JPS58164352U - 低雑音ヘテロダイン受信装置 - Google Patents

低雑音ヘテロダイン受信装置

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JPS58164352U
JPS58164352U JP5926482U JP5926482U JPS58164352U JP S58164352 U JPS58164352 U JP S58164352U JP 5926482 U JP5926482 U JP 5926482U JP 5926482 U JP5926482 U JP 5926482U JP S58164352 U JPS58164352 U JP S58164352U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
low noise
heterodyne receiver
receiver
noise heterodyne
noise
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Pending
Application number
JP5926482U
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English (en)
Inventor
杉浦　禎彦
和彦 本城
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS58164352U publication Critical patent/JPS58164352U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Noise Elimination (AREA)
  • Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図はＧａＡｓ　　ＦＥＴの雑音特性を説明するため
の図で、第２図ａ、　　ｂ、　　ｃは本考案の実施例を
説明するための図である。図において４は信号源コンダ
クタンス、１．１５はゲート電極、３゜１７はソース電
極、２．１６はドレイン電極、１１はアンテナ、１２は
局部発振器、１３．２３゜３３はミキサ、１４，２４．
３４は伝送線路、２９はインピーダンス変換器、１８は
モノリシツ　　・）り構成の受信増幅器である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 入力雑音整合回路を持たない初段増幅トランジスタの入
    力端子からミキサ側を見込んだインピーダンスが通常用
    いられる伝送系特性インピーダンス５０Ω（または７５
    Ω）より高いことを特徴とする低雑音ヘテロゲイン受信
    装置。
JP5926482U 1982-04-23 1982-04-23 低雑音ヘテロダイン受信装置 Pending JPS58164352U (ja)

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JPS58164352U true JPS58164352U (ja) 1983-11-01

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ID=30069582

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49121459A (ja) * 1973-03-19 1974-11-20
JPS50135966A (ja) * 1974-04-16 1975-10-28

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49121459A (ja) * 1973-03-19 1974-11-20
JPS50135966A (ja) * 1974-04-16 1975-10-28

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