JPS5816649B2 - transistor switch device - Google Patents

transistor switch device

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JPS5816649B2
JPS5816649B2 JP51112057A JP11205776A JPS5816649B2 JP S5816649 B2 JPS5816649 B2 JP S5816649B2 JP 51112057 A JP51112057 A JP 51112057A JP 11205776 A JP11205776 A JP 11205776A JP S5816649 B2 JPS5816649 B2 JP S5816649B2
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transistor
current
base
diode
circuit
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JP51112057A
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打田良平
内海暁
北野満
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/601Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors using transformer coupling

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Description

【発明の詳細な説明】 この発明はトランジスタスイッチ装置に関シ、特にチョ
ッパ装置等を構成するトランジスタスイッチ装置に関す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a transistor switch device, and more particularly to a transistor switch device constituting a chopper device or the like.

従来このような目的に用いられるトランジスタスイッチ
装置ではトランジスタ、がオンとなっている期間そのト
ランジスタには充分なベース電流を流して、ベース電流
不足のためコレクタ電流が制限されるという事態が絶対
に発生しないように設計された。
Conventionally, in transistor switch devices used for this purpose, sufficient base current flows through the transistor while the transistor is on, but the collector current is limited due to insufficient base current. It was designed not to.

このため最大負荷電流に対応する犬き々ベース電流を供
給する回路を設けたり、あるいはトランジスタをグーリ
ングトン回路の構成とし、必要な場合は多段のグーリン
グトン回路の構成とすることが一般であった。
For this reason, it is common practice to provide a circuit that supplies a constant base current corresponding to the maximum load current, or to configure the transistor as a Goulington circuit, and if necessary, to configure a multi-stage Goulington circuit. there were.

しかしトランジスタスイッチ装置の負荷は多くの場合リ
アクタンス分を含み、あるいは電動機が負荷となった場
合のように負荷の中に逆起電力を含み、かつその逆起電
力の値が変化するので、トランジスタスイッチ装置のト
ランジスタに流れる。
However, in many cases, the load of a transistor switch device includes a reactance component, or a back electromotive force is included in the load as in the case of a motor as a load, and the value of the back electromotive force changes, so the transistor switch Flows into the device's transistor.

コレクタ電流は広範囲に変化する。Collector current varies over a wide range.

コレクタ電流が広範囲に変化するにか\わらず最大コレ
クタ電流に対応するベース電流を常に流していることが
従来のトランジスタスイッチ装置の欠点である。
A drawback of conventional transistor switch devices is that they always flow a base current corresponding to the maximum collector current, even though the collector current varies over a wide range.

すなわち不必要な電力消費が行なjわれることになり、
またグーリングトン回路ではこれを構成するため装置の
大型化と信頼性の低下を来す結果となる。
In other words, unnecessary power consumption will occur,
Furthermore, since the Goulington circuit is constructed with this structure, the device becomes larger and its reliability decreases.

従来のトランジスタスイッチ装置における上述の欠点は
変流器を用いその一次側にトランジスタ二のコレフレ電
流を流し二次側巻線の両端をそのトランジスタのベース
とエミッタとに接続して変流器の一次側に流れる電流に
はソ比例するベース電流をそのトランジスタに流すこと
によって改善された。
The above-mentioned drawbacks of the conventional transistor switch device are as follows: A current transformer is used, and the current of the second transistor is passed through the primary side of the current transformer, and both ends of the secondary winding are connected to the base and emitter of the transistor. This was improved by passing a base current through the transistor that is proportional to the current flowing to the side.

しかしトランジスタのコレクタ電流が広範囲に変化する
と、いわゆる電流増幅率hfe0値も変化し、したがっ
てコレクタ電流に応じたベース電流を供給するためには
変流器の変流比(以下HFEと略記する)も一定ではな
く hfeに対応して自動的。
However, when the collector current of the transistor changes over a wide range, the so-called current amplification factor hfe0 value also changes, so in order to supply a base current according to the collector current, the current transformation ratio (hereinafter abbreviated as HFE) of the current transformer must also be changed. Not fixed, but automatic in response to hfe.

に変化することがのぞましい。It is desirable that the situation changes.

この発明の目的は変流器を用いてトランジスタのコレク
タ電流に比例するベース電流を流すトランジスタスイッ
チ装置においてhfeの変化に対応してHFEを自動的
に変化させるトランジスタス。
An object of the present invention is to provide a transistor switch device that uses a current transformer to flow a base current proportional to the collector current of a transistor, in which HFE is automatically changed in response to changes in hFE.

インチ装置を提供するにあり、この目的はトランジスタ
のベース電流回路を複数回路設け、それぞれのベース電
流回路に加えられる電圧とその回路に挿入されたダイオ
ードの電圧電流特性とを適当に選ぶことによって達成で
きる。
This purpose is achieved by providing a plurality of transistor base current circuits and appropriately selecting the voltage applied to each base current circuit and the voltage-current characteristics of the diode inserted in the circuit. can.

以下図面について本発明の実施例を詳細に説明するが、
以下の全図面を通じ同一符号は同一まだは相当部品を表
わすもので、他の図面について既に説明済の符号に対し
ては重複した説明を省略する。
Examples of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
The same reference numerals represent the same or equivalent parts throughout the drawings, and redundant explanations of the reference numerals that have already been explained in other drawings will be omitted.

第1図は本発明の一実施例を示す結線図、第2図は第1
図回路の主要な部分の電圧または電流波形を示す波形図
、第3図は本発明に用いる変流器鉄心の磁気履歴現象を
示すグラフである。
Fig. 1 is a wiring diagram showing one embodiment of the present invention, and Fig. 2 is a wiring diagram showing an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a waveform diagram showing the voltage or current waveforms of the main parts of the circuit, and FIG. 3 is a graph showing the magnetic hysteresis phenomenon of the current transformer core used in the present invention.

第1図において10は直流電源、11は負荷、12は主
トランジスタ10,11.12は直列に接続される。
In FIG. 1, 10 is a DC power supply, 11 is a load, 12 is a main transistor 10, and 11.12 are connected in series.

点線で囲んだブロック2は変流器であってその一次側巻
線21の一端はトランジスタ12のエミッタに接続され
他端は電源10の接地側端子に接続される。
A block 2 surrounded by a dotted line is a current transformer, and one end of its primary winding 21 is connected to the emitter of the transistor 12, and the other end is connected to the ground terminal of the power supply 10.

図に示す実施例では変流器2は第1の二次巻線22と第
2の二次巻線23とを有し、第1の二次巻線22は少く
とも1個の中間端子54を有するものとする。
In the embodiment shown, the current transformer 2 has a first secondary winding 22 and a second secondary winding 23, the first secondary winding 22 having at least one intermediate terminal 54. shall have the following.

またダイオード13は負荷11に並列にかつ主トランジ
スタ12の導通方向とは反対極性で接続される。
Further, the diode 13 is connected in parallel to the load 11 and with a polarity opposite to the conduction direction of the main transistor 12.

第1の二次巻線22の一端53は主トランジスタ12の
エミッタに接続され他端51は抵抗50とダイオード4
1の直列回路を介して主トランジスタ120ベースに接
続されて主トランジスタの第1のベース電流回路を構成
し、中間端子54からはダイオード44を介して主トラ
ンジスタ12ノヘースに接続されて主トランジスタ12
の第2のベース電流回路を構成している。
One end 53 of the first secondary winding 22 is connected to the emitter of the main transistor 12, and the other end 51 is connected to the resistor 50 and the diode 4.
The intermediate terminal 54 is connected to the base of the main transistor 120 through a series circuit to form a first base current circuit of the main transistor, and the intermediate terminal 54 is connected to the base of the main transistor 12 via a diode 44 to form the first base current circuit of the main transistor.
This constitutes a second base current circuit.

なお一般的に言えば第1の二次巻線22は中間端子54
の外にも中間端子を有し、これらの中間端子からそれぞ
れダイオードを介して主トランジスタ12のベースに接
続されて主トランジスタ12の第3.第4゜・・・・・
・のベース電流回路を構成できることは申すまでもない
が、普通の場合は第1のベース電流回路と第2のベース
電流回路だけを用いて必要なHFE特性を得ることがで
き、また第3.第4・・・・・・のベース電流回路の動
作は第2のベース電流回路の動作は第2のベース電流回
路の動作から容易に類推できるので第1図の実施例では
中間端子は1個だけ設けられるものとする。
Generally speaking, the first secondary winding 22 is connected to the intermediate terminal 54.
It also has intermediate terminals in addition to the third . 4th degree...
Needless to say, it is possible to configure the base current circuit of 3., but in normal cases, the necessary HFE characteristics can be obtained using only the first base current circuit and the second base current circuit, and 3. The operation of the fourth base current circuit can be easily inferred from the operation of the second base current circuit, so in the embodiment shown in Fig. 1, there is only one intermediate terminal. Only one person shall be provided.

、第2の二次巻線23はサイリスタ19で短絡され、サ
イリスタ19のゲートには端子17から抵抗18を経て
トリガパルスが加えられサイリスタスイッチ装置を形成
し、第2の二次巻線23を短絡することは第1の二次巻
線22を実効的に短絡することになるので、このサイリ
スタスイッチ装置を含めこれと同様な効果を与える回路
をこの明測置では変流器二次電圧短絡回路ということに
する。
, the second secondary winding 23 is short-circuited by the thyristor 19, and a trigger pulse is applied to the gate of the thyristor 19 from the terminal 17 via the resistor 18 to form a thyristor switch device, and the second secondary winding 23 is short-circuited. Since a short circuit effectively shorts the first secondary winding 22, in this installation, a circuit that provides a similar effect, including this thyristor switch device, is used to short circuit the current transformer secondary voltage. Let's call it a circuit.

点線で囲んだブロック3は変圧器であって、一次巻線3
1と二次巻線32とを有し、一次巻線31は電源10と
補助トランジスタ14との間に直列に接続されかつ電源
とは逆方向の極性のダイオード43が巻線31に並列に
接続される。
Block 3 surrounded by a dotted line is a transformer, and the primary winding 3
1 and a secondary winding 32, the primary winding 31 is connected in series between the power supply 10 and the auxiliary transistor 14, and a diode 43 having a polarity opposite to that of the power supply is connected in parallel to the winding 31. be done.

二次巻線32の一端はダイオード42を経て主トランジ
スタ12のベースに接続され、他端はダイオード41と
抵抗50との接続点52に接続される。
One end of the secondary winding 32 is connected to the base of the main transistor 12 via a diode 42, and the other end is connected to a connection point 52 between the diode 41 and the resistor 50.

変圧器3の二次巻線32はパルス電圧を発生し主トラン
ジスタ12の第1のベース回路に加える目的のものであ
って、このような目的の回路をこの明細書ではパルス電
圧発生源ということにする。
The secondary winding 32 of the transformer 3 is for the purpose of generating a pulse voltage and applying it to the first base circuit of the main transistor 12, and the circuit for this purpose is referred to as a pulse voltage generation source in this specification. Make it.

°第1図の回路の動作を第2図を参照して説明するが、
最初に端子54、ダイオード44、主トランジスタ12
のベース、主トランジスタ12のエミッタ、端子53で
構成される主トランジスタの第2ベース電流回路はオフ
の状態にあると仮定した時の動作を説明する。
°The operation of the circuit shown in Figure 1 will be explained with reference to Figure 2.
First, terminal 54, diode 44, main transistor 12
The operation will be described assuming that the second base current circuit of the main transistor, which is composed of the base of the main transistor 12, the emitter of the main transistor 12, and the terminal 53, is in an off state.

まだ変流器と変圧器の巻線に附した黒丸は誘起電圧の相
対極性を示すものとする。
The black circles attached to the current transformer and transformer windings indicate the relative polarity of the induced voltage.

時刻11(第2図参照)のとき主トランジスタ12はオ
フ状態にあるとし波形P16で示すパルス電圧が端子1
6から抵抗15を経て補助トランジスタ14のベースに
与えられると補助トランジスタ14はオンとなり変圧器
3の二次巻線32にはパルス電圧が発生し巻線32→ダ
イオード42→主トランジスタ12のベース→主トラン
ジスタ12のエミッタ→巻線22の抵抗50→巻線32
の回路に主トランジスタ12のベース電流が流れ主トラ
ンジスタ12をターン・オンする。
At time 11 (see Figure 2), the main transistor 12 is in the off state, and the pulse voltage shown by waveform P16 is applied to terminal 1.
6 to the base of the auxiliary transistor 14 via the resistor 15, the auxiliary transistor 14 is turned on, and a pulse voltage is generated in the secondary winding 32 of the transformer 3. Emitter of main transistor 12 → resistor 50 of winding 22 → winding 32
The base current of the main transistor 12 flows through the circuit, turning the main transistor 12 on.

主トランジスタ12と巻線22との接続点53ははソ接
地の電位に等しいので巻線32のダイオード42に接続
されている側の端子ははソ接地の電位となり、しだがっ
て巻線32の他端すなわち接続点52の電位は第2図波
形V5□で示すような負のパルス電圧となり、その電圧
にて磁心はリセットされつつ一次巻線21に流れる電流
に比例した電流が巻線22を流れる。
Since the connection point 53 between the main transistor 12 and the winding 22 is equal to the potential of the solenoid ground, the terminal of the winding 32 connected to the diode 42 has the potential of the solenoid ground. The potential at the other end, that is, the connection point 52 becomes a negative pulse voltage as shown by the waveform V5□ in FIG. flows.

時点t1以前は変流器2のアンペアターンが(第3図参
照、アンペアターンはATと記す)0でその磁束φが点
Aにあるとすると、波形v、2に示す電圧によって巻線
22に流れる電流のだめアンペアターンは一旦負方向の
値となり時刻t2点で再び0となるので変流器の磁束φ
はE点に相等する値となる。
Assuming that the ampere turns of current transformer 2 is 0 before time t1 (see Figure 3, ampere turns are denoted as AT) and its magnetic flux φ is at point A, a voltage shown in waveform v, 2 causes a voltage across winding 22 to The ampere-turn of the flowing current once becomes a negative value and becomes 0 again at time t2, so the magnetic flux of the current transformer φ
is a value equivalent to point E.

すなわち変流器3の磁束はリセットされる。That is, the magnetic flux of the current transformer 3 is reset.

主トランジスタ12はt1点でターン・オンさ 。Main transistor 12 is turned on at point t1.

れるが負荷11のリアクタンスのだめ負荷電流Illは
第2図波形Illに示すように漸次増加する。
However, due to the reactance of the load 11, the load current Ill gradually increases as shown in the waveform Ill of FIG.

変流器2の一次巻線210巻数をN1 とし、一次を流
れる電流を■。
The number of turns of the primary winding 210 of current transformer 2 is N1, and the current flowing through the primary is .

(第2図t1〜t3区間では>■。(>■ in the section t1 to t3 in Figure 2).

=111)とし、第1の二次巻線220巻数をN2とし
、二次を流れる電流を■3 とすると■。
= 111), the number of turns of the first secondary winding 220 is N2, and the current flowing through the secondary is 3.

によるアンペアターンをはソ打消して誘起電圧を維持す
るために必要ないわゆる励磁アンペアターンだけを残し
て平衡するように18によるアンペアターンが発生する
のでN1■cf−N2IB となりI。
Since the ampere turns caused by 18 are generated to balance the excitation ampere turns necessary to maintain the induced voltage by canceling the ampere turns caused by

に比例するIBが流れる。■oの増加につれて励磁アン
ペアターンも増加し時刻t3でN2で示す値になりφが
F点に相当する値になったとすると(第3図参照)これ
以上;励磁アンペアターンを増加すると鉄心の飽和の為
に変流器2はその作用をしなくなるが変流器2において
磁束がF点に達したか否かは2次誘起電圧のそう失によ
り容易に検出できることであるからこの時点をt3
としこれを検出して端子16に第2図ptaに示すパル
スを印加しトランジスタ14をターンオンする。
IB proportional to flows. ■As o increases, the excitation ampere-turns also increase, and at time t3, the value shown by N2 is reached, and φ becomes a value corresponding to point F (see Figure 3). Therefore, the current transformer 2 ceases to function, but whether or not the magnetic flux has reached point F in the current transformer 2 can be easily detected by the loss of the secondary induced voltage, so this point is set as t3.
This is detected and a pulse shown in FIG. 2 pta is applied to the terminal 16 to turn on the transistor 14.

するとトランス3の2次巻線32には図示極性電圧が誘
導され、トランスより巻線32→ダイオ一ド42→トラ
ンジスタ12→巻線22→抵抗50→巻線32の経路で
電流■3が流れる。
Then, the indicated polarity voltage is induced in the secondary winding 32 of the transformer 3, and current 3 flows from the transformer through the path of winding 32 → diode 42 → transistor 12 → winding 22 → resistor 50 → winding 32. .

この電流はトランジスタ12のベース電流となり、この
間には等アンペアターン則をみたし13N2キ■6CN
1なる関係が成立する。
This current becomes the base current of the transistor 12, and it satisfies the equal ampere turn law between them.
A relationship of 1 is established.

つまり変流器磁心をリセット中においてもトランジスタ
12はオンをつソけその時のスペース電流は負荷電流に
比例した値となり、変流器磁心の磁束はセットリセット
を繰りかえしつつ、トランジスタ12は連続してオン状
態を保つことができる。
In other words, even while the current transformer core is being reset, the transistor 12 remains on, and the space current at that time has a value proportional to the load current, and while the magnetic flux of the current transformer core is repeatedly set and reset, the transistor 12 continues to Can be kept on.

トランジスタ14のオン中に変流器の磁心は磁束がF点
よりB、Aを経て6点に到ると2次誘起電圧が失われる
ことにより上記と逆方向に飽和したことを知り得この時
点をt4 とすればt4時点でトランジスタ14をター
ンオフするとよい。
When the magnetic flux of the current transformer magnetic core reaches point 6 from point F through B and A while transistor 14 is on, the secondary induced voltage is lost, and it can be seen that the magnetic core saturates in the opposite direction to the above. t4, it is preferable to turn off the transistor 14 at the time t4.

以後は再びトランジスタ12のベース電流カトランジス
タ12→巻線22→抵抗50→ダイオード41→トラン
ジスタ12の経路で流れて本説明のはじめと同様の動作
をする。
Thereafter, the base current of the transistor 12 flows again along the path of the transistor 12 -> the winding 22 -> the resistor 50 -> the diode 41 -> the transistor 12, and operates in the same manner as at the beginning of this description.

t7点でP1□パルスがゲート17に加えられるとサイ
リスタ19はターンオンして巻線23を短絡し、点51
の電圧ははソ零となり主トランジスタ12はターン・オ
フし負荷電流Illはダイオード13に転流して第2図
波形11□のt7→t9区間に見るように漸次減衰する
When the P1□ pulse is applied to the gate 17 at point t7, the thyristor 19 turns on and shorts the winding 23, causing the point 51 to turn on.
The voltage becomes zero, the main transistor 12 is turned off, and the load current Ill is commutated to the diode 13 and gradually attenuates as seen in the section t7→t9 of the waveform 11□ in FIG.

次に第2のベース電流回路の作用について説明する。Next, the operation of the second base current circuit will be explained.

ダイオード44としては希望するHFEの特性に合せて
種々の特性のものを選ぶことができる力ζ図に示す実施
例では順方向の電圧が所定値以上となってはじめてオン
状態となる特性のものを選んだとし、第2図Illの値
が未だ小さい間は端子54の電圧は低くダイオード44
はオフの状態を保っていてアンペアターンの平衡はほぼ
N1■o。
The diode 44 can be selected from a variety of characteristics depending on the desired HFE characteristics.In the embodiment shown in the force ζ diagram, a diode 44 with characteristics that turns on only when the forward voltage exceeds a predetermined value is used. If the value of Ill in FIG. 2 is still small, the voltage at the terminal 54 is low and the diode 44
remains off, and the ampere turn balance is approximately N1■o.

中N2■8 となっている。Medium N2■8.

Illが増加し端子54の電圧が所定の値を超すとダイ
オード44に電流が流れはじめる。
When Ill increases and the voltage at terminal 54 exceeds a predetermined value, current begins to flow through diode 44.

ダイオード41を流れる電流を■8いダイオード44を
流れる電流をIB2とすれば主トランジスタ12のベー
ス電流IBはIB−IB1+IB□であり、まだアンペ
アターンの平衡は巻線22のうち端子53から端子54
までの巻数をN3 とすればほぼN、Io=N2■B1
+N31B2(IB1+■8□−IB)となり■8□=
0のときのアンペアターンの平衡N1■o=N2■8に
比し実効変流比HFE(HFE=■o/■B)が変化す
ることは容易に理解できるであろう。
If the current flowing through the diode 41 is IB2, the current flowing through the diode 44 is IB2, then the base current IB of the main transistor 12 is IB-IB1+IB□, and the balance of the ampere turns is still from terminal 53 to terminal 54 of the winding 22.
If the number of turns up to N3 is approximately N, Io=N2■B1
+N31B2 (IB1+■8□-IB) becomes ■8□=
It will be easily understood that the effective current transformation ratio HFE (HFE=■o/■B) changes compared to the ampere-turn balance N1■o=N2■8 when the current is 0.

第4図は変流器2の一次電流Icに対し第1図に示す回
路のHFEが変化する状況を示すグラフであって、主ト
ランジスタ12のコレクタ電流■oの変化に対応する電
流増幅率hfe0値の変化をも併せて示しである。
FIG. 4 is a graph showing how HFE of the circuit shown in FIG. Changes in values are also shown.

ダイオード44の特性と中間端子54の巻線22内にお
ける位置を適当に選ぶことによってhfeに対応する特
性のHFEを得ることができる。
By appropriately selecting the characteristics of the diode 44 and the position of the intermediate terminal 54 within the winding 22, an HFE with characteristics corresponding to hfe can be obtained.

また中間端子は1個だけでなく複数個設けることができ
、これにしたがって第2のベース電流回路のほかに第3
.第4・・・・・・のベース電流回路を設けhfeとH
FEとの相似を更に改善できることは申すまでもない。
Furthermore, not only one intermediate terminal but also a plurality of intermediate terminals can be provided, and accordingly, in addition to the second base current circuit, a third
.. A fourth base current circuit is provided for hfe and H.
Needless to say, the similarity with FE can be further improved.

第1図に示す実施例では変流器二次電圧短絡回路とパル
ス電圧発生源とにそれぞれ特定の回路を用いた例を示し
であるが、これらの回路に第1図の実施例以外種々変化
した設計が考えられることは申すまでもない。
The embodiment shown in Fig. 1 shows an example in which specific circuits are used for the current transformer secondary voltage short circuit and the pulse voltage generation source, but various changes may be made to these circuits other than the embodiment shown in Fig. 1. Needless to say, similar designs are possible.

第5図は本発明の他の実施例を示す結線図であって第5
図の実施例ではパルス電圧発生源用の電源は直流電源1
0とは別の直流電源60を用い、変流器二次電圧短絡回
路は第1の二次巻線22の両端5L 53間に直接接
続されるサイリスタ19から構成される。
FIG. 5 is a wiring diagram showing another embodiment of the present invention.
In the embodiment shown, the power supply for the pulse voltage generation source is DC power supply 1.
Using a DC power supply 60 separate from 0, the current transformer secondary voltage short circuit consists of a thyristor 19 connected directly between the ends 5L 53 of the first secondary winding 22.

第6図は本発明の他の実施例を示す結線図であって図に
おいてパルス電圧発生源は主として補助トランジスタ1
4とダイオード45とから構成され、ダイオード45は
主トランジスタ12のエミッタと端子53との間に接続
される。
FIG. 6 is a wiring diagram showing another embodiment of the present invention, in which the pulse voltage generation source is mainly the auxiliary transistor 1.
4 and a diode 45, the diode 45 being connected between the emitter of the main transistor 12 and the terminal 53.

補助トランジスタ14がターンオンされると電流は直流
電源10の正端子→補助トランジスタ14→巻線23→
抵抗50→ダイオード41→主トランジスタ12のベー
ス→主トランジスタ12のエミッタ→直流電源10の負
端子に流れ主トランジスタ12をターン・オンすると同
時に変流器2の磁束をリセットする。
When the auxiliary transistor 14 is turned on, the current flows from the positive terminal of the DC power supply 10 → the auxiliary transistor 14 → the winding 23 →
The flow flows from the resistor 50 to the diode 41 to the base of the main transistor 12 to the emitter of the main transistor 12 to the negative terminal of the DC power supply 10, turning on the main transistor 12 and resetting the magnetic flux of the current transformer 2 at the same time.

第1図は本発明の更に他の実施例を示す結線図であって
第1図に示す実施例に比し変流器2が主トランジスタ1
2のコレクタ側に挿入される実施例を示す。
FIG. 1 is a wiring diagram showing still another embodiment of the present invention, in which the current transformer 2 is replaced by the main transistor
An example is shown in which the device is inserted into the collector side of No. 2.

第8図は本発明の更に他の実施例を示す結線図であって
第7図に示す実施例に比し変流器二次電圧短絡回路が第
1の二次巻線22の両端5L 53がサイリスタ19
で短絡される回路構成となっている点が異なる。
FIG. 8 is a wiring diagram showing still another embodiment of the present invention, which is different from the embodiment shown in FIG. is thyristor 19
The difference is that the circuit configuration is short-circuited.

以上の説明から明らかなようにこの発明によればトラン
ジスタの電流増幅比hfeがそのコレクタ電流によって
変化する場合これに応じて変流器の実効変流比HFEを
自動的に変化しトランジスタのコレクタ電流に対し常に
適当なベース電流を流すことができるトランジスタスイ
ッチ装置が得られる。
As is clear from the above description, according to the present invention, when the current amplification ratio hfe of the transistor changes depending on its collector current, the effective current transformation ratio HFE of the current transformer is automatically changed accordingly, and the collector current of the transistor is A transistor switch device is obtained in which an appropriate base current can always flow through the transistor.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例を示す結線図、第2図は第1
図回路の主要な部分の電圧または電流波形を示す波形図
、第3図は本発明に用いる変流器鉄心の磁気履歴現象を
示すグラフ、第4.は第1図の回路において変流器の実
効変流比の変化を示すグラフである。 第5図は本発明の他の実施例を示す結線図、第6図は本
発明の更に他の実施例を示す結線図、第7図は本発明の
更に他の実施例を示す結線図、第8図は本発明の他の実
施例を示す結線である。 図において2は変流器、21は変流器の一次巻線、22
は変流器の第1の二次巻線、23は変流器の第2の二次
巻線、3は変圧器、31は変圧器の一次巻線、32ね変
圧器の二次巻線、10は直流電源、11は負荷、12は
主トランジスタ、13はダイオード、14は補助トラン
ジスタ、19はサイリスタ、4L 42,43,44
゜45はそれぞれダイオード、50は抵抗、51゜53
はそれぞれ巻線22の両端子、54は巻線22の中間端
子、52は抵抗50とダイオード41の接点である。 なお図中同一符号は同一まだは相当部分を示す。
Fig. 1 is a wiring diagram showing one embodiment of the present invention, and Fig. 2 is a wiring diagram showing an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a waveform diagram showing the voltage or current waveforms of the main parts of the circuit; Figure 3 is a graph showing the magnetic hysteresis phenomenon of the current transformer core used in the present invention; is a graph showing changes in the effective current transformation ratio of the current transformer in the circuit of FIG. 1; FIG. 5 is a wiring diagram showing another embodiment of the invention, FIG. 6 is a wiring diagram showing still another embodiment of the invention, and FIG. 7 is a wiring diagram showing still another embodiment of the invention. FIG. 8 is a wiring diagram showing another embodiment of the present invention. In the figure, 2 is a current transformer, 21 is the primary winding of the current transformer, 22
is the first secondary winding of the current transformer, 23 is the second secondary winding of the current transformer, 3 is the transformer, 31 is the primary winding of the transformer, 32 is the secondary winding of the transformer , 10 is a DC power supply, 11 is a load, 12 is a main transistor, 13 is a diode, 14 is an auxiliary transistor, 19 is a thyristor, 4L 42, 43, 44
゜45 is a diode, 50 is a resistor, 51゜53
are both terminals of the winding 22, 54 is an intermediate terminal of the winding 22, and 52 is a contact point between the resistor 50 and the diode 41. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or corresponding parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 直流電源と負荷と主トランジスタと変流器の一次巻
線との直列回路、上記変流器の第1の二次巻線の両端を
抵抗とダイオードとの直列回路を介して上記主トランジ
スタのベースとエミツタトニそれぞれ接続して構成する
主トランジスタの第1のベース電流回路、上記第1の二
次巻線の少なくとも1個の中間端子からダイオードを介
して上記主トランジスタのベースまたはエミッタに接続
して構成する主トランジスタの第2のベース電流回路、
上記主トランジスタの第1のベース電流回路に並列・に
接続されてパルス電圧を上記第1の二次巻線と主トラン
ジスタのベースとの直列回路に加えるパルス電圧発生源
、上記第1の二次巻線の両端の電圧を実効的に短絡する
変流器二次電圧短絡回路を備えだことを特徴とするトラ
ンジスタスイッチ装置。 2 変流器二次電圧短絡回路は上記変流器の第2の二次
巻線を短絡するサイリスタスイッチ装置を備えだことを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載のトランジスタス
イッチ装置。 、3 変流器二次電圧短絡回路は上記変流器の上記第1
の二次巻線を短絡するサイリスタスイッチ装置を備えた
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のトランジ
スタスイッチ装置。 4 パルス電圧発生源の一方の出力端子はダイオノード
を介して土肥主トランジスタのベースに接続され、他方
の出力端子は上記主トランジスタの第1のベース電流回
路の抵抗とダイオードとの接続点に接続されることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載のトランジスタスイ
ッチ装置。 55 パルス電圧発生源はコレクタが直流電源正端子に
接続される補助トランジスタを有し、上記主トランジス
タのエミッタはダイオードを介して上記第1の二次巻線
の一方の端子と上記補助トランジスタのエミッタとの接
続点に接続されることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載のトランジスタスイッチ装置。 6 パルス電圧発生源の一方の出力端子はダイオードを
介して上記第1の二次巻線の一方の端子に接続され、他
方の出力端子は上記主トランジスタ1の第1のベース電
流回路の抵抗とダイオードとの接続点に接続され、上記
第1の二次巻線の他方の端子は上紀主トランジスタのベ
ースに接続されることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載のトランジスタスイッチ装置。
[Claims] 1. A series circuit of a DC power supply, a load, a main transistor, and a primary winding of a current transformer, and a series circuit of a resistor and a diode connected to both ends of the first secondary winding of the current transformer. A first base current circuit of the main transistor configured by connecting the base of the main transistor to the emitter through the base of the main transistor through a diode from at least one intermediate terminal of the first secondary winding. or a second base current circuit of the main transistor connected to the emitter,
a pulse voltage generation source connected in parallel to the first base current circuit of the main transistor and applying a pulse voltage to the series circuit of the first secondary winding and the base of the main transistor; A transistor switch device characterized in that it is equipped with a current transformer secondary voltage short circuit that effectively shorts the voltage at both ends of the winding. 2. The transistor switch device according to claim 1, wherein the current transformer secondary voltage short circuit comprises a thyristor switch device that shorts the second secondary winding of the current transformer. , 3 The current transformer secondary voltage short circuit is the first voltage short circuit of the current transformer.
2. The transistor switch device according to claim 1, further comprising a thyristor switch device for short-circuiting a secondary winding of the transistor switch device. 4. One output terminal of the pulse voltage generation source is connected to the base of the Doi main transistor via a diode node, and the other output terminal is connected to the connection point between the resistor and the diode of the first base current circuit of the main transistor. A transistor switch device according to claim 1, characterized in that: 55 The pulse voltage generation source has an auxiliary transistor whose collector is connected to the positive terminal of the DC power supply, and the emitter of the main transistor is connected to one terminal of the first secondary winding and the emitter of the auxiliary transistor via a diode. Claim 1 characterized in that the first claim is connected to the connection point with
Transistor switch device as described in . 6 One output terminal of the pulse voltage generation source is connected to one terminal of the first secondary winding through a diode, and the other output terminal is connected to the resistance of the first base current circuit of the main transistor 1. Claim 1, characterized in that the first secondary winding is connected to a connection point with a diode, and the other terminal of the first secondary winding is connected to the base of the main transistor.
Transistor switch device as described in .
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