジスタM2tのゲートに接続される。このトランジ
スタMllのゲートソース間にプートストラップ用のコ
ンダンtcs1が接続される。またで トランジスタMl1のドレインがトランス建ツションゲ
ートを構成するエンハンスメント麿のMO&トランジス
タM41のゲート′KII統される。さらにトランジス
pMs1のソースがトランジスタM41のドレインソー
ス間を通じてエンハンスメン)WのM08トランジスタ
Mttのゲートに接続される。このトランジスタMal
のゲートノース閾にプートストラップ用のコンダンtC
*Sが接続される。またトランジスタMlllのドレイ
ンがトランス建ツションゲートな構成するエンハンスメ
ント置のMoa )ツンジスメMγ里のゲートに接続さ
れる1、さらにトランジスタMslのソースがトランジ
スタM71のドレインソース間・を通じて次段の回路に
接続される。
In the fifth III, the input terminal (1) constitutes a transformer construction gate MO8O8
Mo1 of enhancement through Transis Ml)
Connected to the gate of Tunsistor M2t. A bootstrap capacitor tcs1 is connected between the gate and source of this transistor Mll. Also, the drain of the transistor M11 is connected to the MO of the enhancement module forming the transformer construction gate and the gate 'KII of the transistor M41. Further, the source of the transistor pMs1 is connected to the gate of the M08 transistor Mtt of the enhancer W through the drain and source of the transistor M41. This transistor Mal
Condant tC for Pootstrap on the gate north threshold of
*S is connected. In addition, the drain of the transistor Mll is connected to the gate of the enhancement device Moa) which is configured as a transformer construction gate, and the source of the transistor Msl is connected to the next stage circuit through the drain and source of the transistor M71. be done.

このトランジスタM2 l、M4 ] 、Ma 1.M
71及びコンデンサC31,C610回路が順次繰り返
し接続される。
This transistor M2 l, M4 ], Ma 1. M
71 and capacitors C31 and C610 circuits are repeatedly connected in sequence.

さらにクロック端子(4)がトランジスタM1のゲート
及びトランジスタMsx、Msx・・・・・のドレイン
に接続され、クロック端子(5)がトランジスタM21
.M21・・・・・のドレインに接続される。
Furthermore, the clock terminal (4) is connected to the gate of the transistor M1 and the drains of the transistors Msx, Msx, etc., and the clock terminal (5) is connected to the gate of the transistor M1 and the drain of the transistor M21.
.. Connected to the drain of M21...

この回路におい【、クロック層子(4) 、 (5)、
入力端子(1)にはそれぞれ第4図A、B、Cに示すよ
うな信号φ1.φ2.φINが供給される。ここで信号
φl。
In this circuit, the clock layers (4), (5),
The input terminals (1) each receive a signal φ1. as shown in FIG. 4A, B, and C. φ2. φIN is supplied. Here, the signal φl.

φ2のハイレペルヲvH、ローレベルヲVLトシ、信号
φINのハイレベル vi、ローレベルt VL トす
る。また信号φ1.φ2のパルスを図示のよう忙(11
)。
The high level of signal φ2 is set to vH, the low level is set to VL, and the signal φIN is set to high level vi and low level tVL. Also, the signal φ1. The pulse of φ2 is set as shown in the figure (11
).

〔12〕・・・・・、[211(22]・・・・・とす
る。またMO8トランジスタのルきい値を全てvthと
する。
[12]..., [211(22]...).Also, all the threshold values of the MO8 transistors are set to vth.

これによってまず VH≦VH−vth        # H+ + H
+ ’ (11であれば、信号φ1Nは信号φ1のパル
ス[:12]KテトランジスタMtを伝送され、トラン
ジスタMl10ゲート■(・こは第4図り忙示すような
電圧Vlが現れる。
As a result, first VH≦VH−vth # H+ + H
+ ' (If 11, the signal φ1N is transmitted through the transistor Mt of the pulse [:12] of the signal φ1, and a voltage Vl as shown in the fourth diagram appears at the gate of the transistor Ml10.

次にトランジスタM21のソース■の電圧VS (@4
図B)は、初め Vl −Vl wx VH−VL > vth  * 
m e @ @ @ @ (2)であゐから、トランジ
スタM!1はオンしV冨=VL          (
・・・・・・・(3)となる、そして信号φ8のパルス
〔22〕が来ると電圧v1はコンデンサC31を通じて
持ち上げられ、但し、cBはブー゛トヌトラップ容量 cBはトランジスタM21のゲートの ストレー容量 となり、このとき vt −vth≧vH・・・・・・・(5)ならば Vl xx VH・・山・・(6) トナリ、トランジスタMllのソース■にパルス[22
]が抜き出される。
Next, the voltage VS (@4
In Figure B), initially Vl - Vl wx VH - VL > vth *
m e @ @ @ @ From (2), the transistor M! 1 is on and Vt = VL (
......(3) Then, when the pulse [22] of the signal φ8 comes, the voltage v1 is raised through the capacitor C31, where cB is the boot trap capacitance and cB is the stray capacitance of the gate of the transistor M21. At this time, if vt -vth≧vH...(5), then Vl xx VH...Mountain...(6) Tonari, a pulse [22
] is extracted.

さら忙僧勺φ!に同期してトランジスタM41が一オン
となり、パルス(22)がトランジスタMs1のゲート
■にも蓄積される。そしてこのゲート■の電圧Vs (
第4図F)が V3= VH・・・・・・・(7) kなることによってトランジスタMslがオンし、トラ
ンジスタM21と同様の動作でトランジスタMs1のソ
ース■にパルス〔13〕が抜き出される漠4図q)。
Sara busy priest φ! In synchronization with this, the transistor M41 is turned on, and the pulse (22) is also accumulated at the gate (2) of the transistor Ms1. And this gate ■ voltage Vs (
When F) in Fig. 4 becomes V3 = VH (7) k, the transistor Msl is turned on, and a pulse [13] is extracted to the source ■ of the transistor Ms1 in the same manner as the transistor M21. 4 q).

以下同様にしてトランジスタM22 、Ms 2・・・
・・のソース■、■・・・・・に信号φ1.φ2の各パ
ルス(23)。
Similarly, the transistors M22, Ms2...
The signal φ1. is applied to the sources ■, ■... Each pulse (23) of φ2.

〔14〕・・・・・が抜き出される(第4図I、K・・
・・・)。
[14]... are extracted (Fig. 4 I, K...
...).

従ってこの回路において、久方信号≠1、が順次伝送さ
れ、トランジスタM21 、Ms3Mzz、M5z・・
・・・のソースに9次パルスが取り出される。そしてこ
のパルスにて例えば水平走査線を順次駆動することがで
きる。
Therefore, in this circuit, the long signal≠1 is transmitted sequentially, and the transistors M21, Ms3Mzz, M5z...
The 9th order pulse is taken out to the source of... With this pulse, for example, horizontal scanning lines can be sequentially driven.

さらに第4図において、電圧Vl 、V3 、V5・・
・・・の電圧の上昇vAは、コンデンサC31,C61
・・・・・のプートストラップ効果によるものであり、
である、また電圧Vz、V<・・・・・の電圧の降下v
Bは電圧Vl、V3・・・・・の低下忙よるものであり
、但し、CLは負荷の容量 である、また電圧V2.V3・・・・・の電圧の上昇V
Cは信号φ2のd’<IIIスによってトテンジス−M
ss、Mix・・・・・がオンしたことによる電圧Vs
、Vs−・・・・の電荷の配分によ′るも9のであり、 である、また電圧Vlの電圧の上昇VDはこの電圧VC
Kよるものであり、 である。さらに電圧Vg、Vs・・・・・の残留電圧V
EはVp −)−VL −+ VLになったことによる
ものであり、である。
Furthermore, in FIG. 4, voltages Vl, V3, V5...
The increase in voltage vA of ... is the capacitor C31, C61
This is due to the Pootstrap effect of...
, and the voltage drop v of voltage Vz, V<...
B is due to the decrease in voltages Vl, V3, etc., where CL is the capacity of the load, and voltage V2. V3...Increase in voltage V
C is determined by d'<III of signal φ2.
Voltage Vs due to turning on ss, Mix...
, Vs-... due to the distribution of charges, is 9, and the increase in voltage VD of voltage Vl is due to this voltage VC
It is due to K. Furthermore, the residual voltage V of the voltages Vg, Vs...
E is due to the fact that Vp −) −VL −+ VL.

ここで負荷としてCCD撮倫素子あるいは液晶ディスプ
レイ等の容量性の負荷を用いた場合にはCL > C8
ツC4・・・・・・・α謙であり、上述のvB、v(、
、vp、vEは全て略零となり、通常の使用において問
題は生じない。
If a capacitive load such as a CCD sensor or a liquid crystal display is used as the load, CL > C8.
TS C4・・・・・・αken, and the above vB, v(,
, vp, and vE are all approximately zero, and no problem occurs in normal use.

またコンデンサC31,C61・・・・・の容量値cB
は。
Also, the capacitance value cB of capacitors C31, C61...
teeth.

上述の(41、(5)式から であり、またトランスファーゲートとなるトランジスタ
〜If 、M< 1 、M7 t・・・・・の耐圧をB
Vとしたときであり、これらの2式から求めて ・・・・・・・C161 の関に選べばよい。
From the above equations (41, (5)), and the breakdown voltage of the transistor ~ If, M < 1, M7 t, which becomes the transfer gate, is B
V, it can be found from these two equations and selected in relation to C161.

こうして入力信号φ工、の伝送が拘われるわけであるが
、本発明によれば上述した従来の欠点を一掃することが
できた。
In this way, the transmission of the input signal .phi.

すなわち、上述の回路において、信号を伝送し次の信号
を得るまでのll11の構成が例えばトランジスタMz
x、Mat 、コンデンサCslの3素子のみである。
That is, in the above circuit, the configuration of ll11 from transmitting a signal to obtaining the next signal is, for example, a transistor Mz.
There are only three elements: x, Mat, and capacitor Csl.

従って回路規模が小さく、IC化した場合のチップ面積
も小さくなる。
Therefore, the circuit scale is small, and the chip area when integrated into an IC is also reduced.

また出力信号がクロツタ信号φ1.−意のパルスを抽出
する形で形成されるの゛で、上述のようにり四ツク信号
−1,φ2のパルスを短くすることにより容易に出力信
号のオーバーラツプを無くす仁とができる。
In addition, the output signal is the clock signal φ1. - is formed by extracting the desired pulses, and by shortening the pulses of the four-way signals -1 and φ2 as described above, it is possible to easily eliminate overlap in the output signals.

さらに従来の回路のよ5に貫通電流が流れることがない
ので、消費電力が極めて小さくなる。
Furthermore, since no through current flows as in conventional circuits, power consumption is extremely low.

また各トランジスタが[11領域で駆動されているので
、容jK高速躯動を行うことができ、それによって消費
電力が大きくなることもない。
Furthermore, since each transistor is driven in the [11 region], high-speed rotation can be performed, and power consumption does not increase accordingly.

さらにタaツク信号φ1.φ冨のそれぞれによって出力
信号が得られるので、り諺ツタ信号の周l1tWk−輪 を従来の1にすることができ、これによっても消費電力
が小さくなる。
In addition, a task signal φ1. Since an output signal is obtained by each of the φ values, the circumference of the proverbial signal can be reduced to 1 as in the conventional case, which also reduces power consumption.

また出力信号の四−レベルはクロック信号φ1゜φ2及
び入力信号−IN4F)四−レベルVLと一致されるの
で、設計が極めて容J&になる。
Also, the four-level output signal is matched with the four-level VL of the clock signal φ1°φ2 and the input signal -IN4F), making the design extremely easy.

さらk例えばエン−・ンスメント型の素子のみで回路を
形成できるので、IC化した場合にプ胃セスが少くてす
み、容易かつ安価に回路を形成できる。
Furthermore, since the circuit can be formed only with, for example, an enforcement type element, when it is integrated into an IC, the circuit can be easily and inexpensively formed.

ところで上述の回路(おいて、MOS )ランジスタは
次のように構成される。第5図において、P形のサブス
トレート(11)の上に、Nのソース領壊輪及びドレイ
ン領域(L3が形成される。そしてソース領域θ3とド
レイン領域α湯の間の素子の表面に5in2層atが設
けられ、その上にゲート電極α9が被着形成される。
By the way, the above-mentioned circuit (here, MOS) transistor is constructed as follows. In FIG. 5, an N source region breakdown ring and a drain region (L3) are formed on a P-type substrate (11). A 5in2 A layer at is provided, on which a gate electrode α9 is deposited.

従ってこのようなMOS)ランジスタにおいて、グー)
[極09とソース領域α2とが対向する部分α槌におい
てコンデンサが形成され、容量を持つ。またゲート電位
が高くなるとソース領域tJ21とドレイIA ン領械鰭との間にチャンネル鰭が形成され、このときゲ
ート電極a$とチャンネ#鰭との間においてもコンダン
すが形成される。
Therefore, in such a MOS) transistor,
[A capacitor is formed in the portion α where the pole 09 and the source region α2 face each other, and has a capacitance. Further, when the gate potential becomes high, a channel fin is formed between the source region tJ21 and the drain region fin, and at this time, a conductance is also formed between the gate electrode a$ and the channel #fin.

そこで上述の回路におい【、コンダンすCat。Therefore, in the circuit described above, [conductor Cat] is used.

C@1−・・・としてMO8トランジスタMat、Ms
l・やO・・のゲートとソースあるいはチャンネルとの
間の容量を用いることができる。その場合の回路梼或は
第6Eのようkなる。
MO8 transistor Mat, Ms as C@1-...
A capacitance between the gate and source or channel of l. or O.. can be used. In that case, the circuit diagram is as shown in No. 6E.

セしてさらKNO2)ランジスタだけでは容量が足りな
い場合に、llN3図のよ5にコンデンサを設けてもよ
い、なおその場合のコンデンサは、第7図に示すようK
NO2)ツンジスタMSl、M@l・・・・・のゲート
とソースドレインとの閣の容量を用いてもよい、またこ
の場合のM0808トランジスタl。
KNO2) If the capacity is insufficient for the transistor alone, a capacitor may be provided at 5 as shown in Figure 7.
NO2) The capacitance between the gate and source drain of the Tunsistor MSl, M@l, etc. may be used, and in this case, the M0808 transistor l.

Mar−・@― はエンハンスメント渥でもディブレジ
ョン型でもよい。
Mar-@- may be an enhancement type or a diversion type.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の回路のII絖図、第2図はその説明のた
めの波形図、第3図は本発明の一例の接続図、1114
図はその説明のための波形図、菖5図はMOS )ラン
ジスタの構成図、第6図、第7図は本発明の他の例の接
続図である。 (1)は入力端子、(4) 、 (5)はり;ツク端子
シMl、M!1゜M41 、M51 、M71・・・φ
−はM08トランジスタ、C31,Cl51・・・・・
はコンデンサである。 同      松  隈  秀  J!4、沫−【 第1図 第3図 第2図 、 、、       、/ 第4図 1j″ 第5図 1 第6図 第7図
1 is a diagram of a conventional circuit, FIG. 2 is a waveform diagram for explaining the same, and FIG. 3 is a connection diagram of an example of the present invention.
Figure 5 is a waveform diagram for explaining the same, Figure 5 is a configuration diagram of a MOS transistor, and Figures 6 and 7 are connection diagrams of other examples of the present invention. (1) is the input terminal, (4) and (5) are the terminals Ml, M! 1゜M41, M51, M71...φ
- is M08 transistor, C31, Cl51...
is a capacitor. Same Hide Matsukuma J! 4. Drop - [Figure 1 Figure 3 Figure 2 ,, , / Figure 4 1j'' Figure 5 1 Figure 6 Figure 7

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、入力信号がソースホ四アに供給され、このソースホ
pアのゲートソース関にプートストラップ用の容量成分
が持たせられると共に、上記ソースホ■アからの信号が
トランス建ツシ冨ンゲートを通じて次段に供給されるよ
うにし、上記:/ −fi 4 闘ア及びトランスミッ
ションゲートからなる回路が順次接続さ′れると共に、
上記ソースホ謬ア及びトランス建ツシ薗ンゲートが各段
ごと虻交互に異なる位相で駆動されることkより、上記
入力信号が各段ごとに順次伝送されるようにした信号伝
送回路。 2 上記特許請求の範囲第1項において、上記プートス
トラップ用の容量成分として上記ソースホ譚アを構成す
る素子のチャンネル及びソースとゲートとの間の容量成
分を用いるよ5Kした信号伝送回路。 3、上記特許請求の範S縞1項#Cをいて、上記プート
ストラップ用の容量成分を、上記ソースホロアを構成す
る素子のチャンネル及びソースとゲートとの間の容量成
分と上記素子のゲートソース間に挿入される付加的な容
量とで構成するようにした信号伝送回路。
[Claims] 1. An input signal is supplied to a source hopper, and a capacitance component for bootstrapping is provided between the gate and source of the source hopper, and a signal from the source holder is supplied to a transformer building. The circuit consisting of the above-mentioned / -fi 4 fighter and transmission gate is connected in sequence so that it is supplied to the next stage through the transmission gate, and
A signal transmission circuit in which the input signal is sequentially transmitted from each stage by driving the source driver and the transformer gate at different phases alternately for each stage. 2. A 5K signal transmission circuit according to claim 1, in which a capacitance component between a channel and a source and a gate of an element constituting the source carrier is used as a capacitance component for the bootstrap. 3. The above-mentioned claim S stripe 1 #C is used to define the capacitance component for the Pootstrap as the capacitance component between the channel and source of the element constituting the source follower and the capacitance component between the gate and source of the element. A signal transmission circuit consisting of an additional capacitor inserted into the circuit.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS61154280A (en) * 1984-12-26 1986-07-12 Canon Inc Photoelectric converter

Cited By (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JPH0523547B2 (en) * 1984-12-26 1993-04-05 Canon Kk

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