JPS58168281A - ホウ素を含有したシリコン薄膜 - Google Patents
ホウ素を含有したシリコン薄膜Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、特性のよい、ホウ素を含有したシリコン薄
膜に関するものである。
膜に関するものである。
７七ルフアスシリコン太陽電池で３〜４チ以上の変換効
率のものを製造するためＫは、従来は、１パッチ１時間
前後の時間を必要としていた。これは従来の７そル７ア
スシリーンの成膜法では成膜速度を上げると、膜の光電
特性の悪いものしか得られなかったからである。アモル
ファスシリコン太陽電池の低価格化には、さらに製造時
間を短縮化する必要がある。高速成膜の原料として高次
シラン（８１ｍ Ｈ＊＊−４−ｘ （ｎ≧２））が有望
であることがＢ、 Ａ、 ８ｃｏｔｔ （Ｂ、 Ａ、
５ａｏｔｔ 、他＠ ’Ｇｌｏｖｄｉａｃｈａｒｇ４ｐ
ｒ＠ｐａｒａｔｉｏｎ ＠ｆ ａｍｏｒｐｈｏｗ
ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ ｓｉｌｌｃｏｎｆｒｏｍ
ｈｉｇｈｅｒ ５１１ｍｍ５ ” ＊ ムｐｐ１
．Ｐｂｙｍ、 Ｌ＊ｔｔ、 ：ｌ ７．８、 Ｉ Ｌ
Ｏａｔ、 １ Ｇ虐０．Ｐ、？２Ｓ）らによって発表
されている。しかし、高効率の太陽電池ないしは電気Ｉ
ｆ＃性の優れたデバイスのためのシリ冨ン膜の製造条件
については明らかにされていない。
率のものを製造するためＫは、従来は、１パッチ１時間
前後の時間を必要としていた。これは従来の７そル７ア
スシリーンの成膜法では成膜速度を上げると、膜の光電
特性の悪いものしか得られなかったからである。アモル
ファスシリコン太陽電池の低価格化には、さらに製造時
間を短縮化する必要がある。高速成膜の原料として高次
シラン（８１ｍ Ｈ＊＊−４−ｘ （ｎ≧２））が有望
であることがＢ、 Ａ、 ８ｃｏｔｔ （Ｂ、 Ａ、
５ａｏｔｔ 、他＠ ’Ｇｌｏｖｄｉａｃｈａｒｇ４ｐ
ｒ＠ｐａｒａｔｉｏｎ ＠ｆ ａｍｏｒｐｈｏｗ
ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ ｓｉｌｌｃｏｎｆｒｏｍ
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．Ｐｂｙｍ、 Ｌ＊ｔｔ、 ：ｌ ７．８、 Ｉ Ｌ
Ｏａｔ、 １ Ｇ虐０．Ｐ、？２Ｓ）らによって発表
されている。しかし、高効率の太陽電池ないしは電気Ｉ
ｆ＃性の優れたデバイスのためのシリ冨ン膜の製造条件
については明らかにされていない。
この発明は、上述の点にかんがみなされたもので、ジシ
ラン（８１１１１ｇ ）等高次シランを用いて特性のよ
いデバイスを褥る成膜条件を提供することを目的とする
ものである。以下、この発明につい流〜交流電圧が放電
電源３から印加される。さらに、パイレックス、ガラス
、シリフンウニ７７−。
ラン（８１１１１ｇ ）等高次シランを用いて特性のよ
いデバイスを褥る成膜条件を提供することを目的とする
ものである。以下、この発明につい流〜交流電圧が放電
電源３から印加される。さらに、パイレックス、ガラス
、シリフンウニ７７−。
ステンレス板等が載せられ（下向き等の鳩舎には止め金
＾等でｉｉ＋＊され）加熱される基板加熱手段４を有し
、′放電電ｌｌ１２の近傍に形成された放電領域Ｓに原
料ガスが供給される原料供給手段６とチャンバー１内を
排気する排気手段ＴがチャンバーＩＫ＊統されている。
＾等でｉｉ＋＊され）加熱される基板加熱手段４を有し
、′放電電ｌｌ１２の近傍に形成された放電領域Ｓに原
料ガスが供給される原料供給手段６とチャンバー１内を
排気する排気手段ＴがチャンバーＩＫ＊統されている。
この他、必ｌ！に応じて放電電極２と基板加熱手Ｒ４の
間にアミ状またはパンチング板のシールド電極、減圧チ
ャンバー側ＷＫ真空ゲージ、観察窓、放電用フィラメン
ト等が設けられている。このような装置の内にジシラン
等高次シランを導入して、放電を開始し、放電電力を上
昇して行くとき、膜の成長速度は漸増し、脣定の電力（
特性放電電力と呼ぶ）からさらに放電電力を増すと成長
速度ははｘ一定となることを見出した。
間にアミ状またはパンチング板のシールド電極、減圧チ
ャンバー側ＷＫ真空ゲージ、観察窓、放電用フィラメン
ト等が設けられている。このような装置の内にジシラン
等高次シランを導入して、放電を開始し、放電電力を上
昇して行くとき、膜の成長速度は漸増し、脣定の電力（
特性放電電力と呼ぶ）からさらに放電電力を増すと成長
速度ははｘ一定となることを見出した。
ｊｌＥ２図は１００チジシランを原料ガスとして用いた
アモルファスシリフン膜の成長速度のデータの一例を示
すものである。第２ｗＡで横軸は放電電力／流量（ｗ／
（ｃｏ／ｗｉｎ） ）、縦軸は成長速度／流量（Ｘ／
ｃｅ ）であり、０１口、◇印はそれぞれ流量が３６．
３２ｍ ８０ ｃｃ／ｍ１ｍのときを示す。
アモルファスシリフン膜の成長速度のデータの一例を示
すものである。第２ｗＡで横軸は放電電力／流量（ｗ／
（ｃｏ／ｗｉｎ） ）、縦軸は成長速度／流量（Ｘ／
ｃｅ ）であり、０１口、◇印はそれぞれ流量が３６．
３２ｍ ８０ ｃｃ／ｍ１ｍのときを示す。
籐２図はガス流量をパラメータとしているが、特性放電
電力と思われる電力以上では一定ガス流量に対して、そ
のガス流量で決まるｆｉｒ一定の成長速度を示している
ｅ ｌ ｚ Ｉｔ ｉｃおいて、各種条件のデータが＃
ｔＸ−電の一線の近傍に集中している。
電力と思われる電力以上では一定ガス流量に対して、そ
のガス流量で決まるｆｉｒ一定の成長速度を示している
ｅ ｌ ｚ Ｉｔ ｉｃおいて、各種条件のデータが＃
ｔＸ−電の一線の近傍に集中している。
このときは、ＩＩ＃性款電電力は特性放電電力を与える
流量ＫＰＩＸ比例することを示し、これを０．１８Ｗ／
（ｅｅ／ｍ１ｍ）とすることが妥当である。この成長速
度の増加に対して得られたシリコン膜の光導霞度がどの
ように変化するかを第３図から見てみる。
流量ＫＰＩＸ比例することを示し、これを０．１８Ｗ／
（ｅｅ／ｍ１ｍ）とすることが妥当である。この成長速
度の増加に対して得られたシリコン膜の光導霞度がどの
ように変化するかを第３図から見てみる。
第３図では、横軸は第２＠と同じであり、縦軸は光導霞
度（０／＠ｍ）をとっである、この図から分るよ５に、
放電電力を増加して膜の成長速度が増加したための著し
い光導霞度の低下は見られないばかりか増加の領内さえ
見られる。そして、得られた膜は主として８１Ｈ（七ノ
ハイドツイド）の形で水嵩を會む７４ルフ７スシリフン
膜であることが赤外吸収等の手段で確められた。
度（０／＠ｍ）をとっである、この図から分るよ５に、
放電電力を増加して膜の成長速度が増加したための著し
い光導霞度の低下は見られないばかりか増加の領内さえ
見られる。そして、得られた膜は主として８１Ｈ（七ノ
ハイドツイド）の形で水嵩を會む７４ルフ７スシリフン
膜であることが赤外吸収等の手段で確められた。
従来、モノシランガスのグー−放電分解またはシリフン
の叉応性スパッタによるアモルファスシリフン膜の成長
では、放電電力の増加はこの光導霞度を低下させるので
、棗質真の生成によくないといりことか定説であった。
の叉応性スパッタによるアモルファスシリフン膜の成長
では、放電電力の増加はこの光導霞度を低下させるので
、棗質真の生成によくないといりことか定説であった。
しかし、高次シランの分解においては、この定説は有効
でないことが分った。上記の実施例では、同一流量のモ
ノシランからの７そル７アスシリフン朧の成長速度の約
５倍の成長速度が光導霞度の低下を伴わすに得られてい
る。これは太陽電池等の光電変換素子または電界効果ト
ランジスタのような電界効果素子が、光電特性または電
気特性を犠牲にすることなく、従来より５倍の速さで製
造可能であることを示している。
でないことが分った。上記の実施例では、同一流量のモ
ノシランからの７そル７アスシリフン朧の成長速度の約
５倍の成長速度が光導霞度の低下を伴わすに得られてい
る。これは太陽電池等の光電変換素子または電界効果ト
ランジスタのような電界効果素子が、光電特性または電
気特性を犠牲にすることなく、従来より５倍の速さで製
造可能であることを示している。
この発明の成長条件を用いた不純物のドーピング特性を
調べた結果を第４図に示す。用いた放電電力は、第２図
に示される特性放電電力の約３倍寸ある。ｎ形不純物と
して燐を用い、不義物源としてＰ Ｈｓを用いた。ｐ形
不純物として硼素を用い、不純物源はＢＡＨ＠である。
調べた結果を第４図に示す。用いた放電電力は、第２図
に示される特性放電電力の約３倍寸ある。ｎ形不純物と
して燐を用い、不義物源としてＰ Ｈｓを用いた。ｐ形
不純物として硼素を用い、不純物源はＢＡＨ＠である。
ジシラン流量は約２０、Ｏｃｃ／ｍｉｍ 、放電電力約
１０Ｗ、基板温度３００℃であり、曲線σ櫨は光照射し
ないときの生成膜の導電度で、ドーピング特性の指標と
なり、−纏Δσ？ｈはドーピングによる光電特性の変化
の指標となる。ここで得られたドーピング効率は、モノ
シランの場合の典鳳何より暴くなく 、 Ｉ Ｏ−４〜
］ ０−’の領置でＢ廊Ｈ・をドーピングしたときの方
がノンドープのと會より晴導１！ｌが小さくなる傾向も
モノシランの場合とよ（似ている。しかし、光導霞度の
Ｂ、Ｈ，添加による低下は約１桁以下であり、１０″４
以上のＰＨ，添加により光導霞度は約１桁増加している
ところがモノシランの場合よりも嵐好な特性である。
１０Ｗ、基板温度３００℃であり、曲線σ櫨は光照射し
ないときの生成膜の導電度で、ドーピング特性の指標と
なり、−纏Δσ？ｈはドーピングによる光電特性の変化
の指標となる。ここで得られたドーピング効率は、モノ
シランの場合の典鳳何より暴くなく 、 Ｉ Ｏ−４〜
］ ０−’の領置でＢ廊Ｈ・をドーピングしたときの方
がノンドープのと會より晴導１！ｌが小さくなる傾向も
モノシランの場合とよ（似ている。しかし、光導霞度の
Ｂ、Ｈ，添加による低下は約１桁以下であり、１０″４
以上のＰＨ，添加により光導霞度は約１桁増加している
ところがモノシランの場合よりも嵐好な特性である。
第４図のドーピングデータを利用して第５図に断面を示
すような太陽電池を作成した。この図で、１１はガラス
層、１２は８ｎＯ重層、１ｓはｐ＋層（！Ｉｓ）！＠／
８１ｍＨｓ−０，３％、 ７０ ！ ） 、 １４
ｉｔ ｌ 層（不純物添加なし、ｙｏｏｏｌ ）、１
ｓはｎ層（ＰＨｓ７’ Ｓｌｓ Ｈｓ −１０％、ｇ
ｏｏｎ）、１＠ｔｔ金属薄膜である。１Ｔ、１・は中出
力、−出力を示す。
すような太陽電池を作成した。この図で、１１はガラス
層、１２は８ｎＯ重層、１ｓはｐ＋層（！Ｉｓ）！＠／
８１ｍＨｓ−０，３％、 ７０ ！ ） 、 １４
ｉｔ ｌ 層（不純物添加なし、ｙｏｏｏｌ ）、１
ｓはｎ層（ＰＨｓ７’ Ｓｌｓ Ｈｓ −１０％、ｇ
ｏｏｎ）、１＠ｔｔ金属薄膜である。１Ｔ、１・は中出
力、−出力を示す。
第５図の太陽電池の特性な第６図に示す。ＡＭ】スプク
トラムｅ ６９．２ ｍ Ｗ／ ａｍ”強度のソーラ
ーシュ４レータ下で、第５図に示すようなｑ＃性を示し
、最高５４９１の変換効率が得られた。
トラムｅ ６９．２ ｍ Ｗ／ ａｍ”強度のソーラ
ーシュ４レータ下で、第５図に示すようなｑ＃性を示し
、最高５４９１の変換効率が得られた。
また、同じく第７図の構造を示す電界効果トランジスタ
を作成した。第７図で、２１はガラス基板、２２．２３
はＮ１畔の金属からなるソース。
を作成した。第７図で、２１はガラス基板、２２．２３
はＮ１畔の金属からなるソース。
ドレイン、２４は高次シランから成長したシリコン膜、
２ｓは絶輯膜、２・はゲートを示す。この・電界効果ト
ランジスタでは、５桁の電−変化を示す夷好な伝達特性
を有するものが得られた。しかも短時間で製造すること
ができた。
２ｓは絶輯膜、２・はゲートを示す。この・電界効果ト
ランジスタでは、５桁の電−変化を示す夷好な伝達特性
を有するものが得られた。しかも短時間で製造すること
ができた。
さらに、第５図に示す太陽電池の五層１４を１０−４以
下の割合のＢＡＨ＠を加えた高次シランで成長させた場
合、変換効率がさらに６−まで向上した。
下の割合のＢＡＨ＠を加えた高次シランで成長させた場
合、変換効率がさらに６−まで向上した。
また、第７図に示す電界効果トランジスタのアモルファ
スシリコン膜として１０−４〜１０−１のＢｍＨｓを加
えた高次シランで成長させた膜を用いる場合は、従来の
モノシランの場合とは違って伝達フンダクタンスの大幅
な低下を伴わないでゲートしきい値電圧をはｙ正負対称
な値、に調整することができ、さらに電流変化範囲を６
桁とすることができ−ｆｌｉｍＫｉｌｉ！＠ Ｌ？、：
！ ５ Ｋ、２゜０．。２１．７シランにホウ素を含む
ガスを混入して成長させてシリコン膜を構成したつで、
特性のよい充電素子。
スシリコン膜として１０−４〜１０−１のＢｍＨｓを加
えた高次シランで成長させた膜を用いる場合は、従来の
モノシランの場合とは違って伝達フンダクタンスの大幅
な低下を伴わないでゲートしきい値電圧をはｙ正負対称
な値、に調整することができ、さらに電流変化範囲を６
桁とすることができ−ｆｌｉｍＫｉｌｉ！＠ Ｌ？、：
！ ５ Ｋ、２゜０．。２１．７シランにホウ素を含む
ガスを混入して成長させてシリコン膜を構成したつで、
特性のよい充電素子。
電界効果素子を得ることがで幹る利点を有する。
ｊｌｌｌｌｌはこの発−の製造に用いる装置の一例を示
す断爾略図、第２図はこの発明の１理説明のための図で
、ジシランを原料ガスとして用いた７モル７７スシリツ
ン膜の成長速度とデータ例の図、菖３図は同じく放電電
力に対する光導霞度の変化を示す図、第４図はこの発明
による不純物のドーピング特性を示す図、第Ｓ図は第４
図のドーピング特性を利用して製作した太陽電池の断面
図、第６１１１ｔ第５図の太陽電池の出力特性図、第７
図はこの発＠により製作した電界効果トランジスタの断
藺図である。 図中、１はチャンバー、２は放電電極、Ｓは放電電源、
４は基板加熱手段、Ｓは放電領域、６は原料供給手段、
Ｔは排気手段、１１はガラス層。 １２はＳｎ０ｍ層、１３はｐ中層、１４は１層、１５は
ｎ層、１６は金属薄膜、ＩＴは中出力、１魯は一出力で
ある。 指定代理人電子技術総合研究所長・等々カ・第１図 第２図 特性放電横力ｌ流１ 第３図 ０．１ ０２ ０４ ０．６０Ｊ３１
２斂鴬膚力／減量（Ｗ／（ｃｕｍｒ＋１） −第４図 一日２Ｈ＆／５１２Ｈ６ＰＨｚ／Ｓｚ Ｈｉ−第５図 第６図 第７図 １事件の表示 昭和５７年脅許ｌＩ第！／９７０量 ２発明の名称 ホウ素を素置したシリコン薄膜 ３補正をする者 事件との関係 豐許出−人 東京都千代田区霞が関１丁目３番１号 ４指定代理人 茨城県新治郡桜村梅園１丁目１番４号 ００３５工業技術院 電子技術総合研究所長 等々力 暴 細工の層重 １Ｉｌｌｌ書の発鳴の＃細な説明の―および図−〇６
輸正の内容 （１）＠−寄書中ｌ、ＬｊＱ／−行の「この発明に用い
る装置を」を「この発明に用いる装置例を」と訂正する
。 （２） 同、第３頁１ｓ７を行の１１６． ＳＬ ８
０ ｃｃ／ｗｉｎ Ｊを６−４．１２．８ｓ ８２ ｃ
ｃ／ｗｉｎ Ｊと訂正する。 （３） 同、ｌＩｉダ頁１５行のｒ ０．１８」をｒ
ｏ、 ４５４と訂正する。 （４） 同、第！； Ｉ １１Ｎ１７行のｒ ！Ｏ，Ｏ
ｃｃ／ｍｉｎ Ｊを１８．ＯＱＣ／１ａｉｎ Ｊと訂正
する。 （６） 同、第６頁第１３行のｒ （１１ｓＨｓ／８
ｉｓＨｓ −０，８）」と訂正する。 （６）同、第６頁ＩＩ ／Ｒ１５行のｒ （ｆ’Ｈｓ／
８ｉｓＨｓ−１０％する。 （７） 同、第７頁嬉３行のｒ［Ｉを「Ｎ１」と訂正
する。 （８） 図面のＩＩ ２．３．ダ、６図を別紙のよう
に訂正する。 ル １ 図 ；Ｔ’２！Ｑ 特ａ取ｔｚ力／清量 庖電ｎ力／清量（ＷＡｃｃｔ−と−一 ）３図 ０．２５ ０．５ １ １．５２２．５ ５取電ａ
力１５１．量（Ｗ／（ｃｃｚｍｔｎｌ）−ル ４ 図 ４−９２Ｈ，／Ｓ、２Ｈ＠ＰＨ，／ Ｓ、２Ｈ，−＋ル
５ 図
す断爾略図、第２図はこの発明の１理説明のための図で
、ジシランを原料ガスとして用いた７モル７７スシリツ
ン膜の成長速度とデータ例の図、菖３図は同じく放電電
力に対する光導霞度の変化を示す図、第４図はこの発明
による不純物のドーピング特性を示す図、第Ｓ図は第４
図のドーピング特性を利用して製作した太陽電池の断面
図、第６１１１ｔ第５図の太陽電池の出力特性図、第７
図はこの発＠により製作した電界効果トランジスタの断
藺図である。 図中、１はチャンバー、２は放電電極、Ｓは放電電源、
４は基板加熱手段、Ｓは放電領域、６は原料供給手段、
Ｔは排気手段、１１はガラス層。 １２はＳｎ０ｍ層、１３はｐ中層、１４は１層、１５は
ｎ層、１６は金属薄膜、ＩＴは中出力、１魯は一出力で
ある。 指定代理人電子技術総合研究所長・等々カ・第１図 第２図 特性放電横力ｌ流１ 第３図 ０．１ ０２ ０４ ０．６０Ｊ３１
２斂鴬膚力／減量（Ｗ／（ｃｕｍｒ＋１） −第４図 一日２Ｈ＆／５１２Ｈ６ＰＨｚ／Ｓｚ Ｈｉ−第５図 第６図 第７図 １事件の表示 昭和５７年脅許ｌＩ第！／９７０量 ２発明の名称 ホウ素を素置したシリコン薄膜 ３補正をする者 事件との関係 豐許出−人 東京都千代田区霞が関１丁目３番１号 ４指定代理人 茨城県新治郡桜村梅園１丁目１番４号 ００３５工業技術院 電子技術総合研究所長 等々力 暴 細工の層重 １Ｉｌｌｌ書の発鳴の＃細な説明の―および図−〇６
輸正の内容 （１）＠−寄書中ｌ、ＬｊＱ／−行の「この発明に用い
る装置を」を「この発明に用いる装置例を」と訂正する
。 （２） 同、第３頁１ｓ７を行の１１６． ＳＬ ８
０ ｃｃ／ｗｉｎ Ｊを６−４．１２．８ｓ ８２ ｃ
ｃ／ｗｉｎ Ｊと訂正する。 （３） 同、ｌＩｉダ頁１５行のｒ ０．１８」をｒ
ｏ、 ４５４と訂正する。 （４） 同、第！； Ｉ １１Ｎ１７行のｒ ！Ｏ，Ｏ
ｃｃ／ｍｉｎ Ｊを１８．ＯＱＣ／１ａｉｎ Ｊと訂正
する。 （６） 同、第６頁第１３行のｒ （１１ｓＨｓ／８
ｉｓＨｓ −０，８）」と訂正する。 （６）同、第６頁ＩＩ ／Ｒ１５行のｒ （ｆ’Ｈｓ／
８ｉｓＨｓ−１０％する。 （７） 同、第７頁嬉３行のｒ［Ｉを「Ｎ１」と訂正
する。 （８） 図面のＩＩ ２．３．ダ、６図を別紙のよう
に訂正する。 ル １ 図 ；Ｔ’２！Ｑ 特ａ取ｔｚ力／清量 庖電ｎ力／清量（ＷＡｃｃｔ−と−一 ）３図 ０．２５ ０．５ １ １．５２２．５ ５取電ａ
力１５１．量（Ｗ／（ｃｃｚｍｔｎｌ）−ル ４ 図 ４−９２Ｈ，／Ｓ、２Ｈ＠ＰＨ，／ Ｓ、２Ｈ，−＋ル
５ 図
Claims (1)
- 高次シランにホウ素を含むガスを混入して成長させ構成
したことを特徴とするホウ素を含有したシリコン薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57051970A JPS58168281A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | ホウ素を含有したシリコン薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57051970A JPS58168281A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | ホウ素を含有したシリコン薄膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58168281A true JPS58168281A (ja) | 1983-10-04 |
| JPH0370389B2 JPH0370389B2 (ja) | 1991-11-07 |
Family
ID=12901723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57051970A Granted JPS58168281A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | ホウ素を含有したシリコン薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58168281A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6193675A (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
| US4957773A (en) * | 1989-02-13 | 1990-09-18 | Syracuse University | Deposition of boron-containing films from decaborane |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56122122A (en) * | 1980-03-03 | 1981-09-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | Manufacture of amorphous semiconductor |
-
1982
- 1982-03-30 JP JP57051970A patent/JPS58168281A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56122122A (en) * | 1980-03-03 | 1981-09-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | Manufacture of amorphous semiconductor |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6193675A (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
| US4957773A (en) * | 1989-02-13 | 1990-09-18 | Syracuse University | Deposition of boron-containing films from decaborane |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0370389B2 (ja) | 1991-11-07 |
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